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IRS2153DPBF

IRS2153DPBF

IRSDS08244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Produktcode: 31246
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Hersteller: IR
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,18/0,26 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 120/50 ns
Bemerkung: selbstschwingend, Halbbrücke, fo < 100 kHz
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
auf Bestellung: 52 St.
  • 52 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details IRS2153DPBF IR

  • HALF BRIDGE DRIVER SELF-OSC, DIP8
  • Driver IC Type:MOSFET
  • No. of Outputs:2
  • Output Voltage:625.3V
  • Output Current:180mA
  • Min Supply Voltage:10.1V
  • Max Supply Voltage:16.8V
  • Case Style:DIP
  • No. of Pins:8
  • Operating Temperature Range:-40`C to +125`C
  • Max Operating Temperature:125`C
  • Min Temperature Operating:-40`C
  • Base Number:2153
  • Max Output Current:0.18A
  • Max Output Voltage:625V
  • Termination Type:Through Hole
  • Driver IC Case Style:DIP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRS2153DPBF IRS2153DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2153d.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -260...180mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.22 EUR
27+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IRS2153DPBF IRS2153DPBF Infineon Technologies ng_standard_control_ics_to_generate_negative_gate_bias_for_mosfets_and_igbts_applicationnotes_en.pdf description Gate Drivers Self-Osc Half Bridge Drvr 1.1us
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.34 EUR
10+4.74 EUR
25+4.55 EUR
100+4.32 EUR
250+4.11 EUR
500+3.96 EUR
1000+3.72 EUR
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IRS2153DPBF IRS2153DPBF Infineon Technologies IRSDS08244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 15.4V
Input Type: RC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 120ns, 50ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 180mA, 260mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.28 EUR
10+5.49 EUR
50+4.77 EUR
100+4.55 EUR
250+4.32 EUR
500+4.18 EUR
1000+4.06 EUR
2500+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRS2153DPBF IRS2153DPBF INFINEON 140965.pdf description Description: INFINEON - IRS2153DPBF - MOSFET-Treiber 2fach Halbbrücke selbstoszillierend, 10.1V-16.8V Versorgungsspannung, 0.26Aout, DIP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 260mA
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: -
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 180mA
Versorgungsspannung, min.: 10.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 16.8V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: 350ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.72 EUR
44+5.36 EUR
48+4.5 EUR
50+4.34 EUR
100+4.2 EUR
250+3.99 EUR
500+3.86 EUR
1000+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IRS2153DPBF description irs2153d.pdf
IRS2153DPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -260...180mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
auf Bestellung 50 Stücke:
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IRS2153DPBF description ng_standard_control_ics_to_generate_negative_gate_bias_for_mosfets_and_igbts_applicationnotes_en.pdf
IRS2153DPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers Self-Osc Half Bridge Drvr 1.1us
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1000+3.72 EUR
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IRS2153DPBF description IRSDS08244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRS2153DPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 15.4V
Input Type: RC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 120ns, 50ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 180mA, 260mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
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IRS2153DPBF description 140965.pdf
IRS2153DPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2153DPBF - MOSFET-Treiber 2fach Halbbrücke selbstoszillierend, 10.1V-16.8V Versorgungsspannung, 0.26Aout, DIP-8
tariffCode: 85423990
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Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
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MSL: -
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Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 180mA
Versorgungsspannung, min.: 10.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 16.8V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: 350ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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  • 129 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1370/50
Montage: THT
auf Bestellung: 50 St.
  • 50 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.73 EUR
10+1.55 EUR
100+1.4 EUR
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Nennwert: 200 kOhm
Beschreibung: Kohle Potentiometer linear, Mono
Typ: Dreh
Abmessungen: D=17 mm
Leistung: 0,06 Вт
Welle: 15 мм
Kennlinie: linear
verfügbar: 48 St.
  • 48 St. - stock Köln
auf Bestellung: 357 St.
  • 357 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1018/38
Montage: THT
verfügbar: 5 St.
  • 5 St. - stock Köln
auf Bestellung: 227 St.
  • 227 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.88 EUR
10+1.7 EUR
100+1.52 EUR
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100 Ohm 1% 2W bedrahtet (MFR200SSFTB-100R-Hitano)
Produktcode: 50361
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MFRSS_series_20140707.pdf
100 Ohm 1% 2W bedrahtet (MFR200SSFTB-100R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 2W
Nennwiderstand: 100 Ohm
Toleranz und TKW: ±1%, ±100ppm
P Nenn., W: 2 W
U Betrieb, V: 350 V
Abmessungen: 9x3 mm; Ø Anschluss = 0.7 mm
Typ: Metallschicht, miniatur
-55...+155°C
auf Bestellung: 1109 St.
  • 1109 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH