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STGF15M65DF2

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Produktcode: 216133
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STGF15M65DF2 STGF15M65DF2 STMicroelectronics en.DM00237960.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.81 EUR
10+1.83 EUR
100+1.63 EUR
500+1.32 EUR
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STGF15M65DF2 STGF15M65DF2 STMicroelectronics en.DM00237960.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 142 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220FP
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/93ns
Switching Energy: 90µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 31 W
auf Bestellung 1679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.89 EUR
50+1.88 EUR
100+1.68 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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STGF15M65DF2
Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss
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STGF15M65DF2
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 142 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220FP
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/93ns
Switching Energy: 90µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 31 W
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90SQ045
Produktcode: 171031
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90sq045-datasheet.pdf
90SQ045
Hersteller: SG/IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: DO-204
Sperrspannung Vrrm, V: 45 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 9 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,42 V
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 340 A
auf Bestellung 439 St.:
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2SK2545
Produktcode: 32870
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2sk2545.pdf
2SK2545
Hersteller: Toshiba
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 6 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/30
Bemerkung: Ізольований корпус
Montage: THT
verfügbar: 102 St.
  • 5 St. - stock Köln
  • 97 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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CD4093BE
Produktcode: 25817
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcd4093b
Hersteller: TI
IC > IC Logik
Gehäuse: DIP-14
Beschreibung: Vierfach-2-Eingang NAND-Schmitt-Triggers
Montage: THT (Durchsteckmontage)
Versorgung, V: 3...18 V
Temperatur, °C: -55...+125°C
Logikgatter-Typ: NAND (UND-NICHT)
auf Bestellung 286 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775
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description STP10NK60Z.pdf
STP10NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Bemerkung: Ізольований корпус
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 326 St.
  • 3 St. - stock Köln
  • 323 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
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10+0.86 EUR
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