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CR0603FB43K2S1 CR0603FB43K2S1 Aillen CR0603FB43K2S1.pdf Description: RES 43.2K OHM 1% 1/10W 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±1%
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 43.2 kOhms
auf Bestellung 1500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 30000
irfb4310 International Rectifier N-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+6.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRFB4310PBF IRFB4310PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4310.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.7 EUR
22+ 3.35 EUR
27+ 2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRFB4310PBF IRFB4310PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4310.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.7 EUR
22+ 3.35 EUR
27+ 2.65 EUR
250+ 2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRFB4310PBF IRFB4310PBF Infineon Technologies irfs4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a0e2e21a7 Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.68 EUR
50+ 4.51 EUR
100+ 3.87 EUR
500+ 3.44 EUR
1000+ 2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRFB4310PBF IRFB4310PBF Infineon Technologies Infineon_IRFS4310_DataSheet_v01_01_EN-3363331.pdf MOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.33 EUR
10+ 5.09 EUR
25+ 4.47 EUR
100+ 3.85 EUR
250+ 3.41 EUR
500+ 3.13 EUR
1000+ 2.92 EUR
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4310zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4310zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.96 EUR
20+ 3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF Infineon Technologies irfb4310zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
auf Bestellung 1793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.76 EUR
10+ 4.83 EUR
100+ 3.91 EUR
500+ 3.47 EUR
1000+ 2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF Infineon Technologies Infineon_IRFS4310Z_DataSheet_v01_01_EN-3363366.pdf MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.46 EUR
10+ 4.7 EUR
25+ 4.56 EUR
100+ 3.87 EUR
250+ 3.77 EUR
500+ 3.45 EUR
1000+ 2.94 EUR
IRFB4321PBF IRFB4321PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4321PBF-DTE.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.4 EUR
24+ 3.06 EUR
31+ 2.36 EUR
32+ 2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22
IRFB4321PBF IRFB4321PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4321PBF-DTE.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.4 EUR
24+ 3.06 EUR
31+ 2.36 EUR
32+ 2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22
IRFB4321PBF IRFB4321PBF Infineon Technologies irfb4321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356162af41e33 description Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 50 V
auf Bestellung 1939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.28 EUR
10+ 4.42 EUR
100+ 3.58 EUR
500+ 3.18 EUR
1000+ 2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRFB4321PBF IRFB4321PBF Infineon Technologies Infineon_IRFB4321_DataSheet_v01_01_EN-3363203.pdf description MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg
auf Bestellung 1401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.95 EUR
10+ 4.19 EUR
25+ 4.15 EUR
100+ 3.34 EUR
500+ 3.17 EUR
1000+ 2.69 EUR
2000+ 2.53 EUR
IRFB4332 International Rectifier N-MOSFET 60A 250V 390W 0.033Ω IRFB4332 TIRFB4332
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+8.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRFB4332PbF IRFB4332PbF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4332pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.39 EUR
24+ 2.99 EUR
28+ 2.6 EUR
30+ 2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 22
IRFB4332PbF IRFB4332PbF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4332pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.39 EUR
24+ 2.99 EUR
28+ 2.6 EUR
30+ 2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 22
IRFB4332PbF IRFB4332PbF Infineon Technologies Infineon_IRFB4332_DataSheet_v01_04_EN-3362974.pdf MOSFET MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg
auf Bestellung 21071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+ 5.12 EUR
25+ 4.4 EUR
100+ 3.98 EUR
250+ 3.94 EUR
500+ 3.33 EUR
IRFB4332PbF IRFB4332PbF Infineon Technologies irfb4332pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561633be1e35 Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.86 EUR
50+ 5.44 EUR
100+ 4.67 EUR
500+ 4.15 EUR
1000+ 3.55 EUR
2000+ 3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRFB4310PBF International Rectifier Corporation irfs4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a0e2e21a7 Trans MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFB4321 International Rectifier N-MOSFET HEXFET 83A 150V 330W 0.015Ω IRFB4321 TIRFB4321
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
IRFB4321 IR 10+ T0-220
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB43172MSH4-028
auf Bestellung 9360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB431G44AA1-652
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB431G52SN1
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB431G90SN1-609
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB431G90SN1-657
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB431G95SN1A364
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB432G44AJ1-363
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB432G45AJ1-589
auf Bestellung 2628 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB432G45SN1-629 Chip Multilayer LC Filters (BPF).pdf
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB432G45SN1-6291812 MURATA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB432G48AJ1-616
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB432G48AJ1-617
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB432G50SN1A377
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB43390MAB1-483
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB433G13SN1A419
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB433G35SN1A409
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB43DM3386SN1-3G35
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MSFB43-85-001M0 N/A
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MSFB43-85-001M0
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SFB-4336
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SFB430
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
KIT MP913
Produktcode: 38691 		MASTER KIT Modulare Elemente > Blöcke und Module
BESCHREIBUNG: Empfänger für Pult FB 433 MHz MP910 (Tasten, zwei Relais) Dieser Empfänger Fernbedienung Geeignet für gemeinsame Operation mit unbegrenzte Zahl der Anhänger mР910.
