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IRS2153DPBF

IRS2153DPBF

IRSDS08244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Produktcode: 31246
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Hersteller: IR
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,18/0,26 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 120/50 ns
Bemerkung: selbstschwingend, Halbbrücke, fo < 100 kHz
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
auf Bestellung 52 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+2.55 EUR
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Technische Details IRS2153DPBF IR

  • HALF BRIDGE DRIVER SELF-OSC, DIP8
  • Driver IC Type:MOSFET
  • No. of Outputs:2
  • Output Voltage:625.3V
  • Output Current:180mA
  • Min Supply Voltage:10.1V
  • Max Supply Voltage:16.8V
  • Case Style:DIP
  • No. of Pins:8
  • Operating Temperature Range:-40`C to +125`C
  • Max Operating Temperature:125`C
  • Min Temperature Operating:-40`C
  • Base Number:2153
  • Max Output Current:0.18A
  • Max Output Voltage:625V
  • Termination Type:Through Hole
  • Driver IC Case Style:DIP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRS2153DPBF IRS2153DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2153d.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.12µs
Power: 1W
Turn-off time: 50ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -260...180mA
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.22 EUR
22+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IRS2153DPBF IRS2153DPBF Infineon Technologies Infineon-IRS2153D-DataSheet-v01_00-EN.pdf description Gate Drivers Self-Osc Half Bridge Drvr 1.1us
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.97 EUR
10+5.19 EUR
25+4.74 EUR
100+4.25 EUR
250+4.02 EUR
500+3.92 EUR
1000+3.72 EUR
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IRS2153DPBF IRS2153DPBF INFINEON 140965.pdf description Description: INFINEON - IRS2153DPBF - MOSFET-Treiber 2fach Halbbrücke selbstoszillierend, 10.1V-16.8V Versorgungsspannung, 0.26Aout, DIP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 260mA
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: -
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 180mA
Versorgungsspannung, min.: 10.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 16.8V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: 350ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.47 EUR
45+5.2 EUR
52+4.18 EUR
53+4.09 EUR
100+3.99 EUR
250+3.77 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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IRS2153DPBF description irs2153d.pdf
IRS2153DPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.12µs
Power: 1W
Turn-off time: 50ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -260...180mA
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
auf Bestellung 22 Stücke:
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IRS2153DPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Gate Drivers Self-Osc Half Bridge Drvr 1.1us
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IRS2153DPBF description 140965.pdf
IRS2153DPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2153DPBF - MOSFET-Treiber 2fach Halbbrücke selbstoszillierend, 10.1V-16.8V Versorgungsspannung, 0.26Aout, DIP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 260mA
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: -
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 180mA
Versorgungsspannung, min.: 10.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 16.8V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: 350ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1356 Stücke:
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45+5.2 EUR
52+4.18 EUR
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STP10NK60Z.pdf
STP10NK60Z
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1370/50
Montage: THT
auf Bestellung 185 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.73 EUR
10+1.55 EUR
100+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R16 200 kOhm linear Mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B204-L15)
Produktcode: 28633
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
20130416150848kls4-wh148.pdf
R16 200 kOhm linear Mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B204-L15)
Hersteller: CTR
Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
Nennwert: 200 kOhm
Beschreibung: Kohle Potentiometer linear, Mono
Typ: Dreh
Abmessungen: D=17 mm
Leistung: 0,06 Вт
Welle: 15 мм
Kennlinie: linear
verfügbar: 450 St.
  • 48 St. - stock Köln
  • 402 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+0.81 EUR
10+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
R16 500 kOhm linear Mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B504-L15)
Produktcode: 32857
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ygigig468925rtdrtcdgvvfhge.jpg
R16 500 kOhm linear Mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B504-L15)
Hersteller: CTR
Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
Nennwert: 500 kOhm
Beschreibung: Kohle Potentiometer linear, Mono
Typ: Dreh
Abmessungen: D=17 mm
Leistung: 0,125 Вт
Welle: 15 мм
Kennlinie: linear
auf Bestellung 840 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20 St.:
AnzahlPrivatkunde
1+0.81 EUR
10+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF840APBF (TO-220AB, Vishay)
Produktcode: 35892
4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRF840APBF (TO-220AB, Vishay)
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1018/38
Montage: THT
verfügbar: 272 St.
  • 5 St. - stock Köln
  • 267 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+1.88 EUR
10+1.7 EUR
100+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100 Ohm 1% 2W bedrahtet (MFR200SSFTB-100R-Hitano)
Produktcode: 50361
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MFRSS_series_20140707.pdf
100 Ohm 1% 2W bedrahtet (MFR200SSFTB-100R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 2W
Nennwiderstand: 100 Ohm
Toleranz und TKW: ±1%, ±100ppm
P Nenn., W: 2 W
U Betrieb, V: 350 V
Abmessungen: 9x3 mm; Ø Anschluss = 0.7 mm
Typ: Metallschicht, miniatur
-55...+155°C
auf Bestellung 340 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1000 St.:
1000 St. - erwartet 10.08.2026
AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
10+0.098 EUR
100+0.079 EUR
1000+0.063 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH