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LGEGW40N65F1

LGEGW40N65F1 LUGUANG ELECTRONIC

LGEGW40N65F1.pdf Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 94W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 94W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 187ns
Collector current: 40A
Turn-on time: 96ns
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±30V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 650V
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Technische Details LGEGW40N65F1 LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 94W; TO247, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 94W, Case: TO247, Mounting: THT, Gate charge: 83nC, Kind of package: tube, Turn-off time: 187ns, Collector current: 40A, Turn-on time: 96ns, Pulsed collector current: 120A, Gate-emitter voltage: ±30V, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Collector-emitter voltage: 650V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote LGEGW40N65F1 nach Preis ab 1.63 EUR bis 2.39 EUR

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LGEGW40N65F1 LGEGW40N65F1 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N65F1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 94W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 94W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 187ns
Collector current: 40A
Turn-on time: 96ns
Pulsed collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±30V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 650V
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LGEGW40N65F1
Produktcode: 216964
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