Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805

Widerstande THT > Widerstande THT - 2W

Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 0,27 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805

Hersteller: Sumida
Drosseln > Induktivitäten (Drosseln) Leistungsabgabe
Nennwert: 150 uH
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht, auf Ferrithantel, 150uH±10%, Idc=0.74А, Rdc мax=0.27 Ohm, Ausgang radial, d=8.3mm, h=9.5mm
Typ: Ausgang radial, Draht auf Ferrithantel
Abmessungen: d=8,3mm, h=9,5mm
Робочий струм, А: 0,61 A

Hersteller: Sumida
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 47 uH
Genauigkeit: -20%+25%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht auf gepanzerten Ferritkern, 47uH, -20%+25%, Idc=1.35А, Rdc max/typ=0.35/0.27 Ohm, SMD: 7.5x7.5mm, h=3.6mm
Typ: Leistungs- SMD Ferritkern gepanzert
Abmessungen: 7,5x7,5mm, h=3,6mm
№ 7: 8504 50 20 90

Hersteller: ABC Taiwan
Drosseln > Induktivitäten (Drosseln) Leistungsabgabe
Nennwert: 22 uH
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht, auf Ferrithantel, 22uH±20%, Idc=0.75A(мax), R=0.275 Ohm, Q=20@f=2.52 мHz, SRF=20мHz(мin), -40...+105°C
Typ: Ausgang radial, Draht auf Ferrithantel
Abmessungen: d=7,5mm, h=5,0mm

Hersteller: Sumida
Drosseln > Induktivitäten (Drosseln) Leistungsabgabe
Nennwert: 680 uH
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht, auf Ferrithantel, 680uH±10%, Idc=0.35A, Rdc мax=1.18 Ohm, Ausgang radial, d=8.3mm, h=9.5mm
Typ: Ausgang radial, Draht auf Ferrithantel
Abmessungen: d=8,3mm, h=9,5mm
Робочий струм, А: 0,27 A

Hersteller: IXYS
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 0.27
Ciss, pF/Qg, nC: 4200/135
JHGF: THT

Hersteller: SILI
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3100/105
JHGF: THT

Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3100/105
JHGF: THT

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 0.27
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/120
JHGF: THT

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4200/210
JHGF: THT

Hersteller: Shenzhen Jirui Electronic material
Sicherungen > Rückstellbare Sicherungen
Gehäuse: Ausführungs- radial
Spannung, max., V: 72V
Strom, max., А: 40A
Strom, betriebs-, mA: 1100
Widerstand, max. : 0,27
Widerstand, min.: 0,15

Дроссель 2-х обм. х 6800 мкГн (-10% / +30%), Imax=0,82 А, Rdc-max=0,27 Ом

Hersteller: Renesas
MOSFET 500V,20A,MAX 0.27 OHM VGS10V, TO-3P 2SK1518 HIT2SK1518
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Hersteller: MICROSEMI
SP4/36 A, 1000 V, 0.27 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APTM100A23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke