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BC857BE6327HTSA1 BC857BE6327HTSA1 Infineon Technologies bc857series.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BE6327HTSA1 BC857BE6327HTSA1 Infineon Technologies bc857series.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BE6327HTSA1 BC857BE6327HTSA1 Infineon Technologies bc857series.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2584+0.06 EUR
2711+0.05 EUR
2850+0.05 EUR
3004+0.04 EUR
3175+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
15000+0.03 EUR
30000+0.03 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BE6327HTSA1 BC857BE6327HTSA1 Infineon Technologies bc857series.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
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3379+0.04 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BE6327HTSA1 BC857BE6327HTSA1 Infineon Technologies bc857series.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BE6327HTSA1 BC857BE6327HTSA1 Infineon Technologies bc857series.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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1226+0.12 EUR
2451+0.06 EUR
2476+0.06 EUR
2584+0.05 EUR
2711+0.05 EUR
2850+0.04 EUR
3004+0.04 EUR
3175+0.04 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1226
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BFA-7B BC857BFA-7B Diodes Incorporated BC857BFA.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN0806-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 340MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 435 mW
auf Bestellung 930000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.16 EUR
20000+0.15 EUR
30000+0.14 EUR
70000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BFA-7B BC857BFA-7B Diodes Incorporated BC857BFA.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN0806-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 340MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 435 mW
auf Bestellung 938739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.86 EUR
34+0.53 EUR
100+0.34 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.20 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BFA-7B BC857BFA-7B DIODES INC. DIOD-S-A0013066265-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC857BFA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 435mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 340MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BFA-7B BC857BFA-7B DIODES INC. DIOD-S-A0013066265-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC857BFA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 435mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 340MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BFZ-7B BC857BFZ-7B DIODES INC. DIOD-S-A0001070042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC857BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 19400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BFZ-7B BC857BFZ-7B DIODES INC. DIOD-S-A0001070042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC857BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 19400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BFZ-7B BC857BFZ-7B Diodes Zetex 39838788456379624bc857bfz.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BHE3-TP BC857BHE3-TP MCC (Micro Commercial Components) BC857HE3(SOT-23).pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 310 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.30 EUR
97+0.18 EUR
156+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BHZGT116 BC857BHZGT116 Rohm Semiconductor bc857bhzg-e.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BHZGT116 BC857BHZGT116 Rohm Semiconductor bc857bhzg-e.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.28 EUR
107+0.17 EUR
173+0.10 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BHZGT116 BC857BHZGT116 ROHM bc857bhzg-e.pdf Description: ROHM - BC857BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BHZGT116 BC857BHZGT116 Rohm Semiconductor bc857bhzg-e.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BHZGT116 BC857BHZGT116 ROHM bc857bhzg-e.pdf Description: ROHM - BC857BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BHZGT116 BC857BHZGT116 Rohm Semiconductor bc857bhzg-e.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BHZGT116 BC857BHZGT116 Rohm Semiconductor bc857bhzg-e.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BHZGT116 BC857BHZGT116 Rohm Semiconductor bc857bhzg-e.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1866+0.08 EUR
2500+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1866
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BHZGT116 BC857BHZGT116 Rohm Semiconductor bc857bhzg-e.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2284+0.07 EUR
2500+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2284
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BL3-TP BC857BL3-TP Micro Commercial Components bc856al3-bc858cl3dfn1006-3.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BL3E6327XTMA1 BC857BL3E6327XTMA1 Infineon Technologies bc857series.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin TSLP T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 30000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP-7 BC857BLP-7 Diodes Incorporated ds30526.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 1118752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.56 EUR
51+0.35 EUR
100+0.22 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP-7 BC857BLP-7 Diodes Incorporated ds30526.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 1116000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.10 EUR
15000+0.10 EUR
21000+0.09 EUR
30000+0.09 EUR
75000+0.08 EUR
150000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP-7 BC857BLP-7 DIODES INC. DIOD-S-A0001056294-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC857BLP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP-7 BC857BLP-7 DIODES INC. DIOD-S-A0001056294-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC857BLP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP-7B BC857BLP-7B Diodes Incorporated ds30526.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 720000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.09 EUR
20000+0.08 EUR
30000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP-7B BC857BLP-7B Diodes Incorporated ds30526.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 734362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.56 EUR
51+0.35 EUR
100+0.22 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP-7B BC857BLP-7B Diodes Zetex bc857blp.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin X1-DFN T/R
auf Bestellung 240000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP-7B BC857BLP-7B DIODES INC. DIOD-S-A0001056294-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC857BLP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP-7B BC857BLP-7B DIODES INC. DIOD-S-A0001056294-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC857BLP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP4-7 BC857BLP4-7 Diodes Incorporated ds31361.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.16 EUR
15000+0.15 EUR
21000+0.14 EUR
75000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP4-7 BC857BLP4-7 Diodes Incorporated ds31361.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 134170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.83 EUR
35+0.51 EUR
100+0.33 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP4-7 BC857BLP4-7 DIODES INC. DIOD-S-A0001056477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC857BLP4-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP4-7 Diodes Zetex bc857blp4.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 1000mW 3-Pin DFN-H4 T/R
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP4-7 Diodes Zetex bc857blp4.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 1000mW 3-Pin DFN-H4 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.16 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP4-7 BC857BLP4-7 DIODES INC. DIOD-S-A0001056477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC857BLP4-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP4-7 Diodes Zetex bc857blp4.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 1000mW 3-Pin DFN-H4 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.16 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP4-7B BC857BLP4-7B Diodes Incorporated ds31361.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.20 EUR
20000+0.19 EUR
30000+0.18 EUR
50000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP4-7B BC857BLP4-7B Diodes Incorporated ds31361.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 109700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.02 EUR
28+0.63 EUR
100+0.40 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.25 EUR
5000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP4-7B Diodes Zetex bc857blp4.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-H4 T/R
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP4-7B Diodes Zetex bc857blp4.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-H4 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP4-7B Diodes Zetex bc857blp4.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-H4 T/R
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLT1G BC857BLT1G ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 10300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
551+0.13 EUR
834+0.09 EUR
1000+0.07 EUR
1330+0.05 EUR
1645+0.04 EUR
2017+0.04 EUR
3087+0.02 EUR
3624+0.02 EUR
3847+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 551
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLT1G BC857BLT1G ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
551+0.13 EUR
834+0.09 EUR
1000+0.07 EUR
1330+0.05 EUR
1645+0.04 EUR
2017+0.04 EUR
3087+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 551
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLT1G BC857BLT1G onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 61090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
91+0.19 EUR
154+0.11 EUR
250+0.07 EUR
500+0.05 EUR
1000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLT1G BC857BLT1G onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.04 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLT1G BC857BLT1G ONSEMI ONSM-S-A0011040462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC857BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 22890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLT1G BC857BLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 627000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6370+0.02 EUR
8621+0.02 EUR
9524+0.01 EUR
21000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6370
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLT1G BC857BLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9837+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 9837
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLT1G BC857BLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3006000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5348+0.03 EUR
7300+0.02 EUR
9000+0.02 EUR
15000+0.02 EUR
21000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5348
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLT1G BC857BLT1G ONSEMI ONSM-S-A0011040462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC857BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 22890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLT1G BC857BLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 144000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6623+0.02 EUR
9000+0.02 EUR
27000+0.02 EUR
51000+0.02 EUR
102000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6623
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLT1G BC857BLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLT1G BC857BLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9837+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 9837
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLT1G BC857BLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 627000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6370+0.02 EUR
8621+0.02 EUR
9524+0.01 EUR
21000+0.01 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLT1G BC857BLT1G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2127634 Stücke:
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9837+0.06 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BE6327HTSA1 bc857series.pdf
BC857BE6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3862+0.04 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BE6327HTSA1 bc857series.pdf
BC857BE6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 297000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8696+0.06 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BE6327HTSA1 bc857series.pdf
BC857BE6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 38318 Stücke:
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Anzahl Preis
2584+0.06 EUR
2711+0.05 EUR
2850+0.05 EUR
3004+0.04 EUR
3175+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
15000+0.03 EUR
30000+0.03 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BE6327HTSA1 bc857series.pdf
BC857BE6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3379+0.04 EUR
45000+0.04 EUR
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BC857BE6327HTSA1 bc857series.pdf
BC857BE6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.06 EUR
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BC857BE6327HTSA1 bc857series.pdf
BC857BE6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 38318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1226+0.12 EUR
2451+0.06 EUR
2476+0.06 EUR
2584+0.05 EUR
2711+0.05 EUR
2850+0.04 EUR
3004+0.04 EUR
3175+0.04 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1226
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BFA-7B BC857BFA.pdf
BC857BFA-7B
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN0806-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 340MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 435 mW
auf Bestellung 930000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.16 EUR
20000+0.15 EUR
30000+0.14 EUR
70000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BFA-7B BC857BFA.pdf
BC857BFA-7B
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN0806-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 340MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 435 mW
auf Bestellung 938739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+0.86 EUR
34+0.53 EUR
100+0.34 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.20 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BFA-7B DIOD-S-A0013066265-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC857BFA-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC857BFA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 435mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 340MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BFA-7B DIOD-S-A0013066265-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC857BFA-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC857BFA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 435mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 340MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BFZ-7B DIOD-S-A0001070042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC857BFZ-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC857BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 19400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BFZ-7B DIOD-S-A0001070042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC857BFZ-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC857BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 19400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BFZ-7B 39838788456379624bc857bfz.pdf
BC857BFZ-7B
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BHE3-TP BC857HE3(SOT-23).pdf
BC857BHE3-TP
Hersteller: MCC (Micro Commercial Components)
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 310 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+0.30 EUR
97+0.18 EUR
156+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BHZGT116 bc857bhzg-e.pdf
BC857BHZGT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BHZGT116 bc857bhzg-e.pdf
BC857BHZGT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+0.28 EUR
107+0.17 EUR
173+0.10 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BHZGT116 bc857bhzg-e.pdf
BC857BHZGT116
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BC857BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BHZGT116 bc857bhzg-e.pdf
BC857BHZGT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BHZGT116 bc857bhzg-e.pdf
BC857BHZGT116
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BC857BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BHZGT116 bc857bhzg-e.pdf
BC857BHZGT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BHZGT116 bc857bhzg-e.pdf
BC857BHZGT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BHZGT116 bc857bhzg-e.pdf
BC857BHZGT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1866+0.08 EUR
2500+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1866
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BHZGT116 bc857bhzg-e.pdf
BC857BHZGT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2284+0.07 EUR
2500+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2284
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BL3-TP bc856al3-bc858cl3dfn1006-3.pdf
BC857BL3-TP
Hersteller: Micro Commercial Components
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BL3E6327XTMA1 bc857series.pdf
BC857BL3E6327XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin TSLP T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 30000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP-7 ds30526.pdf
BC857BLP-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 45V 0.1A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 1118752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+0.56 EUR
51+0.35 EUR
100+0.22 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP-7 ds30526.pdf
BC857BLP-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 45V 0.1A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 1116000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.10 EUR
15000+0.10 EUR
21000+0.09 EUR
30000+0.09 EUR
75000+0.08 EUR
150000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP-7 DIOD-S-A0001056294-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC857BLP-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC857BLP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP-7 DIOD-S-A0001056294-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC857BLP-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC857BLP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP-7B ds30526.pdf
BC857BLP-7B
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 45V 0.1A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 720000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.09 EUR
20000+0.08 EUR
30000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP-7B ds30526.pdf
BC857BLP-7B
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 45V 0.1A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 734362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+0.56 EUR
51+0.35 EUR
100+0.22 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP-7B bc857blp.pdf
BC857BLP-7B
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin X1-DFN T/R
auf Bestellung 240000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP-7B DIOD-S-A0001056294-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC857BLP-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC857BLP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP-7B DIOD-S-A0001056294-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC857BLP-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC857BLP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP4-7 ds31361.pdf
BC857BLP4-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.16 EUR
15000+0.15 EUR
21000+0.14 EUR
75000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP4-7 ds31361.pdf
BC857BLP4-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 134170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+0.83 EUR
35+0.51 EUR
100+0.33 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP4-7 DIOD-S-A0001056477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC857BLP4-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC857BLP4-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP4-7 bc857blp4.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 1000mW 3-Pin DFN-H4 T/R
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP4-7 bc857blp4.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 1000mW 3-Pin DFN-H4 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.16 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP4-7 DIOD-S-A0001056477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC857BLP4-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC857BLP4-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC857 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP4-7 bc857blp4.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 1000mW 3-Pin DFN-H4 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.16 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP4-7B ds31361.pdf
BC857BLP4-7B
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.20 EUR
20000+0.19 EUR
30000+0.18 EUR
50000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP4-7B ds31361.pdf
BC857BLP4-7B
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
auf Bestellung 109700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+1.02 EUR
28+0.63 EUR
100+0.40 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.25 EUR
5000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP4-7B bc857blp4.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-H4 T/R
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP4-7B bc857blp4.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-H4 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLP4-7B bc857blp4.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-H4 T/R
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLT1G BC856_7_8.PDF
BC857BLT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 10300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
551+0.13 EUR
834+0.09 EUR
1000+0.07 EUR
1330+0.05 EUR
1645+0.04 EUR
2017+0.04 EUR
3087+0.02 EUR
3624+0.02 EUR
3847+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 551
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLT1G BC856_7_8.PDF
BC857BLT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
551+0.13 EUR
834+0.09 EUR
1000+0.07 EUR
1330+0.05 EUR
1645+0.04 EUR
2017+0.04 EUR
3087+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 551
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLT1G bc856alt1-d.pdf
BC857BLT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 61090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.19 EUR
154+0.11 EUR
250+0.07 EUR
500+0.05 EUR
1000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLT1G bc856alt1-d.pdf
BC857BLT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.04 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLT1G ONSM-S-A0011040462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC857BLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 22890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLT1G bc856alt1-d.pdf
BC857BLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 627000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6370+0.02 EUR
8621+0.02 EUR
9524+0.01 EUR
21000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6370
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLT1G bc856alt1-d.pdf
BC857BLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9837+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 9837
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLT1G bc856alt1-d.pdf
BC857BLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3006000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5348+0.03 EUR
7300+0.02 EUR
9000+0.02 EUR
15000+0.02 EUR
21000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5348
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BC857BLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC857BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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