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IRLML6346TRPBF

IRLML6346TRPBF

infineon-irlml6346-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a401535668a336262e
Produktcode: 48281
Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 63 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/2,9
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml6346pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.1 EUR
9000+0.084 EUR
24000+0.079 EUR
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IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml6346pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml6346-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a401535668a336262e Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 24 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24
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9000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
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572+0.24 EUR
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2000+0.12 EUR
5000+0.1 EUR
12000+0.091 EUR
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IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227C53954049F1A303005056AB0C4F&compId=irlml6346pbf.pdf?ci_sign=f015b0982e28988fc6ffca7b5cd078a776e1cb3e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
173+0.41 EUR
265+0.27 EUR
323+0.22 EUR
417+0.17 EUR
500+0.14 EUR
658+0.11 EUR
695+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 173
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17A
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IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml6346pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml6346pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRLML6346-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable
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IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml6346-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a401535668a336262e Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 24 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24
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IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6407 Stücke:
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IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml6346pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML6346TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml6346-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a401535668a336262e N-MOSFET, 30В, 2,7А. Idm: 17А, 0,8А, SOT-23-3
auf Bestellung 150 Stücke:
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IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml6346pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002(Transistor)
Produktcode: 47271
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2n7002-datasheet.pdf
2N7002(Transistor)
Hersteller: Hottech
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
JHGF: SMD
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IRLML2502TRPBF
Produktcode: 25595
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infineon-irlml2502-datasheet-en.pdf
IRLML2502TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 04.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.045
Ciss, pF/Qg, nC: 01.08.740
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 7752 Stück
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7662 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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Anzahl Preis
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IRLML6401TRPBF
Produktcode: 34344
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irlml6401pbf-datasheet.pdf
IRLML6401TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: -12
Id,A: -4.3
Rds(on),Om: 0.05
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
auf Bestellung 10935 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.16 EUR
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PIC16F676-I/SL
Produktcode: 42811
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pic16f676-i-sl-datasheet.pdf
PIC16F676-I/SL
Hersteller: Microchip
IC > IC Mikrokontroller
Gehäuse: SO-14
Kurzbeschreibung: 14-Pin, Flash-Beased 8-Bit CMOS MC
Strom, V: 2....5.5V
Betriebstemperatur, °С: -40....+85C
Austauschbar: 8-Bit
Bemerkung: 20MHz
Робоча температура, °С: -40…+85°C
verfügbar: 78 Stück
1 Stück - stock Köln
77 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+1.06 EUR
10+0.96 EUR
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PLS-40 Stifte auf Platte (KLS1-207-1-40-S – KLS)
Produktcode: 72296
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20220906123201KLS1-207.pdf
PLS-40 Stifte auf Platte (KLS1-207-1-40-S – KLS)
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Überbrückungsstecker
Beschreibung: Stifte 1 - Reihe auf Platte gerade, 40 Kontakte, Schritt 2,54mm, 3А, Plattierung: Gold 0.8u"
Stecker/Buchse: Stifte (Stecker)
Schritt: 2,54mm
Anzahl Reihen: 1 - Reihe
Anzahl Kontakte: 40
verfügbar: 161 Stück
erwartet: 15000 Stück
15000 Stück - erwartet 25.11.2025
Anzahl Preis
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10+0.2 EUR
100+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH