Suchergebnisse für "7n65" : > 60

Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AOTF7N65 AOTF7N65
Produktcode: 153855
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
A&O aot7n65-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 В
Drain-Strom Idd, A: 7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,56 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 887/19
Montage: THT
auf Bestellung: 7 St.
  • 7 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.57 EUR
10+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
7N65 7N65 GOODWORK 1779530032317604.pdf Description: 650V 7A 1.18@10V TO-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
7N65F 7N65F UMW 6ec2eeb8f22b3e73706ad8a0193e8f0b.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Tube
auf Bestellung 1964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.7 EUR
13+1.71 EUR
50+1.27 EUR
100+1.13 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
7N65F 7N65F GOODWORK 1779529700653077.pdf Description: 650V 7A 1.3@10V ITO-220AB-3
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
7N65F 7N65F EVVO 5272_7N65F.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
10+2.8 EUR
50+2.12 EUR
100+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
7N65L 7N65L UMW 6ec2eeb8f22b3e73706ad8a0193e8f0b.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
auf Bestellung 2496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.18 EUR
16+1.36 EUR
50+1 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD7N65 AOD7N65 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD7N65.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD7N65 AOD7N65 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD7N65.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
auf Bestellung 5299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.42 EUR
10+2.17 EUR
50+1.63 EUR
100+1.45 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT7N65 AOT7N65 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.5A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+1.3 EUR
74+1.15 EUR
84+1.02 EUR
100+0.93 EUR
250+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT7N65 AOT7N65 ALPHA&OMEGA info-taot7n65.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 192W; -55°C ~ 150°C; AOT7N65 TAOT7n65
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF7N65 AOTF7N65 ALPHA&OMEGA info-taotf7n65.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; AOTF7N65 TAOTF7n65
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N65CF BXP7N65CF BRIDGELUX BXP7N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Kind of package: tube
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+0.99 EUR
101+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N65D BXP7N65D BRIDGELUX BXP7N65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+1.19 EUR
103+0.83 EUR
128+0.67 EUR
152+0.56 EUR
250+0.5 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N65P BXP7N65P BRIDGELUX BXP7N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Kind of package: tube
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.33 EUR
95+0.9 EUR
106+0.81 EUR
126+0.68 EUR
250+0.61 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI5A7N65D1K-AQ DI5A7N65D1K-AQ Diotec Semiconductor di5a7n65d1k.pdf MOSFETs MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C, N, AEC-Q101
auf Bestellung 2373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.88 EUR
10+2.4 EUR
100+2.15 EUR
500+1.74 EUR
2500+1.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI5A7N65D1K-AQ DI5A7N65D1K-AQ Diotec Semiconductor di5a7n65d1k.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 5.7A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.86 EUR
10+3.13 EUR
50+2.38 EUR
100+2.14 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7N65SCT DMG7N65SCT Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 501V-650V
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+2.24 EUR
100+1.48 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.06 EUR
2500+0.98 EUR
5000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7N65SCTI DMG7N65SCTI Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 501V-650V
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.39 EUR
10+2.14 EUR
100+1.43 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.02 EUR
2500+0.94 EUR
5000+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH067N65S3-F155 FCH067N65S3-F155 onsemi FCH067N65S3-D.PDF MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.05 EUR
10+7.47 EUR
120+7.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH077N65F-F085 FCH077N65F-F085 Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0000209824-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+14.22 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH077N65F-F085 FCH077N65F-F085 onsemi FCH077N65F_F085-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.36 EUR
30+12.86 EUR
60+11.85 EUR
120+11.01 EUR
510+10.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH077N65F-F085 FCH077N65F-F085 onsemi FCH077N65F_F085-D.PDF FAIR-S-A0000209824-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.47 EUR
10+12.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH077N65F-F155 FCH077N65F-F155 onsemi FCH077N65F-D.PDF MOSFETs SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
auf Bestellung 1282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20 EUR
10+13.97 EUR
120+12.1 EUR
1020+11.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH077N65F-F155 FCH077N65F-F155 onsemi FCH077N65F-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7109 pF @ 100 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.9 EUR
30+11.91 EUR
60+10.96 EUR
