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SKM75GB12V IGBT-Transistor

Produktcode: 73812
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SKM75GB12V SKM75GB12V SEMIKRON SEMI-S-A0002552652-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: SEMIKRON - SKM75GB12V - IGBT-Modul, Halbbrücke, 114 A, 1.85 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: V-IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 114A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 114A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+182.97 EUR
5+159.58 EUR
10+136.96 EUR
50+136.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SKM75GB12V 22892013 SKM75GB12V 22892013 SEMIKRON DANFOSS SKM75GB12V.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Case: SEMITRANS2
Version: D61
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mechanical mounting: screw
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SKM75GB12V SEMI-S-A0002552652-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SKM75GB12V
Hersteller: SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM75GB12V - IGBT-Modul, Halbbrücke, 114 A, 1.85 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: V-IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 114A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 114A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 182 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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50+136.28 EUR
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SKM75GB12V 22892013 SKM75GB12V.pdf
SKM75GB12V 22892013
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Case: SEMITRANS2
Version: D61
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mechanical mounting: screw
auf Bestellung 20 Stücke:
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