Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRFML8244TRPBF China
IRFML8244TRPBF

IRFML8244TRPBF China

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Produktcode: 198685
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Hersteller: China
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 25 V
Drain-Strom Idd, A: 4,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 24 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 430/5,4
Montage: SMD
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IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF
Produktcode: 94121
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IR irfml8244trpbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 25 V
Drain-Strom Idd, A: 4,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 24 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 430/5,4
Montage: SMD
auf Bestellung 2583 St.:
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IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF Infineon Technologies irfml8244pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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9000+0.11 EUR
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IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF Infineon Technologies irfml8244pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF Infineon Technologies irfml8244pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 560 Stücke
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IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfml8244pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
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IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF Infineon Technologies irfml8244pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 365 Stücke
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IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF Infineon Technologies irfml8244pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF Infineon Technologies irfml8244pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562817c91fc0 Description: MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
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IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRFML8244-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 25V 5.8A 24mOhm 5.4 Qg
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IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF Infineon Technologies irfml8244pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFML8244TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5.8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 10675 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFML8244TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5.8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 10675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Produktcode: 94121
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IRFML8244TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 25 V
Drain-Strom Idd, A: 4,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 24 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 430/5,4
Montage: SMD
auf Bestellung 2583 St.:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
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6000+0.11 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 16132 Stücke:
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IRFML8244TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
239+0.36 EUR
298+0.29 EUR
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IRFML8244TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17323 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
365+0.49 EUR
589+0.3 EUR
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IRFML8244TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17323 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
227+0.77 EUR
365+0.46 EUR
589+0.27 EUR
771+0.2 EUR
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3000+0.12 EUR
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IRFML8244TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
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AnzahlPrivatkunde
24+0.88 EUR
39+0.55 EUR
100+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IRFML8244TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 25V 5.8A 24mOhm 5.4 Qg
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100+0.39 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFML8244TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFML8244TRPBF INFN-S-A0012838692-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFML8244TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFML8244TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5.8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 10675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFML8244TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFML8244TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5.8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 10675 Stücke:
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KIRLML5203TRPBF
Produktcode: 185651
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2109011630_KUU-KIRLML5203TRPBF_C2891688.pdf
KIRLML5203TRPBF
Hersteller: KUU
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 98 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 510/9,5
Montage: SMD
auf Bestellung 583 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LTV817S-TA1 [C]
Produktcode: 31279
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ltv817s-ta1.pdf
LTV817S-TA1 [C]
Hersteller: Lite-On
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehause: SMD-4
Typ: Transistor
Isolationsspannung U-isol, kV: 5 kV
Strom ein/aus I-ein/I-aus, mA: 50/50 mA
Ausgangsspannung U-ausg, V: 35 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 4/3 µs
Betriebstemperatur, °C: -30…+110°C
Kanalanzahl: 1
auf Bestellung 5788 St.:
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AnzahlPrivatkunde
1+0.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
0 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-0R-Hitano) (SMD-Widerstand)
Produktcode: 3684
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RC_series.pdf
0 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-0R-Hitano) (SMD-Widerstand)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 0 Ohm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
auf Bestellung 10500 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20000 St.:
20000 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.0033 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9303TRPBF
Produktcode: 38416
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irlml9303pbf-datasheet.pdf
IRLML9303TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 2,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,165 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 160/2.0
Anmerkung: Logikpegelansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung 2662 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.14 EUR
10+0.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Buchse USBA-1J vertikal (KLS1-181B-W)
Produktcode: 44842
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kls1-181b-w-datasheet.pdf
Buchse USBA-1J vertikal (KLS1-181B-W)
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > USB
Beschreibung: USB Typ A Buchse mit vertikaler Platinenmontage
Typ: USB-A
Stecker/Buchse: Buchse
Mechanische Montage: auf Platine
Elektrische Montage: THT
Räumliche Ausrichtung: Vertikal
auf Bestellung 464 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2000 St.:
2000 St. - erwartet 22.10.2026
AnzahlPrivatkunde
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10+0.14 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.095 EUR
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