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IRL640PBF (TO-220AB, Vishay)

IRL640PBF (TO-220AB, Vishay)

Produktcode: 31167
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Hersteller: Vishay
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1800/66
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRL640PBF IRL640PBF Vishay irl640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.25 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IRL640PBF IRL640PBF Vishay irl640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRL640PBF IRL640PBF Vishay Semiconductors irl640.pdf MOSFETs TO220 200V 17A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+3.2 EUR
100+2.43 EUR
500+2.05 EUR
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IRL640PBF IRL640PBF VISHAY VISH-S-A0019267845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRL640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1806 Stücke:
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41+6.22 EUR
68+3.46 EUR
100+2.59 EUR
500+2.27 EUR
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Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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IRL640PBF IRL640PBF Vishay Siliconix irl640.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
auf Bestellung 11906 Stücke:
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10+4.3 EUR
50+3.3 EUR
100+2.98 EUR
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IRL640PBF IRL640PBF Vishay irl640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Hersteller: Vishay Semiconductors
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IRL640PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRL640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRL640PBF
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Description: MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB
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Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
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Gewicht/Volumen/Menge: 20 g
Konsistenz: Fest
erwartet: 318 St.
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auf Bestellung: 140 St.
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Mindestbestellmenge: 2 St.
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infineon-irl540npbf-datasheet-en.pdf
IRL540NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 36 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1800/74
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
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LP2950ACZ-5.0/NOPB
Produktcode: 24794
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description LP2950.pdf
LP2950ACZ-5.0/NOPB
Hersteller: NS
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-92
Eingangsspannung Uin, V: 30 V
Ausgangsspannung Uout, V: 5 V
Ausgangsstrom Iout, A: 0,1 A
Spannungsabfall Udrop, V: 0,38 V
Ausgangstyp: Fest
Temperaturbereich: -40...125°C
Montage: THT
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auf Bestellung: 22 St.
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Mindestbestellmenge: 2 St.
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Kontakte für HU-xx (KLS1-2.54-T, 2542-TL)
Produktcode: 8246
16 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
kls1-2_54-0-datasheet.pdf
Kontakte für HU-xx (KLS1-2.54-T, 2542-TL)
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Kontakte für Steckverbinder mit Raster 2.54mm auf Draht: 22-28AWG
Stecker/Buchse: Kontakte / Aderendhülsen
Anzahl Kontakte: -
Kontaktabstand: 2,54 мм
Steckverbinder-Serie: Kontakte für HU
Montage: Kabelmontage
verfügbar: 35 St.
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erwartet: 150000 St.
  • 150000 St. - erwartet
auf Bestellung: 14851 St.
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AnzahlPrivatkunde
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50+0.024 EUR
100+0.017 EUR
1000+0.013 EUR
Mindestbestellmenge: 31 St.
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IRF640
Produktcode: 7926
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description IRF640.pdf
IRF640
Hersteller: Philips
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/70
Montage: THT
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