Suchergebnisse für "BF998" : 37
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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BF998E Produktcode: 1310
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Lieblingsprodukt
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Philips |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SOT-143 Drain-Source-Spannung Uds, V: -12 V Drain-Strom Idd, A: 0,03 A Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2.1/ - Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET) Montage: SMD |
verfügbar: 50 St.
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BF998R Produktcode: 61169
2
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Lieblingsprodukt
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NXP |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-143R Drain-Source-Spannung Uds, V: -12 V Drain-Strom Idd, A: 0,03 A Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET) Montage: SMD |
verfügbar: 86 St.
erwartet: 20 St.
auf Bestellung: 188 St.
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BF998 | Infineon |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 12V; 20V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BF998E6327HTSA1; BF998E6327; BF998E6327XT; BF998,215; BF998 E6327; BF998 smd TBF998 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BF998 | Infineon |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 12V; 20V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BF998E6327HTSA1; BF998E6327; BF998E6327XT; BF998,215; BF998 E6327; BF998 smd TBF998 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BF998E6327 | INFINEON |
N-Channel MOSFET, Dual Gate, 12V 30mA 200mW, SOT143B |
auf Bestellung 702 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BF998 E6327 | INFINEON | SOT143-MO |
auf Bestellung 1525 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BF998 E6327 SOT143-MO | INFINEON |
auf Bestellung 1525 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BF998A(MO)-GS18 |
auf Bestellung 603 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BF998B | N/A | 09+ |
auf Bestellung 3018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BF998E6327SOT143-MO | INFINEON |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BF998R | NXP | 10+ SOT-143 |
auf Bestellung 511000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BF998R E6327 | INFINEON | 09+ |
auf Bestellung 26308 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BF998R,215 |
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auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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| BF998RSOT143-MO | PHILIPS |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BF998WE-6327/MR | SIEMENS |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BF998 Produktcode: 66879
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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BF998.215 Produktcode: 485
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > HF-Transistoren |
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BF998E6327 Produktcode: 209600
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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BF998E6327 Produktcode: 184624
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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BF998E6327HTSA1 Produktcode: 186408
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BF998TRA Produktcode: 2010
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Lieblingsprodukt
|
Philips |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-143R Drain-Source-Spannung Uds, V: -40 V Drain-Strom Idd, A: 0,03 A Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET) Montage: SMD |
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BF998,215 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET 8V SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 200MHz Configuration: N-Channel Dual Gate Technology: MOSFET (Metal Oxide) Noise Figure: 0.6dB Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 12 V Voltage - Test: 8 V Current - Test: 10 mA |
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BF998,235 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET 8V SOT143B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 200MHz Configuration: N-Channel Dual Gate Technology: MOSFET (Metal Oxide) Noise Figure: 0.6dB Supplier Device Package: SOT-143B Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 12 V Voltage - Test: 8 V Current - Test: 10 mA |
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BF998E6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF MOSFET 8V SOT143 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 45MHz Configuration: N-Channel Gain: 28dB Technology: MOSFET (Metal Oxide) Noise Figure: 2.8dB Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 12 V Voltage - Test: 8 V Current - Test: 10 mA |
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BF998R,215 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET 8V SOT143R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-143R Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 200MHz Configuration: N-Channel Dual Gate Technology: MOSFET (Metal Oxide) Noise Figure: 0.6dB Supplier Device Package: SOT-143R Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 12 V Voltage - Test: 8 V Current - Test: 10 mA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BF998R,235 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET 8V SOT143R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-143R Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 200MHz Configuration: N-Channel Dual Gate Technology: MOSFET (Metal Oxide) Noise Figure: 0.6dB Supplier Device Package: SOT-143R Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 12 V Voltage - Test: 8 V Current - Test: 10 mA |
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BF998RE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF MOSFET 8V SOT143R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-143R Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 45MHz Configuration: N-Channel Gain: 28dB Technology: MOSFET (Metal Oxide) Noise Figure: 2.8dB Supplier Device Package: PG-SOT-143R-3D Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 12 V Voltage - Test: 8 V Current - Test: 10 mA |
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BF998WR,115 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET 8V CMPAK-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 200MHz Configuration: N-Channel Dual Gate Technology: MOSFET (Metal Oxide) Noise Figure: 0.6dB Supplier Device Package: CMPAK-4 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 12 V Voltage - Test: 8 V Current - Test: 10 mA |
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| BF998 | NXP |
BF998,215 MOSFET NCH DUAL GATE 12V SOT143B Транзистори |
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| BF998E6327 | Infineon |
Транзистори |
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BF998E6327HTSA1 | Infineon |
BF998E6327HTSA1 BF998E6327 MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143 Транзистори |
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| BF998R,215 | NXP |
MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143R Транзистори |
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| BF998R,245 | NXP | SOT-143R Транзистори |
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| BF998WR,115 | NXP |
RF Mosfet 8 V 10 mA 200MHz CMPAK-4 Транзистори |
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Транзистор польовий BF998,115 NXP | NXP | Транз. Пол. МП N-MOSFET SOT143 Udss=12V; Id=0,03A; Pdmax=0,2W; Yfsmin=24mS; двозатворний Idss=(2…18)mA BF998,115.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий BF998E6327 Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП N-MOSFET SOT143 Udss=12V; Id=0,03A; Pdmax=0,2W; Yfsmin=24mS; двозатворний Idss=(2…18)mA BF998E6327.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий BF998WR Infineon | Infineon | Транз. Пол. МП N-MOSFET SOT343R Udss=12V; Id=0,03A; Pdmax=0,3W; Yfsmin=24mS; двозатворний Idss=(2…18)mA Транзистори польові |
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| BF998E Produktcode: 1310
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Lieblingsprodukt
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|
Hersteller: Philips
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-143
Drain-Source-Spannung Uds, V: -12 V
Drain-Strom Idd, A: 0,03 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2.1/ -
Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET)
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-143
Drain-Source-Spannung Uds, V: -12 V
Drain-Strom Idd, A: 0,03 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2.1/ -
Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET)
Montage: SMD
verfügbar: 50 St.
- 50 St. - stock Köln
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.24 EUR |
| 10+ | 0.21 EUR |
| 100+ | 0.19 EUR |
| 1000+ | 0.17 EUR |
| BF998R Produktcode: 61169
2
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: NXP
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-143R
Drain-Source-Spannung Uds, V: -12 V
Drain-Strom Idd, A: 0,03 A
Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET)
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-143R
Drain-Source-Spannung Uds, V: -12 V
Drain-Strom Idd, A: 0,03 A
Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET)
Montage: SMD
verfügbar: 86 St.
- 86 St. - stock Köln
erwartet: 20 St.
- 20 St. - erwartet
auf Bestellung: 188 St.
- 188 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 0.79 EUR |
| 10+ | 0.7 EUR |
| 100+ | 0.63 EUR |
| 1000+ | 0.57 EUR |
| BF998 |
|
Hersteller: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 12V; 20V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BF998E6327HTSA1; BF998E6327; BF998E6327XT; BF998,215; BF998 E6327; BF998 smd TBF998
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; 12V; 20V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BF998E6327HTSA1; BF998E6327; BF998E6327XT; BF998,215; BF998 E6327; BF998 smd TBF998
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 0.83 EUR |
| BF998 |
|
Hersteller: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 12V; 20V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BF998E6327HTSA1; BF998E6327; BF998E6327XT; BF998,215; BF998 E6327; BF998 smd TBF998
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; 12V; 20V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BF998E6327HTSA1; BF998E6327; BF998E6327XT; BF998,215; BF998 E6327; BF998 smd TBF998
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 0.83 EUR |
| BF998E6327 |
|
Hersteller: INFINEON
N-Channel MOSFET, Dual Gate, 12V 30mA 200mW, SOT143B
N-Channel MOSFET, Dual Gate, 12V 30mA 200mW, SOT143B
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 0.63 EUR |
| BF998 E6327 |
Hersteller: INFINEON
SOT143-MO
SOT143-MO
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| BF998 E6327 SOT143-MO |
Hersteller: INFINEON
auf Bestellung 1525 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| BF998A(MO)-GS18 |
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| BF998B |
Hersteller: N/A
09+
09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| BF998E6327SOT143-MO |
Hersteller: INFINEON
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| BF998R |
Hersteller: NXP
10+ SOT-143
10+ SOT-143
auf Bestellung 511000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| BF998R E6327 |
Hersteller: INFINEON
09+
09+
auf Bestellung 26308 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| BF998R,215 |
|
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
| BF998RSOT143-MO |
Hersteller: PHILIPS
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| BF998WE-6327/MR |
Hersteller: SIEMENS
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| BF998 Produktcode: 66879
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|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BF998.215 Produktcode: 485
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Lieblingsprodukt
|
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 0.5 EUR |
| BF998E6327 Produktcode: 209600
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Lieblingsprodukt
|
|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BF998E6327 Produktcode: 184624
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Lieblingsprodukt
|
|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BF998E6327HTSA1 Produktcode: 186408
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Lieblingsprodukt
|
|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BF998TRA Produktcode: 2010
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: Philips
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-143R
Drain-Source-Spannung Uds, V: -40 V
Drain-Strom Idd, A: 0,03 A
Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET)
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-143R
Drain-Source-Spannung Uds, V: -40 V
Drain-Strom Idd, A: 0,03 A
Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET)
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.35 EUR |
| 10+ | 0.25 EUR |
| BF998,215 |
|
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET 8V SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 200MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 0.6dB
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 12 V
Voltage - Test: 8 V
Current - Test: 10 mA
Description: RF MOSFET 8V SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 200MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 0.6dB
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 12 V
Voltage - Test: 8 V
Current - Test: 10 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BF998,235 |
|
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET 8V SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 200MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 0.6dB
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 12 V
Voltage - Test: 8 V
Current - Test: 10 mA
Description: RF MOSFET 8V SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 200MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 0.6dB
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 12 V
Voltage - Test: 8 V
Current - Test: 10 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BF998E6327HTSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF MOSFET 8V SOT143
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 45MHz
Configuration: N-Channel
Gain: 28dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.8dB
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Last Time Buy
Voltage - Rated: 12 V
Voltage - Test: 8 V
Current - Test: 10 mA
Description: RF MOSFET 8V SOT143
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 45MHz
Configuration: N-Channel
Gain: 28dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.8dB
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Last Time Buy
Voltage - Rated: 12 V
Voltage - Test: 8 V
Current - Test: 10 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BF998R,215 |
|
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET 8V SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 200MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 0.6dB
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 12 V
Voltage - Test: 8 V
Current - Test: 10 mA
Description: RF MOSFET 8V SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 200MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 0.6dB
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 12 V
Voltage - Test: 8 V
Current - Test: 10 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BF998R,235 |
|
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET 8V SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 200MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 0.6dB
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 12 V
Voltage - Test: 8 V
Current - Test: 10 mA
Description: RF MOSFET 8V SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 200MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 0.6dB
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 12 V
Voltage - Test: 8 V
Current - Test: 10 mA
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Stück im Wert von UAH
| BF998RE6327HTSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF MOSFET 8V SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 45MHz
Configuration: N-Channel
Gain: 28dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.8dB
Supplier Device Package: PG-SOT-143R-3D
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 12 V
Voltage - Test: 8 V
Current - Test: 10 mA
Description: RF MOSFET 8V SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 45MHz
Configuration: N-Channel
Gain: 28dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.8dB
Supplier Device Package: PG-SOT-143R-3D
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 12 V
Voltage - Test: 8 V
Current - Test: 10 mA
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Stück im Wert von UAH
| BF998WR,115 |
|
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET 8V CMPAK-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 200MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 0.6dB
Supplier Device Package: CMPAK-4
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 12 V
Voltage - Test: 8 V
Current - Test: 10 mA
Description: RF MOSFET 8V CMPAK-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 200MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 0.6dB
Supplier Device Package: CMPAK-4
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 12 V
Voltage - Test: 8 V
Current - Test: 10 mA
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Stück im Wert von UAH
| BF998 |
|
Hersteller: NXP
BF998,215 MOSFET NCH DUAL GATE 12V SOT143B Транзистори
BF998,215 MOSFET NCH DUAL GATE 12V SOT143B Транзистори
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Stück im Wert von UAH
| BF998E6327 |
|
Hersteller: Infineon
Транзистори
Транзистори
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Stück im Wert von UAH
| BF998E6327HTSA1 |
|
Hersteller: Infineon
BF998E6327HTSA1 BF998E6327 MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143 Транзистори
BF998E6327HTSA1 BF998E6327 MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143 Транзистори
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Stück im Wert von UAH
| BF998R,215 |
|
Hersteller: NXP
MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143R Транзистори
MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143R Транзистори
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Stück im Wert von UAH
| BF998R,245 |
Hersteller: NXP
SOT-143R Транзистори
SOT-143R Транзистори
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Stück im Wert von UAH
| BF998WR,115 |
|
Hersteller: NXP
RF Mosfet 8 V 10 mA 200MHz CMPAK-4 Транзистори
RF Mosfet 8 V 10 mA 200MHz CMPAK-4 Транзистори
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий BF998,115 NXP |
Hersteller: NXP
Транз. Пол. МП N-MOSFET SOT143 Udss=12V; Id=0,03A; Pdmax=0,2W; Yfsmin=24mS; двозатворний Idss=(2…18)mA BF998,115.pdf Транзистори польові
Транз. Пол. МП N-MOSFET SOT143 Udss=12V; Id=0,03A; Pdmax=0,2W; Yfsmin=24mS; двозатворний Idss=(2…18)mA BF998,115.pdf Транзистори польові
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий BF998E6327 Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП N-MOSFET SOT143 Udss=12V; Id=0,03A; Pdmax=0,2W; Yfsmin=24mS; двозатворний Idss=(2…18)mA BF998E6327.pdf Транзистори польові
Транз. Пол. МП N-MOSFET SOT143 Udss=12V; Id=0,03A; Pdmax=0,2W; Yfsmin=24mS; двозатворний Idss=(2…18)mA BF998E6327.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий BF998WR Infineon |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. МП N-MOSFET SOT343R Udss=12V; Id=0,03A; Pdmax=0,3W; Yfsmin=24mS; двозатворний Idss=(2…18)mA Транзистори польові
Транз. Пол. МП N-MOSFET SOT343R Udss=12V; Id=0,03A; Pdmax=0,3W; Yfsmin=24mS; двозатворний Idss=(2…18)mA Транзистори польові
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