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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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BS170 Produktcode: 26014
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Lieblingsprodukt
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FS |
![]() Gehäuse: TO-92 Uds,V: 60 Idd,A: 01.05.2000 Rds(on), Ohm: 05.05.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 60/- JHGF: THT |
verfügbar: 25 Stück
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BS170-D26Z Produktcode: 143717
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Lieblingsprodukt
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ON |
![]() ![]() Gehäuse: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,5 A Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 60/ JHGF: THT |
auf Bestellung 1547 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BS170 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Technology: DMOS |
auf Bestellung 8192 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 8192 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BS170 | ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BS170 | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 86559 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS170 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 52692 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 52742 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 52692 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 25972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BS170 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 12569 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 12569 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170"D27Z | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BS170-D26Z | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Mounting: THT Case: TO92 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A On-state resistance: 5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.83W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: DMOS Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.2A |
auf Bestellung 783 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D26Z | ON-Semicoductor |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BS170-D26Z | ON-Semicoductor |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 1720 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BS170-D26Z | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Mounting: THT Case: TO92 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A On-state resistance: 5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.83W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: DMOS Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.2A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 783 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BS170-D26Z | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 33023 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS170-D26Z | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4393 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BS170-D26Z | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BS170-D26Z | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D26Z | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D26Z | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D26Z | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D26Z | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BS170-D27Z | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: DMOS |
auf Bestellung 3801 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D27Z | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3801 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BS170-D27Z | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 8112 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS170-D27Z | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D27Z | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2793 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BS170-D27Z | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D27Z | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D27Z | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BS170-D74Z | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BS170-D74Z | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BS170-D75Z | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: DMOS |
auf Bestellung 409 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D75Z | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 409 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BS170-D75Z | onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 24130 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS170-D75Z | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 4644 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D75Z | FAIRCHILD |
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auf Bestellung 6212 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D75Z | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D75Z | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60V Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2074 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BS170-D75Z | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BS170-D75Z | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 4644 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170F | DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 20101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BS170F | DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 20101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BS170FTA | DIODES INCORPORATED |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15mA; 0.33W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.15mA Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2579 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170FTA | DIODES INCORPORATED |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15mA; 0.33W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.15mA Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2579 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BS170FTA | DIODES/ZETEX |
![]() ![]() ![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 565 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BS170FTA | Diodes Incorporated |
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auf Bestellung 36992 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS170FTA | Diodes Zetex |
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auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BS170FTA | Diodes Zetex |
![]() ![]() |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170P | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; Idm: 3A; 0.625W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.27A Pulsed drain current: 3A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 3689 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170P | Diodes Incorporated |
![]() |
auf Bestellung 2133 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS170P | Diodes Zetex |
![]() |
auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170P | DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2543 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BS170P | Diodes Zetex |
![]() |
auf Bestellung 1646 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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![]() |
BS170P | Diodes Zetex |
![]() |
auf Bestellung 1646 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
BS170D74Z |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
BS170 Produktcode: 26014
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: FS
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.05.2000
Rds(on), Ohm: 05.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.05.2000
Rds(on), Ohm: 05.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
verfügbar: 25 Stück
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.29 EUR |
100+ | 0.17 EUR |
BS170-D26Z Produktcode: 143717
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() ![]() |
Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
auf Bestellung 1547 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BS170 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
auf Bestellung 8192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
200+ | 0.36 EUR |
291+ | 0.25 EUR |
382+ | 0.19 EUR |
500+ | 0.14 EUR |
603+ | 0.12 EUR |
642+ | 0.11 EUR |
BS170 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8192 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
200+ | 0.36 EUR |
291+ | 0.25 EUR |
382+ | 0.19 EUR |
500+ | 0.14 EUR |
603+ | 0.12 EUR |
642+ | 0.11 EUR |
BS170 |
![]() |
Hersteller: ON-Semicoductor
N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
100+ | 0.28 EUR |
BS170 |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs FET 60V 50 MOHM TO92
MOSFETs FET 60V 50 MOHM TO92
auf Bestellung 86559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 0.48 EUR |
10+ | 0.33 EUR |
100+ | 0.21 EUR |
500+ | 0.19 EUR |
1000+ | 0.16 EUR |
2500+ | 0.14 EUR |
5000+ | 0.12 EUR |
BS170 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 52692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1495+ | 0.096 EUR |
1509+ | 0.091 EUR |
BS170 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
615+ | 0.23 EUR |
2500+ | 0.12 EUR |
5000+ | 0.11 EUR |
7500+ | 0.1 EUR |
BS170 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 52742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4292+ | 0.12 EUR |
10000+ | 0.11 EUR |
BS170 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 52692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1527+ | 0.094 EUR |
BS170 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BS170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 25972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BS170 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 12569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1444+ | 0.099 EUR |
1458+ | 0.094 EUR |
1473+ | 0.09 EUR |
1489+ | 0.086 EUR |
1502+ | 0.082 EUR |
2500+ | 0.077 EUR |
5000+ | 0.073 EUR |
10000+ | 0.072 EUR |
BS170 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 12569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1473+ | 0.097 EUR |
1489+ | 0.093 EUR |
1502+ | 0.088 EUR |
2500+ | 0.084 EUR |
5000+ | 0.08 EUR |
10000+ | 0.076 EUR |
BS170"D27Z |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BS170-D26Z |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: DMOS
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: DMOS
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
auf Bestellung 783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
132+ | 0.54 EUR |
209+ | 0.34 EUR |
311+ | 0.23 EUR |
365+ | 0.2 EUR |
491+ | 0.15 EUR |
521+ | 0.14 EUR |
BS170-D26Z |
![]() ![]() |
Hersteller: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
100+ | 0.46 EUR |
BS170-D26Z |
![]() ![]() |
Hersteller: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
100+ | 0.46 EUR |
BS170-D26Z |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: DMOS
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: DMOS
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 783 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
132+ | 0.54 EUR |
209+ | 0.34 EUR |
311+ | 0.23 EUR |
365+ | 0.2 EUR |
491+ | 0.15 EUR |
521+ | 0.14 EUR |
BS170-D26Z |
![]() ![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
auf Bestellung 33023 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 0.67 EUR |
10+ | 0.51 EUR |
100+ | 0.26 EUR |
500+ | 0.24 EUR |
1000+ | 0.22 EUR |
2000+ | 0.16 EUR |
4000+ | 0.15 EUR |
BS170-D26Z |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BS170-D26Z |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BS170-D26Z |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2000+ | 0.12 EUR |
BS170-D26Z |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2000+ | 0.13 EUR |
4000+ | 0.12 EUR |
BS170-D26Z |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2000+ | 0.16 EUR |
4000+ | 0.15 EUR |
6000+ | 0.14 EUR |
8000+ | 0.13 EUR |
BS170-D26Z |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2000+ | 0.13 EUR |
4000+ | 0.12 EUR |
BS170-D26Z |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BS170-D27Z |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
auf Bestellung 3801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
132+ | 0.54 EUR |
313+ | 0.23 EUR |
397+ | 0.18 EUR |
443+ | 0.16 EUR |
589+ | 0.12 EUR |
625+ | 0.11 EUR |
BS170-D27Z |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3801 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
132+ | 0.54 EUR |
313+ | 0.23 EUR |
397+ | 0.18 EUR |
443+ | 0.16 EUR |
589+ | 0.12 EUR |
625+ | 0.11 EUR |
BS170-D27Z |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
auf Bestellung 8112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 0.71 EUR |
10+ | 0.43 EUR |
100+ | 0.28 EUR |
500+ | 0.21 EUR |
1000+ | 0.18 EUR |
2000+ | 0.16 EUR |
4000+ | 0.14 EUR |
BS170-D27Z |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2000+ | 0.12 EUR |
6000+ | 0.11 EUR |
BS170-D27Z |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D27Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BS170-D27Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2793 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BS170-D27Z |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2000+ | 0.13 EUR |
4000+ | 0.11 EUR |
BS170-D27Z |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2000+ | 0.13 EUR |
4000+ | 0.11 EUR |
BS170-D27Z |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BS170-D74Z |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BS170-D74Z |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 1326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BS170-D75Z |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
157+ | 0.46 EUR |
182+ | 0.39 EUR |
258+ | 0.28 EUR |
317+ | 0.23 EUR |
409+ | 0.17 EUR |
BS170-D75Z |
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Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 409 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
157+ | 0.46 EUR |
182+ | 0.39 EUR |
258+ | 0.28 EUR |
317+ | 0.23 EUR |
409+ | 0.17 EUR |
500+ | 0.15 EUR |
BS170-D75Z |
![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
auf Bestellung 24130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 0.51 EUR |
10+ | 0.34 EUR |
100+ | 0.25 EUR |
500+ | 0.2 EUR |
2000+ | 0.17 EUR |
4000+ | 0.15 EUR |
BS170-D75Z |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 4644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1076+ | 0.13 EUR |
1113+ | 0.12 EUR |
1118+ | 0.11 EUR |
3000+ | 0.1 EUR |
BS170-D75Z |
![]() |
Hersteller: FAIRCHILD
BS170-D75Z
BS170-D75Z
auf Bestellung 6212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3230+ | 0.17 EUR |
BS170-D75Z |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2000+ | 0.18 EUR |
4000+ | 0.17 EUR |
6000+ | 0.16 EUR |
8000+ | 0.15 EUR |
BS170-D75Z |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - MOSFET, N-CH, 60V, 0.5A, TO-226AA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - MOSFET, N-CH, 60V, 0.5A, TO-226AA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BS170-D75Z |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BS170-D75Z |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 4644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
993+ | 0.14 EUR |
1059+ | 0.13 EUR |
1076+ | 0.12 EUR |
1113+ | 0.11 EUR |
1118+ | 0.1 EUR |
BS170F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BS170F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 20101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BS170FTA | ![]() |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15mA; 0.33W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15mA
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15mA; 0.33W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15mA
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2579 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
107+ | 0.67 EUR |
116+ | 0.62 EUR |
143+ | 0.5 EUR |
363+ | 0.2 EUR |
385+ | 0.19 EUR |
BS170FTA | ![]() |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15mA; 0.33W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15mA
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15mA; 0.33W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15mA
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2579 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
107+ | 0.67 EUR |
116+ | 0.62 EUR |
143+ | 0.5 EUR |
363+ | 0.2 EUR |
385+ | 0.19 EUR |
BS170FTA | ![]() |
![]() ![]() ![]() |
Hersteller: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 150mA 60V 330mW 5Ω BS170FTA smd TBS170sot23
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
N-MOSFET 150mA 60V 330mW 5Ω BS170FTA smd TBS170sot23
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
100+ | 0.74 EUR |
BS170FTA | ![]() |
![]() |
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Chnl 60V
MOSFETs N-Chnl 60V
auf Bestellung 36992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 1.33 EUR |
10+ | 0.96 EUR |
100+ | 0.67 EUR |
500+ | 0.54 EUR |
1000+ | 0.49 EUR |
3000+ | 0.41 EUR |
6000+ | 0.4 EUR |
BS170FTA | ![]() |
![]() |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BS170FTA | ![]() |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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3000+ | 0.98 EUR |
BS170P |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; Idm: 3A; 0.625W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.27A; Idm: 3A; 0.625W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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75+ | 0.96 EUR |
106+ | 0.68 EUR |
120+ | 0.6 EUR |
138+ | 0.52 EUR |
146+ | 0.49 EUR |
BS170P |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Chnl 60V
MOSFETs N-Chnl 60V
auf Bestellung 2133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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2+ | 1.87 EUR |
10+ | 1.18 EUR |
100+ | 0.76 EUR |
500+ | 0.6 EUR |
1000+ | 0.55 EUR |
2000+ | 0.52 EUR |
4000+ | 0.44 EUR |
BS170P |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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4000+ | 0.38 EUR |
BS170P |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BS170P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - BS170P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 5 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BS170P |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
auf Bestellung 1646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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270+ | 0.53 EUR |
BS170P |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
auf Bestellung 1646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
270+ | 0.53 EUR |
500+ | 0.44 EUR |
1000+ | 0.4 EUR |
BS170D74Z |
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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