IRLR3410PBF
Produktcode: 105980
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 800/34
Bemerkung: Logikpegelsteuerung
Montage: SMD
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRLR3410PBF IR
- MOSFET, N, 100V, 15A, D-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:100V
- Cont Current Id:17A
- On State Resistance:0.105ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:2V
- Case Style:DPAK
- Termination Type:SMD
- Alternate Case Style:D-PAK
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:2.4`C/W
- Max Voltage Vds:100V
- Max Voltage Vgs th:2V
- On State resistance @ Vgs = 10V:0.105ohm
- Power Dissipation:79W
- Power Dissipation Pd:79W
- Pulse Current Idm:60A
- SMD Marking:IRLR3410
- Voltage Vds:100V
- Transistor Case Style:D-PAK
Weitere Produktangebote IRLR3410PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IRLR3410PBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ptot, Вт = 79, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 5 В, Rds = 105 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 75 Stücke |
verfügbar 6 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRLR3410PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ptot, Вт = 79, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 5 В, Rds = 105 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ptot, Вт = 79, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 5 В, Rds = 105 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 6 Stücke:
Mit diesem Produkt kaufen
| IRLR024NTRPBF Produktcode: 22061
4
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 480/15
Bemerkung: Logikpegelsteuerung
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 480/15
Bemerkung: Logikpegelsteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung 2874 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.31 EUR |
| 10+ | 0.27 EUR |
| IRFR3910PBF Produktcode: 32400
2
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 16 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,115 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 640/44
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 16 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,115 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 640/44
Montage: SMD
verfügbar: 156 St.
- 8 St. - stock Köln
- 148 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.21 EUR |
| 10+ | 1.07 EUR |
| 100+ | 0.71 EUR |
| 1 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-1K-Hitano) Produktcode: 11106
2
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 1 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3,2x1,6 mm; D-Anschl.=0,45 mm
Typ: Kohleschicht
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 1 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3,2x1,6 mm; D-Anschl.=0,45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 4387 St.
- 1164 St. - stock Köln
- 3223 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 40000 St.
- 40000 St. - erwartet 10.08.2026
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.012 EUR |
| 100+ | 0.0067 EUR |
| ES1J Produktcode: 3349
3
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: YJ/TSC/HOTTECH
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Sperrspannung Vrr, V: 600 V
Mittlerer Strom Iav, A: 1 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 20 ns
Montage: SMD
Warennummer: 8541 10 00 90
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Sperrspannung Vrr, V: 600 V
Mittlerer Strom Iav, A: 1 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 20 ns
Montage: SMD
Warennummer: 8541 10 00 90
auf Bestellung 1127 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.095 EUR |
| 10+ | 0.083 EUR |
| 100+ | 0.074 EUR |
| 1000+ | 0.064 EUR |
| 1 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1MR-Hitano) (SMD-Widerstand) Produktcode: 3243
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 1 MOhm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 1 MOhm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
verfügbar: 25940 St.
- 4900 St. - stock Köln
- 21040 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.5 EUR |
| 100+ | 0.043 EUR |
| 1000+ | 0.0033 EUR |





