IRLR3410PBF

IRLR3410PBF


irlr3410-datasheet.pdf
Produktcode: 105980
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 800/34
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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Technische Details IRLR3410PBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 15A, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Cont Current Id:17A
  • On State Resistance:0.105ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:D-PAK
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:2.4`C/W
  • Max Voltage Vds:100V
  • Max Voltage Vgs th:2V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.105ohm
  • Power Dissipation:79W
  • Power Dissipation Pd:79W
  • Pulse Current Idm:60A
  • SMD Marking:IRLR3410
  • Voltage Vds:100V
  • Transistor Case Style:D-PAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRLR3410PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irlr3410pbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ptot, Вт = 79, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 5 В, Rds = 105 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
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IRLR3410PBF Hersteller : International Rectifier irlr3410.pdf MOSFET N-CH 100V 17A TO-252AA (DPAK) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRLR3410PBF IRLR3410PBF Hersteller : Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
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IRLR3410PBF IRLR3410PBF Hersteller : Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
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JHGF: SMD
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+0.23 EUR
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Ciss, pF/Qg, nC: 640/44
JHGF: SMD
verfügbar: 156 St.
8 St. - stock Köln
148 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+1.02 EUR
10+0.9 EUR
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Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 4387 St.
1164 St. - stock Köln
3223 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 40000 St.
40000 St. - erwartet 10.08.2026
Anzahl Preis
10+0.01 EUR
100+0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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Produktcode: 3349
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ES1J
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
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Vrr, V: 600
Iav, A: 1
Trr, ns: 20
ZCODE: 8541 10 00 90
auf Bestellung 1142 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+0.07 EUR
100+0.062 EUR
1000+0.054 EUR
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U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 25940 St.
4900 St. - stock Köln
21040 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.42 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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