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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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IRF4905PBF Produktcode: 22366
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IR |
 Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Id, A: 74 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3400/180 Montage: THT |
auf Bestellung: 1776 St.
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IRF4905 | Infineon |
 P-MOSFET 74A 55V 200W 0.02Ω IRF4905 TIRF4905Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 1847 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF4905 | JSMicro Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 80A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF4905; SP001571330; IRF4905 JSMICRO TIRF4905 JSM Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF4905 | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905; SP001571330; IRF4905 UMW TIRF4905 UMW Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF4905L | International Rectifier |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 IRF4905L TIRF4905L Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF4905LPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: TO262 Mounting: THT Kind of channel: enhancement On-state resistance: 20mΩ Gate charge: 0.12µC Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC |
auf Bestellung 6113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 42A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 5871 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 6582 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905LPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF4905LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
auf Bestellung 2920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 1050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 6583 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 2003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 20mΩ Gate charge: 0.12µC Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 2821 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC |
auf Bestellung 46757 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF4905PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 41356 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF4905PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 10597 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF4905PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
auf Bestellung 57528 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 657 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 823 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 10597 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 126682 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 390 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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IRF4905PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 657 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 126676 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF4905STRL | Infineon |
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; IRF4905STRL TIRF4905s Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 335 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF4905STRL | Infineon |
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; IRF4905STRL TIRF4905s Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF4905STRL | JSMicro Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 65A; 280W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL JSMICRO TIRF4905s JSM Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF4905STRLP | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL UMW TIRF4905s UMW Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF4905STRLP | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL UMW TIRF4905s UMW Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF4905STRLP | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL UMW TIRF4905s UMW Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF4905STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1456 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 15200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 15272 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC |
auf Bestellung 14376 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. |
auf Bestellung 38400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. |
auf Bestellung 1262 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
auf Bestellung 17588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. |
auf Bestellung 1262 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. |
auf Bestellung 38400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
auf Bestellung 17588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905STRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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IRF4905STRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 771 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905STRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 33514 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF4905+F | IR | 07+ 220 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF4905PBF |
IRF4905PBF Транзисторы HEXFET |
auf Bestellung 930 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| IRF4905S | IR | 08+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF4905SPBF |
IRF4905SPBF Транзисторы MOS FET Power |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| IRF4905STRL |
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auf Bestellung 710 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| IRF4905STRLPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Id = 42 А, Ptot, Вт = 170, Udss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 42 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 36 Stücke |
verfügbar 11 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF4905STRPBF | IR |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| IRF4905STRRPBF |
IRF4905STRRPBF Транзисторы MOS FET Power |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| IRF4905STRRPBF |
IRF4905STRRPBF Транзисторы MOS FET Power |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
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AUIRF4905L | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF4905PBF Produktcode: 22366
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|
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 74 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3400/180
Montage: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 74 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3400/180
Montage: THT
auf Bestellung: 1776 St.
- 1776 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.9 EUR |
| 10+ | 1.71 EUR |
| 100+ | 1.55 EUR |
| IRF4905 |
|
auf Bestellung 1847 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 2.89 EUR |
| IRF4905 |
|
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 80A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF4905; SP001571330; IRF4905 JSMICRO TIRF4905 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 80A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF4905; SP001571330; IRF4905 JSMICRO TIRF4905 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 2.08 EUR |
| IRF4905 |
|
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905; SP001571330; IRF4905 UMW TIRF4905 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905; SP001571330; IRF4905 UMW TIRF4905 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 1.74 EUR |
| IRF4905L |
|
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 IRF4905L TIRF4905L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 IRF4905L TIRF4905L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 7.69 EUR |
| IRF4905LPBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 20mΩ
Gate charge: 0.12µC
Gate-source voltage: ±20V
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 20mΩ
Gate charge: 0.12µC
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 3.08 EUR |
| 42+ | 2.06 EUR |
| 43+ | 1.99 EUR |
| 45+ | 1.93 EUR |
| 50+ | 1.83 EUR |
| 100+ | 1.81 EUR |
| IRF4905LPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
auf Bestellung 6113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.31 EUR |
| 10+ | 3.71 EUR |
| 100+ | 3.37 EUR |
| 500+ | 2.76 EUR |
| 1000+ | 2.64 EUR |
| IRF4905LPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 55V 42A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 5871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.44 EUR |
| 10+ | 4.88 EUR |
| 50+ | 3.77 EUR |
| 100+ | 3.42 EUR |
| 500+ | 2.8 EUR |
| IRF4905LPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 6582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 4.31 EUR |
| 64+ | 2.63 EUR |
| 100+ | 2.4 EUR |
| 500+ | 1.9 EUR |
| IRF4905LPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 5.74 EUR |
| 56+ | 3.09 EUR |
| 57+ | 3 EUR |
| 100+ | 2.69 EUR |
| 500+ | 2.06 EUR |
| IRF4905LPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 2.11 EUR |
| IRF4905LPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 5.93 EUR |
| IRF4905LPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
Description: INFINEON - IRF4905LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 32+ | 7.82 EUR |
| 57+ | 4.11 EUR |
| 100+ | 3.21 EUR |
| 500+ | 2.68 EUR |
| 1000+ | 2.49 EUR |
| IRF4905LPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 239+ | 2.74 EUR |
| IRF4905LPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 239+ | 2.74 EUR |
| 500+ | 2.57 EUR |
| 1000+ | 2.37 EUR |
| IRF4905LPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 37+ | 4.76 EUR |
| 50+ | 3.55 EUR |
| 100+ | 3.09 EUR |
| 500+ | 2.43 EUR |
| IRF4905LPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 6583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 4.36 EUR |
| 63+ | 2.69 EUR |
| 64+ | 2.56 EUR |
| 100+ | 2.31 EUR |
| 500+ | 1.77 EUR |
| IRF4905LPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 2003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 2.11 EUR |
| IRF4905PBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 20mΩ
Gate charge: 0.12µC
Gate-source voltage: ±20V
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 20mΩ
Gate charge: 0.12µC
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 2821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 3.15 EUR |
| 40+ | 2.17 EUR |
| 44+ | 1.94 EUR |
| 50+ | 1.78 EUR |
| 100+ | 1.67 EUR |
| 250+ | 1.55 EUR |
| 500+ | 1.46 EUR |
| 1000+ | 1.39 EUR |
| 2000+ | 1.34 EUR |
| IRF4905PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
auf Bestellung 46757 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.65 EUR |
| 10+ | 2.84 EUR |
| 100+ | 2.09 EUR |
| 500+ | 1.8 EUR |
| IRF4905PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 41356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.14 EUR |
| 10+ | 3.99 EUR |
| 50+ | 3.06 EUR |
| 100+ | 2.76 EUR |
| 500+ | 2.23 EUR |
| IRF4905PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 4.25 EUR |
| 68+ | 2.55 EUR |
| 72+ | 2.34 EUR |
| 107+ | 1.54 EUR |
| 500+ | 1.5 EUR |
| IRF4905PBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
Description: INFINEON - IRF4905PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 57528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 6.2 EUR |
| 74+ | 3.15 EUR |
| 100+ | 2.52 EUR |
| 500+ | 2.12 EUR |
| 1000+ | 1.94 EUR |
| 5000+ | 1.83 EUR |
| IRF4905PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 36+ | 4.84 EUR |
| 65+ | 2.68 EUR |
| 69+ | 2.43 EUR |
| 107+ | 1.55 EUR |
| 500+ | 1.5 EUR |
| IRF4905PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 823 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 58+ | 3.02 EUR |
| 60+ | 2.87 EUR |
| 100+ | 2.71 EUR |
| 250+ | 2.57 EUR |
| 500+ | 2.46 EUR |
| IRF4905PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 45+ | 3.89 EUR |
| 59+ | 2.88 EUR |
| 100+ | 2.5 EUR |
| 500+ | 1.94 EUR |
| IRF4905PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 126682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 36+ | 4.9 EUR |
| 63+ | 2.67 EUR |
| 68+ | 2.39 EUR |
| 104+ | 1.5 EUR |
| 500+ | 1.43 EUR |
| IRF4905PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF4905PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 390+ | 1.64 EUR |
| IRF4905PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 657 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 36+ | 4.84 EUR |
| 65+ | 2.62 EUR |
| 69+ | 2.34 EUR |
| 107+ | 1.46 EUR |
| 500+ | 1.39 EUR |
| IRF4905PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 126676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 108+ | 1.62 EUR |
| IRF4905STRL |
|
Hersteller: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; IRF4905STRL TIRF4905s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; IRF4905STRL TIRF4905s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 4.53 EUR |
| IRF4905STRL |
|
Hersteller: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; IRF4905STRL TIRF4905s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; IRF4905STRL TIRF4905s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 4.53 EUR |
| IRF4905STRL |
|
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 65A; 280W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL JSMICRO TIRF4905s JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 65A; 280W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL JSMICRO TIRF4905s JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 3.31 EUR |
| IRF4905STRLP |
|
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL UMW TIRF4905s UMW
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL UMW TIRF4905s UMW
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 2.2 EUR |
| IRF4905STRLP |
|
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL UMW TIRF4905s UMW
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL UMW TIRF4905s UMW
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 2.2 EUR |
| IRF4905STRLP |
|
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL UMW TIRF4905s UMW
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL UMW TIRF4905s UMW
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 2.2 EUR |
| IRF4905STRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 4.46 EUR |
| 29+ | 3.03 EUR |
| 33+ | 2.62 EUR |
| 50+ | 2.34 EUR |
| 100+ | 2.13 EUR |
| 250+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.71 EUR |
| 800+ | 1.7 EUR |
| IRF4905STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 15200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 2.7 EUR |
| 2400+ | 2.43 EUR |
| IRF4905STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 15272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.56 EUR |
| 10+ | 4.96 EUR |
| 50+ | 3.84 EUR |
| 100+ | 3.47 EUR |
| IRF4905STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
auf Bestellung 14376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.27 EUR |
| 10+ | 4.8 EUR |
| 100+ | 3.39 EUR |
| 500+ | 2.68 EUR |
| IRF4905STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
auf Bestellung 38400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 2.21 EUR |
| IRF4905STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
auf Bestellung 1262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 5.88 EUR |
| 44+ | 3.93 EUR |
| 100+ | 2.19 EUR |
| IRF4905STRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 17588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 8.5 EUR |
| 45+ | 5.27 EUR |
| 100+ | 3.7 EUR |
| 500+ | 3.49 EUR |
| 1000+ | 2.89 EUR |
| IRF4905STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
auf Bestellung 1262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 4.32 EUR |
| 100+ | 2.9 EUR |
| IRF4905STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
auf Bestellung 38400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 2.21 EUR |
| IRF4905STRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 17588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.7 EUR |
| 500+ | 3.49 EUR |
| 1000+ | 2.89 EUR |
| IRF4905STRRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF4905STRRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 228+ | 2.87 EUR |
| 500+ | 2.55 EUR |
| IRF4905STRRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 33514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 228+ | 2.87 EUR |
| 500+ | 2.55 EUR |
| 1000+ | 2.31 EUR |
| 10000+ | 2 EUR |
| IRF4905+F |
Hersteller: IR
07+ 220
07+ 220
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRF4905PBF |
|
IRF4905PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
| IRF4905S |
Hersteller: IR
08+
08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRF4905SPBF |
|
IRF4905SPBF Транзисторы MOS FET Power
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
| IRF4905STRL |
|
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRF4905STRLPBF |
|
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Id = 42 А, Ptot, Вт = 170, Udss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 42 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 36 Stücke
P-канальний ПТ, Id = 42 А, Ptot, Вт = 170, Udss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 42 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 36 Stücke
verfügbar 11 Stücke:
| IRF4905STRPBF |
Hersteller: IR
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRF4905STRRPBF |
|
IRF4905STRRPBF Транзисторы MOS FET Power
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
| IRF4905STRRPBF |
|
IRF4905STRRPBF Транзисторы MOS FET Power
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
| AUIRF4905L |
|
Hersteller: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 115+ | 4.76 EUR |
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