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IRLML6346TRPBF

Name: IRLML6346TRPBF
Brand: IR
SKU: 48281
Price: 0.09 EUR
Availability: InStock

irlml6346pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668a336262e

Produktcode: 48281

Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 63 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/2,9
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD

verfügbar 2103 Stück:

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IRLML6346TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irlml6346-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

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IRLML6346TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

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24000+	0.1 EUR
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IRLML6346TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

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1096+	0.14 EUR
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12000+	0.1 EUR
24000+	0.093 EUR

Mindestbestellmenge: 1007

IRLML6346TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 24 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24

auf Bestellung 84000 Stücke:

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3000+	0.24 EUR
9000+	0.21 EUR
75000+	0.18 EUR

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IRLML6346TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

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771+	0.2 EUR
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3000+	0.11 EUR
9000+	0.097 EUR

Mindestbestellmenge: 497

IRLML6346TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

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530+	0.28 EUR
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2500+	0.25 EUR
5000+	0.23 EUR

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IRLML6346TRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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257+	0.28 EUR
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421+	0.17 EUR
658+	0.11 EUR
705+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 179

IRLML6346TRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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257+	0.28 EUR
368+	0.19 EUR
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IRLML6346TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

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1025+	0.14 EUR
3000+	0.11 EUR
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IRLML6346TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

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313+	0.48 EUR
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315+	0.44 EUR
316+	0.42 EUR
500+	0.41 EUR
1000+	0.39 EUR

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IRLML6346TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

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315+	0.48 EUR
316+	0.46 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.42 EUR

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IRLML6346TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRLML6346_DataSheet_v01_01_EN-3363407.pdf

MOSFET MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable

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3000+	0.24 EUR
9000+	0.21 EUR
24000+	0.2 EUR

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IRLML6346TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 24 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24

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34+	0.78 EUR
100+	0.4 EUR
500+	0.35 EUR
1000+	0.27 EUR

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IRLML6346TRPBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012905744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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IRLML6346TRPBF

Hersteller : INFINEON

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IRLML6346TRPBF

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm

auf Bestellung 9000 Stücke:

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IRLML6346TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

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IRLML6346TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

N-MOSFET, 30В, 2,7А. Idm: 17А, 0,8А, SOT-23-3

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IRLML6346TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

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IRLML6346TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R

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2N7002(Transistor)
Produktcode: 47271

Hersteller: Hottech
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
JHGF: SMD

auf Bestellung 1099 Stück:

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erwartet 10000 Stück:

10000 Stück - erwartet

IRLML2502TRPBF
Produktcode: 25595

irlml2502pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668048e2606

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 04.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.045
Ciss, pF/Qg, nC: 01.08.740
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD

verfügbar: 2766 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.12 EUR
10+	0.11 EUR
100+	0.1 EUR

KX-26 32.768 kHz (Quarz Resonator)
Produktcode: 2404

Hersteller: Geyer/Strong
Quarz- und keramische > Quarz- und keramische Resonatoren und Generatoren
Frequenz: 32,768 KHz
Gehäuse: HC 2.0x6.2 (S206, CH206)
Typ: Quarz Resonator
Zusätzlich: Годинниковий кварц
12,5 pF
Стабільність при 25°C: +/-20ppm
Монтаж: SMD
№ 7: 8541600000

auf Bestellung 1114 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.29 EUR
10+	0.21 EUR
100+	0.14 EUR
1000+	0.099 EUR

IRLML6401TRPBF
Produktcode: 34344

Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 12
Id,A: 4.3
Rds(on),Om: 0.05
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD

verfügbar: 9517 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.24 EUR
10+	0.16 EUR
100+	0.1 EUR

IRLML6302TRPBF
Produktcode: 45727

Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 0.78
Rds(on),Om: 0.60
Ciss, pF/Qg, nC: 97/2.4
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD

verfügbar: 1101 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
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