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2N7000 2N7000
Produktcode: 200238
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CJ 2N7000-datasheetjcet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
auf Bestellung 200 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2000 Stück:
2000 Stück - erwartet 20.02.2025
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000
Produktcode: 20638
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NXP 2N7000-D.PDF Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
verfügbar: 576 Stück
50 Stück - stock Köln
526 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
auf Bestellung 6546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+0.56 EUR
155+0.46 EUR
234+0.31 EUR
391+0.18 EUR
414+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 LUGUANG ELECTRONIC 2N7000-LGE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
auf Bestellung 7555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
820+0.09 EUR
1250+0.06 EUR
1390+0.05 EUR
1445+0.05 EUR
1525+0.05 EUR
1575+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 820
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n7000.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: Ammo Pack
auf Bestellung 9596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.21 EUR
506+0.14 EUR
629+0.11 EUR
745+0.10 EUR
1069+0.07 EUR
1608+0.04 EUR
1701+0.04 EUR
4000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n7000.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9596 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
334+0.21 EUR
506+0.14 EUR
629+0.11 EUR
745+0.10 EUR
1069+0.07 EUR
1608+0.04 EUR
1701+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 LGE ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 LGE ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 6070 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 DIOTEC ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 LUGUANG ELECTRONIC 2N7000-LGE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 7555 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
820+0.09 EUR
1250+0.06 EUR
1390+0.05 EUR
1445+0.05 EUR
1525+0.05 EUR
1575+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 820
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 DIOTEC ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6546 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
155+0.46 EUR
234+0.31 EUR
391+0.18 EUR
414+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 onsemi ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 29670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.81 EUR
33+0.55 EUR
100+0.28 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
2000+0.23 EUR
5000+0.21 EUR
10000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
621+0.26 EUR
2500+0.23 EUR
5000+0.22 EUR
7500+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 621
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
338+0.48 EUR
458+0.34 EUR
502+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 338
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 83745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+0.76 EUR
327+0.48 EUR
666+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
2500+0.16 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 213
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 9856 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2067+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2067
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ONSEMI ONSM-S-A0013669918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 28856 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 83745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
327+0.49 EUR
666+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
2500+0.17 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 327
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 DIOTEC 4400006.pdf Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 27168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3062+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 3062
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.09 EUR
8000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 DIOTEC 4400006.pdf Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 Fairchild/ON Semiconductor ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 200 мА; Ptot, Вт = 0,4; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА; TO-92-3
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+1.35 EUR
10+1.16 EUR
100+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 132326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3062+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 3062
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транз. Пол. MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+0.46 EUR
10+0.38 EUR
100+0.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000 Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.37 EUR
277+0.26 EUR
350+0.20 EUR
385+0.19 EUR
401+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
277+0.26 EUR
350+0.20 EUR
385+0.19 EUR
401+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z onsemi ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 10522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.90 EUR
32+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z onsemi ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.17 EUR
4000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ONSEMI 2304304.pdf Description: ONSEMI - 2N7000-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 13381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.15 EUR
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2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 7990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
392+0.41 EUR
396+0.39 EUR
400+0.37 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.34 EUR
3000+0.32 EUR
6000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 392
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2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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2000+0.15 EUR
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2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 7990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
243+0.66 EUR
388+0.40 EUR
392+0.38 EUR
396+0.36 EUR
400+0.35 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.31 EUR
6000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 243
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2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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2N7000-D26Z 2N7000-D26Z ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.20 EUR
4000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
8000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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2N7000-D74Z 2N7000-D74Z onsemi ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 1164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+0.99 EUR
30+0.60 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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2N7000-D74Z 2N7000-D74Z onsemi ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.23 EUR
4000+0.21 EUR
6000+0.20 EUR
10000+0.19 EUR
14000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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2N7000-D74Z 2N7000-D74Z ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
665+0.24 EUR
2000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 665
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2N7000-D75Z 2N7000-D75Z ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+0.46 EUR
211+0.34 EUR
281+0.25 EUR
363+0.20 EUR
468+0.15 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 157
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2N7000-D75Z 2N7000-D75Z ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
211+0.34 EUR
281+0.25 EUR
363+0.20 EUR
468+0.15 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 157
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2N7000-D75Z 2N7000-D75Z onsemi ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.20 EUR
4000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
10000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z 2N7000-D75Z onsemi ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 10390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.86 EUR
34+0.53 EUR
100+0.34 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z 2N7000-D75Z ON Semiconductor nds7002ad.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.16 EUR
4000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G 2N7000-G MICROCHIP TECHNOLOGY 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.2A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+1.07 EUR
132+0.54 EUR
142+0.50 EUR
152+0.47 EUR
157+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G 2N7000-G MICROCHIP TECHNOLOGY 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.2A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
132+0.54 EUR
142+0.50 EUR
152+0.47 EUR
157+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 5921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.84 EUR
25+0.71 EUR
100+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 4034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
230+0.70 EUR
267+0.58 EUR
296+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 230
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
258+0.63 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 258
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 214
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
252+0.64 EUR
285+0.55 EUR
312+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 252
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2N7000-G 2N7000-G MICROCHIP 2337817.pdf Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 1974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
405+0.40 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 405
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G 2N7000-G Microchip Technology -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 4034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
267+0.61 EUR
296+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 267
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000BU ON-Semicoductor ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000BU (bulk); 2N7000-G; 2N7000-D26Z; 2N7000TA; 2N7000 T2N7000
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000
Produktcode: 200238
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2N7000-datasheetjcet.pdf
2N7000
Hersteller: CJ
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
auf Bestellung 200 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2000 Stück:
2000 Stück - erwartet 20.02.2025
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000
Produktcode: 20638
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

2N7000-D.PDF
2N7000
Hersteller: NXP
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
verfügbar: 576 Stück
50 Stück - stock Köln
526 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF
2N7000
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
auf Bestellung 6546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
155+0.46 EUR
234+0.31 EUR
391+0.18 EUR
414+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000-LGE-DTE.pdf
2N7000
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
auf Bestellung 7555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
820+0.09 EUR
1250+0.06 EUR
1390+0.05 EUR
1445+0.05 EUR
1525+0.05 EUR
1575+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 820
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: Ammo Pack
auf Bestellung 9596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
506+0.14 EUR
629+0.11 EUR
745+0.10 EUR
1069+0.07 EUR
1608+0.04 EUR
1701+0.04 EUR
4000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9596 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
506+0.14 EUR
629+0.11 EUR
745+0.10 EUR
1069+0.07 EUR
1608+0.04 EUR
1701+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
300+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: LGE
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 6070 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
400+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: DIOTEC
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
300+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000-LGE-DTE.pdf
2N7000
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 7555 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
820+0.09 EUR
1250+0.06 EUR
1390+0.05 EUR
1445+0.05 EUR
1525+0.05 EUR
1575+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 820
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: DIOTEC
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
300+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF
2N7000
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6546 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
155+0.46 EUR
234+0.31 EUR
391+0.18 EUR
414+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N7000
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 29670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+0.81 EUR
33+0.55 EUR
100+0.28 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
2000+0.23 EUR
5000+0.21 EUR
10000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 nds7002ad.pdf
2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
621+0.26 EUR
2500+0.23 EUR
5000+0.22 EUR
7500+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 621
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
338+0.48 EUR
458+0.34 EUR
502+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 338
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 nds7002ad.pdf
2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 83745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
213+0.76 EUR
327+0.48 EUR
666+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
2500+0.16 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 213
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 9856 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2067+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2067
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 ONSM-S-A0013669918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N7000
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 28856 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 nds7002ad.pdf
2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 83745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
327+0.49 EUR
666+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
2500+0.17 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 327
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 4400006.pdf
2N7000
Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 nds7002ad.pdf
2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 27168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3062+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 3062
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.09 EUR
8000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 4400006.pdf
2N7000
Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 200 мА; Ptot, Вт = 0,4; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА; TO-92-3
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+1.35 EUR
10+1.16 EUR
100+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 nds7002ad.pdf
2N7000
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 132326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3062+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 3062
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Транз. Пол. MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.46 EUR
10+0.38 EUR
100+0.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000 2n7000.pdf
2N7000
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF
2N7000-D26Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
277+0.26 EUR
350+0.20 EUR
385+0.19 EUR
401+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF
2N7000-D26Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
277+0.26 EUR
350+0.20 EUR
385+0.19 EUR
401+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N7000-D26Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 10522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+0.90 EUR
32+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N7000-D26Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.17 EUR
4000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z 2304304.pdf
2N7000-D26Z
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 13381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z nds7002ad.pdf
2N7000-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z nds7002ad.pdf
2N7000-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D26Z nds7002ad.pdf
2N7000-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 7990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
392+0.41 EUR
396+0.39 EUR
400+0.37 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.34 EUR
3000+0.32 EUR
6000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 392
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.15 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 7990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
243+0.66 EUR
388+0.40 EUR
392+0.38 EUR
396+0.36 EUR
400+0.35 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.31 EUR
6000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 243
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.15 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000-D26Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.20 EUR
4000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
8000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000-D74Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 1164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+0.99 EUR
30+0.60 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D74Z ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N7000-D74Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.23 EUR
4000+0.21 EUR
6000+0.20 EUR
10000+0.19 EUR
14000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000-D74Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
665+0.24 EUR
2000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 665
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2N7000-D75Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
211+0.34 EUR
281+0.25 EUR
363+0.20 EUR
468+0.15 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF
2N7000-D75Z
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
211+0.34 EUR
281+0.25 EUR
363+0.20 EUR
468+0.15 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N7000-D75Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.20 EUR
4000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
10000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N7000-D75Z
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 10390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+0.86 EUR
34+0.53 EUR
100+0.34 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-D75Z nds7002ad.pdf
2N7000-D75Z
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.16 EUR
4000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf
2N7000-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.2A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
132+0.54 EUR
142+0.50 EUR
152+0.47 EUR
157+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf
2N7000-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.2A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
132+0.54 EUR
142+0.50 EUR
152+0.47 EUR
157+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G 2N7000-N-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005695A.pdf
2N7000-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 5921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+0.84 EUR
25+0.71 EUR
100+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf
2N7000-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 4034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
230+0.70 EUR
267+0.58 EUR
296+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 230
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf
2N7000-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
258+0.63 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 258
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf
2N7000-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
214+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 214
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf
2N7000-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
252+0.64 EUR
285+0.55 EUR
312+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 252
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G 2337817.pdf
2N7000-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf
2N7000-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 1974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
405+0.40 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 405
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000-G -enhancement-mode-vertical-dmos-fet-data-sheet-20005695a.pdf
2N7000-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 4034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
267+0.61 EUR
296+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 267
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000BU ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ON-Semicoductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000BU (bulk); 2N7000-G; 2N7000-D26Z; 2N7000TA; 2N7000 T2N7000
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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