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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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BC849B (SOT-23, Diotec) NPN-Bipolartransistor Produktcode: 3064
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Diotec |
 Transistoren > Bipolar-Transistoren NPNGehäuse: SOT-23 Transitfrequenz fT: 300 MHz Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 30 V Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A Stromverstärkung h21: 450 Montage: SMD |
verfügbar: 250 St.
auf Bestellung: 1701 St.
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BC849C (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 2031
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Lieblingsprodukt
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Infineon |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: SOT-23 Transitfrequenz fT: 100 MHz Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 30 V Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A Stromverstärkung h21: 450 Montage: SMD |
auf Bestellung: 207 St.
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BC 849C E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR |
auf Bestellung 504 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC849A | Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, NPN |
auf Bestellung 10959 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC849A | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW |
auf Bestellung 1065 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC849A | DIOTEC |
Description: DIOTEC - BC849A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 250mW SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849A | DIOTEC |
Description: DIOTEC - BC849A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES Verlustleistung: 250mW euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849A-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 110...220 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Pulsed collector current: 0.2A Application: automotive industry |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849A-AQ | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC849A-AQ | DIOTEC |
Description: DIOTEC - BC849A-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849A-AQ | DIOTEC |
Description: DIOTEC - BC849A-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES Verlustleistung: 250mW euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849AW RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC849AW RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC849B | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
 Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Pulsed collector current: 0.2A |
auf Bestellung 4879 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849B | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz |
auf Bestellung 5525 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849B | KEXIN |
Transistor NPN; Bipolar; 30V; 250mW; 5V; 100mA; 100MHz; -55°C~150°C; Substitute: BC849B-YAN; BC849B SOT23 TBC849B c Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 2880 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BC849B | DIOTEC |
NPN 30V 100mA 250mW 100MHz BC859B BC849B SOT23 CDIL TBC849b Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BC849B | DIOTEC |
NPN 30V 100mA 250mW 100MHz BC859B BC849B SOT23 CDIL TBC849b Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BC849B | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW |
auf Bestellung 1090 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC849B | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: 30V 250MW 200@2MA,5V 100MA NPN S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
auf Bestellung 2981 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC849B | Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, NPN |
auf Bestellung 761 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC849B | DIOTEC |
Description: DIOTEC - BC849B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 250mW SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849B | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 63000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849B | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 4879 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849B | DIOTEC |
Description: DIOTEC - BC849B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES Verlustleistung: 250mW euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849B | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 63000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849B-AQ | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC849B-TP | Micro Commercial Components |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849B-TP | Micro Commercial Components |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849B-YAN | Yangzhou Yangjie Electronic | BC849B-YAN BC849B BJT SOT23 30V NPN 0.25W 150C Транзистори |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849BE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 330mW; SC59 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.33W Case: SC59 Current gain: 200 Mounting: SMD Frequency: 250MHz |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849BE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849BE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 40932 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849BE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849BE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849BLT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
auf Bestellung 5993 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849BLT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
auf Bestellung 666 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC849BLT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN |
auf Bestellung 37651 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC849BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 36730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849BLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 36730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849BW | Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-323, 30V, 100mA, NPN |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC849BW | Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849BW RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC849BW RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW |
auf Bestellung 17990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC849BW,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1466 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC849BW,115 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC849BW/SOT323/SC-70 |
auf Bestellung 3074 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC849BW,115 | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849BW,115 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849BW,115 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 153000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849BW,115 | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849BW,115 | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 608920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849BW,135 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC849BW/SOT323/SC-70 |
auf Bestellung 8529 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC849BW,135 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC849BW,135 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC849BW,135 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 290000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849C | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 200...1000 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849C | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Pulsed collector current: 0.2A |
auf Bestellung 41954 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849C | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW |
auf Bestellung 10693 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC849C | Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, NPN |
auf Bestellung 24595 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC849C | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC849B (SOT-23, Diotec) NPN-Bipolartransistor Produktcode: 3064
1
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Diotec
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 30 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 450
Montage: SMD
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 30 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 450
Montage: SMD
verfügbar: 250 St.
- 250 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1701 St.
- 1701 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.079 EUR |
| 10+ | 0.051 EUR |
| 100+ | 0.039 EUR |
| 1000+ | 0.031 EUR |
| 10000+ | 0.019 EUR |
| BC849C (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 2031
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 100 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 30 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 450
Montage: SMD
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 100 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 30 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 450
Montage: SMD
auf Bestellung: 207 St.
- 207 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.058 EUR |
| 10+ | 0.046 EUR |
| 100+ | 0.036 EUR |
| 1000+ | 0.03 EUR |
| 10000+ | 0.015 EUR |
| BC 849C E6327 |
Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR
auf Bestellung 504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.7 EUR |
| 10+ | 0.4 EUR |
| 100+ | 0.25 EUR |
| 500+ | 0.18 EUR |
| 1000+ | 0.15 EUR |
| 3000+ | 0.13 EUR |
| 6000+ | 0.11 EUR |
| BC849A |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, NPN
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, NPN
auf Bestellung 10959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 0.18 EUR |
| 31+ | 0.11 EUR |
| 100+ | 0.09 EUR |
| 500+ | 0.071 EUR |
| 1000+ | 0.063 EUR |
| 3000+ | 0.046 EUR |
| 9000+ | 0.031 EUR |
| BC849A |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 1065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 0.21 EUR |
| 162+ | 0.13 EUR |
| 264+ | 0.08 EUR |
| 500+ | 0.057 EUR |
| 1000+ | 0.05 EUR |
| BC849A |
|
Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - BC849A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 250mW
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIOTEC - BC849A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 250mW
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1058+ | 0.24 EUR |
| 1877+ | 0.12 EUR |
| BC849A |
|
Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - BC849A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250mW
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: DIOTEC - BC849A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250mW
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1058+ | 0.24 EUR |
| 1877+ | 0.12 EUR |
| BC849A-AQ |
|
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 110...220
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Pulsed collector current: 0.2A
Application: automotive industry
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 110...220
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Pulsed collector current: 0.2A
Application: automotive industry
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 715+ | 0.12 EUR |
| 750+ | 0.11 EUR |
| BC849A-AQ |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 84+ | 0.25 EUR |
| 134+ | 0.15 EUR |
| 216+ | 0.098 EUR |
| 500+ | 0.07 EUR |
| 1000+ | 0.062 EUR |
| BC849A-AQ |
|
Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - BC849A-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIOTEC - BC849A-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 814+ | 0.31 EUR |
| 1325+ | 0.18 EUR |
| 2146+ | 0.1 EUR |
| 2977+ | 0.071 EUR |
| BC849A-AQ |
|
Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - BC849A-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250mW
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: DIOTEC - BC849A-AQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250mW
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 814+ | 0.31 EUR |
| 1325+ | 0.18 EUR |
| 2146+ | 0.1 EUR |
| 2977+ | 0.071 EUR |
| BC849AW RFG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.07 EUR |
| 6000+ | 0.062 EUR |
| 9000+ | 0.058 EUR |
| 15000+ | 0.054 EUR |
| BC849AW RFG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 59+ | 0.36 EUR |
| 99+ | 0.21 EUR |
| 158+ | 0.13 EUR |
| 500+ | 0.096 EUR |
| 1000+ | 0.084 EUR |
| BC849B |
|
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Pulsed collector current: 0.2A
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Pulsed collector current: 0.2A
auf Bestellung 4879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 715+ | 0.12 EUR |
| 962+ | 0.088 EUR |
| 1568+ | 0.055 EUR |
| 2223+ | 0.038 EUR |
| 2552+ | 0.033 EUR |
| 3145+ | 0.027 EUR |
| BC849B |
|
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
auf Bestellung 5525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1825+ | 0.048 EUR |
| 2375+ | 0.036 EUR |
| 3950+ | 0.021 EUR |
| 4400+ | 0.019 EUR |
| BC849B |
|
Hersteller: KEXIN
Transistor NPN; Bipolar; 30V; 250mW; 5V; 100mA; 100MHz; -55°C~150°C; Substitute: BC849B-YAN; BC849B SOT23 TBC849B c
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Transistor NPN; Bipolar; 30V; 250mW; 5V; 100mA; 100MHz; -55°C~150°C; Substitute: BC849B-YAN; BC849B SOT23 TBC849B c
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.037 EUR |
| BC849B |
|
Hersteller: DIOTEC
NPN 30V 100mA 250mW 100MHz BC859B BC849B SOT23 CDIL TBC849b
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
NPN 30V 100mA 250mW 100MHz BC859B BC849B SOT23 CDIL TBC849b
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.048 EUR |
| BC849B |
|
Hersteller: DIOTEC
NPN 30V 100mA 250mW 100MHz BC859B BC849B SOT23 CDIL TBC849b
