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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1
Produktcode: 185807
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Infineon-BSS139-DS-v01_08-en.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 250 V
Idd,A: 0,1 A
Rds(on), Ohm: 30 Ohm
JHGF: SMD
auf Bestellung 58 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139L6327 BSS139L6327
Produktcode: 44054
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Infineon Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 250 V
Idd,A: 0,1 A
Rds(on), Ohm: 30 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60 / 2,3
JHGF: SMD
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139 H6327 BSS139 H6327 Infineon Technologies Infineon-BSS139-DS-v01_08-en.pdf MOSFETs N-Ch 250V 30mA SOT-23-3
auf Bestellung 73265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.04 EUR
10+0.64 EUR
100+0.41 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.22 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139 H6327 BSS139 H6327 Infineon Technologies infineonbss139dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+0.71 EUR
250+0.65 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.53 EUR
5000+0.49 EUR
10000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 207
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XT BSS139H6327XT Infineon Technologies Infineon-BSS139-DS-v01_08-en.pdf MOSFETs N-Ch 250V 30mA SOT-23-3
auf Bestellung 12263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.04 EUR
10+0.64 EUR
100+0.41 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.22 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77521E006811C&compId=BSS139H6327XTSA1.pdf?ci_sign=3ea77d60429e3dc7332d53b5d8ff41a954bf7f5d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
auf Bestellung 7469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+0.49 EUR
228+0.31 EUR
341+0.21 EUR
394+0.18 EUR
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 Infineon INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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BSS139H6327XTSA1 Infineon INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77521E006811C&compId=BSS139H6327XTSA1.pdf?ci_sign=3ea77d60429e3dc7332d53b5d8ff41a954bf7f5d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7469 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
228+0.31 EUR
341+0.21 EUR
394+0.18 EUR
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 59588 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.95 EUR
31+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS139-DS-v01_08-en.pdf MOSFETs N-Ch 250V 30mA SOT-23-3
auf Bestellung 103294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.74 EUR
10+0.42 EUR
100+0.3 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
15000+0.17 EUR
21000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbss139dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 294000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+0.11 EUR
21000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbss139dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 41995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
371+0.39 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 371
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbss139dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 INFINEON INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS139H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 199888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbss139dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbss139dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 294000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbss139dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 149943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
614+0.24 EUR
637+0.22 EUR
1000+0.21 EUR
2500+0.19 EUR
5000+0.18 EUR
10000+0.17 EUR
25000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 614
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 INFINEON INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - BSS139H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 201264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6906XTSA1 BSS139H6906XTSA1 INFINEON INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS139H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 39742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6906XTSA1 BSS139H6906XTSA1 Infineon Technologies infineonbss139dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
958+0.57 EUR
1039+0.51 EUR
10000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 958
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6906XTSA1 BSS139H6906XTSA1 INFINEON INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS139H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 39742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6906XTSA1 BSS139H6906XTSA1 Infineon Technologies infineonbss139dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
958+0.57 EUR
1039+0.51 EUR
10000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 958
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.65 EUR
45+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 INFINEON 3208407.pdf Description: INFINEON - BSS139IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss139idatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4595+0.12 EUR
10000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 4595
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 INFINEON 3208407.pdf Description: INFINEON - BSS139IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss139idatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4595+0.12 EUR
10000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 4595
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss139idatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
421+0.35 EUR
603+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 421
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139 infineon 03/04+ SOT23
auf Bestellung 3100 Stücke:
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BSS139-E6327
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BSS139H6327 Infineon technologies
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BSS139 BSS139
Produktcode: 30158
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Infineon Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 250
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 30
Ciss, pF/Qg, nC: 60/0,14
Bem.: N-Channel JFETs
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1+0.57 EUR
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BSS139H6327 BSS139H6327
Produktcode: 82516
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Infineon infineon-bss139-ds-v01_08-en-469869.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 250 V
Idd,A: 0,03 A
Rds(on), Ohm: 30 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/2,3
Bem.: N-Channel JFETs
JHGF: SMD
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BSS139 E6327 BSS139 E6327 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSS139 E6906 BSS139 E6906 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbss139dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbss139dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbss139dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS139H6906XTSA1 BSS139H6906XTSA1 Infineon Technologies INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSS139IXTMA1 BSS139IXTMA1 Infineon Technologies Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
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BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
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BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss139idatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS139IXTSA1 BSS139IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss139idatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS139L6327HTSA1 BSS139L6327HTSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS139L6906HTSA1 BSS139L6906HTSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSS139H6327XTSA1
Produktcode: 185807
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Infineon-BSS139-DS-v01_08-en.pdf
BSS139H6327XTSA1
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 250 V
Idd,A: 0,1 A
Rds(on), Ohm: 30 Ohm
JHGF: SMD
auf Bestellung 58 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139L6327
Produktcode: 44054
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BSS139L6327
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 250 V
Idd,A: 0,1 A
Rds(on), Ohm: 30 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60 / 2,3
JHGF: SMD
auf Bestellung 1 Stück:
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BSS139 H6327 Infineon-BSS139-DS-v01_08-en.pdf
BSS139 H6327
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 250V 30mA SOT-23-3
auf Bestellung 73265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.04 EUR
10+0.64 EUR
100+0.41 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.22 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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BSS139 H6327 infineonbss139dsen.pdf
BSS139 H6327
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
207+0.71 EUR
250+0.65 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.53 EUR
5000+0.49 EUR
10000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 207
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XT Infineon-BSS139-DS-v01_08-en.pdf
BSS139H6327XT
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 250V 30mA SOT-23-3
auf Bestellung 12263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.04 EUR
10+0.64 EUR
100+0.41 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.22 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77521E006811C&compId=BSS139H6327XTSA1.pdf?ci_sign=3ea77d60429e3dc7332d53b5d8ff41a954bf7f5d
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
auf Bestellung 7469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
228+0.31 EUR
341+0.21 EUR
394+0.18 EUR
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 148
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BSS139H6327XTSA1 INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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BSS139H6327XTSA1 INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BSS139H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77521E006811C&compId=BSS139H6327XTSA1.pdf?ci_sign=3ea77d60429e3dc7332d53b5d8ff41a954bf7f5d
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7469 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
228+0.31 EUR
341+0.21 EUR
394+0.18 EUR
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 148
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BSS139H6327XTSA1 INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 59588 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+0.95 EUR
31+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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BSS139H6327XTSA1 Infineon-BSS139-DS-v01_08-en.pdf
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 250V 30mA SOT-23-3
auf Bestellung 103294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.74 EUR
10+0.42 EUR
100+0.3 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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BSS139H6327XTSA1 INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
15000+0.17 EUR
21000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS139H6327XTSA1 infineonbss139dsen.pdf
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 294000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.15 EUR
9000+0.11 EUR
21000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS139H6327XTSA1 infineonbss139dsen.pdf
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 41995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
371+0.39 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 371
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BSS139H6327XTSA1 infineonbss139dsen.pdf
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS139H6327XTSA1 INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 199888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 infineonbss139dsen.pdf
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 infineonbss139dsen.pdf
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 294000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 infineonbss139dsen.pdf
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 149943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
614+0.24 EUR
637+0.22 EUR
1000+0.21 EUR
2500+0.19 EUR
5000+0.18 EUR
10000+0.17 EUR
25000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 614
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 201264 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6906XTSA1 INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS139H6906XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 39742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6906XTSA1 infineonbss139dsen.pdf
BSS139H6906XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
958+0.57 EUR
1039+0.51 EUR
10000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 958
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6906XTSA1 INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS139H6906XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 39742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6906XTSA1 infineonbss139dsen.pdf
BSS139H6906XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
958+0.57 EUR
1039+0.51 EUR
10000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 958
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXTSA1 Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f
BSS139IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+0.65 EUR
45+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXTSA1 3208407.pdf
BSS139IXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXTSA1 infineonbss139idatasheetv0202en.pdf
BSS139IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4595+0.12 EUR
10000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 4595
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXTSA1 3208407.pdf
BSS139IXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXTSA1 infineonbss139idatasheetv0202en.pdf
BSS139IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4595+0.12 EUR
10000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 4595
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXTSA1 infineonbss139idatasheetv0202en.pdf
BSS139IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
421+0.35 EUR
603+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 421
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139
Hersteller: infineon
03/04+ SOT23
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139-E6327
auf Bestellung 29500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327
Hersteller: Infineon technologies
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139
Produktcode: 30158
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BSS139
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 250
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 30
Ciss, pF/Qg, nC: 60/0,14
Bem.: N-Channel JFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327
Produktcode: 82516
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

infineon-bss139-ds-v01_08-en-469869.pdf
BSS139H6327
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 250 V
Idd,A: 0,03 A
Rds(on), Ohm: 30 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/2,3
Bem.: N-Channel JFETs
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139 E6327 fundamentals-of-power-semiconductors
BSS139 E6327
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139 E6906 fundamentals-of-power-semiconductors
BSS139 E6906
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 infineonbss139dsen.pdf
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 infineonbss139dsen.pdf
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 infineonbss139dsen.pdf
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6906XTSA1 INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSS139H6906XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXTMA1 Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f
BSS139IXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXTSA1 Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f
BSS139IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXTSA1 infineonbss139idatasheetv0202en.pdf
BSS139IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139IXTSA1 infineonbss139idatasheetv0202en.pdf
BSS139IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139L6327HTSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BSS139L6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139L6906HTSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BSS139L6906HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 0.1mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH