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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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2N7000 Produktcode: 20638
3
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Lieblingsprodukt
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NXP |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-92 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 0,3 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/- Montage: THT |
verfügbar: 50 St.
auf Bestellung: 1205 St.
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2N7000 Produktcode: 200238
5
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Lieblingsprodukt
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CJ |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-92 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В Drain-Strom Idd, A: 0,2 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/ Montage: THT |
erwartet: 100 St.
auf Bestellung: 966 St.
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2N7000 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 8439 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2N7000 | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 5905 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2N7000 | LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7000 | ZEHUA |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEH Anzahl je Verpackung: 250 Stücke |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7000 | LGE |
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 1678 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7000 | DIOTEC |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7000 | DIOTEC |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7000 | Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, N, 0.3 |
auf Bestellung 3001 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000 | Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A |
auf Bestellung 2213 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000 | Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N |
auf Bestellung 22286 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000 | Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000 | onsemi |
MOSFETs FET 60V 5.0 OHM TO92 |
auf Bestellung 99033 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000 | onsemi |
Description: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C |
auf Bestellung 129030 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000 | Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, N, 0.3 |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 131508 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 127376 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 131508 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 576 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 576 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 17656 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 86006 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 8545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
auf Bestellung 53135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 8465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 86006 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 8545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 22750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000-D26Z | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 832 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2N7000-D26Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000-D26Z | onsemi |
MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA |
auf Bestellung 30778 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000-D26Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8677 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000-D26Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000-D26Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000-D26Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 4885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000-D26Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7000-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
auf Bestellung 5539 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000-D26Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000-D26Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000-D26Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000-D26Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2N7000-D26Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 4885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000-D74Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1172 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000-D74Z | onsemi |
MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA |
auf Bestellung 15490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000-D74Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000-D74Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000-D75Z | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1807 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2N7000-D75Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000-D75Z | onsemi |
MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA |
auf Bestellung 3102 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000-D75Z | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000-D75Z | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000-G | Microchip Technology |
MOSFETs 60V 5Ohm |
auf Bestellung 5729 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3466 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 1974 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 1381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
auf Bestellung 3816 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7000 Produktcode: 20638
3
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: NXP
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 0,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/-
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 0,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/-
Montage: THT
verfügbar: 50 St.
- 50 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1205 St.
- 1205 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.3 EUR |
| 10+ | 0.14 EUR |
| 100+ | 0.13 EUR |
| 1000+ | 0.11 EUR |
| 2N7000 Produktcode: 200238
5
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Lieblingsprodukt
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|
Hersteller: CJ
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 0,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 0,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/
Montage: THT
erwartet: 100 St.
- 100 St. - erwartet
auf Bestellung: 966 St.
- 966 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 0.12 EUR |
| 13+ | 0.098 EUR |
| 100+ | 0.086 EUR |
| 2N7000 |
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Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 8439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N7000 |
|
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N7000 |
|
Hersteller: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 300+ | 0.14 EUR |
| 2N7000 |
|
Hersteller: ZEHUA
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEH
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEH
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.12 EUR |
| 2N7000 |
|
Hersteller: LGE
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1678 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 300+ | 0.15 EUR |
| 2N7000 |
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Hersteller: DIOTEC
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 300+ | 0.15 EUR |
| 2N7000 |
|
Hersteller: DIOTEC
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 300+ | 0.15 EUR |
| 2N7000 |
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Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, N, 0.3
Description: MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, N, 0.3
auf Bestellung 3001 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 1.95 EUR |
| 18+ | 1.23 EUR |
| 50+ | 0.9 EUR |
| 100+ | 0.8 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| 2N7000 |
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Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
auf Bestellung 2213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 0.52 EUR |
| 65+ | 0.32 EUR |
| 91+ | 0.23 EUR |
| 105+ | 0.2 EUR |
| 500+ | 0.14 EUR |
| 2N7000 |
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Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
auf Bestellung 22286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.7 EUR |
| 10+ | 0.49 EUR |
| 100+ | 0.42 EUR |
| 500+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| 4000+ | 0.21 EUR |
| 8000+ | 0.14 EUR |
| 2N7000 |
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Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.11 EUR |
| 12000+ | 0.094 EUR |
| 2N7000 |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs FET 60V 5.0 OHM TO92
MOSFETs FET 60V 5.0 OHM TO92
auf Bestellung 99033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.17 EUR |
| 10+ | 0.52 EUR |
| 100+ | 0.46 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
| 5000+ | 0.33 EUR |
| 10000+ | 0.29 EUR |
| 2N7000 |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
Description: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
auf Bestellung 129030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 1.19 EUR |
| 29+ | 0.74 EUR |
| 50+ | 0.54 EUR |
| 100+ | 0.48 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
| 2N7000 |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, N, 0.3
Description: MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, N, 0.3
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.45 EUR |
| 2N7000 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 131508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 202+ | 0.87 EUR |
| 2N7000 |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.076 EUR |
| 2N7000 |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N7000 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 127376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2324+ | 0.29 EUR |
| 10000+ | 0.25 EUR |
| 100000+ | 0.2 EUR |
| 2N7000 |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.076 EUR |
| 2N7000 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 131508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 202+ | 0.87 EUR |
| 2N7000 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 210+ | 0.83 EUR |
| 2N7000 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 210+ | 0.83 EUR |
| 2N7000 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 17656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2324+ | 0.29 EUR |
| 10000+ | 0.25 EUR |
| 2N7000 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 86006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 155+ | 1.13 EUR |
| 2N7000 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 8545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 0.87 EUR |
| 2N7000 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 53135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 157+ | 1.59 EUR |
| 349+ | 0.67 EUR |
| 396+ | 0.55 EUR |
| 519+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
| 2N7000 |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 8465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 637+ | 0.27 EUR |
| 1027+ | 0.17 EUR |
| 1316+ | 0.13 EUR |
| 2000+ | 0.093 EUR |
| 4000+ | 0.083 EUR |
| 2N7000 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 86006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 155+ | 1.13 EUR |
| 2N7000 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 8545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 0.87 EUR |
| 2N7000 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 22750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 364+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| 2500+ | 0.27 EUR |
| 5000+ | 0.26 EUR |
| 10000+ | 0.25 EUR |
| 2N7000 |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.12 EUR |
| 12000+ | 0.096 EUR |
| 2N7000-D26Z |
|
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 832 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N7000-D26Z |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.25 EUR |
| 4000+ | 0.23 EUR |
| 2N7000-D26Z |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
auf Bestellung 30778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.13 EUR |
| 10+ | 0.51 EUR |
| 100+ | 0.44 EUR |
| 500+ | 0.33 EUR |
| 2000+ | 0.25 EUR |
| 2N7000-D26Z |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 8677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 1.15 EUR |
| 30+ | 0.71 EUR |
| 50+ | 0.51 EUR |
| 100+ | 0.45 EUR |
| 500+ | 0.35 EUR |
| 2N7000-D26Z |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.14 EUR |
| 2N7000-D26Z |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.17 EUR |
| 4000+ | 0.15 EUR |
| 2N7000-D26Z |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 320+ | 0.55 EUR |
| 524+ | 0.32 EUR |
| 601+ | 0.27 EUR |
| 751+ | 0.2 EUR |
| 762+ | 0.19 EUR |
| 989+ | 0.14 EUR |
| 3000+ | 0.13 EUR |
| 2N7000-D26Z |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: ONSEMI - 2N7000-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 5539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 166+ | 1.51 EUR |
| 343+ | 0.68 EUR |
| 391+ | 0.55 EUR |
| 519+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
| 2N7000-D26Z |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.14 EUR |
| 2N7000-D26Z |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.17 EUR |
| 4000+ | 0.14 EUR |
| 2N7000-D26Z |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.24 EUR |
| 4000+ | 0.21 EUR |
| 6000+ | 0.2 EUR |
| 8000+ | 0.19 EUR |
| 2N7000-D26Z |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N7000-D26Z |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 601+ | 0.29 EUR |
| 751+ | 0.23 EUR |
| 989+ | 0.17 EUR |
| 3000+ | 0.15 EUR |
| 2N7000-D74Z |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 1172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 1.05 EUR |
| 33+ | 0.64 EUR |
| 50+ | 0.46 EUR |
| 100+ | 0.4 EUR |
| 500+ | 0.31 EUR |
| 2N7000-D74Z |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
auf Bestellung 15490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 1.05 EUR |
| 10+ | 0.46 EUR |
| 100+ | 0.4 EUR |
| 500+ | 0.31 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |
| 2000+ | 0.25 EUR |
| 4000+ | 0.23 EUR |
| 2N7000-D74Z |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.25 EUR |
| 4000+ | 0.23 EUR |
| 2N7000-D74Z |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 604+ | 0.29 EUR |
| 2000+ | 0.25 EUR |
| 2N7000-D75Z |
|
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N7000-D75Z |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 1.18 EUR |
| 29+ | 0.73 EUR |
| 50+ | 0.52 EUR |
| 100+ | 0.46 EUR |
| 2N7000-D75Z |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
MOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
auf Bestellung 3102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.15 EUR |
| 10+ | 0.51 EUR |
| 100+ | 0.45 EUR |
| 500+ | 0.35 EUR |
| 2000+ | 0.25 EUR |
| 2N7000-D75Z |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.25 EUR |
| 4000+ | 0.24 EUR |
| 2N7000-D75Z |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.3 EUR |
| 4000+ | 0.26 EUR |
| 6000+ | 0.25 EUR |
| 2N7000-G |
|
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 60V 5Ohm
MOSFETs 60V 5Ohm
auf Bestellung 5729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.9 EUR |
| 25+ | 0.76 EUR |
| 100+ | 0.67 EUR |
| 2N7000-G |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 3466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 0.9 EUR |
| 28+ | 0.75 EUR |
| 100+ | 0.67 EUR |
| 2N7000-G |
|
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 1974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 193+ | 0.9 EUR |
| 1000+ | 0.81 EUR |
| 2N7000-G |
|
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 1381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 206+ | 0.84 EUR |
| 2N7000-G |
|
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 3816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 228+ | 1.09 EUR |
| 235+ | 0.99 EUR |
| 243+ | 0.88 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |