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DAMI160N100 DAMI160N100 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 120A; SOT227B; screw; Idm: 640A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 380W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: -20...20V
On-state resistance: 4mΩ
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
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FDBL0260N100 FDBL0260N100 onsemi / Fairchild FDBL0260N100-D.pdf MOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
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RE60N1000C02 RE60N1000C02 Vishay / Dale re-military.pdf Wirewound Resistors - Chassis Mount 5watts 100ohms 1% Non Inductive
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RE60N1001C02 RE60N1001C02 Vishay / Dale re-military.pdf Wirewound Resistors - Chassis Mount 5watts 1Kohms 1% Non Inductive
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DDB6U160N100K EUPEC O348 J4-1
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DDB6U60N100 EUPEC
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FGL60N100BNTD; NPT Trench IGBT+диод; 60A 1000V 180W; Корпус: TO-264-3L; ON Semi. (шт)
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FGL60N100D fsc 8
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G60N100BNTD FAIRCHIL 09+ QFP
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TT60N1000KOF AEG 05+
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FGL60N100BNTD FGL60N100BNTD
Produktcode: 54348
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FAIR fgl60n100bntd-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-264
Vces: 1000
Vce: 2,5
Ic 25: 60
Ic 100: 42
Pd 25: 180
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 140/630
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G60N100BNTD
Produktcode: 101158
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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DAMH560N100 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 100V; 460A; HB9434; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 460A
Case: HB9434
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Topology: MOSFET half-bridge
Electrical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
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DAMH560N100 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 100V; 460A; HB9434; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 460A
Case: HB9434
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Topology: MOSFET half-bridge
Electrical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DAMI160N100 DAMI160N100 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 120A; SOT227B; screw; Idm: 640A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 380W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: -20...20V
On-state resistance: 4mΩ
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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DAMI560N100 DAMI560N100 DACO Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A0847A8759A12143&compId=DAMI560N100.pdf?ci_sign=2e37d609a49c0ca91f9aaf88cc441b6fcb0f1d58 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 445A; SOT227B; screw; Idm: 1.6kA
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 445A
Pulsed drain current: 1.6kA
Power dissipation: 890W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: -20...20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI560N100 DAMI560N100 DACO Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A0847A8759A12143&compId=DAMI560N100.pdf?ci_sign=2e37d609a49c0ca91f9aaf88cc441b6fcb0f1d58 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 445A; SOT227B; screw; Idm: 1.6kA
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 445A
Pulsed drain current: 1.6kA
Power dissipation: 890W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: -20...20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DAMIA960N100 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 720A; SOT227H; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 720A
Case: SOT227H
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMIA960N100 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 720A; SOT227H; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 720A
Case: SOT227H
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FDB0260N1007L ONSEMI fdb0260n1007l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1100A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1100A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
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FDB0260N1007L FDB0260N1007L onsemi / Fairchild FDB0260N1007L-D.pdf MOSFETs 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
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FDBL0260N100 ONSEMI fdbl0260n100-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1000A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 250W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
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GKS-113 287 260 N 1002 INGUN GKS-113-0929 Contact Probes
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GKS-113 287 260 N 1002 M INGUN GKS-113-0525 Contact Probes
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FDB0260N1007L ONSEMI fdb0260n1007l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1100A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1100A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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FDBL0260N100 ONSEMI fdbl0260n100-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1000A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 250W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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DAMI160N100
DAMI160N100
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 120A; SOT227B; screw; Idm: 640A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 380W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: -20...20V
On-state resistance: 4mΩ
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
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Anzahl Preis
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FDBL0260N100 FDBL0260N100-D.pdf
FDBL0260N100
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
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Anzahl Preis
1+9.15 EUR
10+6.21 EUR
100+5.14 EUR
500+5.12 EUR
1000+5.09 EUR
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RE60N1000C02 re-military.pdf
RE60N1000C02
Hersteller: Vishay / Dale
Wirewound Resistors - Chassis Mount 5watts 100ohms 1% Non Inductive
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Anzahl Preis
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10+24.94 EUR
20+22.86 EUR
500+21.12 EUR
1000+19.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RE60N1001C02 re-military.pdf
RE60N1001C02
Hersteller: Vishay / Dale
Wirewound Resistors - Chassis Mount 5watts 1Kohms 1% Non Inductive
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+38.76 EUR
10+27.56 EUR
30+24.53 EUR
50+22.05 EUR
100+20.89 EUR
250+19.99 EUR
500+19.62 EUR
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DDB6U160N100K
Hersteller: EUPEC
O348 J4-1
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DDB6U60N100
Hersteller: EUPEC
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FGL60N100BNTD; NPT Trench IGBT+диод; 60A 1000V 180W; Корпус: TO-264-3L; ON Semi. (шт)
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FGL60N100D
Hersteller: fsc
8
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G60N100BNTD
Hersteller: FAIRCHIL
09+ QFP
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TT60N1000KOF
Hersteller: AEG
05+
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FGL60N100BNTD
Produktcode: 54348
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FGL60N100BNTD
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-264
Vces: 1000
Vce: 2,5
Ic 25: 60
Ic 100: 42
Pd 25: 180
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 140/630
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G60N100BNTD
Produktcode: 101158
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMH560N100
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 100V; 460A; HB9434; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 460A
Case: HB9434
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Topology: MOSFET half-bridge
Electrical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMH560N100
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 100V; 460A; HB9434; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 460A
Case: HB9434
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Topology: MOSFET half-bridge
Electrical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI160N100
DAMI160N100
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 120A; SOT227B; screw; Idm: 640A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 380W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: -20...20V
On-state resistance: 4mΩ
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+29.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI560N100 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A0847A8759A12143&compId=DAMI560N100.pdf?ci_sign=2e37d609a49c0ca91f9aaf88cc441b6fcb0f1d58
DAMI560N100
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 445A; SOT227B; screw; Idm: 1.6kA
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 445A
Pulsed drain current: 1.6kA
Power dissipation: 890W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: -20...20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMI560N100 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A0847A8759A12143&compId=DAMI560N100.pdf?ci_sign=2e37d609a49c0ca91f9aaf88cc441b6fcb0f1d58
DAMI560N100
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 445A; SOT227B; screw; Idm: 1.6kA
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 445A
Pulsed drain current: 1.6kA
Power dissipation: 890W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: -20...20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMIA960N100
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 720A; SOT227H; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 720A
Case: SOT227H
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DAMIA960N100
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 720A; SOT227H; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 720A
Case: SOT227H
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDB0260N1007L fdb0260n1007l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1100A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1100A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
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FDB0260N1007L FDB0260N1007L-D.pdf
FDB0260N1007L
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100 fdbl0260n100-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1000A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 250W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
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GKS-113 287 260 N 1002
Hersteller: INGUN
GKS-113-0929 Contact Probes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GKS-113 287 260 N 1002 M
Hersteller: INGUN
GKS-113-0525 Contact Probes
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FDB0260N1007L fdb0260n1007l-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1100A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1100A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDBL0260N100 fdbl0260n100-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1000A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 250W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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