IRLML6346TRPBF
Produktcode: 48281
1
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 63 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/2,9
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.1 EUR |
| 10+ | 0.09 EUR |
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Weitere Produktangebote IRLML6346TRPBF nach Preis ab 0.099 EUR bis 1.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 24 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 |
auf Bestellung 46500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 4150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML6346TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Polarisation: unipolar Gate charge: 2.9nC On-state resistance: 80mΩ Power dissipation: 0.8W Drain current: 2.7A Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 17A Drain-source voltage: 30V |
auf Bestellung 1761 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 24 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 |
auf Bestellung 47432 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable |
auf Bestellung 68077 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLML6346TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm |
auf Bestellung 34534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRLML6346TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm |
auf Bestellung 34534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6346TRPBF | Infineon |
N-MOSFET, 30В, 2,7А. Idm: 17А, 0,8А, SOT-23-3 Транзистори |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6346TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 24 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24
Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 24 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24
auf Bestellung 46500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.18 EUR |
| 6000+ | 0.16 EUR |
| 9000+ | 0.15 EUR |
| 15000+ | 0.14 EUR |
| 30000+ | 0.13 EUR |
| IRLML6346TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 374+ | 0.39 EUR |
| 500+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
| 2500+ | 0.33 EUR |
| IRLML6346TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 2.7A
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17A
Drain-source voltage: 30V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 2.7A
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17A
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 1761 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 152+ | 0.47 EUR |
| 213+ | 0.34 EUR |
| 262+ | 0.27 EUR |
| 358+ | 0.2 EUR |
| 447+ | 0.16 EUR |
| 544+ | 0.13 EUR |
| 658+ | 0.11 EUR |
| 1000+ | 0.099 EUR |
| IRLML6346TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 24 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24
Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 24 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24
auf Bestellung 47432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 22+ | 0.83 EUR |
| 35+ | 0.51 EUR |
| 100+ | 0.32 EUR |
| 500+ | 0.24 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |
| IRLML6346TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable
MOSFETs MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable
auf Bestellung 68077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.09 EUR |
| 10+ | 0.76 EUR |
| 100+ | 0.48 EUR |
| 500+ | 0.3 EUR |
| 1000+ | 0.22 EUR |
| 3000+ | 0.2 EUR |
| IRLML6346TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
auf Bestellung 34534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLML6346TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
auf Bestellung 34534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLML6346TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon
N-MOSFET, 30В, 2,7А. Idm: 17А, 0,8А, SOT-23-3 Транзистори
N-MOSFET, 30В, 2,7А. Idm: 17А, 0,8А, SOT-23-3 Транзистори
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 0.54 EUR |
Mit diesem Produkt kaufen
| 10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo) Produktcode: 82544
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10,0 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10,0 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 274341 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRLML2502TRPBF Produktcode: 25595
4
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 04.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.045
Ciss, pF/Qg, nC: 01.08.740
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 04.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.045
Ciss, pF/Qg, nC: 01.08.740
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 6106 St.
- 90 St. - stock Köln
- 6016 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 6000 St.
- 6000 St. - erwartet 05.07.2026
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.12 EUR |
| 10+ | 0.11 EUR |
| 100+ | 0.1 EUR |
| PIC16F676-I/SL Produktcode: 42811
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Microchip
IC > IC Mikrokontroller
Gehäuse: SO-14
Kurzbeschreibung: 14-Pin, Flash-Beased 8-Bit CMOS MC
Strom, V: 2....5.5V
Betriebstemperatur, °С: -40....+85C
Austauschbar: 8-Bit
Bemerkung: 20MHz
Робоча температура, °С: -40…+85°C
IC > IC Mikrokontroller
Gehäuse: SO-14
Kurzbeschreibung: 14-Pin, Flash-Beased 8-Bit CMOS MC
Strom, V: 2....5.5V
Betriebstemperatur, °С: -40....+85C
Austauschbar: 8-Bit
Bemerkung: 20MHz
Робоча температура, °С: -40…+85°C
verfügbar: 91 St.
- 1 St. - stock Köln
- 90 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 1.06 EUR |
| 10+ | 0.96 EUR |
| IRLML6302TRPBF Produktcode: 45727
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 0.78
Rds(on),Om: 0.60
Ciss, pF/Qg, nC: 97/2.4
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 0.78
Rds(on),Om: 0.60
Ciss, pF/Qg, nC: 97/2.4
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
auf Bestellung 2396 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.11 EUR |
| 10+ | 0.1 EUR |
| 100+ | 0.09 EUR |
| 1000+ | 0.078 EUR |
| 47uF 10V size-B 10% (TAJB476K010RNJ-AVX) Produktcode: 17877
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: AVX
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 10V
Präzision: ±10%
Größentyp: Size-B
№ 6: 8532210000
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren SMD
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 10V
Präzision: ±10%
Größentyp: Size-B
№ 6: 8532210000
auf Bestellung 3705 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 0.16 EUR |
| 100+ | 0.11 EUR |
| 1000+ | 0.092 EUR |









