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IRFB4310
Produktcode: 126728
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Transistoren > MOSFET N-CH
auf Bestellung 1 Stück:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CR0603FB43K2S1 CR0603FB43K2S1 Aillen 3372_CR0603FB43K2S1.pdf Description: RES 43.2K OHM 1% 1/10W 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±1%
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 43.2 kOhms
auf Bestellung 1500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30000+0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 30000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
irfb4310 International Rectifier N-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+6.86 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBF IRFB4310PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A45F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4310.pdf?ci_sign=5f019cb77481638d1fb392219f3c0e042cb82bb2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.19 EUR
37+1.94 EUR
40+1.83 EUR
100+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBF IRFB4310PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A45F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4310.pdf?ci_sign=5f019cb77481638d1fb392219f3c0e042cb82bb2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.19 EUR
37+1.94 EUR
40+1.83 EUR
100+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBF IRFB4310PBF Infineon Technologies Infineon-IRFS4310-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
auf Bestellung 2017 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.85 EUR
10+2.2 EUR
100+2.11 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBF IRFB4310PBF Infineon Technologies irfs4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a0e2e21a7 Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
auf Bestellung 11595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.19 EUR
50+2.41 EUR
100+2.31 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.79 EUR
2000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A4CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4310zpbf.pdf?ci_sign=3b66071c2947244729f80c74ae0a1ee1680ad33d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.23 EUR
37+1.96 EUR
39+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A4CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4310zpbf.pdf?ci_sign=3b66071c2947244729f80c74ae0a1ee1680ad33d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.23 EUR
37+1.96 EUR
39+1.84 EUR
100+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF Infineon Technologies irfb4310zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
auf Bestellung 1821 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.23 EUR
10+4.32 EUR
100+3.51 EUR
500+3.03 EUR
1000+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBF IRFB4321PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ADE1C9B8ADAEFE27&compId=IRFB4321PBF-DTE.pdf?ci_sign=ac172432e5caf556bc0aacd18b384ef70e2cb9b8 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.59 EUR
37+1.97 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBF IRFB4321PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ADE1C9B8ADAEFE27&compId=IRFB4321PBF-DTE.pdf?ci_sign=ac172432e5caf556bc0aacd18b384ef70e2cb9b8 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.59 EUR
37+1.97 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBF IRFB4321PBF Infineon Technologies infineon-irfb4321-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 50 V
auf Bestellung 3313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.93 EUR
10+4.16 EUR
100+3.48 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.43 EUR
2000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332 International Rectifier N-MOSFET 60A 250V 390W 0.033Ω IRFB4332 TIRFB4332
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6.2 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PbF IRFB4332PbF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A5AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4332pbf.pdf?ci_sign=bca76ab9566f1edc45d73ba9659a4589e67340f2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.05 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
50+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PbF IRFB4332PbF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A5AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4332pbf.pdf?ci_sign=bca76ab9566f1edc45d73ba9659a4589e67340f2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.05 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
50+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PbF IRFB4332PbF Infineon Technologies irfb4332pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561633be1e35 Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V
auf Bestellung 1476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.65 EUR
50+2.97 EUR
100+2.75 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PbF IRFB4332PbF Infineon Technologies irfb4332pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561633be1e35 MOSFETs MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg
auf Bestellung 8328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.35 EUR
10+2.97 EUR
100+2.76 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRFB4310Z UMWIRFB4310Z UMW d7791e1ca8435030dff751c007622b8f.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.73 EUR
10+3.08 EUR
100+2.13 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBF International Rectifier Corporation irfs4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a0e2e21a7 TO-220, Trans MOSFET N-CH, Vds=100V, Id=140A, Rds(on)=5.6mOm, -55...+175
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321 Infineon N-MOSFET HEXFET 83A 150V 330W 0.015? IRFB4321; IRFB4321 TIRFB4321
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321 IR 10+ T0-220
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB43172MSH4-028
auf Bestellung 9360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB431G44AA1-652
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB431G52SN1
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB431G90SN1-609
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB431G90SN1-657
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB431G95SN1A364
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB432G44AJ1-363
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB432G45AJ1-589
auf Bestellung 2628 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB432G45SN1-629 Chip%20Multilayer%20LC%20Filters%20%28BPF%29.pdf
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB432G45SN1-6291812 MURATA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB432G48AJ1-616
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB432G48AJ1-617
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB432G50SN1A377
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB43390MAB1-483
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB433G13SN1A419
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB433G35SN1A409
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB43DM3386SN1-3G35
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSFB43-85-001M0
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSFB43-85-001M0 N/A
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SFB-4336
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SFB430
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KIT MP913
Produktcode: 38691
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MASTER KIT Modulare Elemente > Blöcke und Module
BESCHREIBUNG: Empfänger für Pult FB 433 MHz MP910 (Tasten, zwei Relais) Dieser Empfänger Fernbedienung Geeignet für gemeinsame Operation mit unbegrenzte Zahl der Anhänger mР910.
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+16.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ALS80A431DA400 ALS80A431DA400 KEMET KEM_A4076_ALS80_81.pdf Aluminium Electrolytic Capacitors - Screw Terminal 400V 430uF 20% 6000Hrs
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.22 EUR
10+16.58 EUR
100+15.68 EUR
500+14.4 EUR
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ALS80A431DA400 ALS80A431DA400 KEMET KEM_A4076_ALS80_81 Description: CAP ALUM 430UF 20% 400V SCREW CH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Can - Screw Terminals
Size / Dimension: 1.417" Dia (36.00mm)
Polarization: Polar
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.504" (12.80mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 308mOhm @ 100Hz
Lifetime @ Temp.: 6000 Hrs @ 105°C
Height - Seated (Max): 2.126" (54.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 430 µF
Voltage - Rated: 400 V
Impedance: 173 mOhms
Ripple Current @ Low Frequency: 2.6 A @ 100 Hz
Ripple Current @ High Frequency: 6.4 A @ 10 kHz
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.15 EUR
10+19.33 EUR
50+16.52 EUR
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FB43-110-RC FB43-110-RC
Produktcode: 107078
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Bourns DS_118_FB_Series.pdf description Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Transformatoren verschiedene andere
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Adapter Steckdose "Männchen"-"Weibchen", FB 433 MHz Adapter Steckdose "Männchen"-"Weibchen", FB 433 MHz
Produktcode: 46031
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Optoelektronik > LED-Controller, Dimmer, Regler
Beschreibung: Adapter Stecker-Steckdose an der Fernbedienung 433 MHz. Hier können Sie die Belastung verwalten bis 1kW. Frenbedienung vorgesehen für 4 vers. Adapter.
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1+17.96 EUR
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IRFB4310PBF
Produktcode: 172846
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irfs4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a0e2e21a7 Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFB4310Z
Produktcode: 128127
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d7791e1ca8435030dff751c007622b8f.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFB4310ZPBF
Produktcode: 145200
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irfb4310zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFB4321 IRFB4321
Produktcode: 99479
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IR irfb4321pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 150
Idd,A: 85
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4460/71
JHGF: THT
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1+1.92 EUR
10+1.68 EUR
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IRFB4321PBF
Produktcode: 165134
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infineon-irfb4321-datasheet-en.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFB4332PBF IRFB4332PBF
Produktcode: 52140
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IR irfb4332pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561633be1e35 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 250 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 29 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5860/99
JHGF: THT
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1+2.26 EUR
10+2.14 EUR
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FB43-110 FB43-110 Bourns Inc. DS_118_FB_Series.pdf Description: FERRITE CORE SOLID 1.52MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Free Hanging
Material: 43
Length: 0.143" (3.63mm)
Type: Round
Design: Solid
Inner Dimension: 0.060" Dia (1.52mm)
Outer Dimension: 0.155" Dia (3.93mm)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FB43-226 FB43-226 Bourns Inc. DS_118_FB_Series.pdf Description: FERRITE CORE SOLID 1.52MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Free Hanging
Material: 43
Length: 0.251" (6.37mm)
Type: Round
Design: Solid
Inner Dimension: 0.060" Dia (1.52mm)
Outer Dimension: 0.153" Dia (3.88mm)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FB43-226-RC FB43-226-RC Bourns Inc. DS_118_FB_Series.pdf Description: FERRITE CORE SOLID 1.52MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Free Hanging
Material: 43
Length: 0.251" (6.37mm)
Type: Round
Design: Solid
Inner Dimension: 0.060" Dia (1.52mm)
Outer Dimension: 0.153" Dia (3.88mm)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
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FB43-287 FB43-287 Bourns Inc. DS_118_FB_Series.pdf Description: FERRITE CORE SOLID 2.64MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Free Hanging
Material: 43
Length: 0.312" (7.92mm)
Type: Round
Design: Solid
Inner Dimension: 0.104" Dia (2.64mm)
Outer Dimension: 0.311" Dia (7.89mm)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AHA25AFB-432R AHA25AFB-432R YAGEO AHA_AHP%20Series%20Spec.pdf Description: RESISTOR CHASSIS MOUNT 432 OHM 1
Power (Watts): 25W
Tolerance: ±1%
Lead Style: Solder Lugs
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial, Box
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 1.063" L x 1.063" W (27.00mm x 27.00mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 250°C
Mounting Feature: Flanges
Coating, Housing Type: Aluminum
Height - Seated (Max): 0.587" (14.90mm)
Part Status: Active
Resistance: 432 Ohms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AHA25AFB-43R2 AHA25AFB-43R2 YAGEO AHA_AHP%20Series%20Spec.pdf Description: RESISTOR CHASSIS MOUNT 43.2 OHM
Power (Watts): 25W
Tolerance: ±1%
Lead Style: Solder Lugs
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial, Box
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 1.063" L x 1.063" W (27.00mm x 27.00mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 250°C
Mounting Feature: Flanges
Coating, Housing Type: Aluminum
Height - Seated (Max): 0.587" (14.90mm)
Part Status: Active
Resistance: 43.2 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310
Produktcode: 126728
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Transistoren > MOSFET N-CH
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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CR0603FB43K2S1 3372_CR0603FB43K2S1.pdf
CR0603FB43K2S1
Hersteller: Aillen
Description: RES 43.2K OHM 1% 1/10W 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±1%
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 43.2 kOhms
auf Bestellung 1500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30000+0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 30000
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irfb4310
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+6.86 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IRFB4310PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A45F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4310.pdf?ci_sign=5f019cb77481638d1fb392219f3c0e042cb82bb2
IRFB4310PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.19 EUR
37+1.94 EUR
40+1.83 EUR
100+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A45F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4310.pdf?ci_sign=5f019cb77481638d1fb392219f3c0e042cb82bb2
IRFB4310PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.19 EUR
37+1.94 EUR
40+1.83 EUR
100+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBF Infineon-IRFS4310-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRFB4310PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
auf Bestellung 2017 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.85 EUR
10+2.2 EUR
100+2.11 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBF irfs4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a0e2e21a7
IRFB4310PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
auf Bestellung 11595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.19 EUR
50+2.41 EUR
100+2.31 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.79 EUR
2000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A4CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4310zpbf.pdf?ci_sign=3b66071c2947244729f80c74ae0a1ee1680ad33d
IRFB4310ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.23 EUR
37+1.96 EUR
39+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A4CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4310zpbf.pdf?ci_sign=3b66071c2947244729f80c74ae0a1ee1680ad33d
IRFB4310ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.23 EUR
37+1.96 EUR
39+1.84 EUR
100+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZPBF irfb4310zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d
IRFB4310ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
auf Bestellung 1821 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.23 EUR
10+4.32 EUR
100+3.51 EUR
500+3.03 EUR
1000+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IRFB4321PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ADE1C9B8ADAEFE27&compId=IRFB4321PBF-DTE.pdf?ci_sign=ac172432e5caf556bc0aacd18b384ef70e2cb9b8
IRFB4321PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.59 EUR
37+1.97 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ADE1C9B8ADAEFE27&compId=IRFB4321PBF-DTE.pdf?ci_sign=ac172432e5caf556bc0aacd18b384ef70e2cb9b8
IRFB4321PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.59 EUR
37+1.97 EUR
39+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBF description infineon-irfb4321-datasheet-en.pdf
IRFB4321PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 50 V
auf Bestellung 3313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.93 EUR
10+4.16 EUR
100+3.48 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.43 EUR
2000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IRFB4332
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 60A 250V 390W 0.033Ω IRFB4332 TIRFB4332
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+6.2 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PbF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A5AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4332pbf.pdf?ci_sign=bca76ab9566f1edc45d73ba9659a4589e67340f2
IRFB4332PbF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.05 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
50+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PbF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A5AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4332pbf.pdf?ci_sign=bca76ab9566f1edc45d73ba9659a4589e67340f2
IRFB4332PbF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.05 EUR
31+2.36 EUR
33+2.23 EUR
50+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PbF irfb4332pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561633be1e35
IRFB4332PbF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V
auf Bestellung 1476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.65 EUR
50+2.97 EUR
100+2.75 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PbF irfb4332pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561633be1e35
IRFB4332PbF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg
auf Bestellung 8328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.35 EUR
10+2.97 EUR
100+2.76 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRFB4310Z d7791e1ca8435030dff751c007622b8f.pdf
UMWIRFB4310Z
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.73 EUR
10+3.08 EUR
100+2.13 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBF irfs4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a0e2e21a7
Hersteller: International Rectifier Corporation
TO-220, Trans MOSFET N-CH, Vds=100V, Id=140A, Rds(on)=5.6mOm, -55...+175
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321
Hersteller: Infineon
N-MOSFET HEXFET 83A 150V 330W 0.015? IRFB4321; IRFB4321 TIRFB4321
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321
Hersteller: IR
10+ T0-220
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB43172MSH4-028
auf Bestellung 9360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB431G44AA1-652
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB431G52SN1
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB431G90SN1-609
auf Bestellung 739 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB431G90SN1-657
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB431G95SN1A364
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB432G44AJ1-363
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB432G45AJ1-589
auf Bestellung 2628 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB432G45SN1-629 Chip%20Multilayer%20LC%20Filters%20%28BPF%29.pdf
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB432G45SN1-6291812
Hersteller: MURATA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB432G48AJ1-616
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB432G48AJ1-617
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB432G50SN1A377
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB43390MAB1-483
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB433G13SN1A419
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB433G35SN1A409
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LFB43DM3386SN1-3G35
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSFB43-85-001M0
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSFB43-85-001M0
N/A
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SFB-4336
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SFB430
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KIT MP913
Produktcode: 38691
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Hersteller: MASTER KIT
Modulare Elemente > Blöcke und Module
BESCHREIBUNG: Empfänger für Pult FB 433 MHz MP910 (Tasten, zwei Relais) Dieser Empfänger Fernbedienung Geeignet für gemeinsame Operation mit unbegrenzte Zahl der Anhänger mР910.
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+16.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ALS80A431DA400 KEM_A4076_ALS80_81.pdf
ALS80A431DA400
Hersteller: KEMET
Aluminium Electrolytic Capacitors - Screw Terminal 400V 430uF 20% 6000Hrs
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+26.22 EUR
10+16.58 EUR
100+15.68 EUR
500+14.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ALS80A431DA400 KEM_A4076_ALS80_81
ALS80A431DA400
Hersteller: KEMET
Description: CAP ALUM 430UF 20% 400V SCREW CH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Radial, Can - Screw Terminals
Size / Dimension: 1.417" Dia (36.00mm)
Polarization: Polar
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.504" (12.80mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 308mOhm @ 100Hz
Lifetime @ Temp.: 6000 Hrs @ 105°C
Height - Seated (Max): 2.126" (54.00mm)
Part Status: Active
Capacitance: 430 µF
Voltage - Rated: 400 V
Impedance: 173 mOhms
Ripple Current @ Low Frequency: 2.6 A @ 100 Hz
Ripple Current @ High Frequency: 6.4 A @ 10 kHz
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+26.15 EUR
10+19.33 EUR
50+16.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FB43-110-RC
Produktcode: 107078
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description DS_118_FB_Series.pdf
FB43-110-RC
Hersteller: Bourns
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Transformatoren verschiedene andere
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Adapter Steckdose "Männchen"-"Weibchen", FB 433 MHz
Produktcode: 46031
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Adapter Steckdose "Männchen"-"Weibchen", FB 433 MHz
Optoelektronik > LED-Controller, Dimmer, Regler
Beschreibung: Adapter Stecker-Steckdose an der Fernbedienung 433 MHz. Hier können Sie die Belastung verwalten bis 1kW. Frenbedienung vorgesehen für 4 vers. Adapter.
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+17.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310PBF
Produktcode: 172846
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irfs4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a0e2e21a7
Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310Z
Produktcode: 128127
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d7791e1ca8435030dff751c007622b8f.pdf
Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4310ZPBF
Produktcode: 145200
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irfb4310zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d
Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321
Produktcode: 99479
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irfb4321pbf-datasheet.pdf
IRFB4321
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 150
Idd,A: 85
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4460/71
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+1.92 EUR
10+1.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4321PBF
Produktcode: 165134
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description infineon-irfb4321-datasheet-en.pdf
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB4332PBF
Produktcode: 52140
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irfb4332pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561633be1e35
IRFB4332PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 250 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 29 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5860/99
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+2.26 EUR
10+2.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FB43-110 DS_118_FB_Series.pdf
FB43-110
Hersteller: Bourns Inc.
Description: FERRITE CORE SOLID 1.52MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Free Hanging
Material: 43
Length: 0.143" (3.63mm)
Type: Round
Design: Solid
Inner Dimension: 0.060" Dia (1.52mm)
Outer Dimension: 0.155" Dia (3.93mm)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FB43-226 DS_118_FB_Series.pdf
FB43-226
Hersteller: Bourns Inc.
Description: FERRITE CORE SOLID 1.52MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Free Hanging
Material: 43
Length: 0.251" (6.37mm)
Type: Round
Design: Solid
Inner Dimension: 0.060" Dia (1.52mm)
Outer Dimension: 0.153" Dia (3.88mm)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FB43-226-RC DS_118_FB_Series.pdf
FB43-226-RC
Hersteller: Bourns Inc.
Description: FERRITE CORE SOLID 1.52MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Free Hanging
Material: 43
Length: 0.251" (6.37mm)
Type: Round
Design: Solid
Inner Dimension: 0.060" Dia (1.52mm)
Outer Dimension: 0.153" Dia (3.88mm)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FB43-287 DS_118_FB_Series.pdf
FB43-287
Hersteller: Bourns Inc.
Description: FERRITE CORE SOLID 2.64MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Free Hanging
Material: 43
Length: 0.312" (7.92mm)
Type: Round
Design: Solid
Inner Dimension: 0.104" Dia (2.64mm)
Outer Dimension: 0.311" Dia (7.89mm)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AHA25AFB-432R AHA_AHP%20Series%20Spec.pdf
AHA25AFB-432R
Hersteller: YAGEO
Description: RESISTOR CHASSIS MOUNT 432 OHM 1
Power (Watts): 25W
Tolerance: ±1%
Lead Style: Solder Lugs
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial, Box
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 1.063" L x 1.063" W (27.00mm x 27.00mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 250°C
Mounting Feature: Flanges
Coating, Housing Type: Aluminum
Height - Seated (Max): 0.587" (14.90mm)
Part Status: Active
Resistance: 432 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AHA25AFB-43R2 AHA_AHP%20Series%20Spec.pdf
AHA25AFB-43R2
Hersteller: YAGEO
Description: RESISTOR CHASSIS MOUNT 43.2 OHM
Power (Watts): 25W
Tolerance: ±1%
Lead Style: Solder Lugs
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial, Box
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 1.063" L x 1.063" W (27.00mm x 27.00mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 250°C
Mounting Feature: Flanges
Coating, Housing Type: Aluminum
Height - Seated (Max): 0.587" (14.90mm)
Part Status: Active
Resistance: 43.2 Ohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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