Suchergebnisse für "IRF5210" : 55
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF5210PBF Produktcode: 113380
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IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 V Id,A: 40 A Rds(on),Om: 0,06 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180 /: THT |
auf Bestellung 118 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRF5210 | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF5210 | JSMicro Semiconductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF5210LPBF | International Rectifier/Infineon |
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auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 60mΩ Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 1317 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 60mΩ Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1317 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF5210PBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF5210PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4293 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1341 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210PBF | International Rectifier/Infineon |
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auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1341 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7471 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRF5210PBF | Infineon |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2624 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210S | MULTICOMP PRO |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
auf Bestellung 740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF5210S | MULTICOMP PRO |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF5210STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF5210STRLPBF | Infineon |
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auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 12800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 12800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210STRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 17969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3821 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210STRLPBF | International Rectifier/Infineon |
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auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5210STRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 17969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRF5210S | International Rectifier | Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s |
auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF5210SPBF |
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auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IRF5210STRR | IR |
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auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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IRF5210 Produktcode: 21990
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IR |
![]() ![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 Id,A: 40 Rds(on),Om: 0.06 /: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF5210LPBF Produktcode: 85148
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Lieblingsprodukt
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Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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IRF5210SPBF Produktcode: 37137
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Gehäuse: D2Pak Uds,V: 100 Id,A: 38 Rds(on),Om: 0.06 Ciss, pF/Qg, nC: 2780/150 /: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF5210STRLPBF Produktcode: 199795
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Lieblingsprodukt
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Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF5210L | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF5210LPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF5210PBF | Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF5210SPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF5210STRR | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF5210STRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF5210STRRPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF5210STRRPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF5210STRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AUIRF5210S | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
AUIRF5210STRL | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
AUIRF5210STRL | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IRF5210PBF Produktcode: 113380
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|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
/: THT
auf Bestellung 118 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5210 | ![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210; IRF5210; IRF5210 TIRF5210
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.01 EUR |
IRF5210 | ![]() |
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210; SP001559642; IRF5210 JSMICRO TIRF5210 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210; SP001559642; IRF5210 JSMICRO TIRF5210 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.41 EUR |
IRF5210LPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ptot, Вт = 3,1; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I2PAK-3
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ptot, Вт = 3,1; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I2PAK-3
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 3.08 EUR |
10+ | 2.66 EUR |
100+ | 2.34 EUR |
IRF5210PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 1317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
37+ | 1.96 EUR |
44+ | 1.63 EUR |
61+ | 1.19 EUR |
65+ | 1.12 EUR |
1000+ | 1.07 EUR |
IRF5210PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1317 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
37+ | 1.96 EUR |
44+ | 1.63 EUR |
61+ | 1.19 EUR |
65+ | 1.12 EUR |
1000+ | 1.07 EUR |
IRF5210PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
auf Bestellung 3210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 4.54 EUR |
50+ | 2.61 EUR |
100+ | 2.42 EUR |
500+ | 1.96 EUR |
1000+ | 1.81 EUR |
2000+ | 1.69 EUR |
IRF5210PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
69+ | 2.36 EUR |
100+ | 2.20 EUR |
250+ | 2.05 EUR |
500+ | 1.92 EUR |
IRF5210PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
76+ | 2.15 EUR |
106+ | 1.47 EUR |
111+ | 1.36 EUR |
500+ | 1.19 EUR |
1000+ | 1.09 EUR |
2000+ | 1.02 EUR |
4000+ | 0.95 EUR |
IRF5210PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1000+ | 1.68 EUR |
2000+ | 1.55 EUR |
IRF5210PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
65+ | 2.51 EUR |
85+ | 1.85 EUR |
100+ | 1.65 EUR |
250+ | 1.51 EUR |
500+ | 1.32 EUR |
1000+ | 1.15 EUR |
IRF5210PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 40 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 40 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 2.18 EUR |
10+ | 1.88 EUR |
100+ | 1.66 EUR |
IRF5210PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
84+ | 1.93 EUR |
100+ | 1.73 EUR |
250+ | 1.58 EUR |
500+ | 1.39 EUR |
1000+ | 1.21 EUR |
IRF5210PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5210PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-40A; Pdmax=200W; Rds=0,06 Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-40A; Pdmax=200W; Rds=0,06 Ohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.14 EUR |
10+ | 5.38 EUR |
100+ | 4.99 EUR |
IRF5210PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1000+ | 1.68 EUR |
2000+ | 1.55 EUR |
IRF5210S |
![]() |
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRF5210S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: MULTICOMP PRO - IRF5210S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5210S |
![]() |
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRF5210S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: MULTICOMP PRO - IRF5210S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5210STRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 8.94 EUR |
IRF5210STRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 8.94 EUR |
22+ | 3.25 EUR |
50+ | 2.02 EUR |
IRF5210STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
auf Bestellung 4695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 6.69 EUR |
10+ | 4.39 EUR |
100+ | 3.08 EUR |
IRF5210STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 2.35 EUR |
1600+ | 2.26 EUR |
IRF5210STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon
MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC , TO-263-3
MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC , TO-263-3
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 15.36 EUR |
10+ | 13.44 EUR |
100+ | 11.52 EUR |
IRF5210STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 4.10 EUR |
56+ | 2.80 EUR |
58+ | 2.61 EUR |
100+ | 2.28 EUR |
IRF5210STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 2.12 EUR |
1600+ | 1.99 EUR |
IRF5210STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 4.10 EUR |
56+ | 2.80 EUR |
58+ | 2.61 EUR |
100+ | 2.28 EUR |
IRF5210STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 2.14 EUR |
4800+ | 2.03 EUR |
IRF5210STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 2.01 EUR |
1600+ | 1.90 EUR |
IRF5210STRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 17969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5210STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 2.03 EUR |
1600+ | 1.91 EUR |
IRF5210STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
106+ | 1.52 EUR |
107+ | 1.46 EUR |
109+ | 1.38 EUR |
500+ | 1.33 EUR |
1600+ | 1.27 EUR |
3200+ | 1.12 EUR |
IRF5210STRLPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D2PAK
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D2PAK
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 6.09 EUR |
10+ | 5.25 EUR |
100+ | 4.62 EUR |
IRF5210STRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 17969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5210S |
Hersteller: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5210SPBF |
![]() |
IRF5210SPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5210STRR |
![]() |
Hersteller: IR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF5210 Produktcode: 21990
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 40
Rds(on),Om: 0.06
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 40
Rds(on),Om: 0.06
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 1.28 EUR |
10+ | 1.20 EUR |
IRF5210LPBF Produktcode: 85148
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF5210SPBF Produktcode: 37137
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100
Id,A: 38
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 2780/150
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100
Id,A: 38
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 2780/150
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 1.31 EUR |
IRF5210STRLPBF Produktcode: 199795
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF5210L |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF5210LPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF5210PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF5210SPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF5210STRR |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
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IRF5210STRRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
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IRF5210STRRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
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Stück im Wert von UAH
IRF5210STRRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AUIRF5210S |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF5210STRL |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF5210STRL |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH