Technische Details MG50Q6ES50 module
IGBT-модуль (6 x IGBT транзисторів), Uceb, В = 1 200, Ic, А = 72 @ 25 °C, Pmax, Вт = 300 @ 25 °C, Тексп, °С = -40...+125, Тип монт = на шасі, td(on), нс = 150, td(off), нс = 600,... Група товару: Транзистори Корпус: Module (107x45x21mm) Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 10 Stücke.
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MG50Q6ES50 Produktcode: 31546
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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| MG50Q6ES50 | Hersteller : Toshiba |
 IGBT-модуль (6 x IGBT транзисторів), Uceb, В = 1 200, Ic, А = 72 @ 25 °C, Pmax, Вт = 300 @ 25 °C, Тексп, °С = -40...+125, Тип монт = на шасі, td(on), нс = 150, td(off), нс = 600,... Група товару: Транзистори Корпус: Module (107x45x21mm) Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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