120+10.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP067N65S3 FCP067N65S3 onsemi FCP067N65S3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO220
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.91 EUR
10+10.19 EUR
50+8.15 EUR
100+7.51 EUR
500+6.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP067N65S3 FCP067N65S3 onsemi FCP067N65S3-D.PDF MOSFETs 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
auf Bestellung 1366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.45 EUR
10+8.19 EUR
100+8.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF067N65S3 FCPF067N65S3 onsemi FCPF067N65S3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.02 EUR
10+10.25 EUR
50+8.21 EUR
100+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF067N65S3 FCPF067N65S3 onsemi FCPF067N65S3-D.PDF MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
auf Bestellung 4437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.08 EUR
10+8.25 EUR
100+7.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP7N65C FQP7N65C Fairchild Semiconductor FAIRS34459-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
auf Bestellung 25372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
252+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MDD7N65D MDD7N65D MDD MDD7N65D0000SD.pdf Description: MOSFET N 650V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
auf Bestellung 73876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MOT7N65AC MOT7N65AC Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_105.html Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
13+1.63 EUR
100+0.98 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.58 EUR
4200+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MOT7N65AD MOT7N65AD Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.95 EUR
13+1.63 EUR
100+0.98 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.58 EUR
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MOT7N65AF MOT7N65AF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To220F
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
11+1.9 EUR
100+1.14 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MOT7N65F MOT7N65F MOT T7N65F_MOT_MOT-MOS_0002.pdf TRANSISTOR Equivalent: MAGNACHIP MDF7N65BTH; MOT7N65F TO-220F T7N65F MOT
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH027N65S3F-F155 NTH027N65S3F-F155 onsemi nth027n65s3f-d.pdf MOSFETs SF3 FRFET 650V 27MOHM
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.5 EUR
10+34.61 EUR
120+32.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L027N65S3F NTH4L027N65S3F onsemi nth4l027n65s3f-d.pdf MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4 mOhm
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.74 EUR
10+32.13 EUR
120+30.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L027N65S3F NTH4L027N65S3F onsemi nth4l027n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.53 EUR
10+33 EUR
50+28.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L067N65S3H NTH4L067N65S3H onsemi nth4l067n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.91 EUR
10+15.85 EUR
120+13.2 EUR
510+11.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN067N65S3H NTH4LN067N65S3H onsemi nth4ln067n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.54 EUR
10+10.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN067N65S3H NTH4LN067N65S3H onsemi nth4ln067n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.46 EUR
30+10.97 EUR
60+10.08 EUR
120+9.33 EUR
510+8.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL027N65S3HF NTHL027N65S3HF onsemi nthl027n65s3hf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 400 V
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.79 EUR
30+25.99 EUR
60+24.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL027N65S3HF NTHL027N65S3HF onsemi nthl027n65s3hf-d.pdf MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4mOhm
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.98 EUR
10+28.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL067N65S3H NTHL067N65S3H onsemi nthl067n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-3
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.58 EUR
10+10.75 EUR
120+10.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL067N65S3H NTHL067N65S3H onsemi nthl067n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.54 EUR
30+11.63 EUR
60+10.67 EUR
120+9.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP067N65S3H NTP067N65S3H ONSEMI ntp067n65s3h-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 112A; 266W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 266W
Kind of package: tube
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+10.79 EUR
10+9.06 EUR
12+7.32 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP067N65S3H NTP067N65S3H onsemi ntp067n65s3h-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-220
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.87 EUR
10+8.73 EUR
100+8.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP067N65S3H NTP067N65S3H onsemi ntp067n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.79 EUR
10+10.82 EUR
50+8.68 EUR
100+8 EUR
500+7.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L027N65S3F NVH4L027N65S3F onsemi nvh4l027n65s3f-d.pdf Description: SF3 FRFET AUTO 27MOHM TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.95 EUR
30+24.04 EUR
60+22.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L027N65S3F NVH4L027N65S3F onsemi nvh4l027n65s3f-d.pdf MOSFETs SF3 FRFET AUTO 27MOHM TO-247-4L
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.14 EUR
10+26.51 EUR
120+26.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL027N65S3F NVHL027N65S3F onsemi nvhl027n65s3f-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 PKG
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.82 EUR
10+25.93 EUR
120+25.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL027N65S3F NVHL027N65S3F onsemi nvhl027n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.65 EUR
30+25.07 EUR
60+23.56 EUR
120+22.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N65E-GE3 SIHG47N65E-GE3 Vishay / Siliconix tf-sihg47n65e-ge3.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.74 EUR
10+12.13 EUR
100+10 EUR
500+8.9 EUR
1000+7.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N65E-GE3 SIHG47N65E-GE3 Vishay Siliconix tf-sihg47n65e-ge3.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5682 pF @ 100 V
auf Bestellung 1498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.43 EUR
10+12.61 EUR
50+10.13 EUR
100+9.33 EUR
500+7.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ7N65E-T1-GE3 SIHJ7N65E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihj7n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
auf Bestellung 2477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.33 EUR
10+3.17 EUR
100+2.87 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.31 EUR
3000+2.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ7N65E-T1-GE3 SIHJ7N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihj7n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7.9A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 598mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.28 EUR
10+4.09 EUR
50+3.15 EUR
100+2.84 EUR
500+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI07N65C3XKSA1 SPI07N65C3XKSA1 Infineon Technologies INFNS17080-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
auf Bestellung 23000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
229+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 229 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW47N65C3 SPW47N65C3 Infineon Technologies Infineon-SPW47N65C3-DS-v01_02-en.pdf MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.98 EUR
10+21.32 EUR
100+15.93 EUR
480+15.92 EUR
1200+14.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB57N65M5 STB57N65M5 STMicroelectronics en.DM00049152.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
auf Bestellung 4824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.07 EUR
10+14.57 EUR
50+11.79 EUR
100+11.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB57N65M5 STB57N65M5 STMicroelectronics en.DM00049152.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+9.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB57N65M5 STB57N65M5 STMicroelectronics en.DM00049152.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.17 EUR
10+11.85 EUR
100+11.47 EUR
1000+10.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF7N65
Produktcode: 153855
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
aot7n65-datasheet.pdf
AOTF7N65
Hersteller: A&O
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 В
Drain-Strom Idd, A: 7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,56 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 887/19
Montage: THT
auf Bestellung: 7 St.
  • 7 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.57 EUR
10+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
7N65 1779530032317604.pdf
7N65
Hersteller: GOODWORK
Description: 650V 7A 1.18@10V TO-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
7N65F 6ec2eeb8f22b3e73706ad8a0193e8f0b.pdf
7N65F
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Tube
auf Bestellung 1964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.7 EUR
13+1.71 EUR
50+1.27 EUR
100+1.13 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
7N65F 1779529700653077.pdf
7N65F
Hersteller: GOODWORK
Description: 650V 7A 1.3@10V ITO-220AB-3
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
7N65F 5272_7N65F.pdf
7N65F
Hersteller: EVVO
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.36 EUR
10+2.8 EUR
50+2.12 EUR
100+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
7N65L 6ec2eeb8f22b3e73706ad8a0193e8f0b.pdf
7N65L
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
auf Bestellung 2496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.18 EUR
16+1.36 EUR
50+1 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD7N65 AOD7N65.pdf
AOD7N65
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOD7N65 AOD7N65.pdf
AOD7N65
Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
auf Bestellung 5299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.42 EUR
10+2.17 EUR
50+1.63 EUR
100+1.45 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT7N65 TO220.pdf
AOT7N65
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.5A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+1.3 EUR
74+1.15 EUR
84+1.02 EUR
100+0.93 EUR
250+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOT7N65 info-taot7n65.pdf
AOT7N65
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 192W; -55°C ~ 150°C; AOT7N65 TAOT7n65
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF7N65 info-taotf7n65.pdf
AOTF7N65
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; AOTF7N65 TAOTF7n65
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N65CF BXP7N65.pdf
BXP7N65CF
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Kind of package: tube
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
87+0.99 EUR
101+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N65D BXP7N65.pdf
BXP7N65D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+1.19 EUR
103+0.83 EUR
128+0.67 EUR
152+0.56 EUR
250+0.5 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N65P BXP7N65.pdf
BXP7N65P
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Kind of package: tube
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
65+1.33 EUR
95+0.9 EUR
106+0.81 EUR
126+0.68 EUR
250+0.61 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI5A7N65D1K-AQ di5a7n65d1k.pdf
DI5A7N65D1K-AQ
Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C, N, AEC-Q101
auf Bestellung 2373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.88 EUR
10+2.4 EUR
100+2.15 EUR
500+1.74 EUR
2500+1.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI5A7N65D1K-AQ di5a7n65d1k.pdf
DI5A7N65D1K-AQ
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 5.7A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.86 EUR
10+3.13 EUR
50+2.38 EUR
100+2.14 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7N65SCT
DMG7N65SCT
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 501V-650V
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.5 EUR
10+2.24 EUR
100+1.48 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.06 EUR
2500+0.98 EUR
5000+0.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMG7N65SCTI
DMG7N65SCTI
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 501V-650V
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.39 EUR
10+2.14 EUR
100+1.43 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.02 EUR
2500+0.94 EUR
5000+0.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH067N65S3-F155 FCH067N65S3-D.PDF
FCH067N65S3-F155
Hersteller: onsemi
MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+14.05 EUR
10+7.47 EUR
120+7.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH077N65F-F085 FAIR-S-A0000209824-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCH077N65F-F085
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+14.22 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH077N65F-F085 FCH077N65F_F085-D.PDF
FCH077N65F-F085
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+21.36 EUR
30+12.86 EUR
60+11.85 EUR
120+11.01 EUR
510+10.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH077N65F-F085 FCH077N65F_F085-D.PDF FAIR-S-A0000209824-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCH077N65F-F085
Hersteller: onsemi
MOSFETs 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+21.47 EUR
10+12.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH077N65F-F155 FCH077N65F-D.PDF
FCH077N65F-F155
Hersteller: onsemi
MOSFETs SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
auf Bestellung 1282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+20 EUR
10+13.97 EUR
120+12.1 EUR
1020+11.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH077N65F-F155 FCH077N65F-D.PDF
FCH077N65F-F155
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7109 pF @ 100 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+19.9 EUR
30+11.91 EUR
60+10.96 EUR
120+10.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP067N65S3 FCP067N65S3-D.PDF
FCP067N65S3
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO220
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+14.91 EUR
10+10.19 EUR
50+8.15 EUR
100+7.51 EUR
500+6.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP067N65S3 FCP067N65S3-D.PDF
FCP067N65S3
Hersteller: onsemi
MOSFETs 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
auf Bestellung 1366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+14.45 EUR
10+8.19 EUR
100+8.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF067N65S3 FCPF067N65S3-D.PDF
FCPF067N65S3
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+15.02 EUR
10+10.25 EUR
50+8.21 EUR
100+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF067N65S3 FCPF067N65S3-D.PDF
FCPF067N65S3
Hersteller: onsemi
MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
auf Bestellung 4437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+15.08 EUR
10+8.25 EUR
100+7.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP7N65C FAIRS34459-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP7N65C
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
auf Bestellung 25372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
252+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MDD7N65D MDD7N65D0000SD.pdf
MDD7N65D
Hersteller: MDD
Description: MOSFET N 650V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
auf Bestellung 73876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MOT7N65AC index_105.html
MOT7N65AC
Hersteller: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+1.96 EUR
13+1.63 EUR
100+0.98 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.58 EUR
4200+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MOT7N65AD
MOT7N65AD
Hersteller: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+1.95 EUR
13+1.63 EUR
100+0.98 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.58 EUR
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MOT7N65AF
MOT7N65AF
Hersteller: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To220F
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.19 EUR
11+1.9 EUR
100+1.14 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MOT7N65F T7N65F_MOT_MOT-MOS_0002.pdf
MOT7N65F
Hersteller: MOT
TRANSISTOR Equivalent: MAGNACHIP MDF7N65BTH; MOT7N65F TO-220F T7N65F MOT
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH027N65S3F-F155 nth027n65s3f-d.pdf
NTH027N65S3F-F155
Hersteller: onsemi
MOSFETs SF3 FRFET 650V 27MOHM
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+47.5 EUR
10+34.61 EUR
120+32.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L027N65S3F nth4l027n65s3f-d.pdf
NTH4L027N65S3F
Hersteller: onsemi
MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4 mOhm
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+45.74 EUR
10+32.13 EUR
120+30.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L027N65S3F nth4l027n65s3f-d.pdf
NTH4L027N65S3F
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+45.53 EUR
10+33 EUR
50+28.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4L067N65S3H nth4l067n65s3h-d.pdf
NTH4L067N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+21.91 EUR
10+15.85 EUR
120+13.2 EUR
510+11.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN067N65S3H nth4ln067n65s3h-d.pdf
NTH4LN067N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+18.54 EUR
10+10.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTH4LN067N65S3H nth4ln067n65s3h-d.pdf
NTH4LN067N65S3H
Hersteller: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+18.46 EUR
30+10.97 EUR
60+10.08 EUR
120+9.33 EUR
510+8.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL027N65S3HF nthl027n65s3hf-d.pdf
NTHL027N65S3HF
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 400 V
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+40.79 EUR
30+25.99 EUR
60+24.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL027N65S3HF nthl027n65s3hf-d.pdf
NTHL027N65S3HF
Hersteller: onsemi
MOSFETs FRFET 650V 75A 27.4mOhm
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+40.98 EUR
10+28.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL067N65S3H nthl067n65s3h-d.pdf
NTHL067N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-3
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+18.58 EUR
10+10.75 EUR
120+10.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTHL067N65S3H nthl067n65s3h-d.pdf
NTHL067N65S3H
Hersteller: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
auf Bestellung 371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+19.54 EUR
30+11.63 EUR
60+10.67 EUR
120+9.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP067N65S3H ntp067n65s3h-d.pdf
NTP067N65S3H
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 112A; 266W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 266W
Kind of package: tube
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+10.79 EUR
10+9.06 EUR
12+7.32 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP067N65S3H ntp067n65s3h-d.pdf
NTP067N65S3H
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-220
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+15.87 EUR
10+8.73 EUR
100+8.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTP067N65S3H ntp067n65s3h-d.pdf
NTP067N65S3H
Hersteller: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+15.79 EUR
10+10.82 EUR
50+8.68 EUR
100+8 EUR
500+7.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L027N65S3F nvh4l027n65s3f-d.pdf
NVH4L027N65S3F
Hersteller: onsemi
Description: SF3 FRFET AUTO 27MOHM TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+37.95 EUR
30+24.04 EUR
60+22.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVH4L027N65S3F nvh4l027n65s3f-d.pdf
NVH4L027N65S3F
Hersteller: onsemi
MOSFETs SF3 FRFET AUTO 27MOHM TO-247-4L
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+38.14 EUR
10+26.51 EUR
120+26.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL027N65S3F nvhl027n65s3f-d.pdf
NVHL027N65S3F
Hersteller: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO247 PKG
auf Bestellung 449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+39.82 EUR
10+25.93 EUR
120+25.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NVHL027N65S3F nvhl027n65s3f-d.pdf
NVHL027N65S3F
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7780 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+39.65 EUR
30+25.07 EUR
60+23.56 EUR
120+22.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N65E-GE3 tf-sihg47n65e-ge3.pdf
SIHG47N65E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+17.74 EUR
10+12.13 EUR
100+10 EUR
500+8.9 EUR
1000+7.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N65E-GE3 tf-sihg47n65e-ge3.pdf
SIHG47N65E-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5682 pF @ 100 V
auf Bestellung 1498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+18.43 EUR
10+12.61 EUR
50+10.13 EUR
100+9.33 EUR
500+7.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ7N65E-T1-GE3 sihj7n65e.pdf
SIHJ7N65E-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
auf Bestellung 2477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.33 EUR
10+3.17 EUR
100+2.87 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.31 EUR
3000+2.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHJ7N65E-T1-GE3 sihj7n65e.pdf
SIHJ7N65E-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 7.9A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 598mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.28 EUR
10+4.09 EUR
50+3.15 EUR
100+2.84 EUR
500+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPI07N65C3XKSA1 INFNS17080-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPI07N65C3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
auf Bestellung 23000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
229+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 229 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW47N65C3 Infineon-SPW47N65C3-DS-v01_02-en.pdf
SPW47N65C3
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+27.98 EUR
10+21.32 EUR
100+15.93 EUR
480+15.92 EUR
1200+14.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB57N65M5 en.DM00049152.pdf
STB57N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
auf Bestellung 4824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+21.07 EUR
10+14.57 EUR
50+11.79 EUR
100+11.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB57N65M5 en.DM00049152.pdf
STB57N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+9.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STB57N65M5 en.DM00049152.pdf
STB57N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+21.17 EUR
10+11.85 EUR
100+11.47 EUR
1000+10.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]