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DAMI160N100 DAMI160N100 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 120A; SOT227B; screw; Idm: 640A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4mΩ
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 380W
Gate-source voltage: -20...20V
Mechanical mounting: screw
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+29.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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FDB0260N1007L FDB0260N1007L onsemi fdb0260n1007l-d.pdf MOSFETs 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
auf Bestellung 457 Stücke:
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1+16.21 EUR
10+11.21 EUR
100+9.35 EUR
800+7.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100 FDBL0260N100 onsemi fdbl0260n100-d.pdf MOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 459 Stücke:
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1+11.44 EUR
10+7.73 EUR
100+5.63 EUR
500+5.39 EUR
1000+5.03 EUR
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RE60N1000C02 RE60N1000C02 Vishay / Dale re-military.pdf Wirewound Resistors - Chassis Mount 5watts 100ohms 1% Non Inductive
auf Bestellung 59 Stücke:
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1+111.11 EUR
10+81.8 EUR
30+77.69 EUR
50+74.96 EUR
100+72.44 EUR
250+68.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE60N1001C02 RE60N1001C02 Vishay / Dale re-military.pdf Wirewound Resistors - Chassis Mount 5watts 1Kohms 1% Non Inductive
auf Bestellung 84 Stücke:
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1+24.83 EUR
10+17.42 EUR
20+15.08 EUR
50+14.17 EUR
100+13.02 EUR
200+12.18 EUR
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DDB6U160N100K EUPEC O348 J4-1
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DDB6U60N100 EUPEC
auf Bestellung 100 Stücke:
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FGL60N100D fsc 8
auf Bestellung 5000 Stücke:
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G60N100BNTD FAIRCHIL 09+ QFP
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TT60N1000KOF AEG 05+
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FGL60N100BNTD FGL60N100BNTD
Produktcode: 54348
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FAIR fgl60n100bntd-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-264
Vces: 1000
Vce: 2,5
Ic 25: 60
Ic 100: 42
Pd 25: 180
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 140/630
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G60N100BNTD
Produktcode: 101158
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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DAMH560N100 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 100V; 460A; HB9434; screw; screw
Case: HB9434
Topology: MOSFET half-bridge
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 460A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI560N100 DAMI560N100 DACO Semiconductor DAMI560N100.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 445A; SOT227B; screw; Idm: 1.6kA
Case: SOT227B
Pulsed drain current: 1.6kA
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -20...20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 445A
Power dissipation: 890W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMIA960N100 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 720A; SOT227H; screw; screw
Case: SOT227H
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 720A
Produkt ist nicht verfügbar
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FDB0260N1007L ONSEMI fdb0260n1007l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1100A; 250W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Pulsed drain current: 1100A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 84nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100 ONSEMI fdbl0260n100-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1000A; 250W
Mounting: SMD
Case: H-PSOF8L
Pulsed drain current: 1kA
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 83nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKS-113 287 260 N 1002 GKS-113 287 260 N 1002 INGUN GKS-113-0929.pdf Category: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.3mm; 5A; steel; Ø: 2.6mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Current rating: 5A
Contact material: steel
Contact plating: nickel plated
Tip diameter: 2.6mm
Blade tip shape: pyramid hexagonal
Manufacturer series: GKS-113
Max. contact resistance:: 30mΩ
Operating temperature: -40...80°C
Mounting: push-in
Test accessories features: magnetic
Length: 27.3mm
Spring compression force: 1N
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKS-113 287 260 N 1002 M GKS-113 287 260 N 1002 M INGUN GKS-113-0525.pdf Category: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.3mm; 5A; steel; Ø: 2.6mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Current rating: 5A
Contact material: steel
Contact plating: nickel plated
Tip diameter: 2.6mm
Blade tip shape: pyramid hexagonal
Manufacturer series: GKS-113
Max. contact resistance:: 30mΩ
Operating temperature: -40...80°C
Mounting: screw-in
Test accessories features: magnetic
Length: 28.3mm
Spring compression force: 1N
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGL60N100BNTD ONS/FAI fgl60n100bntd-d.pdf IGBT, 1000 V, 60 A, NPT Trench IGBT Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGL60N100BNTDTU ONS/FAI fgl60n100bntd-d.pdf IGBT, 1000 V, 60 A, NPT Trench IGBT Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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DAMI160N100
DAMI160N100
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 120A; SOT227B; screw; Idm: 640A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4mΩ
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 380W
Gate-source voltage: -20...20V
Mechanical mounting: screw
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+29.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0260N1007L fdb0260n1007l-d.pdf
FDB0260N1007L
Hersteller: onsemi
MOSFETs 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.21 EUR
10+11.21 EUR
100+9.35 EUR
800+7.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100 fdbl0260n100-d.pdf
FDBL0260N100
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.44 EUR
10+7.73 EUR
100+5.63 EUR
500+5.39 EUR
1000+5.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE60N1000C02 re-military.pdf
RE60N1000C02
Hersteller: Vishay / Dale
Wirewound Resistors - Chassis Mount 5watts 100ohms 1% Non Inductive
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+111.11 EUR
10+81.8 EUR
30+77.69 EUR
50+74.96 EUR
100+72.44 EUR
250+68.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE60N1001C02 re-military.pdf
RE60N1001C02
Hersteller: Vishay / Dale
Wirewound Resistors - Chassis Mount 5watts 1Kohms 1% Non Inductive
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+24.83 EUR
10+17.42 EUR
20+15.08 EUR
50+14.17 EUR
100+13.02 EUR
200+12.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDB6U160N100K
Hersteller: EUPEC
O348 J4-1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DDB6U60N100
Hersteller: EUPEC
auf Bestellung 100 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGL60N100D
Hersteller: fsc
8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G60N100BNTD
Hersteller: FAIRCHIL
09+ QFP
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TT60N1000KOF
Hersteller: AEG
05+
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGL60N100BNTD
Produktcode: 54348
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fgl60n100bntd-d.pdf
FGL60N100BNTD
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-264
Vces: 1000
Vce: 2,5
Ic 25: 60
Ic 100: 42
Pd 25: 180
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 140/630
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
G60N100BNTD
Produktcode: 101158
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMH560N100
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 100V; 460A; HB9434; screw; screw
Case: HB9434
Topology: MOSFET half-bridge
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 460A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI560N100 DAMI560N100.pdf
DAMI560N100
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 445A; SOT227B; screw; Idm: 1.6kA
Case: SOT227B
Pulsed drain current: 1.6kA
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -20...20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 445A
Power dissipation: 890W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMIA960N100
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 720A; SOT227H; screw; screw
Case: SOT227H
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 720A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0260N1007L fdb0260n1007l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1100A; 250W
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Pulsed drain current: 1100A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 84nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100 fdbl0260n100-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1000A; 250W
Mounting: SMD
Case: H-PSOF8L
Pulsed drain current: 1kA
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 83nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKS-113 287 260 N 1002 GKS-113-0929.pdf
GKS-113 287 260 N 1002
Hersteller: INGUN
Category: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.3mm; 5A; steel; Ø: 2.6mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Current rating: 5A
Contact material: steel
Contact plating: nickel plated
Tip diameter: 2.6mm
Blade tip shape: pyramid hexagonal
Manufacturer series: GKS-113
Max. contact resistance:: 30mΩ
Operating temperature: -40...80°C
Mounting: push-in
Test accessories features: magnetic
Length: 27.3mm
Spring compression force: 1N
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKS-113 287 260 N 1002 M GKS-113-0525.pdf
GKS-113 287 260 N 1002 M
Hersteller: INGUN
Category: Contact Probes
Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.3mm; 5A; steel; Ø: 2.6mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Current rating: 5A
Contact material: steel
Contact plating: nickel plated
Tip diameter: 2.6mm
Blade tip shape: pyramid hexagonal
Manufacturer series: GKS-113
Max. contact resistance:: 30mΩ
Operating temperature: -40...80°C
Mounting: screw-in
Test accessories features: magnetic
Length: 28.3mm
Spring compression force: 1N
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGL60N100BNTD fgl60n100bntd-d.pdf
Hersteller: ONS/FAI
IGBT, 1000 V, 60 A, NPT Trench IGBT Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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FGL60N100BNTDTU fgl60n100bntd-d.pdf
Hersteller: ONS/FAI
IGBT, 1000 V, 60 A, NPT Trench IGBT Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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