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DAMI160N100 DAMI160N100 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 120A; SOT227B; screw; Idm: 640A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4mΩ
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 380W
Gate-source voltage: -20...20V
Mechanical mounting: screw
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+29.67 EUR
10+29.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0260N1007L FDB0260N1007L onsemi fdb0260n1007l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V
auf Bestellung 1894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.55 EUR
10+12.12 EUR
100+9.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0260N1007L FDB0260N1007L onsemi fdb0260n1007l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+8.50 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100 FDBL0260N100 onsemi fdbl0260n100-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9265 pF @ 50 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100 FDBL0260N100 onsemi / Fairchild fdbl0260n100-d.pdf MOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 1082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.50 EUR
10+6.64 EUR
100+4.98 EUR
500+4.80 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100 FDBL0260N100 onsemi fdbl0260n100-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9265 pF @ 50 V
auf Bestellung 17815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.12 EUR
10+7.50 EUR
100+5.45 EUR
500+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE60N1000C02 RE60N1000C02 Vishay / Dale doc?30282 Wirewound Resistors - Chassis Mount 5watts 100ohms 1% Non Inductive
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.18 EUR
10+14.57 EUR
20+14.40 EUR
50+12.67 EUR
100+9.80 EUR
200+9.01 EUR
500+8.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE60N1001C02 RE60N1001C02 Vishay / Dale Wirewound Resistors - Chassis Mount 5watts 1Kohms 1% Non Inductive
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.18 EUR
10+14.57 EUR
20+14.40 EUR
50+12.67 EUR
100+10.96 EUR
200+9.93 EUR
500+9.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDB6U160N100K EUPEC O348 J4-1
auf Bestellung 19 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDB6U60N100 EUPEC
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGL60N100BNTD; NPT Trench IGBT+диод; 60A 1000V 180W; Корпус: TO-264-3L; ON Semi.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGL60N100D fsc 8
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G60N100BNTD FAIRCHIL 09+ QFP
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TT60N1000KOF AEG 05+
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGL60N100BNTD FGL60N100BNTD
Produktcode: 54348
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FAIR fgl60n100bntd-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-264
Vces: 1000
Vce: 2,5
Ic 25: 60
Ic 100: 42
Pd 25: 180
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 140/630
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G60N100BNTD
Produktcode: 101158
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10018960-N1000AULF Amphenol ICC (FCI) 10018960.pdf Description: CABLE ASSY EYEMAX
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug to Plug
Gender: Male to Male
Color: Black
Length: 32.81' (10.00m)
Shielding: Shielded
Number of Positions: 16
Cable Type: Round
Usage: External
Fastening Type: Thumbscrews
Cable Connectors: Infiniband 4x
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMH560N100 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 100V; 460A; HB9434; screw; screw
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 460A
Case: HB9434
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMH560N100 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 100V; 460A; HB9434; screw; screw
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 460A
Case: HB9434
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI160N100 DAMI160N100 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 120A; SOT227B; screw; Idm: 640A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4mΩ
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 380W
Gate-source voltage: -20...20V
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+29.67 EUR
10+29.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI560N100 DAMI560N100 DACO Semiconductor DAMI560N100.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 445A; SOT227B; screw; Idm: 1.6kA
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 445A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 890W
On-state resistance: 1.1mΩ
Gate-source voltage: -20...20V
Pulsed drain current: 1.6kA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI560N100 DAMI560N100 DACO Semiconductor DAMI560N100.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 445A; SOT227B; screw; Idm: 1.6kA
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 445A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 890W
On-state resistance: 1.1mΩ
Gate-source voltage: -20...20V
Pulsed drain current: 1.6kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMIA960N100 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 720A; SOT227H; screw; screw
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 720A
Case: SOT227H
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMIA960N100 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 720A; SOT227H; screw; screw
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 720A
Case: SOT227H
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0260N1007L FDB0260N1007L onsemi / Fairchild fdb0260n1007l-d.pdf MOSFETs 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGL60N100BNTD FGL60N100BNTD onsemi fgl60n100bntd-d.pdf Description: IGBT NPT/TRENCH 1000V 60A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264-3
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 140ns/630ns
Test Condition: 600V, 60A, 51Ohm, 15V
Gate Charge: 275 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 180 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGL60N100BNTDTU FGL60N100BNTDTU onsemi fgl60n100bntd-d.pdf Description: IGBT NPT/TRENCH 1000V 60A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264-3
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 140ns/630ns
Test Condition: 600V, 60A, 51Ohm, 15V
Gate Charge: 275 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 180 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGL60N100DTU FGL60N100DTU onsemi FGL60N100D.pdf Description: IGBT TRENCH 1000V 60A TO-264-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264-3
IGBT Type: Trench
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 176 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKS-113 287 260 N 1002 INGUN GKS-113-0929 Contact Probes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKS-113 287 260 N 1002 M INGUN GKS-113-0525 Contact Probes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE60N1000C02 RE60N1000C02 Vishay Dale doc?30282 Description: CAP
Power (Watts): 5W
Tolerance: ±1%
Lead Style: Solder Lugs
Features: Non-Inductive
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial, Box
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.600" L x 0.646" W (15.24mm x 16.41mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 250°C
Mounting Feature: Flanges
Coating, Housing Type: Aluminum
Height - Seated (Max): 0.335" (8.51mm)
Grade: Military
Resistance: 100 Ohms
Qualification: MIL-PRF-18546
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0260N1007L ONSEMI fdb0260n1007l-d.pdf FDB0260N1007L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100 ONSEMI fdbl0260n100-d.pdf FDBL0260N100 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI160N100
DAMI160N100
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 120A; SOT227B; screw; Idm: 640A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4mΩ
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 380W
Gate-source voltage: -20...20V
Mechanical mounting: screw
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+29.67 EUR
10+29.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0260N1007L fdb0260n1007l-d.pdf
FDB0260N1007L
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V
auf Bestellung 1894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+17.55 EUR
10+12.12 EUR
100+9.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0260N1007L fdb0260n1007l-d.pdf
FDB0260N1007L
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+8.50 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100 fdbl0260n100-d.pdf
FDBL0260N100
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9265 pF @ 50 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100 fdbl0260n100-d.pdf
FDBL0260N100
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 1082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.50 EUR
10+6.64 EUR
100+4.98 EUR
500+4.80 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100 fdbl0260n100-d.pdf
FDBL0260N100
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9265 pF @ 50 V
auf Bestellung 17815 Stücke:
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Anzahl Preis
2+11.12 EUR
10+7.50 EUR
100+5.45 EUR
500+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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RE60N1000C02 doc?30282
RE60N1000C02
Hersteller: Vishay / Dale
Wirewound Resistors - Chassis Mount 5watts 100ohms 1% Non Inductive
auf Bestellung 51 Stücke:
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Anzahl Preis
1+17.18 EUR
10+14.57 EUR
20+14.40 EUR
50+12.67 EUR
100+9.80 EUR
200+9.01 EUR
500+8.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE60N1001C02
RE60N1001C02
Hersteller: Vishay / Dale
Wirewound Resistors - Chassis Mount 5watts 1Kohms 1% Non Inductive
auf Bestellung 102 Stücke:
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Anzahl Preis
1+17.18 EUR
10+14.57 EUR
20+14.40 EUR
50+12.67 EUR
100+10.96 EUR
200+9.93 EUR
500+9.24 EUR
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DDB6U160N100K
Hersteller: EUPEC
O348 J4-1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDB6U60N100
Hersteller: EUPEC
auf Bestellung 100 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGL60N100BNTD; NPT Trench IGBT+диод; 60A 1000V 180W; Корпус: TO-264-3L; ON Semi.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGL60N100D
Hersteller: fsc
8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G60N100BNTD
Hersteller: FAIRCHIL
09+ QFP
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TT60N1000KOF
Hersteller: AEG
05+
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FGL60N100BNTD
Produktcode: 54348
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fgl60n100bntd-d.pdf
FGL60N100BNTD
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-264
Vces: 1000
Vce: 2,5
Ic 25: 60
Ic 100: 42
Pd 25: 180
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 140/630
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G60N100BNTD
Produktcode: 101158
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10018960-N1000AULF 10018960.pdf
Hersteller: Amphenol ICC (FCI)
Description: CABLE ASSY EYEMAX
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug to Plug
Gender: Male to Male
Color: Black
Length: 32.81' (10.00m)
Shielding: Shielded
Number of Positions: 16
Cable Type: Round
Usage: External
Fastening Type: Thumbscrews
Cable Connectors: Infiniband 4x
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMH560N100
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 100V; 460A; HB9434; screw; screw
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 460A
Case: HB9434
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMH560N100
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 100V; 460A; HB9434; screw; screw
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 460A
Case: HB9434
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI160N100
DAMI160N100
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 120A; SOT227B; screw; Idm: 640A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4mΩ
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 380W
Gate-source voltage: -20...20V
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+29.67 EUR
10+29.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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DAMI560N100 DAMI560N100.pdf
DAMI560N100
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 445A; SOT227B; screw; Idm: 1.6kA
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 445A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 890W
On-state resistance: 1.1mΩ
Gate-source voltage: -20...20V
Pulsed drain current: 1.6kA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI560N100 DAMI560N100.pdf
DAMI560N100
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 445A; SOT227B; screw; Idm: 1.6kA
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 445A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 890W
On-state resistance: 1.1mΩ
Gate-source voltage: -20...20V
Pulsed drain current: 1.6kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMIA960N100
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 720A; SOT227H; screw; screw
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 720A
Case: SOT227H
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMIA960N100
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 720A; SOT227H; screw; screw
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 720A
Case: SOT227H
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0260N1007L fdb0260n1007l-d.pdf
FDB0260N1007L
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
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FGL60N100BNTD fgl60n100bntd-d.pdf
FGL60N100BNTD
Hersteller: onsemi
Description: IGBT NPT/TRENCH 1000V 60A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264-3
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 140ns/630ns
Test Condition: 600V, 60A, 51Ohm, 15V
Gate Charge: 275 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 180 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGL60N100BNTDTU fgl60n100bntd-d.pdf
FGL60N100BNTDTU
Hersteller: onsemi
Description: IGBT NPT/TRENCH 1000V 60A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264-3
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 140ns/630ns
Test Condition: 600V, 60A, 51Ohm, 15V
Gate Charge: 275 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 180 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGL60N100DTU FGL60N100D.pdf
FGL60N100DTU
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH 1000V 60A TO-264-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-264-3
IGBT Type: Trench
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 176 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKS-113 287 260 N 1002
Hersteller: INGUN
GKS-113-0929 Contact Probes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKS-113 287 260 N 1002 M
Hersteller: INGUN
GKS-113-0525 Contact Probes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE60N1000C02 doc?30282
RE60N1000C02
Hersteller: Vishay Dale
Description: CAP
Power (Watts): 5W
Tolerance: ±1%
Lead Style: Solder Lugs
Features: Non-Inductive
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial, Box
Temperature Coefficient: ±20ppm/°C
Size / Dimension: 0.600" L x 0.646" W (15.24mm x 16.41mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 250°C
Mounting Feature: Flanges
Coating, Housing Type: Aluminum
Height - Seated (Max): 0.335" (8.51mm)
Grade: Military
Resistance: 100 Ohms
Qualification: MIL-PRF-18546
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0260N1007L fdb0260n1007l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDB0260N1007L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100 fdbl0260n100-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
FDBL0260N100 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH