Suchergebnisse für "BSS139" : 11
Art der Ansicht :
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS139H6327XTSA1 Produktcode: 185807
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SOT-23 Uds,V: 250 V Idd,A: 0,1 A Rds(on), Ohm: 30 Ohm JHGF: SMD |
auf Bestellung 58 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
|
BSS139L6327 Produktcode: 44054
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Infineon |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 250 V Idd,A: 0,1 A Rds(on), Ohm: 30 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 60 / 2,3 JHGF: SMD |
auf Bestellung 1 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
|
BSS139H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 On-state resistance: 30Ω Mounting: SMD Kind of channel: depletion Technology: SIPMOS™ Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3674 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||
| BSS139H6327XTSA1 | Infineon |
N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||
| BSS139H6327XTSA1 | Infineon |
N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||
| BSS139 | infineon | 03/04+ SOT23 |
auf Bestellung 3100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| BSS139-E6327 |
auf Bestellung 29500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| BSS139H6327 | Infineon technologies |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
|
BSS139 Produktcode: 30158
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Infineon |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 250 Idd,A: 01.03.2000 Rds(on), Ohm: 30 Ciss, pF/Qg, nC: 60/0,14 Bem.: N-Channel JFETs |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|
||||||||||
|
BSS139H6327 Produktcode: 82516
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Infineon |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SOT-23 Uds,V: 250 V Idd,A: 0,03 A Rds(on), Ohm: 30 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 60/2,3 Bem.: N-Channel JFETs JHGF: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
|
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSS139H6327XTSA1 Produktcode: 185807
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
auf Bestellung 58 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BSS139L6327 Produktcode: 44054
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 250 V
Idd,A: 0,1 A
Rds(on), Ohm: 30 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60 / 2,3
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 250 V
Idd,A: 0,1 A
Rds(on), Ohm: 30 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60 / 2,3
JHGF: SMD
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BSS139H6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3674 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 148+ | 0.49 EUR |
| 228+ | 0.31 EUR |
| 341+ | 0.21 EUR |
| 394+ | 0.18 EUR |
| 500+ | 0.17 EUR |
| BSS139H6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 100+ | 0.44 EUR |
| BSS139H6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.54 EUR |
| BSS139 |
Hersteller: infineon
03/04+ SOT23
03/04+ SOT23
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BSS139-E6327 |
auf Bestellung 29500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BSS139H6327 |
Hersteller: Infineon technologies
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BSS139 Produktcode: 30158
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 250
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 30
Ciss, pF/Qg, nC: 60/0,14
Bem.: N-Channel JFETs
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 250
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 30
Ciss, pF/Qg, nC: 60/0,14
Bem.: N-Channel JFETs
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.57 EUR |
| BSS139H6327 Produktcode: 82516
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 250 V
Idd,A: 0,03 A
Rds(on), Ohm: 30 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/2,3
Bem.: N-Channel JFETs
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 250 V
Idd,A: 0,03 A
Rds(on), Ohm: 30 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/2,3
Bem.: N-Channel JFETs
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH


