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2SK30A 2SK30A
Produktcode: 42734 		Toshiba Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 50
Idd,A: 0,01A
Ciss, pF/Qg, nC: 8.2/
JHGF: THT
auf Bestellung 181 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.5 EUR
2SK3017(F) 2SK3017(F) Toshiba 2sk3017_datasheet_en_20131101.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N)IS
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6 EUR
28+ 5.54 EUR
Mindestbestellmenge: 27
2SK3018 kuu semiconductor Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: K2SK3018-7-F; 2SK3018 KUU T2SK3018 KUU
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 400
2SK3018 HT Jinyu Semiconductor N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 393000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
2SK3018-ML 2SK3018-ML MOSLEADER Description: N-ch MOS 30V 0.1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
306+0.058 EUR
1000+ 0.056 EUR
3000+ 0.052 EUR
6000+ 0.051 EUR
15000+ 0.05 EUR
30000+ 0.048 EUR
75000+ 0.045 EUR
150000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 306
2SK3018-TP
+1
 		2SK3018-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2SK3018.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+0.2 EUR
625+ 0.11 EUR
705+ 0.1 EUR
785+ 0.092 EUR
820+ 0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 360
2SK3018-TP
+1
 		2SK3018-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2SK3018.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
360+0.2 EUR
625+ 0.11 EUR
705+ 0.1 EUR
785+ 0.092 EUR
820+ 0.087 EUR
3000+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 360
2SK3018-TP Micro Commercial Components Corp. 2SK3018(SOT-323).pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin SOT-323 2SK3018-TP T2SK3018-TP
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 500
2SK3018-TP 2SK3018-TP Micro Commercial Co 2SK3018(SOT-323).pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
auf Bestellung 49957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.67 EUR
37+ 0.48 EUR
100+ 0.24 EUR
500+ 0.2 EUR
1000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 27
2SK3018-TP 2SK3018-TP Micro Commercial Components (MCC) 2SK3018_SOT_323_-3364975.pdf MOSFET N-Channel MOSFET
auf Bestellung 10769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.67 EUR
10+ 0.47 EUR
100+ 0.2 EUR
1000+ 0.15 EUR
3000+ 0.12 EUR
9000+ 0.1 EUR
24000+ 0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2SK3018-TP 2SK3018-TP Micro Commercial Co 2SK3018(SOT-323).pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
9000+ 0.1 EUR
30000+ 0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2SK3019-TP 2SK3019-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2SK3019(SOT-523).pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100mA; 0.15W; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 2804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+0.2 EUR
855+ 0.084 EUR
945+ 0.076 EUR
1205+ 0.059 EUR
1270+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 360
2SK3019-TP 2SK3019-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2SK3019(SOT-523).pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100mA; 0.15W; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2804 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
360+0.2 EUR
855+ 0.084 EUR
945+ 0.076 EUR
1205+ 0.059 EUR
1270+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 360
2SK3019-TP 2SK3019-TP Micro Commercial Components (MCC) 2SK3019_SOT_523_-3365668.pdf MOSFET N-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 12711 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.54 EUR
10+ 0.37 EUR
100+ 0.15 EUR
1000+ 0.11 EUR
3000+ 0.079 EUR
9000+ 0.076 EUR
24000+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 6
2SK3019-TP 2SK3019-TP Micro Commercial Co 2SK3019(SOT-523).pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
auf Bestellung 4836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.55 EUR
47+ 0.37 EUR
100+ 0.18 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 33
2SK3019-TP 2SK3019-TP Micro Commercial Co 2SK3019(SOT-523).pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2SK3019A-TP 2SK3019A-TP Micro Commercial Co 2SK3019A(SOT-523).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
auf Bestellung 2765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.63 EUR
41+ 0.44 EUR
100+ 0.22 EUR
500+ 0.18 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 28
2SK3019HE3-TP 2SK3019HE3-TP Micro Commercial Components 2sk3019he3sot-523.pdf N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 216000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
2SK3019TL 2SK3019TL Rohm Semiconductor 2sk3019.pdf description Description: MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
auf Bestellung 54261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.6 EUR
43+ 0.41 EUR
100+ 0.21 EUR
500+ 0.17 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 30
2SK3019TL 2SK3019TL Rohm Semiconductor 2sk3019.pdf description Description: MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+ 0.1 EUR
9000+ 0.088 EUR
30000+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2SK3019TL 2SK3019TL Rohm Semiconductor 2sk3019.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 2206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1089+0.14 EUR
1192+ 0.13 EUR
1389+ 0.1 EUR
2000+ 0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 1089
2SK3019TL 2SK3019TL ROHM ROHM-S-A0002831017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ROHM - 2SK3019TL - Leistungs-MOSFET, Low-Gate-Drive, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 13 ohm, EMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: EMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SK3019TL 2SK3019TL ROHM ROHM-S-A0002831017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ROHM - 2SK3019TL - Leistungs-MOSFET, Low-Gate-Drive, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 13 ohm, EMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: EMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SK3020-TP 2SK3020-TP Micro Commercial Co 2SK3020(SOT-723).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 15 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
2SK3020-TP 2SK3020-TP Micro Commercial Components (MCC) 2SK3020_SOT_723_-3365131.pdf MOSFET
auf Bestellung 7854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.44 EUR
10+ 0.31 EUR
100+ 0.19 EUR
1000+ 0.086 EUR
2500+ 0.076 EUR
8000+ 0.058 EUR
24000+ 0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2SK3020-TP 2SK3020-TP Micro Commercial Co 2SK3020(SOT-723).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 15 V
auf Bestellung 13355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.44 EUR
58+ 0.31 EUR
118+ 0.15 EUR
500+ 0.13 EUR
1000+ 0.087 EUR
2000+ 0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 40
2SK303-3-TB-E onsemi Description: NCH J-FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1480+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1480
2SK303-3-TB-E ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - 2SK303-3-TB-E - 2SK303 - N-CHANNEL J-FET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SK3054-T1-A 2SK3054-T1-A Renesas Electronics Corporation RNCCS17503-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 50V 100MA SC70-3 SSP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: SC-70-3, SSP, Miniature Mini Mold
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 3 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2319+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2319
2SK3054-T1-A 2SK3054-T1-A Renesas 452d14209ej2v0ds00.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1725+0.091 EUR
1786+ 0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 1725
2SK3055(1)-AZ 2SK3055(1)-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS07170-1.pdf Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 100257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
124+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 124
2SK3055-AZ 2SK3055-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS07170-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1455 Stücke:
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124+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 124
2SK3057-AZ 2SK3057-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS18576-1.pdf Description: 2SK3057 - POWER TRS2
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 2378 Stücke:
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135+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 135
2SK3058-Z-E1-AZ 2SK3058-Z-E1-AZ NEC Corporation RNCCS17485-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263, TO-220SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 10 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
156+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 156
2SK3060-Z-E1-AZ 2SK3060-Z-E1-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS07173-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1000 Stücke:
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48+10.35 EUR
Mindestbestellmenge: 48
2SK3065T100 2SK3065T100 Rohm Semiconductor 2sk3065.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2SK3065T100 2SK3065T100 ROHM Semiconductor rohm_semiconductor_rohms30086-1-1742632.pdf MOSFET N-CH 60V 2A
auf Bestellung 73142 Stücke:
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3+1.18 EUR
10+ 0.86 EUR
100+ 0.68 EUR
500+ 0.59 EUR
1000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2SK3065T100 2SK3065T100 Rohm Semiconductor 2sk3065.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
auf Bestellung 583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.18 EUR
18+ 1.03 EUR
100+ 0.71 EUR
500+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 15
2SK3065T100 2SK3065T100 ROHM ROHMS30086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 8426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SK3065T100 2SK3065T100 Rohm Semiconductor 2sk3065.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.51 EUR
5000+ 0.45 EUR
10000+ 0.4 EUR
15000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2SK3065T100 2SK3065T100 ROHM ROHMS30086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 8426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SK3072-TB-E 2SK3072-TB-E onsemi enn7224ad.pdf Description: NCH 4V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 2219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1268+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1268
2SK3072-TB-E ONSEMI enn7224ad.pdf Description: ONSEMI - 2SK3072-TB-E - 2SK3072 - N-CHANNEL 4V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SK3074TE12LF 2SK3074TE12LF Toshiba 2SK3074_datasheet_en_20140301-3106875.pdf RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 1A 3W 30V VDSS
auf Bestellung 7972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+ 3.82 EUR
100+ 3.03 EUR
250+ 2.8 EUR
500+ 2.55 EUR
1000+ 2.16 EUR
2000+ 2.06 EUR
2SK3075(TE12L,Q) 2SK3075(TE12L,Q) Toshiba 2SK3075_datasheet_en_20140301-3107003.pdf RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS
auf Bestellung 8246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.51 EUR
10+ 8.82 EUR
25+ 8.32 EUR
100+ 7.13 EUR
250+ 6.74 EUR
500+ 6.34 EUR
1000+ 5.44 EUR
2SK3075(TE12L,Q) 2SK3075(TE12L,Q) TOSHIBA TOSCS49853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SK3075(TE12L,Q) 2SK3075(TE12L,Q) TOSHIBA TOSCS49853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SK3078A(TE12L,F) 2SK3078A(TE12L,F) Toshiba 2SK3078A_datasheet_en_20140301-3106454.pdf RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 0.5 3W 10V VDSS
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.27 EUR
10+ 1.87 EUR
100+ 1.45 EUR
500+ 1.23 EUR
1000+ 1 EUR
2000+ 0.94 EUR
5000+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2SK3078A(TE12L,F) 2SK3078A(TE12L,F) Toshiba docget.pdf Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.5A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.09 EUR
146+ 1.04 EUR
151+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 143
2SK3084(Q) Toshiba Trans MOSFET N-CH Si 100V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FL
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+3.82 EUR
50+ 3.54 EUR
Mindestbestellmenge: 41
2SK3090(Q) Toshiba Trans MOSFET N-CH Si 30V 45A 3-Pin(3+Tab)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.47 EUR
100+ 2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 64
2SK3092-TL-E 2SK3092-TL-E onsemi enn6788d.pdf Description: NCH 15V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 50400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
430+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 430
2SK3092-TL-E ONSEMI enn6788d.pdf Description: ONSEMI - 2SK3092-TL-E - 2SK3092 - N-CHANNEL 15V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 50400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SK30 TOS 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SK300 TOSHIBA
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SK300 TOSHIBA 07+
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SK300 SONY
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SK300-1 07+
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SK300-1
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SK300-2
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SK30A
Produktcode: 42734
2SK30A
Hersteller: Toshiba
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 50
Idd,A: 0,01A
Ciss, pF/Qg, nC: 8.2/
JHGF: THT
auf Bestellung 181 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.5 EUR
2SK3017(F) 2sk3017_datasheet_en_20131101.pdf
2SK3017(F)
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 900V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N)IS
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
27+6 EUR
28+ 5.54 EUR
Mindestbestellmenge: 27
2SK3018
Hersteller: kuu semiconductor
Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: K2SK3018-7-F; 2SK3018 KUU T2SK3018 KUU
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
400+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 400
2SK3018
Hersteller: HT Jinyu Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 393000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
2SK3018-ML
2SK3018-ML
Hersteller: MOSLEADER
Description: N-ch MOS 30V 0.1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
306+0.058 EUR
1000+ 0.056 EUR
3000+ 0.052 EUR
6000+ 0.051 EUR
15000+ 0.05 EUR
30000+ 0.048 EUR
75000+ 0.045 EUR
150000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 306
2SK3018-TP 2SK3018.pdf
2SK3018-TP
+1
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
360+0.2 EUR
625+ 0.11 EUR
705+ 0.1 EUR
785+ 0.092 EUR
820+ 0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 360
2SK3018-TP 2SK3018.pdf
2SK3018-TP
+1
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
360+0.2 EUR
625+ 0.11 EUR
705+ 0.1 EUR
785+ 0.092 EUR
820+ 0.087 EUR
3000+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 360
2SK3018-TP 2SK3018(SOT-323).pdf
Hersteller: Micro Commercial Components Corp.
Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin SOT-323 2SK3018-TP T2SK3018-TP
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
500+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 500
2SK3018-TP 2SK3018(SOT-323).pdf
2SK3018-TP
Hersteller: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
auf Bestellung 49957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
27+0.67 EUR
37+ 0.48 EUR
100+ 0.24 EUR
500+ 0.2 EUR
1000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 27
2SK3018-TP 2SK3018_SOT_323_-3364975.pdf
2SK3018-TP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET N-Channel MOSFET
auf Bestellung 10769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.67 EUR
10+ 0.47 EUR
100+ 0.2 EUR
1000+ 0.15 EUR
3000+ 0.12 EUR
9000+ 0.1 EUR
24000+ 0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2SK3018-TP 2SK3018(SOT-323).pdf
2SK3018-TP
Hersteller: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.12 EUR
9000+ 0.1 EUR
30000+ 0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2SK3019-TP 2SK3019(SOT-523).pdf
2SK3019-TP
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100mA; 0.15W; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 2804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
360+0.2 EUR
855+ 0.084 EUR
945+ 0.076 EUR
1205+ 0.059 EUR
1270+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 360
2SK3019-TP 2SK3019(SOT-523).pdf
2SK3019-TP
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100mA; 0.15W; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2804 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
360+0.2 EUR
855+ 0.084 EUR
945+ 0.076 EUR
1205+ 0.059 EUR
1270+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 360
2SK3019-TP 2SK3019_SOT_523_-3365668.pdf
2SK3019-TP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET N-CHANNEL MOSFET
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2SK3019-TP 2SK3019(SOT-523).pdf
2SK3019-TP
Hersteller: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
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2SK3019-TP 2SK3019(SOT-523).pdf
2SK3019-TP
Hersteller: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
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2SK3019A-TP 2SK3019A(SOT-523).pdf
2SK3019A-TP
Hersteller: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
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2SK3019HE3-TP 2sk3019he3sot-523.pdf
2SK3019HE3-TP
Hersteller: Micro Commercial Components
N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101
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2SK3019TL description 2sk3019.pdf
2SK3019TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
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30+0.6 EUR
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100+ 0.21 EUR
500+ 0.17 EUR
1000+ 0.13 EUR
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2SK3019TL description 2sk3019.pdf
2SK3019TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
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2SK3019TL description 2sk3019.pdf
2SK3019TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin EMT T/R
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1089+0.14 EUR
1192+ 0.13 EUR
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2SK3019TL description ROHM-S-A0002831017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3019TL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SK3019TL - Leistungs-MOSFET, Low-Gate-Drive, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 13 ohm, EMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: EMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4587 Stücke:
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2SK3019TL description ROHM-S-A0002831017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3019TL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SK3019TL - Leistungs-MOSFET, Low-Gate-Drive, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 13 ohm, EMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: EMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4587 Stücke:
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2SK3020-TP 2SK3020(SOT-723).pdf
2SK3020-TP
Hersteller: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 15 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
2SK3020-TP 2SK3020_SOT_723_-3365131.pdf
2SK3020-TP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET
auf Bestellung 7854 Stücke:
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7+0.44 EUR
10+ 0.31 EUR
100+ 0.19 EUR
1000+ 0.086 EUR
2500+ 0.076 EUR
8000+ 0.058 EUR
24000+ 0.055 EUR
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2SK3020-TP 2SK3020(SOT-723).pdf
2SK3020-TP
Hersteller: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 15 V
auf Bestellung 13355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
40+0.44 EUR
58+ 0.31 EUR
118+ 0.15 EUR
500+ 0.13 EUR
1000+ 0.087 EUR
2000+ 0.075 EUR
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2SK303-3-TB-E
Hersteller: onsemi
Description: NCH J-FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 24000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1480+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1480
2SK303-3-TB-E nd_datasheet
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK303-3-TB-E - 2SK303 - N-CHANNEL J-FET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 24000 Stücke:
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2SK3054-T1-A RNCCS17503-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3054-T1-A
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 50V 100MA SC70-3 SSP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: SC-70-3, SSP, Miniature Mini Mold
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 3 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2319+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2319
2SK3054-T1-A 452d14209ej2v0ds00.pdf
2SK3054-T1-A
Hersteller: Renesas
Trans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1725+0.091 EUR
1786+ 0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 1725
2SK3055(1)-AZ RNCCS07170-1.pdf
2SK3055(1)-AZ
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 100257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
124+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 124
2SK3055-AZ RNCCS07170-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3055-AZ
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
124+3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 124
2SK3057-AZ RNCCS18576-1.pdf
2SK3057-AZ
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: 2SK3057 - POWER TRS2
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 2378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
135+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 135
2SK3058-Z-E1-AZ RNCCS17485-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3058-Z-E1-AZ
Hersteller: NEC Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263, TO-220SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 10 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
156+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 156
2SK3060-Z-E1-AZ RNCCS07173-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SK3060-Z-E1-AZ
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
48+10.35 EUR
Mindestbestellmenge: 48
2SK3065T100 2sk3065.pdf
2SK3065T100
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2SK3065T100 rohm_semiconductor_rohms30086-1-1742632.pdf
2SK3065T100
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A
auf Bestellung 73142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.18 EUR
10+ 0.86 EUR
100+ 0.68 EUR
500+ 0.59 EUR
1000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2SK3065T100 2sk3065.pdf
2SK3065T100
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
auf Bestellung 583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
15+1.18 EUR
18+ 1.03 EUR
100+ 0.71 EUR
500+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 15
2SK3065T100 ROHMS30086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3065T100
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 8426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SK3065T100 2sk3065.pdf
2SK3065T100
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.51 EUR
5000+ 0.45 EUR
10000+ 0.4 EUR
15000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2SK3065T100 ROHMS30086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3065T100
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 8426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SK3072-TB-E enn7224ad.pdf
2SK3072-TB-E
Hersteller: onsemi
Description: NCH 4V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 2219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1268+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1268
2SK3072-TB-E enn7224ad.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3072-TB-E - 2SK3072 - N-CHANNEL 4V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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2SK3074TE12LF 2SK3074_datasheet_en_20140301-3106875.pdf
2SK3074TE12LF
Hersteller: Toshiba
RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 1A 3W 30V VDSS
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1+4.58 EUR
10+ 3.82 EUR
100+ 3.03 EUR
250+ 2.8 EUR
500+ 2.55 EUR
1000+ 2.16 EUR
2000+ 2.06 EUR
2SK3075(TE12L,Q) 2SK3075_datasheet_en_20140301-3107003.pdf
2SK3075(TE12L,Q)
Hersteller: Toshiba
RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS
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Anzahl Preis ohne MwSt
1+10.51 EUR
10+ 8.82 EUR
25+ 8.32 EUR
100+ 7.13 EUR
250+ 6.74 EUR
500+ 6.34 EUR
1000+ 5.44 EUR
2SK3075(TE12L,Q) TOSCS49853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3075(TE12L,Q)
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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2SK3075(TE12L,Q) TOSCS49853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SK3075(TE12L,Q)
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 917 Stücke:
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2SK3078A(TE12L,F) 2SK3078A_datasheet_en_20140301-3106454.pdf
2SK3078A(TE12L,F)
Hersteller: Toshiba
RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 0.5 3W 10V VDSS
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Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.27 EUR
10+ 1.87 EUR
100+ 1.45 EUR
500+ 1.23 EUR
1000+ 1 EUR
2000+ 0.94 EUR
5000+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2SK3078A(TE12L,F) docget.pdf
2SK3078A(TE12L,F)
Hersteller: Toshiba
Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.5A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
auf Bestellung 379 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
143+1.09 EUR
146+ 1.04 EUR
151+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 143
2SK3084(Q)
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FL
auf Bestellung 96 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
41+3.82 EUR
50+ 3.54 EUR
Mindestbestellmenge: 41
2SK3090(Q)
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 45A 3-Pin(3+Tab)
auf Bestellung 100 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
64+2.47 EUR
100+ 2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 64
2SK3092-TL-E enn6788d.pdf
2SK3092-TL-E
Hersteller: onsemi
Description: NCH 15V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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Anzahl Preis ohne MwSt
430+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 430
2SK3092-TL-E enn6788d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK3092-TL-E - 2SK3092 - N-CHANNEL 15V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 50400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SK30
Hersteller: TOS
08+
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SK300
Hersteller: TOSHIBA
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SK300
Hersteller: TOSHIBA
07+
auf Bestellung 5800 Stücke:
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2SK300
Hersteller: SONY
auf Bestellung 36000 Stücke:
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2SK300-1
07+
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SK300-1
auf Bestellung 5800 Stücke:
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2SK300-2
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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