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IRF3808PBF IRF3808PBF
Produktcode: 33009
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IR irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
JHGF: THT
auf Bestellung 74 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.68 EUR
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IRF3808-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4.5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3808; SP001563250; IRF3808-ML MOSLEADER TIRF3808 MOS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 20
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IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AE8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3808.pdf?ci_sign=9b75e9d1b7ae4216cd6e064857a08cfc6f4e1820 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.66 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AE8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3808.pdf?ci_sign=9b75e9d1b7ae4216cd6e064857a08cfc6f4e1820 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.66 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
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IRF3808PBF IRF3808PBF Infineon Technologies Infineon_IRF3808_DataSheet_v01_01_EN-3363042.pdf description MOSFETs MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
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1+4.68 EUR
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IRF3808SPBF IR irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=140A; Pdmax=330W; Rds=0,007 Ohm
auf Bestellung 10 Stücke:
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IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.2 EUR
43+1.69 EUR
45+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.2 EUR
43+1.69 EUR
45+1.6 EUR
800+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3808S_DataSheet_v01_01_EN-3362915.pdf MOSFETs MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
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1+5.61 EUR
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100+2.9 EUR
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800+2.22 EUR
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ATF-38086-TR1 HP 02+;
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IRF3808/PBF IR
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IRF3808L IR TO-262
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IRF3808STRLPBF International Rectifier Corporation irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc IRF3808SPBF MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
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Транзистор польовий IRF3808PBF 140A 75V N-ch TO-220
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IRF3808S
Produktcode: 48224
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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290090
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IRF3808SPBF
Produktcode: 129658
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irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF3808STRLPBF
Produktcode: 148871
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irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF3808STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc IRF3808STRRPBF SMD N channel transistors
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UPD70F3808GB-GAH-AX Renesas UPD70F3808GB-GAH-AX NECHIEMCUBRC
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IRF3808PBF
Produktcode: 33009
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description irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a
IRF3808PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
JHGF: THT
auf Bestellung 74 Stück:
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Anzahl Preis
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IRF3808-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4.5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3808; SP001563250; IRF3808-ML MOSLEADER TIRF3808 MOS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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IRF3808PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AE8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3808.pdf?ci_sign=9b75e9d1b7ae4216cd6e064857a08cfc6f4e1820
IRF3808PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.66 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AE8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3808.pdf?ci_sign=9b75e9d1b7ae4216cd6e064857a08cfc6f4e1820
IRF3808PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.66 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
2000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IRF3808PBF description Infineon_IRF3808_DataSheet_v01_01_EN-3363042.pdf
IRF3808PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.68 EUR
10+4.58 EUR
25+2.55 EUR
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500+1.95 EUR
1000+1.81 EUR
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IRF3808SPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=140A; Pdmax=330W; Rds=0,007 Ohm
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11 EUR
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IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 497 Stücke:
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43+1.69 EUR
45+1.6 EUR
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IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.2 EUR
43+1.69 EUR
45+1.6 EUR
800+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF Infineon_IRF3808S_DataSheet_v01_01_EN-3362915.pdf
IRF3808STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.61 EUR
10+4.05 EUR
100+2.9 EUR
250+2.87 EUR
500+2.68 EUR
800+2.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ATF-38086-TR1
Hersteller: HP
02+;
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808/PBF
Hersteller: IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808L
Hersteller: IR
TO-262
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
Hersteller: International Rectifier Corporation
IRF3808SPBF MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
auf Bestellung 25 Stücke:
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Транзистор польовий IRF3808PBF 140A 75V N-ch TO-220
auf Bestellung 16 Stücke:
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IRF3808S
Produktcode: 48224
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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290090
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IRF3808SPBF
Produktcode: 129658
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF3808STRLPBF
Produktcode: 148871
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF3808STRRPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF3808STRRPBF SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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UPD70F3808GB-GAH-AX
Hersteller: Renesas
UPD70F3808GB-GAH-AX NECHIEMCUBRC
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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