Suchergebnisse für "BSP1" : > 60

Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSP171P H6327 BSP171P H6327
Produktcode: 122767
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Infineon infineon-bsp171p-ds-v02_07-en-522822.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 60 V
Id,A: 1,9 A
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 365/13
/: SMD
auf Bestellung 59 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-104-BL BSP-104-BL AXIOMET Category: 4mm Banana Plugs
Description: Connector: 4mm banana; plug; 32A; blue; 56mm; nickel plated; brass
Insulator material: polyamide
Current rating: 32A
Material: brass
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket
Conform to the norm: CAT II 600V; EN 61010
Overall length: 56mm
Connection: soldered
Colour: blue
Type of connector: 4mm banana
Connector: plug
Mounting: on cable
Contact plating: nickel plated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.64 EUR
51+1.42 EUR
79+0.92 EUR
82+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-104-G BSP-104-G AXIOMET Category: 4mm Banana Plugs
Description: Connector: 4mm banana; plug; 32A; green; 56mm; nickel plated; brass
Insulator material: polyamide
Current rating: 32A
Material: brass
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket
Conform to the norm: CAT II 600V; EN 61010
Overall length: 56mm
Connection: soldered
Colour: green
Type of connector: 4mm banana
Connector: plug
Mounting: on cable
Contact plating: nickel plated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.64 EUR
51+1.42 EUR
79+0.92 EUR
82+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-11U-6MK Belden Wire & Cable PDF_192080-2529910.pdf Other Tools SECURE PATCH ENCL, 11U X 6D
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+968.07 EUR
10+968.05 EUR
50+965.84 EUR
100+957.55 EUR
250+948.99 EUR
500+948.92 EUR
1000+948.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP100,135 BSP100,135 NXP Semiconductors PHGLS02165-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA BSP100 - 3.5A, 30V, 0.1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
auf Bestellung 23578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1480+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1480
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP100,135 BSP100,135 NXP Semiconductors 65993804009144bsp100.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 23452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1810+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1810
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP10TCQ BSP10TCQ CIT Relay and Switch BSP.pdf Description: SWITCH PB SPST-NO 3A 120V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 3A (AC/DC)
Mounting Type: Through Hole
Circuit: SPST-NO
Type: Standard
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Round, Plunger
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Color - Actuator/Cap: Black
Actuator Marking: No Marking
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 120 V
Voltage Rating - DC: 28 V
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.40 EUR
10+4.67 EUR
25+4.40 EUR
50+4.21 EUR
200+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP1212-03H03-06 LF BSP1212-03H03-06 LF Bestar Technology 3bsp121203h030620lf20pdf.pdf Audio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122,115 NEXPERIA BSP122.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.55A
Power dissipation: 1.5W
Case: SC73; SOT223
Gate-source voltage: ±2V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+0.72 EUR
138+0.52 EUR
186+0.39 EUR
227+0.32 EUR
240+0.30 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122,115 NEXPERIA BSP122.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.55A
Power dissipation: 1.5W
Case: SC73; SOT223
Gate-source voltage: ±2V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
138+0.52 EUR
186+0.39 EUR
227+0.32 EUR
240+0.30 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122,115 Nexperia BSP122.pdf MOSFETs BSP122/SOT223/SC-73
auf Bestellung 1612 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.46 EUR
10+0.90 EUR
100+0.59 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.37 EUR
2000+0.33 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122,115 Nexperia USA Inc. BSP122.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
auf Bestellung 5330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.48 EUR
20+0.92 EUR
100+0.60 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122,115 Nexperia USA Inc. BSP122.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.41 EUR
2000+0.38 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122,115 Nexperia 2926bsp122.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122,115 Nexperia 2926bsp122.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
571+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 571
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002883384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122,115 NEXPERIA 454171.pdf Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002883384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122,115 Nexperia 2926bsp122.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2100+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122,115 Nexperia 2926bsp122.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2100+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122,115 Nexperia 2926bsp122.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122,115 Nexperia 2926bsp122.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
571+0.28 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 571
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125 H6327 BSP125 H6327 Infineon Technologies Infineon-BSP125-DS-v02_02-en-520827.pdf MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
auf Bestellung 6740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.57 EUR
10+1.05 EUR
100+0.73 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.53 EUR
2000+0.49 EUR
5000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125 H6433 BSP125 H6433 Infineon Technologies Infineon-BSP125-DS-v02_02-en-520827.pdf MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.50 EUR
10+1.01 EUR
100+0.70 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.49 EUR
4000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125-L6327 Infineon N-MOSFET 0.12A 600V 1.8W 45Ω BSP125 TBSP125
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP125H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
auf Bestellung 1133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+0.97 EUR
88+0.81 EUR
153+0.47 EUR
162+0.44 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP125H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1133 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
88+0.81 EUR
153+0.47 EUR
162+0.44 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSP125_DS_v02_02_en-1226291.pdf MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
auf Bestellung 2726 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.56 EUR
10+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.38 EUR
2000+0.35 EUR
3000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 24809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.65 EUR
18+1.03 EUR
100+0.67 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.18 EUR
162+0.96 EUR
210+0.71 EUR
222+0.65 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.41 EUR
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 137
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.28 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 INFINEON INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 INFINEON INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.28 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies Infineon_BSP125_DS_v02_02_en-1226291.pdf MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
auf Bestellung 22139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.85 EUR
10+0.69 EUR
100+0.56 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.50 EUR
2000+0.47 EUR
4000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6802 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.80 EUR
16+1.12 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3067 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
401+0.40 EUR
406+0.38 EUR
412+0.36 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 401
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 INFINEON INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 11030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
272+0.59 EUR
273+0.57 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 272
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3067 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
391+0.41 EUR
396+0.39 EUR
401+0.37 EUR
406+0.35 EUR
412+0.34 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 391
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 INFINEON INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 11030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6327HTSA1 BSP125L6327HTSA1 Infineon Technologies dgdl?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 328141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
693+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 693
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6327HTSA1 BSP125L6327HTSA1 Infineon Technologies bsp125_rev.1.12.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 343141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6433HTMA1 BSP125L6433HTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.1.12.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 130700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1105+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6433HTMA1 BSP125L6433HTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.1.12.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 22359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1105+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126,115 NEXPERIA BSP126.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.375A
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+0.97 EUR
132+0.54 EUR
147+0.49 EUR
185+0.39 EUR
195+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126,115 NEXPERIA BSP126.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.375A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
132+0.54 EUR
147+0.49 EUR
185+0.39 EUR
195+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126,115 Nexperia BSP126.pdf MOSFETs BSP126/SOT223/SC-73
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.42 EUR
10+0.98 EUR
100+0.59 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126,115 Nexperia USA Inc. BSP126.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.37 EUR
2000+0.33 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126,115 Nexperia USA Inc. BSP126.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 66957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.62 EUR
18+1.01 EUR
100+0.66 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126,115 Nexperia 2927bsp126.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
471+0.44 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 471
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126,115 Nexperia 2927bsp126.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
572+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 572
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126,115 Nexperia 2927bsp126.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 5166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+0.54 EUR
474+0.33 EUR
477+0.31 EUR
552+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 298
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171P H6327
Produktcode: 122767
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

infineon-bsp171p-ds-v02_07-en-522822.pdf
BSP171P H6327
Hersteller: Infineon
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 60 V
Id,A: 1,9 A
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 365/13
/: SMD
auf Bestellung 59 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-104-BL
BSP-104-BL
Hersteller: AXIOMET
Category: 4mm Banana Plugs
Description: Connector: 4mm banana; plug; 32A; blue; 56mm; nickel plated; brass
Insulator material: polyamide
Current rating: 32A
Material: brass
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket
Conform to the norm: CAT II 600V; EN 61010
Overall length: 56mm
Connection: soldered
Colour: blue
Type of connector: 4mm banana
Connector: plug
Mounting: on cable
Contact plating: nickel plated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.64 EUR
51+1.42 EUR
79+0.92 EUR
82+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-104-G
BSP-104-G
Hersteller: AXIOMET
Category: 4mm Banana Plugs
Description: Connector: 4mm banana; plug; 32A; green; 56mm; nickel plated; brass
Insulator material: polyamide
Current rating: 32A
Material: brass
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket
Conform to the norm: CAT II 600V; EN 61010
Overall length: 56mm
Connection: soldered
Colour: green
Type of connector: 4mm banana
Connector: plug
Mounting: on cable
Contact plating: nickel plated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.64 EUR
51+1.42 EUR
79+0.92 EUR
82+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-11U-6MK PDF_192080-2529910.pdf
Hersteller: Belden Wire & Cable
Other Tools SECURE PATCH ENCL, 11U X 6D
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+968.07 EUR
10+968.05 EUR
50+965.84 EUR
100+957.55 EUR
250+948.99 EUR
500+948.92 EUR
1000+948.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP100,135 PHGLS02165-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSP100,135
Hersteller: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA BSP100 - 3.5A, 30V, 0.1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
auf Bestellung 23578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1480+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1480
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP100,135 65993804009144bsp100.pdf
BSP100,135
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 23452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1810+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1810
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP10TCQ BSP.pdf
BSP10TCQ
Hersteller: CIT Relay and Switch
Description: SWITCH PB SPST-NO 3A 120V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 3A (AC/DC)
Mounting Type: Through Hole
Circuit: SPST-NO
Type: Standard
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Round, Plunger
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Color - Actuator/Cap: Black
Actuator Marking: No Marking
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 120 V
Voltage Rating - DC: 28 V
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.40 EUR
10+4.67 EUR
25+4.40 EUR
50+4.21 EUR
200+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP1212-03H03-06 LF 3bsp121203h030620lf20pdf.pdf
BSP1212-03H03-06 LF
Hersteller: Bestar Technology
Audio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122.pdf
BSP122,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.55A
Power dissipation: 1.5W
Case: SC73; SOT223
Gate-source voltage: ±2V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
138+0.52 EUR
186+0.39 EUR
227+0.32 EUR
240+0.30 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122.pdf
BSP122,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.55A
Power dissipation: 1.5W
Case: SC73; SOT223
Gate-source voltage: ±2V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
138+0.52 EUR
186+0.39 EUR
227+0.32 EUR
240+0.30 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122.pdf
BSP122,115
Hersteller: Nexperia
MOSFETs BSP122/SOT223/SC-73
auf Bestellung 1612 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.46 EUR
10+0.90 EUR
100+0.59 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.37 EUR
2000+0.33 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122.pdf
BSP122,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
auf Bestellung 5330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.48 EUR
20+0.92 EUR
100+0.60 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122.pdf
BSP122,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.41 EUR
2000+0.38 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 2926bsp122.pdf
BSP122,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 2926bsp122.pdf
BSP122,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
571+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 571
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 NEXP-S-A0002883384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP122,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 454171.pdf
BSP122,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 NEXP-S-A0002883384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP122,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 2926bsp122.pdf
BSP122,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2100+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 2926bsp122.pdf
BSP122,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2100+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 2926bsp122.pdf
BSP122,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 2926bsp122.pdf
BSP122,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
571+0.28 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 571
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125 H6327 Infineon-BSP125-DS-v02_02-en-520827.pdf
BSP125 H6327
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
auf Bestellung 6740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.57 EUR
10+1.05 EUR
100+0.73 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.53 EUR
2000+0.49 EUR
5000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125 H6433 Infineon-BSP125-DS-v02_02-en-520827.pdf
BSP125 H6433
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
auf Bestellung 558 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.50 EUR
10+1.01 EUR
100+0.70 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.49 EUR
4000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125-L6327
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 0.12A 600V 1.8W 45Ω BSP125 TBSP125
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1.pdf
BSP125H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
auf Bestellung 1133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
88+0.81 EUR
153+0.47 EUR
162+0.44 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1.pdf
BSP125H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1133 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
88+0.81 EUR
153+0.47 EUR
162+0.44 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 Infineon_BSP125_DS_v02_02_en-1226291.pdf
BSP125H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
auf Bestellung 2726 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.56 EUR
10+1.02 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806
BSP125H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.38 EUR
2000+0.35 EUR
3000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806
BSP125H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 24809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.65 EUR
18+1.03 EUR
100+0.67 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
137+1.18 EUR
162+0.96 EUR
210+0.71 EUR
222+0.65 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.41 EUR
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 137
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.28 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP125H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP125H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.28 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 Infineon_BSP125_DS_v02_02_en-1226291.pdf
BSP125H6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
auf Bestellung 22139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.85 EUR
10+0.69 EUR
100+0.56 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.50 EUR
2000+0.47 EUR
4000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806
BSP125H6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6802 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.80 EUR
16+1.12 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806
BSP125H6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3067 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
401+0.40 EUR
406+0.38 EUR
412+0.36 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 401
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP125H6433XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 11030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
272+0.59 EUR
273+0.57 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 272
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3067 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
391+0.41 EUR
396+0.39 EUR
401+0.37 EUR
406+0.35 EUR
412+0.34 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 391
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP125H6433XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 11030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6327HTSA1 dgdl?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806
BSP125L6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 328141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
693+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 693
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6327HTSA1 bsp125_rev.1.12.pdf
BSP125L6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 343141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6433HTMA1 bsp125_rev.1.12.pdf
BSP125L6433HTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 130700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1105+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6433HTMA1 bsp125_rev.1.12.pdf
BSP125L6433HTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 22359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1105+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126.pdf
BSP126,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.375A
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
132+0.54 EUR
147+0.49 EUR
185+0.39 EUR
195+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126.pdf
BSP126,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.375A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
132+0.54 EUR
147+0.49 EUR
185+0.39 EUR
195+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126.pdf
BSP126,115
Hersteller: Nexperia
MOSFETs BSP126/SOT223/SC-73
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.42 EUR
10+0.98 EUR
100+0.59 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126.pdf
BSP126,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.37 EUR
2000+0.33 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126.pdf
BSP126,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 66957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.62 EUR
18+1.01 EUR
100+0.66 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 2927bsp126.pdf
BSP126,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
471+0.44 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 471
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 2927bsp126.pdf
BSP126,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
572+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 572
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 2927bsp126.pdf
BSP126,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 5166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
298+0.54 EUR
474+0.33 EUR
477+0.31 EUR
552+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 298
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]