Weitere Produktangebote RGT50NS65DGTL nach Preis ab 2.45 EUR bis 6.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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RGT50NS65DGTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 194000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGT50NS65DGTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 58 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Supplier Device Package: LPDS IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 49 nC Current - Collector (Ic) (Max): 48 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 194 W |
auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGT50NS65DGTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, LPDS, Field Stop Trench IGBT |
auf Bestellung 803 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGT50NS65DGTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGT50NS65DGTL - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 194W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGT50NS65DGTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGT50NS65DGTL - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 194W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGT50NS65DGTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 58 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Supplier Device Package: LPDS IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 49 nC Current - Collector (Ic) (Max): 48 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 194 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| RGT50NS65DGTL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 97W; LPDS Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 97W Case: LPDS Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 75A Mounting: SMD Gate charge: 49nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 65ns Turn-off time: 210ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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