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IRLR3410PBF

IRLR3410PBF

irlr3410-datasheet.pdf
Produktcode: 105980
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 800/34
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 58 Stück:
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Technische Details IRLR3410PBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 15A, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Cont Current Id:17A
  • On State Resistance:0.105ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:D-PAK
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:2.4`C/W
  • Max Voltage Vds:100V
  • Max Voltage Vgs th:2V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.105ohm
  • Power Dissipation:79W
  • Power Dissipation Pd:79W
  • Pulse Current Idm:60A
  • SMD Marking:IRLR3410
  • Voltage Vds:100V
  • Transistor Case Style:D-PAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRLR3410PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 17 А; Ptot, Вт = 79; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25; Qg, нКл = 34 @ 5 В; Rds = 105 мОм @ 10 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; D-PAK
auf Bestellung 6 Stücke:
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IRLR3410PBF IRLR3410PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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IRLR3410PBF IRLR3410PBF Hersteller : Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
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IRLR3410PBF IRLR3410PBF Hersteller : Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
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Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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Iav, A: 10
Trr, ns: 35
Bemerkung: 2x10
auf Bestellung 25 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+1.5 EUR
10+1.4 EUR
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IRFR3910PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 52W 100V 15A 115mΩ DPAK
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 100
Idd,A: 16
Rds(on), Ohm: 0.115
Ciss, pF/Qg, nC: 640/44
JHGF: SMD
verfügbar: 173 Stück
8 Stück - stock Köln
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IRLML0030TRPBF
Produktcode: 37076
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irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
IRLML0030TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 10760 Stück
60 Stück - stock Köln
10700 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Produktcode: 82544
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RC_series.pdf
10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10,0 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 32381 Stück:
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erwartet 205000 Stück:
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