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2N7000 2N7000
Produktcode: 200238
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CJ 2N7000-datasheetjcet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
auf Bestellung 1812 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000
Produktcode: 20638
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NXP 2N7000-D.PDF Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
verfügbar: 1895 St.
50 St. - stock Köln
1845 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 LUGUANG ELECTRONIC 2N7000-LGE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
790+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 790
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+0.54 EUR
162+0.44 EUR
187+0.38 EUR
233+0.31 EUR
319+0.22 EUR
365+0.2 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n7000.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: Ammo Pack
auf Bestellung 17714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.21 EUR
404+0.18 EUR
455+0.16 EUR
748+0.096 EUR
1017+0.07 EUR
1150+0.062 EUR
2000+0.055 EUR
4000+0.05 EUR
8000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ZEHUA T2N7000_ZEH_ZEHUA_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEH
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 LGE T2N7000_LGE_0001.pdf N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 4080 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 DIOTEC T2N7000_DIOTEC_DIOTEC_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 LGE T2N7000_LGE_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 onsemi NDS7002A-D.PDF Description: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 49544 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.97 EUR
30+0.6 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
2000+0.23 EUR
5000+0.21 EUR
10000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 onsemi 2n7000.pdf NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf MOSFETs FET 60V 5.0 OHM TO92
auf Bestellung 65873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.98 EUR
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100+0.39 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Description: MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, N, 0.3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
auf Bestellung 17682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.45 EUR
10+0.33 EUR
100+0.27 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.19 EUR
4000+0.14 EUR
8000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 5236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.44 EUR
66+0.27 EUR
106+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Description: MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, N, 0.3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 3207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.53 EUR
19+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.087 EUR
8000+0.078 EUR
12000+0.074 EUR
20000+0.069 EUR
28000+0.066 EUR
40000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1415+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1415
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 127976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2442+0.22 EUR
10000+0.19 EUR
100000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2442
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
305+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 305
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 17714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1249+0.12 EUR
1413+0.099 EUR
2000+0.085 EUR
4000+0.073 EUR
8000+0.064 EUR
12000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 1249
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ONSEMI ONSM-S-A0013669918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 35475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
364+0.4 EUR
535+0.26 EUR
1415+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 364
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 DIOTEC SEMICONDUCTOR 4400006.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.051 EUR
8000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 21736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
525+0.28 EUR
1337+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 525
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
338+0.43 EUR
566+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 338
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 21736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
356+0.41 EUR
524+0.27 EUR
1334+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 356
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 27168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2442+0.22 EUR
10000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2442
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 26250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
527+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.22 EUR
5000+0.2 EUR
10000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 527
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2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+0.57 EUR
198+0.36 EUR
283+0.25 EUR
329+0.22 EUR
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z onsemi NDS7002A-D.PDF MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
auf Bestellung 37753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.57 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z onsemi NDS7002A-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 70198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.92 EUR
32+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z onsemi NDS7002A-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.2 EUR
4000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ONSEMI 2304304.pdf Description: ONSEMI - 2N7000-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4955 Stücke:
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216+0.67 EUR
346+0.4 EUR
349+0.38 EUR
465+0.28 EUR
471+0.26 EUR
618+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 216
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2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 2000
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2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
349+0.41 EUR
465+0.3 EUR
471+0.28 EUR
618+0.21 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 349
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.21 EUR
4000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
8000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D74Z 2N7000-D74Z onsemi NDS7002A-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.21 EUR
4000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D74Z 2N7000-D74Z onsemi NDS7002A-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 1232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.86 EUR
34+0.53 EUR
100+0.34 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D74Z 2N7000-D74Z ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
659+0.22 EUR
2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 659
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z 2N7000-D75Z ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+0.53 EUR
207+0.35 EUR
348+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z 2N7000-D75Z onsemi NDS7002A-D.PDF MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
auf Bestellung 3155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.89 EUR
10+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.2 EUR
4000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z 2N7000-D75Z onsemi NDS7002A-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 6349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.88 EUR
33+0.54 EUR
100+0.34 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z 2N7000-D75Z onsemi NDS7002A-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.19 EUR
4000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z 2N7000-D75Z ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf MOSFETs 60V 5Ohm
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 3388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.74 EUR
29+0.63 EUR
100+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G 2N7000-G MICROCHIP 2337817.pdf Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 4137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 1894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
435+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 435
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+0.82 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.87 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000BU 2N7000BU ON-Semiconductor info-t2n7000.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000BU (bulk); 2N7000-G; 2N7000-D26Z; 2N7000TA; 2N7000 T2N7000
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000BU 2N7000BU onsemi nds7002a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 17907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.77 EUR
37+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
2000+0.18 EUR
5000+0.16 EUR
10000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000BU 2N7000BU onsemi NDS7002A-D.PDF MOSFETs 60V N-Channel Sm Sig
auf Bestellung 28591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.79 EUR
10+0.48 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000BU 2N7000BU ON Semiconductor 2n7000ta-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 5524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.75 EUR
315+0.44 EUR
496+0.27 EUR
659+0.2 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.14 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000
Produktcode: 200238
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
2N7000-datasheetjcet.pdf
2N7000
Hersteller: CJ
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
auf Bestellung 1812 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000
Produktcode: 20638
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
2N7000-D.PDF
2N7000
Hersteller: NXP
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
verfügbar: 1895 St.
50 St. - stock Köln
1845 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000-LGE-DTE.pdf
2N7000
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
790+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 790
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF
2N7000
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
162+0.44 EUR
187+0.38 EUR
233+0.31 EUR
319+0.22 EUR
365+0.2 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: Ammo Pack
auf Bestellung 17714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
404+0.18 EUR
455+0.16 EUR
748+0.096 EUR
1017+0.07 EUR
1150+0.062 EUR
2000+0.055 EUR
4000+0.05 EUR
8000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 T2N7000_ZEH_ZEHUA_0001.pdf
2N7000
Hersteller: ZEHUA
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEH
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 750 Stücke:
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500+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 T2N7000_LGE_0001.pdf
2N7000
Hersteller: LGE
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 4080 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
300+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 T2N7000_DIOTEC_DIOTEC_0001.pdf
2N7000
Hersteller: DIOTEC
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
300+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 T2N7000_LGE_0001.pdf
2N7000
Hersteller: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
300+0.11 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 NDS7002A-D.PDF
2N7000
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 49544 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+0.97 EUR
30+0.6 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
2000+0.23 EUR
5000+0.21 EUR
10000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf
2N7000
Hersteller: onsemi
MOSFETs FET 60V 5.0 OHM TO92
auf Bestellung 65873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+0.98 EUR
10+0.61 EUR
100+0.39 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, N, 0.3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
auf Bestellung 17682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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7+0.45 EUR
10+0.33 EUR
100+0.27 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.19 EUR
4000+0.14 EUR
8000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 5236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+0.44 EUR
66+0.27 EUR
106+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, N, 0.3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 3207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.53 EUR
19+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
2000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.087 EUR
8000+0.078 EUR
12000+0.074 EUR
20000+0.069 EUR
28000+0.066 EUR
40000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 nds7002ad.pdf
2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1415+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1415
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 nds7002ad.pdf
2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 127976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2442+0.22 EUR
10000+0.19 EUR
100000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2442
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 nds7002ad.pdf
2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
305+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 305
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 17714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1249+0.12 EUR
1413+0.099 EUR
2000+0.085 EUR
4000+0.073 EUR
8000+0.064 EUR
12000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 1249
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 ONSM-S-A0013669918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7000
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 35475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 nds7002ad.pdf
2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
364+0.4 EUR
535+0.26 EUR
1415+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 364
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 4400006.pdf
2N7000
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.051 EUR
8000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 nds7002ad.pdf
2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 21736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
525+0.28 EUR
1337+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 525
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
338+0.43 EUR
566+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 338
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 nds7002ad.pdf
2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 21736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
356+0.41 EUR
524+0.27 EUR
1334+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 356
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 nds7002ad.pdf
2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 27168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2442+0.22 EUR
10000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2442
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 nds7002ad.pdf
2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 26250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
527+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.22 EUR
5000+0.2 EUR
10000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 527
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF
2N7000-D26Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
198+0.36 EUR
283+0.25 EUR
329+0.22 EUR
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z NDS7002A-D.PDF
2N7000-D26Z
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
auf Bestellung 37753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.92 EUR
10+0.57 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z NDS7002A-D.PDF
2N7000-D26Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 70198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+0.92 EUR
32+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z NDS7002A-D.PDF
2N7000-D26Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.2 EUR
4000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z nds7002ad.pdf
2N7000-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z nds7002ad.pdf
2N7000-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z 2304304.pdf
2N7000-D26Z
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z nds7002ad.pdf
2N7000-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
216+0.67 EUR
346+0.4 EUR
349+0.38 EUR
465+0.28 EUR
471+0.26 EUR
618+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 216
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z nds7002ad.pdf
2N7000-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z nds7002ad.pdf
2N7000-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
349+0.41 EUR
465+0.3 EUR
471+0.28 EUR
618+0.21 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 349
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z nds7002ad.pdf
2N7000-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.21 EUR
4000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
8000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D74Z NDS7002A-D.PDF
2N7000-D74Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.21 EUR
4000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D74Z NDS7002A-D.PDF
2N7000-D74Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 1232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+0.86 EUR
34+0.53 EUR
100+0.34 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D74Z nds7002ad.pdf
2N7000-D74Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
659+0.22 EUR
2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 659
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF
2N7000-D75Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
207+0.35 EUR
348+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z NDS7002A-D.PDF
2N7000-D75Z
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
auf Bestellung 3155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.89 EUR
10+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.2 EUR
4000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z NDS7002A-D.PDF
2N7000-D75Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 6349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+0.88 EUR
33+0.54 EUR
100+0.34 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z NDS7002A-D.PDF
2N7000-D75Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.19 EUR
4000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z nds7002ad.pdf
2N7000-D75Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf
2N7000-G
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 60V 5Ohm
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf
2N7000-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 3388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+0.74 EUR
29+0.63 EUR
100+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G 2337817.pdf
2N7000-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 4137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf
2N7000-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf
2N7000-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf
2N7000-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 1894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
435+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 435
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf
2N7000-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
176+0.82 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf
2N7000-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.87 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000BU info-t2n7000.pdf
2N7000BU
Hersteller: ON-Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000BU (bulk); 2N7000-G; 2N7000-D26Z; 2N7000TA; 2N7000 T2N7000
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000BU nds7002a-d.pdf
2N7000BU
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 17907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+0.77 EUR
37+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
2000+0.18 EUR
5000+0.16 EUR
10000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000BU NDS7002A-D.PDF
2N7000BU
Hersteller: onsemi
MOSFETs 60V N-Channel Sm Sig
auf Bestellung 28591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.79 EUR
10+0.48 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000BU 2n7000ta-d.pdf
2N7000BU
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 5524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.75 EUR
315+0.44 EUR
496+0.27 EUR
659+0.2 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.14 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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