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R6020ENJTL

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Produktcode: 216320
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Transistoren > MOSFET N-CH

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R6020ENJTL R6020ENJTL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6020ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1000+1.96 EUR
2000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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R6020ENJTL R6020ENJTL Hersteller : Rohm Semiconductor r6020enjtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
38+3.87 EUR
50+3.59 EUR
100+3.34 EUR
250+3.11 EUR
500+2.91 EUR
Mindestbestellmenge: 38
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R6020ENJTL R6020ENJTL Hersteller : Rohm Semiconductor r6020enjtl-e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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30+4.83 EUR
50+3.3 EUR
100+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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R6020ENJTL R6020ENJTL Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=R6020ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.16 EUR
10+3.66 EUR
100+2.64 EUR
500+2.32 EUR
1000+1.99 EUR
2000+1.97 EUR
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R6020ENJTL R6020ENJTL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=R6020ENJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 4658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.65 EUR
10+3.69 EUR
100+2.59 EUR
500+2.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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R6020ENJTL R6020ENJTL Hersteller : ROHM r6020enjtl-e.pdf Description: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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R6020ENJTL R6020ENJTL Hersteller : ROHM r6020enjtl-e.pdf Description: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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RGT50NS65DGTL
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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RGT8NS65DGTL
Produktcode: 204222
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