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IRS2153DPBF

IRS2153DPBF

IRSDS08244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Produktcode: 31246
Hersteller: IR
Gehäuse: DIP-8
Uc, V: 600
I o +/-, A: 0,18/0,26
V out, V: 10-20
T on/T off, ns: 120/50
Bemerkung: Oszillator, Halbbrücke, fo < 100 kHz
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
auf Bestellung 67 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.5 EUR
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Technische Details IRS2153DPBF IR

  • HALF BRIDGE DRIVER SELF-OSC, DIP8
  • Driver IC Type:MOSFET
  • No. of Outputs:2
  • Output Voltage:625.3V
  • Output Current:180mA
  • Min Supply Voltage:10.1V
  • Max Supply Voltage:16.8V
  • Case Style:DIP
  • No. of Pins:8
  • Operating Temperature Range:-40`C to +125`C
  • Max Operating Temperature:125`C
  • Min Temperature Operating:-40`C
  • Base Number:2153
  • Max Output Current:0.18A
  • Max Output Voltage:625V
  • Termination Type:Through Hole
  • Driver IC Case Style:DIP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRS2153DPBF IRS2153DPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA78A4D00F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2153d.pdf?ci_sign=778861680765d46b3e732f7e972a8e0a59a6a437 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Mounting: THT
Power: 1W
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Output current: -260...180mA
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.32 EUR
27+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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IRS2153DPBF IRS2153DPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA78A4D00F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2153d.pdf?ci_sign=778861680765d46b3e732f7e972a8e0a59a6a437 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Mounting: THT
Power: 1W
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Output current: -260...180mA
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
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IRS2153DPBF IRS2153DPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirs2153ddatasheetv0100en.pdf Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
33+4.5 EUR
42+3.36 EUR
48+2.83 EUR
100+2.58 EUR
250+2.33 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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IRS2153DPBF IRS2153DPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirs2153ddatasheetv0100en.pdf Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
33+4.5 EUR
42+3.36 EUR
48+2.84 EUR
100+2.58 EUR
250+2.33 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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IRS2153DPBF IRS2153DPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRS2153D-DataSheet-v01_00-EN.pdf Gate Drivers Self-Osc Half Bridge Drvr 1.1us
auf Bestellung 1566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.79 EUR
10+3.61 EUR
25+3.19 EUR
100+3.06 EUR
250+2.92 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.69 EUR
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IRS2153DPBF IRS2153DPBF Hersteller : Infineon Technologies IRSDS08244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 15.4V
Input Type: RC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 120ns, 50ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 180mA, 260mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.02 EUR
10+3.77 EUR
50+3.27 EUR
100+3.11 EUR
250+2.95 EUR
500+2.85 EUR
1000+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IRS2153DPBF IRS2153DPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irs2153d-datasheet-v01_00-en.pdf Driver 600V 0.26A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
auf Bestellung 1646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRS2153DPBF IRS2153DPBF Hersteller : INFINEON 140965.pdf Description: INFINEON - IRS2153DPBF - MOSFET-Treiber 2fach Halbbrücke selbstoszillierend, 10.1V-16.8V Versorgungsspannung, 0.26Aout, DIP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 260mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 180mA
Versorgungsspannung, min.: 10.1V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16.8V
Eingabeverzögerung: -ms
Ausgabeverzögerung: 350ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRS2153DPBF IRS2153DPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirs2153ddatasheetv0100en.pdf Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
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IRS2153DPBF IRS2153DPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirs2153ddatasheetv0100en.pdf Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
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IR2101S
Produktcode: 14591
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description ir2101.pdf
IR2101S
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-8
Uc, V: 600
I o +/-, A: 0,13/0,27
V out, V: 10-20
T on/T off, ns: 160/150
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
verfügbar: 105 Stück
5 Stück - stock Köln
100 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.9 EUR
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STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775
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description STP10NK60Z.pdf
STP10NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.75
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 267 Stück
3 Stück - stock Köln
264 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 600 Stück
600 Stück - erwartet 27.11.2025
Anzahl Preis
1+0.76 EUR
10+0.72 EUR
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BZV55-C15
Produktcode: 3719
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BZV55.pdf
BZV55-C15
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 15
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 11.4mV/K
№ 6: 8541100090
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 600 Stück
500 Stück - erwartet
100 Stück - erwartet
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.023 EUR
1000+0.018 EUR
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10uF 63V ECR 5x11mm (ECR100M63B-Hitano)
Produktcode: 3644
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ECR_081225.pdf
10uF 63V ECR 5x11mm (ECR100M63B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 63V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 9163 Stück
398 Stück - stock Köln
8765 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.022 EUR
100+0.011 EUR
1000+0.0099 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4105TRPBF
Produktcode: 2752
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irfr4105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535632110f20e9
IRFR4105TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252/D-Pak
Uds,V: 55 V
Idd,A: 27 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/34
JHGF: SMD
auf Bestellung 100 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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