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2N7000 2N7000
Produktcode: 200238
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CJ 2N7000-datasheetjcet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
auf Bestellung 871 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N7000 2N7000
Produktcode: 20638
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NXP 2N7000-D.PDF Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
verfügbar: 1334 Stück
50 Stück - stock Köln
1284 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E58CC03277C0D2&compId=2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF?ci_sign=0fd71bfe4fa8b72f11e37dab9fdebe94573526a9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
auf Bestellung 3945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+0.57 EUR
151+0.47 EUR
175+0.41 EUR
222+0.32 EUR
397+0.18 EUR
421+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B7EC8716854C20C4&compId=2n7000.pdf?ci_sign=7e454f76ea9c1d6c74e6c527bf46a5062211976b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: Ammo Pack
auf Bestellung 9576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+0.17 EUR
491+0.15 EUR
544+0.13 EUR
878+0.082 EUR
1608+0.044 EUR
1701+0.042 EUR
8000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5E7B772AB10BE28&compId=2N7000-LGE-DTE.pdf?ci_sign=6dca99270af36192b057cac8d612f3073128d359 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
auf Bestellung 3615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
740+0.097 EUR
1125+0.064 EUR
1245+0.057 EUR
1460+0.049 EUR
1540+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 740
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 LGE NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 5580 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 300
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2N7000 DIOTEC NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5E7B772AB10BE28&compId=2N7000-LGE-DTE.pdf?ci_sign=6dca99270af36192b057cac8d612f3073128d359 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 3615 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
740+0.097 EUR
1125+0.064 EUR
1245+0.057 EUR
1460+0.049 EUR
1540+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 740
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 LGE NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E58CC03277C0D2&compId=2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF?ci_sign=0fd71bfe4fa8b72f11e37dab9fdebe94573526a9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
151+0.47 EUR
175+0.41 EUR
222+0.32 EUR
397+0.18 EUR
421+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 ZEHUA NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEH
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B7EC8716854C20C4&compId=2n7000.pdf?ci_sign=7e454f76ea9c1d6c74e6c527bf46a5062211976b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9576 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
417+0.17 EUR
491+0.15 EUR
544+0.13 EUR
878+0.082 EUR
1608+0.044 EUR
1701+0.042 EUR
8000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 DIOTEC NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.32 EUR
83+0.21 EUR
138+0.13 EUR
500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.068 EUR
8000+0.051 EUR
12000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 onsemi / Fairchild 11AE8EC16F86BFEDE62C7BE5080B34EEB7A1DA175A13D6E34F1DA85EB15A8A89.pdf MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 200mA, 5 ohm
auf Bestellung 64664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.76 EUR
10+0.51 EUR
100+0.26 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
2500+0.2 EUR
5000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Description: MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, N, 0.3
Packaging: Strip
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 7376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.53 EUR
19+0.96 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.4 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 onsemi NDS7002A-D.PDF Description: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 35155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.77 EUR
34+0.52 EUR
100+0.27 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.22 EUR
5000+0.2 EUR
10000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
auf Bestellung 37521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.32 EUR
14+0.21 EUR
100+0.12 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.079 EUR
4000+0.067 EUR
8000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ONSEMI ONSM-S-A0013669918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 47568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 96253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
286+0.51 EUR
421+0.33 EUR
1502+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 286
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 27168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2565+0.21 EUR
10000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2565
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 41830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+0.49 EUR
1241+0.11 EUR
1268+0.1 EUR
2500+0.097 EUR
5000+0.092 EUR
10000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 298
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 DIOTEC 4400006.pdf Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3862 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 2682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
604+0.24 EUR
890+0.16 EUR
1431+0.094 EUR
1684+0.077 EUR
2337+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 604
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.078 EUR
8000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.064 EUR
8000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 132226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2565+0.21 EUR
10000+0.18 EUR
100000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2565
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 10256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1728+0.084 EUR
2000+0.073 EUR
4000+0.063 EUR
8000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 1728
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 41880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
201+0.72 EUR
298+0.47 EUR
1241+0.11 EUR
1254+0.1 EUR
1268+0.098 EUR
2500+0.093 EUR
5000+0.088 EUR
10000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 201
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2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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590+0.25 EUR
2500+0.22 EUR
5000+0.2 EUR
7500+0.18 EUR
30000+0.17 EUR
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2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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4000+0.064 EUR
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Mindestbestellmenge: 4000
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2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E58CC03277C0D2&compId=2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF?ci_sign=0fd71bfe4fa8b72f11e37dab9fdebe94573526a9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 2103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+0.49 EUR
215+0.33 EUR
275+0.26 EUR
309+0.23 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E58CC03277C0D2&compId=2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF?ci_sign=0fd71bfe4fa8b72f11e37dab9fdebe94573526a9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
215+0.33 EUR
275+0.26 EUR
309+0.23 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 148
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2N7000-D26Z 2N7000-D26Z onsemi / Fairchild BF7448EC554B6BC56057173B7D3F239E0BAE4092912AE7691671546588EE1EA7.pdf MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
auf Bestellung 10575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.68 EUR
10+0.4 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.22 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z onsemi NDS7002A-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 10482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.69 EUR
43+0.41 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z onsemi NDS7002A-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.15 EUR
4000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 110000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 6580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+0.61 EUR
408+0.34 EUR
519+0.26 EUR
607+0.21 EUR
611+0.2 EUR
764+0.16 EUR
1093+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 237
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 110000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.16 EUR
4000+0.15 EUR
8000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 6580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
519+0.28 EUR
607+0.23 EUR
611+0.22 EUR
764+0.17 EUR
1093+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 519
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2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ONSEMI 2304304.pdf Description: ONSEMI - 2N7000-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D74Z 2N7000-D74Z onsemi NDS7002A-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.88 EUR
33+0.54 EUR
100+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D74Z 2N7000-D74Z onsemi NDS7002A-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.17 EUR
10000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D74Z 2N7000-D74Z ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
659+0.22 EUR
2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 659
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z 2N7000-D75Z ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E58CC03277C0D2&compId=2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF?ci_sign=0fd71bfe4fa8b72f11e37dab9fdebe94573526a9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 2009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+0.59 EUR
192+0.37 EUR
243+0.29 EUR
348+0.21 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z 2N7000-D75Z ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E58CC03277C0D2&compId=2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF?ci_sign=0fd71bfe4fa8b72f11e37dab9fdebe94573526a9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2009 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
192+0.37 EUR
243+0.29 EUR
348+0.21 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z 2N7000-D75Z onsemi NDS7002A-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.16 EUR
4000+0.14 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z 2N7000-D75Z onsemi / Fairchild B2673AD812A84D0BCD33979C37E962675A6B1149E3B438C4BE80227D7471E80A.pdf MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
auf Bestellung 5939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.77 EUR
10+0.48 EUR
100+0.23 EUR
500+0.21 EUR
2000+0.15 EUR
4000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z 2N7000-D75Z onsemi NDS7002A-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 17013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.79 EUR
37+0.49 EUR
100+0.23 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z 2N7000-D75Z ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.18 EUR
4000+0.16 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G 2N7000-G MICROCHIP TECHNOLOGY 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+0.97 EUR
145+0.5 EUR
157+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G 2N7000-G MICROCHIP TECHNOLOGY 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
145+0.5 EUR
157+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf MOSFETs 60V 5Ohm
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2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
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2N7000
Produktcode: 200238
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2N7000-datasheetjcet.pdf
2N7000
Hersteller: CJ
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
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2N7000
Produktcode: 20638
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2N7000-D.PDF
2N7000
Hersteller: NXP
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
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2N7000
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
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2N7000
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: Ammo Pack
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417+0.17 EUR
491+0.15 EUR
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2N7000
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
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740+0.097 EUR
1125+0.064 EUR
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2N7000 NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf
Hersteller: LGE
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
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2N7000 NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf
Hersteller: DIOTEC
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
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2N7000 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B5E7B772AB10BE28&compId=2N7000-LGE-DTE.pdf?ci_sign=6dca99270af36192b057cac8d612f3073128d359
2N7000
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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1125+0.064 EUR
1245+0.057 EUR
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2N7000 NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf
Hersteller: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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300+0.11 EUR
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2N7000 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E58CC03277C0D2&compId=2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF?ci_sign=0fd71bfe4fa8b72f11e37dab9fdebe94573526a9
2N7000
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
125+0.57 EUR
151+0.47 EUR
175+0.41 EUR
222+0.32 EUR
397+0.18 EUR
421+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 125
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2N7000 NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf
Hersteller: ZEHUA
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEH
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
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Anzahl Preis
500+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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2N7000 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B7EC8716854C20C4&compId=2n7000.pdf?ci_sign=7e454f76ea9c1d6c74e6c527bf46a5062211976b
2N7000
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
417+0.17 EUR
491+0.15 EUR
544+0.13 EUR
878+0.082 EUR
1608+0.044 EUR
1701+0.042 EUR
8000+0.041 EUR
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2N7000 NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf
Hersteller: DIOTEC
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Anzahl Preis
300+0.12 EUR
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2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+0.32 EUR
83+0.21 EUR
138+0.13 EUR
500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.068 EUR
8000+0.051 EUR
12000+0.05 EUR
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2N7000 11AE8EC16F86BFEDE62C7BE5080B34EEB7A1DA175A13D6E34F1DA85EB15A8A89.pdf
2N7000
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 200mA, 5 ohm
auf Bestellung 64664 Stücke:
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4+0.76 EUR
10+0.51 EUR
100+0.26 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
2500+0.2 EUR
5000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, N, 0.3
Packaging: Strip
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 7376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.53 EUR
19+0.96 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.4 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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2N7000 NDS7002A-D.PDF
2N7000
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 35155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+0.77 EUR
34+0.52 EUR
100+0.27 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.22 EUR
5000+0.2 EUR
10000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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2N7000 NDS7002A-D.PDF 2n7000.pdf 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
auf Bestellung 37521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+0.32 EUR
14+0.21 EUR
100+0.12 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.079 EUR
4000+0.067 EUR
8000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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2N7000 ONSM-S-A0013669918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7000
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 47568 Stücke:
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2N7000 nds7002a-d.pdf
2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 96253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
286+0.51 EUR
421+0.33 EUR
1502+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 286
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 nds7002a-d.pdf
2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 27168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2565+0.21 EUR
10000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2565
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 nds7002a-d.pdf
2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 41830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
298+0.49 EUR
1241+0.11 EUR
1268+0.1 EUR
2500+0.097 EUR
5000+0.092 EUR
10000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 298
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2N7000 4400006.pdf
2N7000
Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3862 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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604+0.24 EUR
890+0.16 EUR
1431+0.094 EUR
1684+0.077 EUR
2337+0.053 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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4000+0.078 EUR
8000+0.054 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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4000+0.064 EUR
8000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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2565+0.21 EUR
10000+0.18 EUR
100000+0.15 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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1728+0.084 EUR
2000+0.073 EUR
4000+0.063 EUR
8000+0.058 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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201+0.72 EUR
298+0.47 EUR
1241+0.11 EUR
1254+0.1 EUR
1268+0.098 EUR
2500+0.093 EUR
5000+0.088 EUR
10000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 201
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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590+0.25 EUR
2500+0.22 EUR
5000+0.2 EUR
7500+0.18 EUR
30000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 590
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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1502+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 1502
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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4000+0.064 EUR
8000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E58CC03277C0D2&compId=2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF?ci_sign=0fd71bfe4fa8b72f11e37dab9fdebe94573526a9
2N7000-D26Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 2103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
215+0.33 EUR
275+0.26 EUR
309+0.23 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E58CC03277C0D2&compId=2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF?ci_sign=0fd71bfe4fa8b72f11e37dab9fdebe94573526a9
2N7000-D26Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2103 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
215+0.33 EUR
275+0.26 EUR
309+0.23 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z BF7448EC554B6BC56057173B7D3F239E0BAE4092912AE7691671546588EE1EA7.pdf
2N7000-D26Z
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
auf Bestellung 10575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.68 EUR
10+0.4 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.22 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z NDS7002A-D.PDF
2N7000-D26Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 10482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+0.69 EUR
43+0.41 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z NDS7002A-D.PDF
2N7000-D26Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.15 EUR
4000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z nds7002a-d.pdf
2N7000-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 110000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z nds7002a-d.pdf
2N7000-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 6580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
237+0.61 EUR
408+0.34 EUR
519+0.26 EUR
607+0.21 EUR
611+0.2 EUR
764+0.16 EUR
1093+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 237
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z nds7002a-d.pdf
2N7000-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z nds7002a-d.pdf
2N7000-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 110000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z nds7002a-d.pdf
2N7000-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.16 EUR
4000+0.15 EUR
8000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z nds7002a-d.pdf
2N7000-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 6580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
519+0.28 EUR
607+0.23 EUR
611+0.22 EUR
764+0.17 EUR
1093+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 519
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z 2304304.pdf
2N7000-D26Z
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z nds7002a-d.pdf
2N7000-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z nds7002a-d.pdf
2N7000-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D74Z NDS7002A-D.PDF
2N7000-D74Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+0.88 EUR
33+0.54 EUR
100+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D74Z NDS7002A-D.PDF
2N7000-D74Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.17 EUR
10000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D74Z nds7002a-d.pdf
2N7000-D74Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
659+0.22 EUR
2000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 659
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E58CC03277C0D2&compId=2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF?ci_sign=0fd71bfe4fa8b72f11e37dab9fdebe94573526a9
2N7000-D75Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 2009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
192+0.37 EUR
243+0.29 EUR
348+0.21 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84E58CC03277C0D2&compId=2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF?ci_sign=0fd71bfe4fa8b72f11e37dab9fdebe94573526a9
2N7000-D75Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2009 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
192+0.37 EUR
243+0.29 EUR
348+0.21 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z NDS7002A-D.PDF
2N7000-D75Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.16 EUR
4000+0.14 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z B2673AD812A84D0BCD33979C37E962675A6B1149E3B438C4BE80227D7471E80A.pdf
2N7000-D75Z
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
auf Bestellung 5939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.77 EUR
10+0.48 EUR
100+0.23 EUR
500+0.21 EUR
2000+0.15 EUR
4000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z NDS7002A-D.PDF
2N7000-D75Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 17013 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+0.79 EUR
37+0.49 EUR
100+0.23 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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2N7000-D75Z nds7002a-d.pdf
2N7000-D75Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.18 EUR
4000+0.16 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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2N7000-G 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf
2N7000-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
145+0.5 EUR
157+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 74
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2N7000-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
145+0.5 EUR
157+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 74
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2N7000-G
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 60V 5Ohm
auf Bestellung 3206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.76 EUR
25+0.64 EUR
100+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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2N7000-G 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf
2N7000-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 2448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+0.76 EUR
28+0.63 EUR
100+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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