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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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BS170 (Fairchild) Transistor Produktcode: 26014
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Lieblingsprodukt
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FS |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-92 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 0,5 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/- Montage: THT |
verfügbar: 25 St.
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BS170-D26Z Produktcode: 143717
3
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Lieblingsprodukt
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ON |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-92 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В Drain-Strom Idd, A: 0,5 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,5 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/ Montage: THT |
auf Bestellung: 449 St.
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BS170 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Mounting: THT Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Polarisation: unipolar Technology: DMOS Drain current: 0.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: bulk Case: TO92 On-state resistance: 5Ω |
auf Bestellung 8495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170 | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170 Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
auf Bestellung 2380 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BS170 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
auf Bestellung 86533 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS170 | onsemi |
MOSFETs FET 60V 5.0 MOHM TO92 |
auf Bestellung 91036 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS170 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk |
auf Bestellung 371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 28 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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BS170 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk |
auf Bestellung 486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk |
auf Bestellung 92614 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk |
auf Bestellung 16250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk |
auf Bestellung 486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 85 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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BS170 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 830mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
auf Bestellung 37875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk |
auf Bestellung 92560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk |
auf Bestellung 37235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk |
auf Bestellung 52492 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk |
auf Bestellung 371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 28 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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BS170 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk |
auf Bestellung 37235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170"D27Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Through Hole euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - Unlimited Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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BS170-D26Z | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Mounting: THT Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Polarisation: unipolar Technology: DMOS Drain current: 0.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: TO92 On-state resistance: 5Ω |
auf Bestellung 1379 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D26Z | ON-Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170- Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 1720 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BS170-D26Z | ON-Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170- Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BS170-D26Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
auf Bestellung 22728 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS170-D26Z | Fairchild Semiconductor |
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI |
auf Bestellung 100646 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS170-D26Z | onsemi |
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect |
auf Bestellung 17674 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS170-D26Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS170-D26Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D26Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D26Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D26Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D26Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 830mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
auf Bestellung 1526 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D26Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D27Z | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Mounting: THT Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Polarisation: unipolar Technology: DMOS Drain current: 0.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: TO92 On-state resistance: 5Ω |
auf Bestellung 3326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D27Z | onsemi |
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect |
auf Bestellung 15052 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS170-D27Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
auf Bestellung 4555 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS170-D27Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS170-D27Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D27Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D27Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170-D27Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 830mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
auf Bestellung 2428 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D27Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D27Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D27Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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BS170-D74Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
auf Bestellung 1236 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS170-D74Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS170-D74Z | onsemi |
MOSFETs NCh Enhancement Mode |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS170-D74Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 1316 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D74Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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BS170-D74Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 1316 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D75Z | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Mounting: THT Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Polarisation: unipolar Technology: DMOS Drain current: 0.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: TO92 On-state resistance: 5Ω |
auf Bestellung 2486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D75Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 830mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
auf Bestellung 2266 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D75Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 1844 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D75Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 1844 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D75Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170-D75Z. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170-D75Z. - MOSFET, N-CH, 60V, 0.5A, TO-226AA tariffCode: 85412100 Transistormontage: Through Hole euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 830mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 1109 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 1109 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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BS170F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 330mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
auf Bestellung 5785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 330mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
auf Bestellung 5785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS170FTA | DIODES/ZETEX |
 N-MOSFET 150mA 60V 330mW 5Ω BS170FTA smd TBS170sot23Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 465 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BS170FTA | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS170FTA | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 323 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS170FTA | EVVO |
Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS170FTA | EVVO |
Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1078 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BS170 (Fairchild) Transistor Produktcode: 26014
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: FS
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 0,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/-
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 0,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/-
Montage: THT
verfügbar: 25 St.
- 25 St. - stock Köln
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.35 EUR |
| 100+ | 0.2 EUR |
| 1000+ | 0.094 EUR |
| BS170-D26Z Produktcode: 143717
3
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 0,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 0,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5,5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/
Montage: THT
auf Bestellung: 449 St.
- 449 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.3 EUR |
| 10+ | 0.26 EUR |
| 100+ | 0.24 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |
| BS170 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS
Drain current: 0.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: bulk
Case: TO92
On-state resistance: 5Ω
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS
Drain current: 0.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: bulk
Case: TO92
On-state resistance: 5Ω
auf Bestellung 8495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 152+ | 0.56 EUR |
| 184+ | 0.46 EUR |
| 215+ | 0.39 EUR |
| 388+ | 0.21 EUR |
| 472+ | 0.18 EUR |
| 538+ | 0.15 EUR |
| 1000+ | 0.14 EUR |
| 3000+ | 0.12 EUR |
| BS170 |
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Hersteller: ON-Semiconductor
N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.33 EUR |
| BS170 |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 86533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 26+ | 0.82 EUR |
| 42+ | 0.51 EUR |
| 58+ | 0.37 EUR |
| 100+ | 0.32 EUR |
| 500+ | 0.24 EUR |
| BS170 |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs FET 60V 5.0 MOHM TO92
MOSFETs FET 60V 5.0 MOHM TO92
auf Bestellung 91036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.81 EUR |
| 10+ | 0.5 EUR |
| 100+ | 0.32 EUR |
| 500+ | 0.24 EUR |
| BS170 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BS170 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 415+ | 0.42 EUR |
| BS170 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 92614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 432+ | 0.4 EUR |
| 683+ | 0.25 EUR |
| 1036+ | 0.15 EUR |
| 1048+ | 0.14 EUR |
| 1198+ | 0.12 EUR |
| 2500+ | 0.096 EUR |
| 5000+ | 0.092 EUR |
| BS170 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 16250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 971+ | 0.18 EUR |
| 2500+ | 0.17 EUR |
| 5000+ | 0.15 EUR |
| 7500+ | 0.14 EUR |
| BS170 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BS170 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: ONSEMI - BS170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 37875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 157+ | 1.59 EUR |
| 222+ | 1.05 EUR |
| 375+ | 0.57 EUR |
| 506+ | 0.43 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| 5000+ | 0.27 EUR |
| BS170 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 92560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 690+ | 0.25 EUR |
| 1047+ | 0.17 EUR |
| 1059+ | 0.15 EUR |
| 1211+ | 0.13 EUR |
| 2500+ | 0.11 EUR |
| 5000+ | 0.1 EUR |
| BS170 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 37235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 997+ | 0.18 EUR |
| 1007+ | 0.17 EUR |
| 1112+ | 0.15 EUR |
| 2500+ | 0.12 EUR |
| 5000+ | 0.11 EUR |
| 10000+ | 0.11 EUR |
| 30000+ | 0.11 EUR |
| BS170 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 52492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4082+ | 0.15 EUR |
| 10000+ | 0.14 EUR |
| BS170 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BS170 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 37235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 415+ | 0.42 EUR |
| 633+ | 0.26 EUR |
| 997+ | 0.17 EUR |
| 1007+ | 0.15 EUR |
| 1112+ | 0.13 EUR |
| 2500+ | 0.1 EUR |
| 5000+ | 0.098 EUR |
| 10000+ | 0.096 EUR |
| 30000+ | 0.095 EUR |
| BS170"D27Z |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BS170-D26Z |
|
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS
Drain current: 0.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO92
On-state resistance: 5Ω
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS
Drain current: 0.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO92
On-state resistance: 5Ω
auf Bestellung 1379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 125+ | 0.68 EUR |
| 178+ | 0.48 EUR |
| 216+ | 0.39 EUR |
| 249+ | 0.35 EUR |
| 290+ | 0.3 EUR |
| 500+ | 0.21 EUR |
| 1000+ | 0.19 EUR |
| BS170-D26Z |
|
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 0.4 EUR |
| BS170-D26Z |
|
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 0.4 EUR |
| BS170-D26Z |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 22728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 1.11 EUR |
| 31+ | 0.69 EUR |
| 50+ | 0.5 EUR |
| 100+ | 0.44 EUR |
| 500+ | 0.33 EUR |
| BS170-D26Z |
|
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
auf Bestellung 100646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2036+ | 0.27 EUR |
| BS170-D26Z |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
auf Bestellung 17674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.71 EUR |
| 10+ | 1.19 EUR |
| 100+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| BS170-D26Z |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.24 EUR |
| 4000+ | 0.21 EUR |
| BS170-D26Z |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.18 EUR |
| 4000+ | 0.15 EUR |
| BS170-D26Z |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.23 EUR |
| 4000+ | 0.21 EUR |
| 6000+ | 0.2 EUR |
| 8000+ | 0.19 EUR |
| BS170-D26Z |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.18 EUR |
| 4000+ | 0.15 EUR |
| BS170-D26Z |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 367+ | 0.48 EUR |
| 511+ | 0.33 EUR |
| 516+ | 0.32 EUR |
| 610+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.19 EUR |
| 3000+ | 0.17 EUR |
| 6000+ | 0.15 EUR |
| BS170-D26Z |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 1526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 201+ | 1.25 EUR |
| 341+ | 0.68 EUR |
| 498+ | 0.43 EUR |
| 658+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| BS170-D26Z |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 197+ | 0.89 EUR |
| 294+ | 0.57 EUR |
| 367+ | 0.44 EUR |
| 511+ | 0.31 EUR |
| 516+ | 0.29 EUR |
| 610+ | 0.24 EUR |
| 1000+ | 0.15 EUR |
| 3000+ | 0.14 EUR |
| 6000+ | 0.13 EUR |
| BS170-D27Z |
|
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS
Drain current: 0.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO92
On-state resistance: 5Ω
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS
Drain current: 0.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO92
On-state resistance: 5Ω
auf Bestellung 3326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 143+ | 0.6 EUR |
| 217+ | 0.39 EUR |
| 285+ | 0.3 EUR |
| 348+ | 0.25 EUR |
| 417+ | 0.2 EUR |
| 511+ | 0.17 EUR |
| 575+ | 0.14 EUR |
| 1000+ | 0.13 EUR |
| BS170-D27Z |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
auf Bestellung 15052 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.33 EUR |
| 10+ | 0.93 EUR |
| 100+ | 0.6 EUR |
| 500+ | 0.37 EUR |
| BS170-D27Z |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 4555 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 0.94 EUR |
| 37+ | 0.58 EUR |
| 51+ | 0.42 EUR |
| 100+ | 0.37 EUR |
| 500+ | 0.27 EUR |
| BS170-D27Z |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.2 EUR |
| 4000+ | 0.18 EUR |
| BS170-D27Z |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3912+ | 0.17 EUR |
| BS170-D27Z |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.18 EUR |
| 4000+ | 0.13 EUR |
| BS170-D27Z |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D27Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: ONSEMI - BS170-D27Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 2428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 236+ | 1.06 EUR |
| 435+ | 0.54 EUR |
| 622+ | 0.35 EUR |
| 800+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
| BS170-D27Z |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.18 EUR |
| 4000+ | 0.13 EUR |
| BS170-D27Z |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.29 EUR |
| 6000+ | 0.24 EUR |
| 8000+ | 0.21 EUR |
| BS170-D27Z |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BS170-D74Z |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 1236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 0.94 EUR |
| 37+ | 0.58 EUR |
| 100+ | 0.37 EUR |
| 500+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| BS170-D74Z |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.23 EUR |
| 4000+ | 0.2 EUR |
| BS170-D74Z |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs NCh Enhancement Mode
MOSFETs NCh Enhancement Mode
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.92 EUR |
| 10+ | 0.57 EUR |
| 100+ | 0.37 EUR |
| 500+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| 2000+ | 0.21 EUR |
| 4000+ | 0.2 EUR |
| BS170-D74Z |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 1316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 330+ | 0.52 EUR |
| 523+ | 0.33 EUR |
| 702+ | 0.24 EUR |
| 1000+ | 0.2 EUR |
| BS170-D74Z |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BS170-D74Z |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 1316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 330+ | 0.52 EUR |
| 524+ | 0.32 EUR |
| 703+ | 0.23 EUR |
| 1000+ | 0.19 EUR |
| BS170-D75Z |
|
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS
Drain current: 0.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO92
On-state resistance: 5Ω
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Mounting: THT
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Technology: DMOS
Drain current: 0.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO92
On-state resistance: 5Ω
auf Bestellung 2486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 264+ | 0.32 EUR |
| 304+ | 0.29 EUR |
| 394+ | 0.21 EUR |
| 582+ | 0.14 EUR |
| BS170-D75Z |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 2266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 343+ | 0.73 EUR |
| 553+ | 0.42 EUR |
| 730+ | 0.3 EUR |
| 863+ | 0.25 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
| BS170-D75Z |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 1844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 318+ | 0.55 EUR |
| 508+ | 0.33 EUR |
| 513+ | 0.31 EUR |
| 530+ | 0.3 EUR |
| 700+ | 0.21 EUR |
| 707+ | 0.2 EUR |
| 758+ | 0.18 EUR |
| 1110+ | 0.12 EUR |
| BS170-D75Z |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 1844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 530+ | 0.33 EUR |
| 700+ | 0.25 EUR |
| 707+ | 0.24 EUR |
| 758+ | 0.21 EUR |
| 1110+ | 0.14 EUR |
| BS170-D75Z |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.24 EUR |
| 4000+ | 0.23 EUR |
| 6000+ | 0.21 EUR |
| 8000+ | 0.2 EUR |
| BS170-D75Z. |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D75Z. - MOSFET, N-CH, 60V, 0.5A, TO-226AA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - BS170-D75Z. - MOSFET, N-CH, 60V, 0.5A, TO-226AA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 1109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BS170F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 5785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.07 EUR |
| 133+ | 1.75 EUR |
| 156+ | 1.38 EUR |
| 500+ | 1.01 EUR |
| 1500+ | 0.88 EUR |
| BS170F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 5785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 82+ | 3.07 EUR |
| 133+ | 1.75 EUR |
| 156+ | 1.38 EUR |
| 500+ | 1.01 EUR |
| 1500+ | 0.88 EUR |
| BS170FTA |
|
Hersteller: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 150mA 60V 330mW 5Ω BS170FTA smd TBS170sot23
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
N-MOSFET 150mA 60V 330mW 5Ω BS170FTA smd TBS170sot23
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 0.9 EUR |
| BS170FTA |
|
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.12 EUR |
| BS170FTA |
|
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 36+ | 0.58 EUR |
| 58+ | 0.36 EUR |
| 81+ | 0.26 EUR |
| 100+ | 0.23 EUR |
| BS170FTA |
|
Hersteller: EVVO
Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.2 EUR |
| BS170FTA |
|
Hersteller: EVVO
Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 0.94 EUR |
| 37+ | 0.57 EUR |
| 51+ | 0.42 EUR |
| 100+ | 0.37 EUR |
| 500+ | 0.27 EUR |
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