RGT8NS65DGTL
Produktcode: 204222
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RGT8NS65DGTL | Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 65000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGT8NS65DGTL | ROHM Semiconductor |
IGBTs 650V 4A IGBT Stop Trench |
auf Bestellung 862 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGT8NS65DGTL | ROHM |
Description: ROHM - RGT8NS65DGTL - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263S, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263S Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RGT8NS65DGTL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 65000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 65000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 148+ | 0.98 EUR |
| RGT8NS65DGTL |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs 650V 4A IGBT Stop Trench
IGBTs 650V 4A IGBT Stop Trench
auf Bestellung 862 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.15 EUR |
| 10+ | 2.01 EUR |
| 100+ | 1.37 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
| RGT8NS65DGTL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGT8NS65DGTL - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263S, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263S
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGT8NS65DGTL - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263S, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263S
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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| RGT50NS65DGTL Produktcode: 216321
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| R6020ENJTL Produktcode: 216320
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| RFN10NS6SFHTL Produktcode: 204221
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| TLP152(E оптопара Produktcode: 197936
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