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BS170 BS170
Produktcode: 26014
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FS BS170-D.PDF Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.05.2000
Rds(on), Ohm: 05.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
verfügbar: 25 Stück
1+0.29 EUR
100+0.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z
Produktcode: 143717
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ON MMBF170-D.PDF mmbf170-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
auf Bestellung 1292 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 BS170 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
auf Bestellung 12251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+0.31 EUR
323+0.22 EUR
414+0.17 EUR
532+0.13 EUR
633+0.11 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 ON-Semicoductor MMBF170-D.PDF N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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BS170 BS170 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
228+0.31 EUR
323+0.22 EUR
414+0.17 EUR
532+0.13 EUR
633+0.11 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 228
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BS170 ON-Semicoductor MMBF170-D.PDF N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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BS170 BS170 onsemi / Fairchild B5D103F44EE33BFDB4DCECE300A368DFCF866E4F3F6FCD821C99AD04B1715E9E.pdf MOSFETs Single N-Channel Small Signal MOSFET 60V, 500mA, 5ohm
auf Bestellung 44297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.32 EUR
14+0.21 EUR
100+0.16 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
2500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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BS170 BS170 onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 34075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.37 EUR
73+0.24 EUR
103+0.17 EUR
500+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
10000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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BS170 BS170 ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 3020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
416+0.35 EUR
624+0.23 EUR
808+0.17 EUR
981+0.13 EUR
1119+0.11 EUR
2500+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 416
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 BS170 ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 28330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1278+0.11 EUR
1303+0.1 EUR
1327+0.098 EUR
1437+0.087 EUR
2500+0.077 EUR
5000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 1278
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BS170 BS170 ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 28330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1273+0.11 EUR
1437+0.094 EUR
2500+0.087 EUR
5000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 1273
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 BS170 ONSEMI 4459580.pdf Description: ONSEMI - BS170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 32796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BS170 BS170 ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 52742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4280+0.13 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4280
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 BS170 ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
773+0.19 EUR
2500+0.11 EUR
5000+0.1 EUR
7500+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 773
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 BS170 ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 3020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
996+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 996
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 BS170 ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170"D27Z BS170"D27Z ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+0.44 EUR
205+0.35 EUR
244+0.29 EUR
283+0.25 EUR
332+0.22 EUR
407+0.18 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z ON-Semicoductor MMBF170-D.PDF mmbf170-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z ON-Semicoductor MMBF170-D.PDF mmbf170-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
205+0.35 EUR
244+0.29 EUR
283+0.25 EUR
332+0.22 EUR
407+0.18 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z onsemi / Fairchild FB5D2A46F5A6AD86F228620BBF00E055C47DA88B4DE5FCA48E369F63579DDE07.pdf MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
auf Bestellung 20690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.65 EUR
10+0.48 EUR
100+0.24 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.15 EUR
4000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 18820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.65 EUR
36+0.49 EUR
100+0.25 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z Fairchild Semiconductor mmbf170-d.pdf Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 110646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2137+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2137
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.17 EUR
4000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z BS170-D26Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D27Z BS170-D27Z ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+0.46 EUR
222+0.32 EUR
278+0.26 EUR
334+0.21 EUR
394+0.18 EUR
569+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 157
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BS170-D27Z BS170-D27Z onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 20978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.69 EUR
43+0.41 EUR
100+0.26 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D27Z BS170-D27Z onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.15 EUR
4000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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BS170-D27Z BS170-D27Z onsemi / Fairchild 77364A0F2BE66C9A2FFDC1DA7466714E9D8D2E973EDC7E89E7F24771F6BC1F05.pdf MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
auf Bestellung 5078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.68 EUR
10+0.39 EUR
100+0.26 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
4000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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BS170-D27Z BS170-D27Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D27Z BS170-D27Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.16 EUR
4000+0.12 EUR
8000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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BS170-D27Z BS170-D27Z ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170-D27Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BS170-D27Z BS170-D27Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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BS170-D27Z BS170-D27Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.14 EUR
4000+0.11 EUR
10000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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BS170-D27Z BS170-D27Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.14 EUR
4000+0.11 EUR
10000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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BS170-D74Z BS170-D74Z onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.77 EUR
37+0.48 EUR
100+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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BS170-D74Z BS170-D74Z onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.18 EUR
4000+0.17 EUR
6000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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BS170-D74Z BS170-D74Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BS170-D74Z BS170-D74Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 1316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1187+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1187
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BS170-D75Z BS170-D75Z ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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BS170-D75Z BS170-D75Z ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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BS170-D75Z BS170-D75Z onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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BS170-D75Z BS170-D75Z onsemi MMBF170-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.48 EUR
58+0.3 EUR
100+0.23 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z BS170-D75Z onsemi / Fairchild MMBF170-D.PDF MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
auf Bestellung 16650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.44 EUR
11+0.28 EUR
100+0.21 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.15 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z BS170-D75Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 4644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1009+0.14 EUR
1053+0.13 EUR
1077+0.12 EUR
1102+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1009
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z BS170-D75Z ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170-D75Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z BS170-D75Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.16 EUR
4000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
8000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z BS170-D75Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 6212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3230+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3230
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z BS170-D75Z ON Semiconductor mmbf170-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 4644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
629+0.23 EUR
998+0.14 EUR
1009+0.13 EUR
1053+0.12 EUR
1077+0.11 EUR
1102+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 629
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z. BS170-D75Z. ONSEMI ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BS170-D75Z. - MOSFET, N-CH, 60V, 0.5A, TO-226AA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BS170F BS170F DIODES INC. DIOD-S-A0009691079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 17359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BS170F BS170F DIODES INC. DIOD-S-A0009691079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 17359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170FTA BS170FTA DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797F92B6F8F03A748&compId=BS170F.PDF?ci_sign=7925a93e7ae8e2a4d2c6a697addda5e6026309e8 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15mA; 0.33W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15mA
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+1.26 EUR
78+0.92 EUR
98+0.74 EUR
116+0.62 EUR
122+0.59 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170
Produktcode: 26014
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BS170-D.PDF
BS170
Hersteller: FS
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.05.2000
Rds(on), Ohm: 05.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
verfügbar: 25 Stück
Anzahl Preis
1+0.29 EUR
100+0.17 EUR
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BS170-D26Z
Produktcode: 143717
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MMBF170-D.PDF mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
auf Bestellung 1292 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379
BS170
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
auf Bestellung 12251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
323+0.22 EUR
414+0.17 EUR
532+0.13 EUR
633+0.11 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 228
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BS170 MMBF170-D.PDF
Hersteller: ON-Semicoductor
N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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BS170
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
323+0.22 EUR
414+0.17 EUR
532+0.13 EUR
633+0.11 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 MMBF170-D.PDF
Hersteller: ON-Semicoductor
N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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BS170 B5D103F44EE33BFDB4DCECE300A368DFCF866E4F3F6FCD821C99AD04B1715E9E.pdf
BS170
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs Single N-Channel Small Signal MOSFET 60V, 500mA, 5ohm
auf Bestellung 44297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+0.32 EUR
14+0.21 EUR
100+0.16 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
2500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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BS170 MMBF170-D.PDF
BS170
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 34075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+0.37 EUR
73+0.24 EUR
103+0.17 EUR
500+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
10000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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BS170
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 3020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
416+0.35 EUR
624+0.23 EUR
808+0.17 EUR
981+0.13 EUR
1119+0.11 EUR
2500+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 416
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BS170
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 28330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1278+0.11 EUR
1303+0.1 EUR
1327+0.098 EUR
1437+0.087 EUR
2500+0.077 EUR
5000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 1278
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BS170 mmbf170-d.pdf
BS170
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 28330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1273+0.11 EUR
1437+0.094 EUR
2500+0.087 EUR
5000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 1273
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BS170 4459580.pdf
BS170
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 32796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 mmbf170-d.pdf
BS170
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 52742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4280+0.13 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4280
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BS170 mmbf170-d.pdf
BS170
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
773+0.19 EUR
2500+0.11 EUR
5000+0.1 EUR
7500+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 773
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BS170 mmbf170-d.pdf
BS170
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 3020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
996+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 996
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170 mmbf170-d.pdf
BS170
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BS170"D27Z ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170"D27Z
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170"D27Z - N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379
BS170-D26Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
205+0.35 EUR
244+0.29 EUR
283+0.25 EUR
332+0.22 EUR
407+0.18 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 162
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BS170-D26Z MMBF170-D.PDF mmbf170-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z MMBF170-D.PDF mmbf170-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT; BS170-
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379
BS170-D26Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
205+0.35 EUR
244+0.29 EUR
283+0.25 EUR
332+0.22 EUR
407+0.18 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 162
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BS170-D26Z MMBF170-D.PDF
BS170-D26Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z FB5D2A46F5A6AD86F228620BBF00E055C47DA88B4DE5FCA48E369F63579DDE07.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
auf Bestellung 20690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.65 EUR
10+0.48 EUR
100+0.24 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.15 EUR
4000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z MMBF170-D.PDF
BS170-D26Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 18820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+0.65 EUR
36+0.49 EUR
100+0.25 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 110646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2137+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2137
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
239+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170-D26Z
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D26Z mmbf170-d.pdf
BS170-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.17 EUR
4000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BS170-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D27Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379
BS170-D27Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
222+0.32 EUR
278+0.26 EUR
334+0.21 EUR
394+0.18 EUR
569+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BS170-D27Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 20978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+0.69 EUR
43+0.41 EUR
100+0.26 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BS170-D27Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.15 EUR
4000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D27Z 77364A0F2BE66C9A2FFDC1DA7466714E9D8D2E973EDC7E89E7F24771F6BC1F05.pdf
BS170-D27Z
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
auf Bestellung 5078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.68 EUR
10+0.39 EUR
100+0.26 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
4000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BS170-D27Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BS170-D27Z mmbf170-d.pdf
BS170-D27Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.16 EUR
4000+0.12 EUR
8000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D27Z ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170-D27Z
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D27Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BS170-D27Z mmbf170-d.pdf
BS170-D27Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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BS170-D27Z mmbf170-d.pdf
BS170-D27Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.14 EUR
4000+0.11 EUR
10000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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BS170-D27Z mmbf170-d.pdf
BS170-D27Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.14 EUR
4000+0.11 EUR
10000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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BS170-D74Z MMBF170-D.PDF
BS170-D74Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+0.77 EUR
37+0.48 EUR
100+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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BS170-D74Z MMBF170-D.PDF
BS170-D74Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.18 EUR
4000+0.17 EUR
6000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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BS170-D74Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BS170-D74Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 1316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1187+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1187
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BS170-D75Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379
BS170-D75Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD94EFB7E48E4FC0D3&compId=BS170%2CMMBF170.PDF?ci_sign=3412997d5f321b4eb67995ad7ee0b0f5718b3379
BS170-D75Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z MMBF170-D.PDF
BS170-D75Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z MMBF170-D.PDF
BS170-D75Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+0.48 EUR
58+0.3 EUR
100+0.23 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z MMBF170-D.PDF
BS170-D75Z
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Ch Enhancement Mode Field Effect
auf Bestellung 16650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+0.44 EUR
11+0.28 EUR
100+0.21 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.15 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z mmbf170-d.pdf
BS170-D75Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 4644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1009+0.14 EUR
1053+0.13 EUR
1077+0.12 EUR
1102+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1009
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170-D75Z
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D75Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z mmbf170-d.pdf
BS170-D75Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.16 EUR
4000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
8000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z mmbf170-d.pdf
BS170-D75Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 6212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3230+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3230
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z mmbf170-d.pdf
BS170-D75Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 4644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
629+0.23 EUR
998+0.14 EUR
1009+0.13 EUR
1053+0.12 EUR
1077+0.11 EUR
1102+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 629
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170-D75Z. ONSM-S-A0015183179-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170-D75Z.
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BS170-D75Z. - MOSFET, N-CH, 60V, 0.5A, TO-226AA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170F DIOD-S-A0009691079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 17359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BS170F DIOD-S-A0009691079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BS170F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BS170F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 17359 Stücke:
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BS170FTA description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797F92B6F8F03A748&compId=BS170F.PDF?ci_sign=7925a93e7ae8e2a4d2c6a697addda5e6026309e8
BS170FTA
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15mA; 0.33W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15mA
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 544 Stücke:
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Anzahl Preis
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