IRFP264PBF
Produktcode: 51613
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 250
Idd,A: 38
Rds(on), Ohm: 0.075
Ciss, pF/Qg, nC: 5400/210
JHGF: THT
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Analogon IRFP264PBF IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP264PBF (TO-247AC, Siliconix) Produktcode: 156295
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Siliconix |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247AC Uds,V: 250 V Idd,A: 38 A Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5400/210 JHGF: THT |
auf Bestellung 139 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFP264PBF (TO-247AC, Siliconix) Produktcode: 156295
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 250 V
Idd,A: 38 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5400/210
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 250 V
Idd,A: 38 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5400/210
JHGF: THT
auf Bestellung 139 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Weitere Produktangebote IRFP264PBF nach Preis ab 3.55 EUR bis 13.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP264PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 24A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.21µC |
auf Bestellung 284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
IRFP264PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
auf Bestellung 284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
IRFP264PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 563 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
IRFP264PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO247 250V 38A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
IRFP264PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP264PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 38 A, 0.075 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFP264PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 7.62 EUR |
| 14+ | 5.31 EUR |
| 25+ | 4.72 EUR |
| 100+ | 3.96 EUR |
| 125+ | 3.85 EUR |
| 250+ | 3.55 EUR |
| IRFP264PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 12+ | 12.67 EUR |
| 17+ | 8.67 EUR |
| 25+ | 7.56 EUR |
| 100+ | 6.21 EUR |
| 125+ | 5.95 EUR |
| 250+ | 5.39 EUR |
| IRFP264PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 13.52 EUR |
| 25+ | 8.08 EUR |
| 100+ | 6.79 EUR |
| 500+ | 5.75 EUR |
| IRFP264PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 250V 38A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 250V 38A N-CH MOSFET
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 13.68 EUR |
| 10+ | 8.18 EUR |
| 100+ | 5.09 EUR |
| 500+ | 4.38 EUR |
| 1000+ | 4.26 EUR |
| IRFP264PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP264PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 38 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - IRFP264PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 38 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mit diesem Produkt kaufen
| IRFP264NPBF Produktcode: 197506
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 250 V
Idd,A: 44 A
Rds(on), Ohm: 60 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3860/210
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 250 V
Idd,A: 44 A
Rds(on), Ohm: 60 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3860/210
JHGF: THT
auf Bestellung 4 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Смывка для печатных плат 90мл (изопропиловый спирт) Produktcode: 170724
9
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Chemie > Reinigungsmittel
Опис: Змивка для друкованих плат, відповідно до ГОСТу, 2-х компонентний склад на основі абсолютованого ізопропілового спирту (вміст води та інших домішок у ньому не перевищує 0,5%.) та очисника універсального. При обробці плати, після паяння радіокомпонентів цим складом, спирт змиває залишки флюсу (каніфолі), а очищувач - залишки продуктів горіння, що утворюються після паяння. Змивка для друкованих плат ідеальний засіб для промивання плат, на які потрапила вода, зокрема плат мобільних телефонів - "утопленників". Для того, щоб промити плату, достатньо потерти її з двох сторін зубною щіткою, змоченою в змивці.
Призначення: Змиває залишки флюса
Упаковка: 90мл
Тип: Засоби очищення
Опис: Змивка для друкованих плат, відповідно до ГОСТу, 2-х компонентний склад на основі абсолютованого ізопропілового спирту (вміст води та інших домішок у ньому не перевищує 0,5%.) та очисника універсального. При обробці плати, після паяння радіокомпонентів цим складом, спирт змиває залишки флюсу (каніфолі), а очищувач - залишки продуктів горіння, що утворюються після паяння. Змивка для друкованих плат ідеальний засіб для промивання плат, на які потрапила вода, зокрема плат мобільних телефонів - "утопленників". Для того, щоб промити плату, достатньо потерти її з двох сторін зубною щіткою, змоченою в змивці.
Призначення: Змиває залишки флюса
Упаковка: 90мл
Тип: Засоби очищення
auf Bestellung 116 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 5 St.:
| NE5532DR Produktcode: 27082
2
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SOIC-8
Vc, V: ±15V
BW, MHz: 10
Vio, mV(Biasspannung): 0,5
Geschw. Nar., V/mks: 9
Temperaturbereich: -40…+85°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 2
ZCODE: 8542319000
Монтаж: SMD
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SOIC-8
Vc, V: ±15V
BW, MHz: 10
Vio, mV(Biasspannung): 0,5
Geschw. Nar., V/mks: 9
Temperaturbereich: -40…+85°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 2
ZCODE: 8542319000
Монтаж: SMD
auf Bestellung 191 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.2 EUR |
| 10+ | 0.16 EUR |
| 100+ | 0.14 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |