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
NPN 30V 100mA 250mW 100MHz BC859B BC849B SOT23 CDIL TBC849b
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.048 EUR |
| BC849B |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 0.21 EUR |
| 162+ | 0.13 EUR |
| 264+ | 0.08 EUR |
| 500+ | 0.057 EUR |
| 1000+ | 0.05 EUR |
| BC849B |
|
Hersteller: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 30V 250MW 200@2MA,5V 100MA NPN S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Description: 30V 250MW 200@2MA,5V 100MA NPN S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 2981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 0.21 EUR |
| 159+ | 0.13 EUR |
| 258+ | 0.081 EUR |
| 500+ | 0.058 EUR |
| 1000+ | 0.051 EUR |
| BC849B |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, NPN
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, NPN
auf Bestellung 761 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 0.18 EUR |
| 31+ | 0.11 EUR |
| 100+ | 0.08 EUR |
| 500+ | 0.058 EUR |
| 1000+ | 0.05 EUR |
| 3000+ | 0.042 EUR |
| 9000+ | 0.031 EUR |
| BC849B |
|
Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - BC849B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 250mW
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIOTEC - BC849B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 250mW
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 944+ | 0.26 EUR |
| 1590+ | 0.14 EUR |
| 2591+ | 0.082 EUR |
| BC849B |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4673+ | 0.037 EUR |
| 6000+ | 0.031 EUR |
| 9000+ | 0.025 EUR |
| 21000+ | 0.023 EUR |
| 30000+ | 0.018 EUR |
| BC849B |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3145+ | 0.055 EUR |
| 3876+ | 0.044 EUR |
| BC849B |
|
Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - BC849B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250mW
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: DIOTEC - BC849B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 250mW
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 944+ | 0.26 EUR |
| 1590+ | 0.14 EUR |
| 2591+ | 0.082 EUR |
| BC849B |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4673+ | 0.037 EUR |
| 6000+ | 0.032 EUR |
| 9000+ | 0.025 EUR |
| 21000+ | 0.024 EUR |
| 30000+ | 0.02 EUR |
| BC849B-AQ |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 750+ | 0.45 EUR |
| 1500+ | 0.23 EUR |
| 3000+ | 0.12 EUR |
| 6000+ | 0.075 EUR |
| BC849B-TP |
|
Hersteller: Micro Commercial Components
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.061 EUR |
| 6000+ | 0.052 EUR |
| 9000+ | 0.045 EUR |
| BC849B-TP |
|
Hersteller: Micro Commercial Components
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.061 EUR |
| 6000+ | 0.051 EUR |
| 9000+ | 0.043 EUR |
| BC849B-YAN |
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic
BC849B-YAN BC849B BJT SOT23 30V NPN 0.25W 150C Транзистори
BC849B-YAN BC849B BJT SOT23 30V NPN 0.25W 150C Транзистори
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 0.3 EUR |
| BC849BE6327HTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 330mW; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC59
Current gain: 200
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 330mW; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC59
Current gain: 200
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18000+ | 0.04 EUR |
| BC849BE6327HTSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8929+ | 0.073 EUR |
| 10000+ | 0.063 EUR |
| BC849BE6327HTSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 40932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8929+ | 0.073 EUR |
| 10000+ | 0.063 EUR |
| BC849BE6327HTSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8929+ | 0.073 EUR |
| 10000+ | 0.063 EUR |
| BC849BE6327HTSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8929+ | 0.073 EUR |
| 10000+ | 0.063 EUR |
| BC849BLT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 5993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 556+ | 0.15 EUR |
| 893+ | 0.095 EUR |
| 1303+ | 0.065 EUR |
| 1516+ | 0.056 EUR |
| 2058+ | 0.042 EUR |
| 2428+ | 0.035 EUR |
| 2632+ | 0.032 EUR |
| 3000+ | 0.029 EUR |
| BC849BLT1G |
|
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 91+ | 0.23 EUR |
| 143+ | 0.14 EUR |
| 232+ | 0.09 EUR |
| 500+ | 0.065 EUR |
| BC849BLT1G |
|
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
auf Bestellung 37651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 0.24 EUR |
| 24+ | 0.14 EUR |
| 100+ | 0.09 EUR |
| 500+ | 0.065 EUR |
| 1000+ | 0.058 EUR |
| 3000+ | 0.044 EUR |
| BC849BLT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 36730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 885+ | 0.29 EUR |
| 1743+ | 0.13 EUR |
| 2305+ | 0.093 EUR |
| 3195+ | 0.067 EUR |
| 3598+ | 0.06 EUR |
| BC849BLT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 36730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 885+ | 0.29 EUR |
| 1743+ | 0.13 EUR |
| 2305+ | 0.093 EUR |
| 3195+ | 0.067 EUR |
| 3598+ | 0.06 EUR |
| BC849BW |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-323, 30V, 100mA, NPN
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-323, 30V, 100mA, NPN
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 0.29 EUR |
| 16+ | 0.21 EUR |
| 100+ | 0.18 EUR |
| 500+ | 0.14 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
| 3000+ | 0.094 EUR |
| 9000+ | 0.058 EUR |
| BC849BW |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4831+ | 0.036 EUR |
| 6000+ | 0.033 EUR |
| 9000+ | 0.032 EUR |
| BC849BW RFG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.07 EUR |
| 6000+ | 0.062 EUR |
| 9000+ | 0.058 EUR |
| 15000+ | 0.054 EUR |
| BC849BW RFG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 17990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 59+ | 0.36 EUR |
| 99+ | 0.21 EUR |
| 158+ | 0.13 EUR |
| 500+ | 0.096 EUR |
| 1000+ | 0.084 EUR |
| BC849BW,115 |
|
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 59+ | 0.36 EUR |
| 100+ | 0.21 EUR |
| 160+ | 0.13 EUR |
| 500+ | 0.095 EUR |
| 1000+ | 0.084 EUR |
| BC849BW,115 |
|
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC849BW/SOT323/SC-70
Bipolar Transistors - BJT BC849BW/SOT323/SC-70
auf Bestellung 3074 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.36 EUR |
| 16+ | 0.21 EUR |
| 100+ | 0.13 EUR |
| 500+ | 0.094 EUR |
| 1000+ | 0.083 EUR |
| 3000+ | 0.071 EUR |
| 6000+ | 0.061 EUR |
| BC849BW,115 |
|
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11407+ | 0.057 EUR |
| BC849BW,115 |
|
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11407+ | 0.057 EUR |
| BC849BW,115 |
|
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 153000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11407+ | 0.057 EUR |
| 100000+ | 0.046 EUR |
| BC849BW,115 |
|
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11407+ | 0.057 EUR |
| BC849BW,115 |
|
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 608920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11407+ | 0.057 EUR |
| 100000+ | 0.046 EUR |
| BC849BW,135 |
|
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC849BW/SOT323/SC-70
Bipolar Transistors - BJT BC849BW/SOT323/SC-70
auf Bestellung 8529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.36 EUR |
| 16+ | 0.21 EUR |
| 100+ | 0.13 EUR |
| 500+ | 0.094 EUR |
| 1000+ | 0.083 EUR |
| 2500+ | 0.071 EUR |
| 5000+ | 0.061 EUR |
| BC849BW,135 |
|
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10000+ | 0.057 EUR |
| BC849BW,135 |
|
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 59+ | 0.36 EUR |
| 100+ | 0.21 EUR |
| 160+ | 0.13 EUR |
| 500+ | 0.095 EUR |
| 1000+ | 0.084 EUR |
| 2000+ | 0.074 EUR |
| 5000+ | 0.063 EUR |
| BC849BW,135 |
|
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 290000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11407+ | 0.057 EUR |
| 100000+ | 0.046 EUR |
| BC849C |
|
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 200...1000
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 200...1000
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1600+ | 0.052 EUR |
| BC849C |
|
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Pulsed collector current: 0.2A
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Pulsed collector current: 0.2A
auf Bestellung 41954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.086 EUR |
| 1283+ | 0.067 EUR |
| 2050+ | 0.042 EUR |
| 2763+ | 0.031 EUR |
| 3049+ | 0.027 EUR |
| 3598+ | 0.024 EUR |
| 9000+ | 0.02 EUR |
| 15000+ | 0.019 EUR |
| 24000+ | 0.018 EUR |
| BC849C |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 10693 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 0.21 EUR |
| 162+ | 0.13 EUR |
| 264+ | 0.08 EUR |
| 500+ | 0.057 EUR |
| 1000+ | 0.05 EUR |
| BC849C |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, NPN
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, NPN
auf Bestellung 24595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 0.18 EUR |
| 28+ | 0.12 EUR |
| 100+ | 0.08 EUR |
| 500+ | 0.058 EUR |
| 1000+ | 0.05 EUR |
| 3000+ | 0.033 EUR |
| 9000+ | 0.027 EUR |
| BC849C |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.04 EUR |
| 6000+ | 0.036 EUR |
| 9000+ | 0.033 EUR |
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