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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS139L6327 BSS139L6327
Produktcode: 44054
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Infineon Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 0,1 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 30 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60 / 2,3
Montage: SMD
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.24 EUR
10+0.19 EUR
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BSS139 GOODWORK Description: 50V 220mA 1.7@10V SOT-23
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS139 H6327 BSS139 H6327 Infineon Technologies infineonbss139dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
263+0.67 EUR
274+0.63 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.54 EUR
5000+0.51 EUR
10000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 263 Stücke
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BSS139 H6906 BSS139 H6906 Infineon Technologies Infineon_BSS139_DS_v01_08_en.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
auf Bestellung 21205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.59 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.61 EUR
6000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSS139H6327XT BSS139H6327XT Infineon Technologies Infineon_BSS139_DS_v01_08_en.pdf MOSFETs N-Ch 250V 30mA SOT-23-3
auf Bestellung 1486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.69 EUR
10+1.17 EUR
100+0.74 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS139H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.1A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon info-tbss139.pdf N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon info-tbss139.pdf N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.18 EUR
30+0.71 EUR
50+0.52 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6906XTSA1 BSS139H6906XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS139-DS-v01_08-en.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL N-CH
auf Bestellung 39635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.59 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.7 EUR
3000+0.64 EUR
6000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSS139H6906XTSA1 BSS139H6906XTSA1 Infineon Technologies infineonbss139dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
958+0.68 EUR
1039+0.62 EUR
10000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 958 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6906XTSA1 BSS139H6906XTSA1 Infineon Technologies infineonbss139dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
958+0.68 EUR
1039+0.62 EUR
10000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 958 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
44+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss139idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
396+0.44 EUR
430+0.4 EUR
460+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 396 Stücke
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BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss139idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
396+0.44 EUR
430+0.39 EUR
460+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 396 Stücke
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BSS139 infineon 03/04+ SOT23
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS139-E6327
auf Bestellung 29500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS139H6327 Infineon technologies
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS139 BSS139
Produktcode: 30158
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Infineon Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: -250 V
Drain-Strom Idd, A: 0,03 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 30 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/0,14
Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET)
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.68 EUR
10+0.31 EUR
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BSS139H6327 BSS139H6327
Produktcode: 82516
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Infineon infineon-bss139-ds-v01_08-en-469869.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 0,03 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 30 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/2,3
Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET)
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.43 EUR
10+0.39 EUR
100+0.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1
Produktcode: 185807
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Infineon-BSS139-DS-v01_08-en.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 0,1 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 30 Ом
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.57 EUR
10+0.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139 E6327 BSS139 E6327 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139 E6906 BSS139 E6906 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139 H6327 BSS139 H6327 Infineon Technologies Infineon_BSS139_DS_v01_08_en.pdf MOSFETs N-Ch 250V 30mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbss139dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbss139dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS139_DS_v01_08_en.pdf MOSFETs N-Ch 250V 30mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6906XTSA1 BSS139H6906XTSA1 Infineon Technologies INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6906XTSA1 BSS139H6906XTSA1 INFINEON INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS139H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6906XTSA1 BSS139H6906XTSA1 INFINEON INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS139H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXTMA1 BSS139IXTMA1 Infineon Technologies Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXUSA1 BSS139IXUSA1 Infineon Technologies infineon-bss139i-datasheet-en.pdf Description: BSS139IXUSA1
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXUSA1 INFINEON infineon-bss139i-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - BSS139IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXUSA1 INFINEON infineon-bss139i-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - BSS139IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXUSA1 Infineon Technologies infineonbss139idatasheetv0201en.pdf N-channel depletion-mode small signal transistor
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXUSA1 Infineon Technologies infineonbss139idatasheetv0201en.pdf N-channel depletion-mode small signal transistor
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXUSA1 Infineon Technologies infineon-bss139i-datasheet-en.pdf SMALL SIGNAL MOSFETS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139L6327HTSA1 BSS139L6327HTSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139L6906HTSA1 BSS139L6906HTSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 Infineon INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139L6327
Produktcode: 44054
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BSS139L6327
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 0,1 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 30 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60 / 2,3
Montage: SMD
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.24 EUR
10+0.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139
Hersteller: GOODWORK
Description: 50V 220mA 1.7@10V SOT-23
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139 H6327 infineonbss139dsen.pdf
BSS139 H6327
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
263+0.67 EUR
274+0.63 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.54 EUR
5000+0.51 EUR
10000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 263 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139 H6906 Infineon_BSS139_DS_v01_08_en.pdf
BSS139 H6906
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
auf Bestellung 21205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.57 EUR
10+1.59 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.61 EUR
6000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XT Infineon_BSS139_DS_v01_08_en.pdf
BSS139H6327XT
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 250V 30mA SOT-23-3
auf Bestellung 1486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.69 EUR
10+1.17 EUR
100+0.74 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1.pdf
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.1A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
148+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
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BSS139H6327XTSA1 info-tbss139.pdf
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 info-tbss139.pdf
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+1.18 EUR
30+0.71 EUR
50+0.52 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6906XTSA1 Infineon-BSS139-DS-v01_08-en.pdf
BSS139H6906XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL N-CH
auf Bestellung 39635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.57 EUR
10+1.59 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.7 EUR
3000+0.64 EUR
6000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6906XTSA1 infineonbss139dsen.pdf
BSS139H6906XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
958+0.68 EUR
1039+0.62 EUR
10000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 958 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6906XTSA1 infineonbss139dsen.pdf
BSS139H6906XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
958+0.68 EUR
1039+0.62 EUR
10000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 958 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXTSA1 Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f
BSS139IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+0.8 EUR
44+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXTSA1 infineonbss139idatasheetv0201en.pdf
BSS139IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
396+0.44 EUR
430+0.4 EUR
460+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 396 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXTSA1 infineonbss139idatasheetv0201en.pdf
BSS139IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
396+0.44 EUR
430+0.39 EUR
460+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 396 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139
Hersteller: infineon
03/04+ SOT23
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139-E6327
auf Bestellung 29500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327
Hersteller: Infineon technologies
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139
Produktcode: 30158
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BSS139
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: -250 V
Drain-Strom Idd, A: 0,03 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 30 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/0,14
Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET)
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+0.68 EUR
10+0.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327
Produktcode: 82516
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infineon-bss139-ds-v01_08-en-469869.pdf
BSS139H6327
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 0,03 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 30 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/2,3
Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET)
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+0.43 EUR
10+0.39 EUR
100+0.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1
Produktcode: 185807
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Infineon-BSS139-DS-v01_08-en.pdf
BSS139H6327XTSA1
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 0,1 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 30 Ом
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+0.57 EUR
10+0.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139 E6327 fundamentals-of-power-semiconductors
BSS139 E6327
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139 E6906 fundamentals-of-power-semiconductors
BSS139 E6906
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139 H6327 Infineon_BSS139_DS_v01_08_en.pdf
BSS139 H6327
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 250V 30mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 infineonbss139dsen.pdf
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 infineonbss139dsen.pdf
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 Infineon_BSS139_DS_v01_08_en.pdf
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 250V 30mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6906XTSA1 INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSS139H6906XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6906XTSA1 INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS139H6906XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6906XTSA1 INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS139H6906XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXTMA1 Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f
BSS139IXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXTSA1 Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXTSA1 Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f
BSS139IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXUSA1 infineon-bss139i-datasheet-en.pdf
BSS139IXUSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: BSS139IXUSA1
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXUSA1 infineon-bss139i-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXUSA1 infineon-bss139i-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXUSA1 infineonbss139idatasheetv0201en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
N-channel depletion-mode small signal transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXUSA1 infineonbss139idatasheetv0201en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
N-channel depletion-mode small signal transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXUSA1 infineon-bss139i-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
SMALL SIGNAL MOSFETS
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139L6327HTSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BSS139L6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139L6906HTSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BSS139L6906HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH