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BSP171P H6327 BSP171P H6327
Produktcode: 122767
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Infineon infineon-bsp171p-ds-v02_07-en-522822.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 60 V
Id,A: 1,9 A
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 365/13
/: SMD
auf Bestellung 59 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-104-BL BSP-104-BL AXIOMET Category: 4mm Banana Plugs
Description: Connector: 4mm banana; plug; 32A; blue; 56mm; nickel plated; brass
Type of connector: 4mm banana
Connector: plug
Current rating: 32A
Colour: blue
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket
Contact plating: nickel plated
Mounting: on cable; soldered
Overall length: 56mm
Insulator material: polyamide
Material: brass
Conform to the norm: CAT II 600V; EN 61010
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.50 EUR
56+1.29 EUR
87+0.83 EUR
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-104-G AXIOMET BSP-104-G 4mm Banana Plugs
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
43+1.70 EUR
81+0.89 EUR
85+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP100,135 BSP100,135 Nexperia USA Inc. PHGLS02165-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA BSP100 - 3.5A, 30V, 0.1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
auf Bestellung 23578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1214+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1214
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP100,135 BSP100,135 NXP Semiconductors 65993804009144bsp100.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 23452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1263+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1263
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP10TCQ BSP10TCQ CIT Relay and Switch BSP.pdf Description: SWITCH PB SPST-NO 3A 120V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 3A (AC/DC)
Mounting Type: Through Hole
Circuit: SPST-NO
Type: Standard
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Round, Plunger
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Color - Actuator/Cap: Black
Actuator Marking: No Marking
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 120 V
Voltage Rating - DC: 28 V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP1212-03H03-06 LF BSP1212-03H03-06 LF Bestar Technology 3bsp121203h030620lf20pdf.pdf Audio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122,115 NEXPERIA BSP122.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.55A
On-state resistance: 2.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±2V
Power dissipation: 1.5W
Case: SC73; SOT223
auf Bestellung 878 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+0.82 EUR
123+0.58 EUR
158+0.45 EUR
231+0.31 EUR
244+0.29 EUR
500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122,115 NEXPERIA BSP122.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.55A
On-state resistance: 2.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±2V
Power dissipation: 1.5W
Case: SC73; SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 878 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
88+0.82 EUR
123+0.58 EUR
158+0.45 EUR
231+0.31 EUR
244+0.29 EUR
500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122,115 Nexperia USA Inc. BSP122.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
auf Bestellung 7542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.14 EUR
22+0.81 EUR
100+0.54 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122,115 Nexperia USA Inc. BSP122.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.34 EUR
2000+0.31 EUR
3000+0.30 EUR
5000+0.29 EUR
7000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002883384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122,115 Nexperia bsp122.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122,115 Nexperia bsp122.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1465+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1465
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122,115 Nexperia bsp122.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122,115 Nexperia bsp122.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1465+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1465
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122,115 NEXPERIA 454171.pdf Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122,115 Nexperia bsp122.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
422+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 422
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122,115 Nexperia bsp122.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
420+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 420
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002883384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125-L6327 Infineon N-MOSFET 0.12A 600V 1.8W 45Ω BSP125 TBSP125
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP125H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
auf Bestellung 1072 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+0.97 EUR
88+0.81 EUR
153+0.47 EUR
162+0.44 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP125H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1072 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
88+0.81 EUR
153+0.47 EUR
162+0.44 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.48 EUR
19+0.96 EUR
100+0.63 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.38 EUR
2000+0.34 EUR
3000+0.33 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 INFINEON INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 43000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.41 EUR
2000+0.36 EUR
3000+0.33 EUR
5000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+0.63 EUR
245+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.37 EUR
2000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 235
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 INFINEON INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 43000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.34 EUR
2000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.83 EUR
27+0.67 EUR
100+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
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Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.42 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3067 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
429+0.35 EUR
435+0.33 EUR
442+0.31 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 429
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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4000+0.36 EUR
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BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
292+0.51 EUR
364+0.39 EUR
385+0.36 EUR
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BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 INFINEON INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 INFINEON INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 4000
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BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
275+0.54 EUR
287+0.50 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 275
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BSP125H6433XTMA1 BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3067 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+0.35 EUR
423+0.34 EUR
429+0.32 EUR
435+0.30 EUR
442+0.29 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 417
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BSP125L6327HTSA1 BSP125L6327HTSA1 Infineon Technologies dgdl?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806 Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 343141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
568+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 568
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6327HTSA1 BSP125L6327HTSA1 Infineon Technologies bsp125_rev.1.12.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 343141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
591+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 591
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6433HTMA1 BSP125L6433HTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.1.12.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 130700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
771+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 771
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6433HTMA1 BSP125L6433HTMA1 Infineon Technologies bsp125_rev.1.12.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 22359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
771+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 771
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126,115 NEXPERIA BSP126.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.375A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.5W
Case: SC73; SOT223
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+0.97 EUR
132+0.54 EUR
147+0.49 EUR
184+0.39 EUR
195+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126,115 NEXPERIA BSP126.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.375A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.5W
Case: SC73; SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
132+0.54 EUR
147+0.49 EUR
184+0.39 EUR
195+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126,115 Nexperia USA Inc. BSP126.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 65450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.37 EUR
19+0.93 EUR
100+0.51 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126,115 Nexperia USA Inc. BSP126.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.33 EUR
2000+0.30 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126,115 Nexperia bsp126.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126,115 NEXPERIA 454172.pdf Description: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126,115 Nexperia bsp126.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 5156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
371+0.40 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.23 EUR
4000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 371
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126,115 Nexperia bsp126.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126,115 Nexperia bsp126.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
563+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 563
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126,115 Nexperia bsp126.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126,115 Nexperia bsp126.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
520+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 520
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126,115 Nexperia bsp126.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171P H6327
Produktcode: 122767
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infineon-bsp171p-ds-v02_07-en-522822.pdf
BSP171P H6327
Hersteller: Infineon
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 60 V
Id,A: 1,9 A
Rds(on),Om: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 365/13
/: SMD
auf Bestellung 59 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-104-BL
BSP-104-BL
Hersteller: AXIOMET
Category: 4mm Banana Plugs
Description: Connector: 4mm banana; plug; 32A; blue; 56mm; nickel plated; brass
Type of connector: 4mm banana
Connector: plug
Current rating: 32A
Colour: blue
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket
Contact plating: nickel plated
Mounting: on cable; soldered
Overall length: 56mm
Insulator material: polyamide
Material: brass
Conform to the norm: CAT II 600V; EN 61010
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.50 EUR
56+1.29 EUR
87+0.83 EUR
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP-104-G
Hersteller: AXIOMET
BSP-104-G 4mm Banana Plugs
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
43+1.70 EUR
81+0.89 EUR
85+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 43
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP100,135 PHGLS02165-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSP100,135
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA BSP100 - 3.5A, 30V, 0.1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
auf Bestellung 23578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1214+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1214
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP100,135 65993804009144bsp100.pdf
BSP100,135
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 23452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1263+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1263
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP10TCQ BSP.pdf
BSP10TCQ
Hersteller: CIT Relay and Switch
Description: SWITCH PB SPST-NO 3A 120V
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 3A (AC/DC)
Mounting Type: Through Hole
Circuit: SPST-NO
Type: Standard
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Round, Plunger
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Color - Actuator/Cap: Black
Actuator Marking: No Marking
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 120 V
Voltage Rating - DC: 28 V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP1212-03H03-06 LF 3bsp121203h030620lf20pdf.pdf
BSP1212-03H03-06 LF
Hersteller: Bestar Technology
Audio Buzzer Piezo 1Vp-p 25Vp-p 1mA 3Vp-p 75dB Surface Mount Solder Pad
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122.pdf
BSP122,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.55A
On-state resistance: 2.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±2V
Power dissipation: 1.5W
Case: SC73; SOT223
auf Bestellung 878 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
88+0.82 EUR
123+0.58 EUR
158+0.45 EUR
231+0.31 EUR
244+0.29 EUR
500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122.pdf
BSP122,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.55A
On-state resistance: 2.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±2V
Power dissipation: 1.5W
Case: SC73; SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 878 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
88+0.82 EUR
123+0.58 EUR
158+0.45 EUR
231+0.31 EUR
244+0.29 EUR
500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122.pdf
BSP122,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
auf Bestellung 7542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+1.14 EUR
22+0.81 EUR
100+0.54 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 BSP122.pdf
BSP122,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.34 EUR
2000+0.31 EUR
3000+0.30 EUR
5000+0.29 EUR
7000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 NEXP-S-A0002883384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP122,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 bsp122.pdf
BSP122,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 bsp122.pdf
BSP122,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1465+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1465
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 bsp122.pdf
BSP122,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 bsp122.pdf
BSP122,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1465+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1465
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 454171.pdf
BSP122,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 bsp122.pdf
BSP122,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
422+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 422
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 bsp122.pdf
BSP122,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 200V 0.55A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
420+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 420
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP122,115 NEXP-S-A0002883384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP122,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSP122,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 750 mA, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125-L6327
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 0.12A 600V 1.8W 45Ω BSP125 TBSP125
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1.pdf
BSP125H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
auf Bestellung 1072 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
88+0.81 EUR
153+0.47 EUR
162+0.44 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1.pdf
BSP125H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1072 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
88+0.81 EUR
153+0.47 EUR
162+0.44 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806
BSP125H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.48 EUR
19+0.96 EUR
100+0.63 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806
BSP125H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.38 EUR
2000+0.34 EUR
3000+0.33 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP125H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 43000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.41 EUR
2000+0.36 EUR
3000+0.33 EUR
5000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 8440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
235+0.63 EUR
245+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.37 EUR
2000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 235
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP125H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP125H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 43000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.34 EUR
2000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 Infineon-BSP125-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806
BSP125H6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+0.83 EUR
27+0.67 EUR
100+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSP125H6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSP125H6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSP125H6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3067 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
429+0.35 EUR
435+0.33 EUR
442+0.31 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 429
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSP125H6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSP125H6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
292+0.51 EUR
364+0.39 EUR
385+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 292
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSP125H6433XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSP125H6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 INFNS19449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP125H6433XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSP125H6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
275+0.54 EUR
287+0.50 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6433XTMA1 bsp125_rev.2.2.pdf
BSP125H6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3067 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.35 EUR
423+0.34 EUR
429+0.32 EUR
435+0.30 EUR
442+0.29 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6327HTSA1 dgdl?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30433b47825b013b50cae9702806
BSP125L6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 343141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
568+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 568
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6327HTSA1 bsp125_rev.1.12.pdf
BSP125L6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 343141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
591+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 591
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6433HTMA1 bsp125_rev.1.12.pdf
BSP125L6433HTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 130700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
771+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 771
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125L6433HTMA1 bsp125_rev.1.12.pdf
BSP125L6433HTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 22359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
771+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 771
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126.pdf
BSP126,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.375A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.5W
Case: SC73; SOT223
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
132+0.54 EUR
147+0.49 EUR
184+0.39 EUR
195+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126.pdf
BSP126,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.375A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.5W
Case: SC73; SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 957 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
132+0.54 EUR
147+0.49 EUR
184+0.39 EUR
195+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126.pdf
BSP126,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 65450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+1.37 EUR
19+0.93 EUR
100+0.51 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 BSP126.pdf
BSP126,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.33 EUR
2000+0.30 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 bsp126.pdf
BSP126,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 454172.pdf
BSP126,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 bsp126.pdf
BSP126,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 5156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
371+0.40 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.23 EUR
4000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 371
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 bsp126.pdf
BSP126,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 bsp126.pdf
BSP126,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
563+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 563
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 bsp126.pdf
BSP126,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 NEXP-S-A0003059513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP126,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSP126,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 bsp126.pdf
BSP126,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
520+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 520
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP126,115 bsp126.pdf
BSP126,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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