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SP8M3FU6TB

SP8M3FU6TB Rohm

SP8M3.pdf
Produktcode: 26073
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Hersteller: Rohm
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 230/3,9
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung 76 St.:
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Technische Details SP8M3FU6TB Rohm

  • MOSFET, DUAL, NP
  • Module Configuration:NP
  • Max Current Id:5A
  • Max Voltage Vds:30V
  • On State Resistance:0.082ohm
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Typ Voltage Vgs th:2.5V
  • Power Dissipation:2W
  • Transistor Case Style:SOP
  • Case Style:SOP-8
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Polarity:NP
  • Transistor Type:MOSFET
  • Cont Current Id:4.5A
  • Max Voltage Vgs th:2.5V
  • Min Voltage Vgs th:1V
  • Power Dissipation Pd:2W
  • Pulse Current Idm:18A
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:4V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SP8M3FU6TB Rohm SP8M3.pdf description MOSFET N+P 30V 4.5A 8-SOIC Транзистори
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SP8M3FU6TB SP8M3FU6TB Rohm Semiconductor SP8M3.pdf description Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
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SP8M3FU6TB SP8M3FU6TB ROHM Semiconductor rohm_SP8M3.pdf description MOSFETs SWITCHING Nch/Pch 4V
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Hersteller: Rohm
MOSFET N+P 30V 4.5A 8-SOIC Транзистори
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SP8M3FU6TB description SP8M3.pdf
SP8M3FU6TB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
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SP8M3FU6TB description rohm_SP8M3.pdf
SP8M3FU6TB
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs SWITCHING Nch/Pch 4V
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Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 7,3/5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Zwei Transistoren N+P in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung 27 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.52 EUR
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Beschreibung: U-Nenn = 12V
Abmessungen: 14x9x5 мм
Spulenspannung: 12 VDC
Strom max.: 1 А
Kontaktkonfiguration: DPDT(2C)
Schaltspannung: 125 VAC; 30 VDC
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Beschreibung: Doppel-Monostabiler Multivibrator CMOS
Versorgung, V: 3...18 V
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Abmessungen: 17,5x10x12,5 mm
Spulenspannung: 24 VDC
Strom max.: 5 А
Kontaktkonfiguration: SPST-NO(1A)
Schaltspannung: 250 VAC; 150 VDC
verfügbar: 873 St.
  • 36 St. - stock Köln
  • 837 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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