Suchergebnisse für "HGTG30N60A4D" : 5

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HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D
Produktcode: 31842
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Intersil HGTG30N60A4D.pdf description Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 463
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 24/180
auf Bestellung 18 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+4 EUR
10+3.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор HGTG30N60A4D Fairchaild IGBT транзистор - [TO-247-3]; 600 V; 75 A Low Conduction Loss
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+35.09 EUR
10+30.96 EUR
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SKW30N60HS (analogon HGTG30N60A4D) SKW30N60HS (analogon HGTG30N60A4D)
Produktcode: 73560
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Infineon skw30n60hs.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Vces: 600
Ic 25: 41 A
Ic 100: 30 A
Pd 25: 250 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 20/250
Produkt ist nicht verfügbar
1+4.2 EUR
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HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D onsemi hgtg30n60a4d-d.pdf description Description: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
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HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D onsemi / Fairchild HGTG30N60A4D-D.PDF description IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
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HGTG30N60A4D
Produktcode: 31842
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description HGTG30N60A4D.pdf
HGTG30N60A4D
Hersteller: Intersil
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 75
Ic 100: 60
Pd 25: 463
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 24/180
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Транзистор HGTG30N60A4D
Hersteller: Fairchaild
IGBT транзистор - [TO-247-3]; 600 V; 75 A Low Conduction Loss
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Anzahl Preis
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SKW30N60HS (analogon HGTG30N60A4D)
Produktcode: 73560
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skw30n60hs.pdf
SKW30N60HS (analogon HGTG30N60A4D)
Hersteller: Infineon
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Vces: 600
Ic 25: 41 A
Ic 100: 30 A
Pd 25: 250 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 20/250
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Anzahl Preis
1+4.2 EUR
10+3.8 EUR
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HGTG30N60A4D description hgtg30n60a4d-d.pdf
HGTG30N60A4D
Hersteller: onsemi
Description: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
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HGTG30N60A4D description HGTG30N60A4D-D.PDF
HGTG30N60A4D
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
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