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STGF15M65DF2

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Produktcode: 216133
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGF15M65DF2 STGF15M65DF2 STMicroelectronics en.DM00237960.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+1.92 EUR
100+1.52 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.2 EUR
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STGF15M65DF2 STGF15M65DF2 STMicroelectronics en.DM00237960.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 142 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220FP
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/93ns
Switching Energy: 90µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 31 W
auf Bestellung 1378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
50+2.03 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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STGF15M65DF2 en.DM00237960.pdf
STGF15M65DF2
Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss
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STGF15M65DF2
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 142 ns
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Supplier Device Package: TO-220FP
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/93ns
Switching Energy: 90µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 45 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
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90SQ045
Produktcode: 171031
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90sq045-datasheet.pdf
90SQ045
Hersteller: SG/IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: DO-204
Sperrspannung Vrrm, V: 45 В
Durchlassstrom (per leg) If, A: 9 А
Durchlassspannung Vf, V: 0,42 В
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 340 А
auf Bestellung: 510 St.
  • 510 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.77 EUR
100+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
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2SK2545
Produktcode: 32870
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2sk2545.pdf
2SK2545
Hersteller: Toshiba
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/30
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
verfügbar: 5 St.
  • 5 St. - stock Köln
auf Bestellung: 93 St.
  • 93 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
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CD4093BE
Produktcode: 25817
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcd4093b
Hersteller: TI
IC > IC Logik
Gehäuse: DIP-14
Beschreibung: Vierfach-2-Eingang NAND-Schmitt-Triggers
Montage: THT (Durchsteckmontage)
Versorgung, V: 3...18 В
Temperatur, °C: -55...+125°C
Logikgatter-Typ: NAND-Gatter
auf Bestellung: 184 St.
  • 184 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+0.63 EUR
10+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
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STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775
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description STP10NK60Z.pdf
STP10NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 3 St.
  • 3 St. - stock Köln
erwartet: 400 St.
  • 400 St. - erwartet 28.10.2026
auf Bestellung: 215 St.
  • 215 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+1.24 EUR
100+1.13 EUR
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