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DAMI160N100 DAMI160N100 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 120A; SOT227B; screw; Idm: 640A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4mΩ
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 380W
Gate-source voltage: -20...20V
Mechanical mounting: screw
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auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+29.49 EUR
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DDB6U160N100K EUPEC O348 J4-1
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DDB6U60N100 EUPEC
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FGL60N100BNTD; NPT Trench IGBT+диод; 60A 1000V 180W; Корпус: TO-264-3L; ON Semi. (шт)
auf Bestellung 4 Stücke:
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FGL60N100D fsc 8
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G60N100BNTD FAIRCHIL 09+ QFP
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TT60N1000KOF AEG 05+
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FGL60N100BNTD FGL60N100BNTD
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FAIR fgl60n100bntd-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-264
Vces: 1000
Vce: 2,5
Ic 25: 60
Ic 100: 42
Pd 25: 180
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 140/630
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G60N100BNTD
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DAMI160N100
DAMI160N100
Hersteller: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 120A; SOT227B; screw; Idm: 640A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4mΩ
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 380W
Gate-source voltage: -20...20V
Mechanical mounting: screw
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Hersteller: EUPEC
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Hersteller: EUPEC
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FGL60N100BNTD; NPT Trench IGBT+диод; 60A 1000V 180W; Корпус: TO-264-3L; ON Semi. (шт)
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Hersteller: fsc
8
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G60N100BNTD
Hersteller: FAIRCHIL
09+ QFP
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Hersteller: AEG
05+
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FGL60N100BNTD
Hersteller: FAIR
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Gehäuse: TO-264
Vces: 1000
Vce: 2,5
Ic 25: 60
Ic 100: 42
Pd 25: 180
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 140/630
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