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IRLR3410PBF

IRLR3410PBF

irlr3410-datasheet.pdf
Produktcode: 105980
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 17 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 800/34
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 45 St.
  • 45 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details IRLR3410PBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 15A, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Cont Current Id:17A
  • On State Resistance:0.105ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:D-PAK
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:2.4`C/W
  • Max Voltage Vds:100V
  • Max Voltage Vgs th:2V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.105ohm
  • Power Dissipation:79W
  • Power Dissipation Pd:79W
  • Pulse Current Idm:60A
  • SMD Marking:IRLR3410
  • Voltage Vds:100V
  • Transistor Case Style:D-PAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLR3410PBF International Rectifier/Infineon irlr3410pbf.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ptot, Вт = 79, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 5 В, Rds = 105 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 6 Stücke:
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IRLR3410PBF description irlr3410pbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ptot, Вт = 79, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 5 В, Rds = 105 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 480/15
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 2660 St.
  • 2660 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.58 EUR
10+0.49 EUR
100+0.46 EUR
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Produktcode: 32400
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description irfr3910pbf6y.pdf
IRFR3910PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 16 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,115 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 640/44
Montage: SMD
verfügbar: 8 St.
  • 8 St. - stock Köln
auf Bestellung: 147 St.
  • 147 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.21 EUR
10+1.07 EUR
100+0.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0030TRPBF
Produktcode: 37076
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Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 382/2,6
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 60 St.
  • 60 St. - stock Köln
erwartet: 21000 St.
  • 21000 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 2288 St.
  • 2288 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.19 EUR
10+0.18 EUR
100+0.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-1K-Hitano)
Produktcode: 11106
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CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-1K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 1 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3.2x1.6 mm; Dlead=0.45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 664 St.
  • 664 St. - stock Köln
erwartet: 40500 St.
  • 40000 St. - erwartet 10.08.2026
  • 500 St. - erwartet
auf Bestellung: 3345 St.
  • 3345 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.027 EUR
100+0.021 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Produktcode: 3349
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ES1J
Hersteller: YJ/TSC/HOTTECH
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Sperrspannung Vrr, V: 600 V
Mittlerer Strom Iav, A: 1 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 20 ns
Montage: SMD
Warennummer: 8541 10 00 90
auf Bestellung: 1101 St.
  • 1101 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.15 EUR
10+0.14 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.064 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH