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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ohne MwSt
2SC3535 2SC3535
Produktcode: 82685 		NEC Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: MP-80
fT: 12 MHz
Uceo,V: 450
Ucbo,V: 1000
Ic,A: 5
h21: 10
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.64 EUR
2SC3585 2SC3585
Produktcode: 84826 		Sanyo 2sc3585.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-236
Ucbo,V: 20
Ic,A: 0,035
h21: 60
auf Bestellung 3 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC3503E 2SC3503E onsemi ONSMS24141-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 7 W
auf Bestellung 55546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1025+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1025
2SC3503E 2SC3503E ONSEMI ONSMS24141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3503E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Einfach NPN, 300 V, 100 mA, 7 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2SC3503 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 55546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC3518-Z-AZ 2SC3518-Z-AZ Renesas 1810042416852086d18263ej3v0ds00.pdf Trans GP BJT NPN 60V 5A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+0.73 EUR
221+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 216
2SC3519 PMC-Sierra 2sc3519_ds_en.pdf NPN 15A 160V 130W 2SC3519 T2SC3519
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10
2SC3519 Sanken 2sc3519_ds_en.pdf NPN 15A 160V 130W 2SC3519 T2SC3519
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10
2SC3519 2SC3519 Sanken Electric USA Inc. 2sc3519_ds_en.pdf Description: TRANS NPN 160V 15A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 130 W
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.57 EUR
10+ 6.35 EUR
100+ 5.14 EUR
1000+ 3.91 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2SC3519A 2SC3519A Sanken Electric USA Inc. 2sc3519a_ds_en.pdf Description: TRANS NPN 180V 15A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 130 W
auf Bestellung 3719 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.14 EUR
10+ 4.31 EUR
100+ 3.49 EUR
500+ 3.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4
2SC3519A 2SC3519A Sanken Electric Company, Ltd. 2sc3519a_ds_en.pdf Trans GP BJT NPN 180V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.22 EUR
55+ 2.77 EUR
100+ 2.56 EUR
200+ 2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 49
2SC3568(1)-S6-AZ 2SC3568(1)-S6-AZ Renesas Electronics Corporation 2SC3568.pdf?t.download=true&u=ovmfp3 Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 771 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
125+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 125
2SC3568(2)-S6-AZ 2SC3568(2)-S6-AZ Renesas Electronics Corporation 2SC3568.pdf?t.download=true&u=ovmfp3 Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
125+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 125
2SC3568(8)-AZ 2SC3568(8)-AZ Renesas Electronics Corporation 2SC3568.pdf?t.download=true&u=ovmfp3 Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 9976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
125+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 125
2SC3568-AZ 2SC3568-AZ Renesas Electronics Corporation NECCS03006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 5V
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 30 W
auf Bestellung 5270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
127+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 127
2SC3571-AZ 2SC3571-AZ Renesas Electronics Corporation NECCS02984-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 30 W
auf Bestellung 19025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
136+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 136
2SC3576 2SC3576 onsemi SNYOS08614-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 35650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3806+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3806
2SC3576 2SC3576 ONSEMI SNYOS08614-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3576 - 2SC3576, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 35650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC3576-AC onsemi SNYOD004-47.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 200mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
2SC3576-AC ONSEMI SNYOD004-47.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3576-AC - 2SC3576-AC, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC3576-JVC-AC onsemi SNYOD004-47.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIP NPN 0.3A 25V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 200mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 29359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2219+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2219
2SC3576-JVC-AC ONSEMI SNYOD004-47.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SC3576-JVC-AC - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 29359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC3576-MTK-AC onsemi SNYOD004-47.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIP NPN 0.3A 25V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 200mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4438+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4438
2SC3576-MTK-AC ONSEMI SNYOD004-47.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SC3576-MTK-AC - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC3583-T1B-A 2SC3583-T1B-A Renesas Electronics Corporation RNCCS06374-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 2SC3583 - MD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 108160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
666+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 666
2SC3585-T1B-A 2SC3585-T1B-A Renesas Electronics Corporation 2SC3585.pdf?t.download=true&u=ovmfp3 Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 417384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
833+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 833
2SC3591 2SC3591 Sanyo SNYOS06951-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 50 W
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
365+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 365
2SC3595D 2SC3595D Sanyo SNYOS08613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 2GHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.2 W
auf Bestellung 7513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
452+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 452
2SC3596E 2SC3596E onsemi SNYOS20807-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
auf Bestellung 17014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
437+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 437
2SC3596E ONSEMI SNYOS20807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3596E - 2SC3596E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 17014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC3597D 2SC3597D onsemi SNYOS00129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
auf Bestellung 7800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1902+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1902
2SC3597D 2SC3597D ONSEMI SNYOS00129-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3597D - 2SC3597D, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC3598E 2SC3598E onsemi SNYOS07619-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.2 W
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2219+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2219
2SC3598E 2SC3598E ONSEMI SNYOS07619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3598E - 2SC3598E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC3599E 2SC3599E Sanyo SNYOS20806-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 7mA, 70mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.2 W
auf Bestellung 4405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
460+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 460
2SC35
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC350 NEC CAN
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC3500 NEC
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC3500 NEC TO-55
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC3501
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC3502
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC3502-E
auf Bestellung 1052 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC3502E SANYO 99 TO-126
auf Bestellung 630 Stücke:
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2SC3503
auf Bestellung 8000 Stücke:
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2SC3505 FUJI 00+ SC-65
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2SC3505 FUJI MODULE
auf Bestellung 454 Stücke:
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2SC3506 2SC3506.pdf
auf Bestellung 8000 Stücke:
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2SC3507 PAN 2SC3507.pdf 00+ TO-3PB
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2SC3508
auf Bestellung 17400 Stücke:
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2SC3509
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC351
auf Bestellung 8000 Stücke:
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2SC351 CAN
auf Bestellung 1030 Stücke:
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2SC3510
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC3511
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC3512
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC3513
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC3513IS HITACHI 97+ SOT-23
auf Bestellung 31999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC3513IS HITACHI SOT23
auf Bestellung 3600 Stücke:
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2SC3513ISTL
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC3513S-TR HITACHI 99+ SOT23
auf Bestellung 21000 Stücke:
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2SC3514
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC3535
Produktcode: 82685
2SC3535
Hersteller: NEC
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: MP-80
fT: 12 MHz
Uceo,V: 450
Ucbo,V: 1000
Ic,A: 5
h21: 10
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.64 EUR
2SC3585
Produktcode: 84826		 2sc3585.pdf
2SC3585
Hersteller: Sanyo
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-236
Ucbo,V: 20
Ic,A: 0,035
h21: 60
auf Bestellung 3 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC3503E ONSMS24141-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC3503E
Hersteller: onsemi
Description: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 7 W
auf Bestellung 55546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1025+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1025
2SC3503E ONSMS24141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3503E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3503E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Einfach NPN, 300 V, 100 mA, 7 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2SC3503 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 55546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC3518-Z-AZ 1810042416852086d18263ej3v0ds00.pdf
2SC3518-Z-AZ
Hersteller: Renesas
Trans GP BJT NPN 60V 5A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
216+0.73 EUR
221+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 216
2SC3519 2sc3519_ds_en.pdf
Hersteller: PMC-Sierra
NPN 15A 160V 130W 2SC3519 T2SC3519
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10
2SC3519 2sc3519_ds_en.pdf
Hersteller: Sanken
NPN 15A 160V 130W 2SC3519 T2SC3519
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10
2SC3519 2sc3519_ds_en.pdf
2SC3519
Hersteller: Sanken Electric USA Inc.
Description: TRANS NPN 160V 15A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 130 W
auf Bestellung 1445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+7.57 EUR
10+ 6.35 EUR
100+ 5.14 EUR
1000+ 3.91 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2SC3519A 2sc3519a_ds_en.pdf
2SC3519A
Hersteller: Sanken Electric USA Inc.
Description: TRANS NPN 180V 15A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 130 W
auf Bestellung 3719 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+5.14 EUR
10+ 4.31 EUR
100+ 3.49 EUR
500+ 3.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4
2SC3519A 2sc3519a_ds_en.pdf
2SC3519A
Hersteller: Sanken Electric Company, Ltd.
Trans GP BJT NPN 180V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
49+3.22 EUR
55+ 2.77 EUR
100+ 2.56 EUR
200+ 2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 49
2SC3568(1)-S6-AZ 2SC3568.pdf?t.download=true&u=ovmfp3
2SC3568(1)-S6-AZ
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 771 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
125+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 125
2SC3568(2)-S6-AZ 2SC3568.pdf?t.download=true&u=ovmfp3
2SC3568(2)-S6-AZ
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
125+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 125
2SC3568(8)-AZ 2SC3568.pdf?t.download=true&u=ovmfp3
2SC3568(8)-AZ
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 9976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
125+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 125
2SC3568-AZ NECCS03006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC3568-AZ
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 5V
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 30 W
auf Bestellung 5270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
127+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 127
2SC3571-AZ NECCS02984-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC3571-AZ
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 30 W
auf Bestellung 19025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
136+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 136
2SC3576 SNYOS08614-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC3576
Hersteller: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 35650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3806+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3806
2SC3576 SNYOS08614-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3576
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3576 - 2SC3576, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 35650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC3576-AC SNYOD004-47.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 200mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11539+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 11539
2SC3576-AC SNYOD004-47.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3576-AC - 2SC3576-AC, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC3576-JVC-AC SNYOD004-47.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: onsemi
Description: BIP NPN 0.3A 25V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 200mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 29359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2219+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2219
2SC3576-JVC-AC SNYOD004-47.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3576-JVC-AC - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 29359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC3576-MTK-AC SNYOD004-47.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: onsemi
Description: BIP NPN 0.3A 25V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 200mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4438+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4438
2SC3576-MTK-AC SNYOD004-47.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3576-MTK-AC - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC3583-T1B-A RNCCS06374-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC3583-T1B-A
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: 2SC3583 - MD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 108160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
666+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 666
2SC3585-T1B-A 2SC3585.pdf?t.download=true&u=ovmfp3
2SC3585-T1B-A
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 417384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
833+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 833
2SC3591 SNYOS06951-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC3591
Hersteller: Sanyo
Description: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 50 W
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
365+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 365
2SC3595D SNYOS08613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC3595D
Hersteller: Sanyo
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 2GHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.2 W
auf Bestellung 7513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
452+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 452
2SC3596E SNYOS20807-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC3596E
Hersteller: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
auf Bestellung 17014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
437+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 437
2SC3596E SNYOS20807-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3596E - 2SC3596E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 17014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC3597D SNYOS00129-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC3597D
Hersteller: onsemi
Description: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.2 W
auf Bestellung 7800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1902+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1902
2SC3597D SNYOS00129-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC3597D
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3597D - 2SC3597D, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC3598E SNYOS07619-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC3598E
Hersteller: onsemi
Description: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.2 W
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2219+0.23 EUR
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2SC3598E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3598E - 2SC3598E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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2SC3599E SNYOS20806-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC3599E
Hersteller: Sanyo
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 7mA, 70mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.2 W
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460+1.06 EUR
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2SC35
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2SC350
Hersteller: NEC
CAN
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2SC3500
Hersteller: NEC
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2SC3500
Hersteller: NEC
TO-55
auf Bestellung 212 Stücke:
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2SC3501
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2SC3502
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2SC3502-E
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2SC3502E
Hersteller: SANYO
99 TO-126
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2SC3503
auf Bestellung 8000 Stücke:
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2SC3505
Hersteller: FUJI
00+ SC-65
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2SC3505
Hersteller: FUJI
MODULE
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2SC3506 2SC3506.pdf
auf Bestellung 8000 Stücke:
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2SC3507 2SC3507.pdf
Hersteller: PAN
00+ TO-3PB
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2SC3508
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2SC3509
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2SC351
auf Bestellung 8000 Stücke:
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2SC351
CAN
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2SC3510
auf Bestellung 8000 Stücke:
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2SC3511
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC3512
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2SC3513
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2SC3513IS
Hersteller: HITACHI
97+ SOT-23
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2SC3513IS
Hersteller: HITACHI
SOT23
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2SC3513ISTL
auf Bestellung 6000 Stücke:
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2SC3513S-TR
Hersteller: HITACHI
99+ SOT23
auf Bestellung 21000 Stücke:
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2SC3514
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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