IRLR3410PBF
Produktcode: 105980
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 800/34
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRLR3410PBF IR
- MOSFET, N, 100V, 15A, D-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:100V
- Cont Current Id:17A
- On State Resistance:0.105ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:2V
- Case Style:DPAK
- Termination Type:SMD
- Alternate Case Style:D-PAK
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:2.4`C/W
- Max Voltage Vds:100V
- Max Voltage Vgs th:2V
- On State resistance @ Vgs = 10V:0.105ohm
- Power Dissipation:79W
- Power Dissipation Pd:79W
- Pulse Current Idm:60A
- SMD Marking:IRLR3410
- Voltage Vds:100V
- Transistor Case Style:D-PAK
Weitere Produktangebote IRLR3410PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IRLR3410PBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ptot, Вт = 79, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 5 В, Rds = 105 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 75 Stücke |
verfügbar 6 Stücke: |
||
| IRLR3410PBF | Hersteller : International Rectifier |
MOSFET N-CH 100V 17A TO-252AA (DPAK) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
|
IRLR3410PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAKPackaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
IRLR3410PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
| IRLR024NTRPBF Produktcode: 22061
4
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 3324 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.26 EUR |
| 10+ | 0.23 EUR |
| IRFR3910PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 52W 100V 15A 115mΩ DPAK Produktcode: 32400
2
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 100
Idd,A: 16
Rds(on), Ohm: 0.115
Ciss, pF/Qg, nC: 640/44
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 100
Idd,A: 16
Rds(on), Ohm: 0.115
Ciss, pF/Qg, nC: 640/44
JHGF: SMD
verfügbar: 156 St.
8 St. - stock Köln
148 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
148 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 1.02 EUR |
| 10+ | 0.9 EUR |
| 100+ | 0.6 EUR |
| 1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano) Produktcode: 11106
2
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 4387 St.
1164 St. - stock Köln
3223 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
3223 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet:
40000 St.
40000 St. - erwartet 10.08.2026
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 0.01 EUR |
| 100+ | 0.0056 EUR |
| ES1J Produktcode: 3349
3
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: YJ/TSC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 600
Iav, A: 1
Trr, ns: 20
ZCODE: 8541 10 00 90
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 600
Iav, A: 1
Trr, ns: 20
ZCODE: 8541 10 00 90
auf Bestellung 1142 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.08 EUR |
| 10+ | 0.07 EUR |
| 100+ | 0.062 EUR |
| 1000+ | 0.054 EUR |
| 1 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 3243
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1 MOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1 MOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 25940 St.
4900 St. - stock Köln
21040 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
21040 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 0.42 EUR |
| 100+ | 0.036 EUR |
| 1000+ | 0.0028 EUR |





