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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF3808PBF IRF3808PBF
Produktcode: 33009
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IR irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 140 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5310/150
Montage: THT
auf Bestellung: 10 St.
  • 10 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.9 EUR
10+2.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4.5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3808; SP001563250; IRF3808-ML MOSLEADER TIRF3808 MOS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ATF-38086-TR1 HP 02+;
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF3808/PBF IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF3808L IR TO-262
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Транзистор польовий IRF3808PBF 140A 75V N-ch TO-220
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF3808S
Produktcode: 48224
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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290090
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IRF3808SPBF
Produktcode: 129658
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irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF3808STRLPBF
Produktcode: 148871
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irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Transistoren > MOSFET N-CH
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Транзистор польовий IRF3808SPBF Infineon Транзистор польовий IRF3808SPBF Infineon Infineon Транз. Пол. ВП N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=140A; Pdmax=330W; Rds=0,007 Ohm Транзистори польові
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HD64F38086 Renesas Flash memory, ROM(48k), RAM(2k), with 3V LCD driver (32segX4), Мікросхеми пам'яті
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IRF3808PBF International Rectifier irf3808pbf.pdf description TO220 Транзистори
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UPD70F3808GB-GAH-AX Renesas UPD70F3808GB-GAH-AX NECHIEMCUBRC
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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IRF3808PBF
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IRF3808PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 140 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5310/150
Montage: THT
auf Bestellung: 10 St.
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IRF3808-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 4.5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3808; SP001563250; IRF3808-ML MOSLEADER TIRF3808 MOS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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ATF-38086-TR1
Hersteller: HP
02+;
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IRF3808/PBF
Hersteller: IR
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IRF3808L
Hersteller: IR
TO-262
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Транзистор польовий IRF3808PBF 140A 75V N-ch TO-220
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IRF3808S
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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290090
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IRF3808SPBF
Produktcode: 129658
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IRF3808STRLPBF
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Транзистор польовий IRF3808SPBF Infineon
Транзистор польовий IRF3808SPBF Infineon
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ВП N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=140A; Pdmax=330W; Rds=0,007 Ohm Транзистори польові
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HD64F38086
Hersteller: Renesas
Flash memory, ROM(48k), RAM(2k), with 3V LCD driver (32segX4), Мікросхеми пам'яті
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Hersteller: International Rectifier
TO220 Транзистори
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UPD70F3808GB-GAH-AX
Hersteller: Renesas
UPD70F3808GB-GAH-AX NECHIEMCUBRC
Anzahl je Verpackung: 300 Stücke
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