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RGT50NS65DGTL

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Produktcode: 216321
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RGT50NS65DGTL RGT50NS65DGTL Rohm Semiconductor rgt50ns65d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 194000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.62 EUR
50+4.97 EUR
100+4.14 EUR
500+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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RGT50NS65DGTL RGT50NS65DGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT50NS65D(LPDS)&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.9 EUR
10+5.21 EUR
100+3.68 EUR
500+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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RGT50NS65DGTL RGT50NS65DGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RGT50NS65D(LPDS)&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, LPDS, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.96 EUR
10+5.28 EUR
100+3.75 EUR
500+3.44 EUR
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RGT50NS65DGTL RGT50NS65DGTL ROHM rgt50ns65d-e.pdf Description: ROHM - RGT50NS65DGTL - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RGT50NS65DGTL RGT50NS65DGTL ROHM rgt50ns65d-e.pdf Description: ROHM - RGT50NS65DGTL - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 48A 194000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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RGT50NS65DGTL datasheet?p=RGT50NS65D(LPDS)&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT50NS65DGTL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
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RGT50NS65DGTL
Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, LPDS, Field Stop Trench IGBT
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RGT50NS65DGTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGT50NS65DGTL - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s)
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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RGT50NS65DGTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGT50NS65DGTL - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s)
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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Transistoren > MOSFET N-CH
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RGT8NS65DGTL
Produktcode: 204222
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