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SGW50N60HS

SGW50N60HS Infineon

Produktcode: 73803
Hersteller: Infineon
Gehäuse: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 2,8 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
auf Bestellung 1 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SGW50N60HS SGW50N60HS
Produktcode: 217211
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Hersteller : China Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 2,8 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
auf Bestellung 9 St.:
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SGW50N60HS SGW50N60HS
Produktcode: 217211
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Hersteller : China Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 2,8 V
Ic 25: 100 A
Ic 100: 50 A
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SGW50N60HS Hersteller : INFINEON MODULE
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SGW50N60HS Hersteller : Infineon Technologies Description: IGBT, 100A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/310ns
Switching Energy: 1.96mJ
Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 179 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 416 W
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SGW50N60HS SGW50N60HS Hersteller : Infineon Technologies infineon_05042021_SGW50N60HS.pdf IGBTs HIGH SPEED NPT TECH 600V 50A
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SGW50N60HS SGW50N60HS Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES SGW50N60HS.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 416W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
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SG3525AN
Produktcode: 32903
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SG3525A-D.PDF
SG3525AN
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: PDIP-16
Eigenschaften: PWM Controllers 2Ausgang
Spannung, eing., V: 40V
I-ausg., A: 0,5A
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: -55…+150°C
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Anzahl Preis
1+0.8 EUR
10+0.79 EUR
100+0.62 EUR
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VS-30EPH06PBF
Produktcode: 35744
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vs-30eph06p.pdf
VS-30EPH06PBF
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-247-2
Vrr, V: 600
Iav, A: 30
Trr, ns: 28
auf Bestellung 11 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 St.:
50 St. - erwartet 23.04.2026
Anzahl Preis
1+2.1 EUR
10+1.86 EUR
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IRFB4710PBF
Produktcode: 35455
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datasheetdew6de878df7wbenud.pdf
IRFB4710PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.014
Ciss, pF/Qg, nC: 6160/110
JHGF: THT
auf Bestellung 103 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.2 EUR
10+1.86 EUR
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VS-15ETH06FPPBF
Produktcode: 34943
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VS-15ETH06PbF_FPPbF_VS-15ETH06-NE_FP-N3.pdf
VS-15ETH06FPPBF
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-220FU-2
Vrr, V: 600
Iav, A: 15
Trr, ns: 22
auf Bestellung 20 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.7 EUR
10+1.58 EUR
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IRG4PF50WPBF Infineon (International Rectifier) Leistungstransistor IGBT 900V 51A 200W TO247AC
Produktcode: 32408
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description IRG4PF50WPBF.pdf
IRG4PF50WPBF Infineon (International Rectifier) Leistungstransistor IGBT 900V 51A 200W TO247AC
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 2,3
Ic 25: 55
Ic 100: 27
Pd 25: 200
auf Bestellung 45 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH