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STP5NK60ZFP

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Produktcode: 1921
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,6 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/12
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP5NK60ZFP STP5NK60ZFP STMicroelectronics en.CD00003042.pdf MOSFETs N-Ch, 650V-1.2ohms Zener SuperMESH 5A
auf Bestellung 998 Stücke:
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STP5NK60ZFP STP5NK60ZFP STMicroelectronics en.CD00003042.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
auf Bestellung 1997 Stücke:
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500+1.36 EUR
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Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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STP5NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch, 650V-1.2ohms Zener SuperMESH 5A
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STP5NK60ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
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RS406
Produktcode: 153276
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rs401_rs407.pdf
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBL
Sperrspannung Urev, V: 800 V
Durchlassstrom Idir, A: 4 А
Typ der Diodenbrücke: Однофазний
Montage: THT
Impulsstrom, A: 200 A
Produkt ist nicht verfügbar
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0,68 Ohm 5% 2W bedrahtet (MOR200SJTB-0R68-Hitano)
Produktcode: 13883
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MOR_080911.pdf
0,68 Ohm 5% 2W bedrahtet (MOR200SJTB-0R68-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 2W
Nennwiderstand: 0,68 Ohm
Toleranz und TKW: ±5%
P Nenn., W: 2 W
U Betriebs., V: 500 V
Abmessungen: 11x4,0 mm; Dвив. = 0,76 mm
Typ: метало-оксидні мініатюрні
-55...+125°C
HS-Code: 8533210000
auf Bestellung 1710 St.:
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10+0.042 EUR
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STP4NK60Z
Produktcode: 2561
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description STP4NK60Z.pdf
STP4NK60Z
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 4 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 145 St.
  • 15 St. - stock Köln
  • 130 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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STP6NK60ZFP
Produktcode: 1169
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STP6NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 6 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 905/33
Bemerkung: Ізольований корпус
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
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