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BSS139L6327 BSS139L6327
Produktcode: 44054
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Infineon Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 0,1 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 30 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60 / 2,3
Montage: SMD
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.19 EUR
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon info-tbss139.pdf N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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50+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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BSS139-E6327
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BSS139H6327 Infineon technologies
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BSS139 BSS139
Produktcode: 30158
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Infineon 1787125992766503.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: -250 V
Drain-Strom Idd, A: 0,03 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 30 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/0,14
Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET)
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
2+0.68 EUR
10+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
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BSS139H6327 BSS139H6327
Produktcode: 82516
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Infineon infineon-bss139-ds-v01_08-en-469869.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 0,03 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 30 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/2,3
Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET)
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
3+0.43 EUR
10+0.39 EUR
100+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 St.
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1
Produktcode: 185807
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Infineon-BSS139-DS-v01_08-en.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 0,1 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 30 Ом
Montage: SMD
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3+0.57 EUR
10+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3 St.
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BSS139H6327XTSA1 Infineon INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3 Транзистори
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BSS139L6327
Produktcode: 44054
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BSS139L6327
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 0,1 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 30 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60 / 2,3
Montage: SMD
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BSS139H6327XTSA1 info-tbss139.pdf
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BSS139H6327XTSA1 info-tbss139.pdf
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BSS139-E6327
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BSS139H6327
Hersteller: Infineon technologies
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BSS139
Produktcode: 30158
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BSS139
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: -250 V
Drain-Strom Idd, A: 0,03 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 30 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/0,14
Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET)
Montage: SMD
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10+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
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BSS139H6327
Produktcode: 82516
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BSS139H6327
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 0,03 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 30 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/2,3
Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET)
Montage: SMD
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100+0.36 EUR
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BSS139H6327XTSA1
Produktcode: 185807
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 0,1 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 30 Ом
Montage: SMD
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3+0.57 EUR
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BSS139H6327XTSA1 INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3 Транзистори
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