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+16.8 EUR
ALS80A431DA400 ALS80A431DA400 KEMET ALS80A431DA400 Description: CAP ALUM 430UF 20% 400V SCREW
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can - Screw Terminals
Size / Dimension: 1.417" Dia (36.00mm)
Polarization: Polar
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.504" (12.80mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 308mOhm @ 100Hz
Lifetime @ Temp.: 6000 Hrs @ 105°C
Height - Seated (Max): 2.126" (54.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 430 µF
Voltage - Rated: 400 V
Impedance: 173 mOhms
Ripple Current @ Low Frequency: 2.6 A @ 100 Hz
Ripple Current @ High Frequency: 6.4 A @ 10 kHz
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.88 EUR
10+ 14.67 EUR
50+ 13.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
ALS80A431DA400 ALS80A431DA400 KEMET KEM_A4076_ALS80_81-3315910.pdf Aluminium Electrolytic Capacitors - Screw Terminal 400V 430uF 20% 6000Hrs
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.4 EUR
10+ 20.73 EUR
25+ 20.43 EUR
50+ 17.92 EUR
100+ 16.12 EUR
500+ 14.89 EUR
1000+ 14.41 EUR
FB43-110-RC FB43-110-RC
Produktcode: 107078 		Bourns DS_118_FB_Series.pdf description Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Transformatoren verschiedene andere
Produkt ist nicht verfügbar
Adapter Steckdose "Männchen"-"Weibchen", FB 433 MHz Adapter Steckdose "Männchen"-"Weibchen", FB 433 MHz
Produktcode: 46031 		Optoelektronik > LED-Controller, Dimmer, Regler
Beschreibung: Adapter Stecker-Steckdose an der Fernbedienung 433 MHz. Hier können Sie die Belastung verwalten bis 1kW. Frenbedienung vorgesehen für 4 vers. Adapter.
Produkt ist nicht verfügbar
IRFB4310
Produktcode: 126728 		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IRFB4310PBF
Produktcode: 172846 		irfs4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a0e2e21a7 Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IRFB4310Z
Produktcode: 128127 		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IRFB4310ZPBF
Produktcode: 145200 		irfb4310zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IRFB4321 IRFB4321
Produktcode: 99479 		IR irfb4321pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 150
Idd,A: 85
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4460/71
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
IRFB4321PBF
Produktcode: 165134 		irfb4321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356162af41e33 description Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IRFB4332PBF IRFB4332PBF
Produktcode: 52140 		IR irfb4332pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561633be1e35 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 250 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 29 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5860/99
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
FB43-110 FB43-110 Bourns Inc. DS_118_FB_Series.pdf Description: FERRITE CORE SOLID 1.52MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Free Hanging
Material: 43
Length: 0.143" (3.63mm)
Type: Round
Design: Solid
Inner Dimension: 0.060" Dia (1.52mm)
Outer Dimension: 0.155" Dia (3.93mm)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
FB43-110-RC FB43-110-RC Bourns Inc. DS_118_FB_Series.pdf description Description: FERRITE CORE SOLID 1.52MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Free Hanging
Material: 43
Length: 0.143" (3.63mm)
Type: Round
Design: Solid
Inner Dimension: 0.060" Dia (1.52mm)
Outer Dimension: 0.155" Dia (3.93mm)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
FB43-226 FB43-226 Bourns Inc. DS_118_FB_Series.pdf Description: FERRITE CORE SOLID 1.52MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Free Hanging
Material: 43
Length: 0.251" (6.37mm)
Type: Round
Design: Solid
Inner Dimension: 0.060" Dia (1.52mm)
Outer Dimension: 0.153" Dia (3.88mm)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
FB43-226-RC FB43-226-RC Bourns Inc. DS_118_FB_Series.pdf Description: FERRITE CORE SOLID 1.52MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Free Hanging
Material: 43
Length: 0.251" (6.37mm)
Type: Round
Design: Solid
Inner Dimension: 0.060" Dia (1.52mm)
Outer Dimension: 0.153" Dia (3.88mm)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
FB43-226-RC Bourns fb_series_obsolete.pdfsfvrsn4.pdfsfvrsn4.pdf Ferrite Core Bead 43-Material
Produkt ist nicht verfügbar
CR0603FB43K2S1 CR0603FB43K2S1.pdf
CR0603FB43K2S1
Hersteller: Aillen
Description: RES 43.2K OHM 1% 1/10W 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±1%
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 43.2 kOhms
auf Bestellung 1500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 30000
irfb4310
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+6.85 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRFB4310PBF irfs4310.pdf
IRFB4310PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+3.7 EUR
22+ 3.35 EUR
27+ 2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRFB4310PBF irfs4310.pdf
IRFB4310PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+3.7 EUR
22+ 3.35 EUR
27+ 2.65 EUR
250+ 2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRFB4310PBF irfs4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a0e2e21a7
IRFB4310PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+5.68 EUR
50+ 4.51 EUR
100+ 3.87 EUR
500+ 3.44 EUR
1000+ 2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRFB4310PBF Infineon_IRFS4310_DataSheet_v01_01_EN-3363331.pdf
IRFB4310PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+5.33 EUR
10+ 5.09 EUR
25+ 4.47 EUR
100+ 3.85 EUR
250+ 3.41 EUR
500+ 3.13 EUR
1000+ 2.92 EUR
IRFB4310ZPBF irfb4310zpbf.pdf
IRFB4310ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+5.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12
IRFB4310ZPBF irfb4310zpbf.pdf
IRFB4310ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+5.96 EUR
20+ 3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12
IRFB4310ZPBF irfb4310zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d
IRFB4310ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
auf Bestellung 1793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+5.76 EUR
10+ 4.83 EUR
100+ 3.91 EUR
500+ 3.47 EUR
1000+ 2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRFB4310ZPBF Infineon_IRFS4310Z_DataSheet_v01_01_EN-3363366.pdf
IRFB4310ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+5.46 EUR
10+ 4.7 EUR
25+ 4.56 EUR
100+ 3.87 EUR
250+ 3.77 EUR
500+ 3.45 EUR
1000+ 2.94 EUR
IRFB4321PBF description IRFB4321PBF-DTE.pdf
IRFB4321PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
22+3.4 EUR
24+ 3.06 EUR
31+ 2.36 EUR
32+ 2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22
IRFB4321PBF description IRFB4321PBF-DTE.pdf
IRFB4321PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
22+3.4 EUR
24+ 3.06 EUR
31+ 2.36 EUR
32+ 2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22
IRFB4321PBF description irfb4321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356162af41e33
IRFB4321PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 50 V
auf Bestellung 1939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+5.28 EUR
10+ 4.42 EUR
100+ 3.58 EUR
500+ 3.18 EUR
1000+ 2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IRFB4321PBF description Infineon_IRFB4321_DataSheet_v01_01_EN-3363203.pdf
IRFB4321PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg
auf Bestellung 1401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.95 EUR
10+ 4.19 EUR
25+ 4.15 EUR
100+ 3.34 EUR
500+ 3.17 EUR
1000+ 2.69 EUR
2000+ 2.53 EUR
IRFB4332
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 60A 250V 390W 0.033Ω IRFB4332 TIRFB4332
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+8.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRFB4332PbF irfb4332pbf.pdf
IRFB4332PbF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
22+3.39 EUR
24+ 2.99 EUR
28+ 2.6 EUR
30+ 2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 22
IRFB4332PbF irfb4332pbf.pdf
IRFB4332PbF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
22+3.39 EUR
24+ 2.99 EUR
28+ 2.6 EUR
30+ 2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 22
IRFB4332PbF Infineon_IRFB4332_DataSheet_v01_04_EN-3362974.pdf
IRFB4332PbF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg
auf Bestellung 21071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+5.21 EUR
10+ 5.12 EUR
25+ 4.4 EUR
100+ 3.98 EUR
250+ 3.94 EUR
500+ 3.33 EUR
IRFB4332PbF irfb4332pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561633be1e35
IRFB4332PbF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+6.86 EUR
50+ 5.44 EUR
100+ 4.67 EUR
500+ 4.15 EUR
1000+ 3.55 EUR
2000+ 3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRFB4310PBF irfs4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a0e2e21a7
Hersteller: International Rectifier Corporation
Trans MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFB4321
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 83A 150V 330W 0.015Ω IRFB4321 TIRFB4321
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
IRFB4321
Hersteller: IR
10+ T0-220
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB43172MSH4-028
auf Bestellung 9360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB431G44AA1-652
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB431G52SN1
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB431G90SN1-609
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB431G90SN1-657
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB431G95SN1A364
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB432G44AJ1-363
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB432G45AJ1-589
auf Bestellung 2628 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB432G45SN1-629 Chip Multilayer LC Filters (BPF).pdf
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB432G45SN1-6291812
Hersteller: MURATA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB432G48AJ1-616
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB432G48AJ1-617
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB432G50SN1A377
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB43390MAB1-483
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB433G13SN1A419
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB433G35SN1A409
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
LFB43DM3386SN1-3G35
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MSFB43-85-001M0
N/A
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MSFB43-85-001M0
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SFB-4336
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SFB430
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
KIT MP913
Produktcode: 38691
Hersteller: MASTER KIT
Modulare Elemente > Blöcke und Module
BESCHREIBUNG: Empfänger für Pult FB 433 MHz MP910 (Tasten, zwei Relais) Dieser Empfänger Fernbedienung Geeignet für gemeinsame Operation mit unbegrenzte Zahl der Anhänger mР910.
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+16.8 EUR
ALS80A431DA400 ALS80A431DA400
ALS80A431DA400
Hersteller: KEMET
Description: CAP ALUM 430UF 20% 400V SCREW
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can - Screw Terminals
Size / Dimension: 1.417" Dia (36.00mm)
Polarization: Polar
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.504" (12.80mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 308mOhm @ 100Hz
Lifetime @ Temp.: 6000 Hrs @ 105°C
Height - Seated (Max): 2.126" (54.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 430 µF
Voltage - Rated: 400 V
Impedance: 173 mOhms
Ripple Current @ Low Frequency: 2.6 A @ 100 Hz
Ripple Current @ High Frequency: 6.4 A @ 10 kHz
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+15.88 EUR
10+ 14.67 EUR
50+ 13.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
ALS80A431DA400 KEM_A4076_ALS80_81-3315910.pdf
ALS80A431DA400
Hersteller: KEMET
Aluminium Electrolytic Capacitors - Screw Terminal 400V 430uF 20% 6000Hrs
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+22.4 EUR
10+ 20.73 EUR
25+ 20.43 EUR
50+ 17.92 EUR
100+ 16.12 EUR
500+ 14.89 EUR
1000+ 14.41 EUR
FB43-110-RC
Produktcode: 107078		 description DS_118_FB_Series.pdf
FB43-110-RC
Hersteller: Bourns
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Transformatoren verschiedene andere
Produkt ist nicht verfügbar
Adapter Steckdose "Männchen"-"Weibchen", FB 433 MHz
Produktcode: 46031
Adapter Steckdose "Männchen"-"Weibchen", FB 433 MHz
Optoelektronik > LED-Controller, Dimmer, Regler
Beschreibung: Adapter Stecker-Steckdose an der Fernbedienung 433 MHz. Hier können Sie die Belastung verwalten bis 1kW. Frenbedienung vorgesehen für 4 vers. Adapter.
Produkt ist nicht verfügbar
IRFB4310
Produktcode: 126728
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IRFB4310PBF
Produktcode: 172846		 irfs4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a0e2e21a7
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IRFB4310Z
Produktcode: 128127
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
IRFB4310ZPBF
Produktcode: 145200		 irfb4310zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d
Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFB4321
Produktcode: 99479		 irfb4321pbf-datasheet.pdf
IRFB4321
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 150
Idd,A: 85
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4460/71
JHGF: THT
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IRFB4321PBF
Produktcode: 165134		 description irfb4321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356162af41e33
Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFB4332PBF
Produktcode: 52140		 irfb4332pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561633be1e35
IRFB4332PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 250 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 29 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5860/99
JHGF: THT
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FB43-110 DS_118_FB_Series.pdf
FB43-110
Hersteller: Bourns Inc.
Description: FERRITE CORE SOLID 1.52MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Free Hanging
Material: 43
Length: 0.143" (3.63mm)
Type: Round
Design: Solid
Inner Dimension: 0.060" Dia (1.52mm)
Outer Dimension: 0.155" Dia (3.93mm)
Part Status: Obsolete
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FB43-110-RC description DS_118_FB_Series.pdf
FB43-110-RC
Hersteller: Bourns Inc.
Description: FERRITE CORE SOLID 1.52MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Free Hanging
Material: 43
Length: 0.143" (3.63mm)
Type: Round
Design: Solid
Inner Dimension: 0.060" Dia (1.52mm)
Outer Dimension: 0.155" Dia (3.93mm)
Part Status: Obsolete
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FB43-226 DS_118_FB_Series.pdf
FB43-226
Hersteller: Bourns Inc.
Description: FERRITE CORE SOLID 1.52MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Free Hanging
Material: 43
Length: 0.251" (6.37mm)
Type: Round
Design: Solid
Inner Dimension: 0.060" Dia (1.52mm)
Outer Dimension: 0.153" Dia (3.88mm)
Part Status: Obsolete
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FB43-226-RC DS_118_FB_Series.pdf
FB43-226-RC
Hersteller: Bourns Inc.
Description: FERRITE CORE SOLID 1.52MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Free Hanging
Material: 43
Length: 0.251" (6.37mm)
Type: Round
Design: Solid
Inner Dimension: 0.060" Dia (1.52mm)
Outer Dimension: 0.153" Dia (3.88mm)
Part Status: Obsolete
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FB43-226-RC fb_series_obsolete.pdfsfvrsn4.pdfsfvrsn4.pdf
Hersteller: Bourns
Ferrite Core Bead 43-Material
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