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IXYH50N65C3H1

IXYH50N65C3H1

IXYH50N65C3H1.pdf
Produktcode: 189326
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Hersteller:
Gehäuse: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 650 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,1 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 130 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 50 А
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 22/80
auf Bestellung 19 St.:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS IXYH50N65C3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+14.79 EUR
10+12.22 EUR
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IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH50N65C3H1_Datasheet.PDF IGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
auf Bestellung 358 Stücke:
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10+16.86 EUR
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IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS DS100572BIXYH50N65C3H1.pdf Description: IGBT PT 650V 130A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
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120+14.78 EUR
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IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
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Hersteller: IXYS
IGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
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IXYH50N65C3H1 DS100572BIXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Hersteller: IXYS
Description: IGBT PT 650V 130A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
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IRFP4468PBF
Produktcode: 36929
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IRFP4468PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 195 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,6 мОм
Montage: THT
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VS-15ETH06FPPBF
Produktcode: 34943
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Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-220FU-2
Sperrspannung Vrr, V: 600 V
Mittlerer Strom Iav, A: 15 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 22 ns
Montage: THT
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Lüfter 120x120x25, 12V, (MEC0251V1-A99)
Produktcode: 32708
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description MEC0251V1-A99.pdf
Lüfter 120x120x25, 12V, (MEC0251V1-A99)
Hersteller: Sunon
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lüfter und Zubehör
Abmessungen, mm: 120x120x25 mm
Spannung, V: 12 DC
Luftvolumen, m³/h: 183,94 m³/h
Leistung, W: 5,4 W
Lärm, dB: 44,5 dB
Drehzahl, rpm: 3100 rpm
Beschreibung: Vapo-Lager (magnetische Lagerung)
verfügbar: 29 St.
  • 6 St. - stock Köln
  • 23 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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2SC4672
Produktcode: 28699
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2SC4672.pdf
2SC4672
Hersteller: Rohm
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-89
Transitfrequenz fT: 210 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 V
Kollektorstrom Ic, A: 2 A
Stromverstärkung h21: 270
Montage: SMD
verfügbar: 31 St.
  • 30 St. - stock Köln
  • 1 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+0.38 EUR
10+0.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP75NF75
Produktcode: 25297
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ST%28B%2CP%2975NF75%28FP%29.pdf
STP75NF75
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 80 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3700/117
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
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