Suchergebnisse für "IRF640N" : 54
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF640N Produktcode: 30510
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IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 Idd,A: 18 Rds(on), Ohm: 0.15 Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 JHGF: THT |
verfügbar: 24 Stück
12 Stück - stock Köln
12 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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IRF640NPBF Produktcode: 42934
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 200 Idd,A: 18 Rds(on), Ohm: 0.15 Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 Bem.: P=150W, -55...170 C JHGF: THT |
verfügbar: 337 Stück
10 Stück - stock Köln
327 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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IRF640NSPBF Produktcode: 116935
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Gehäuse: D2PAK (TO-263) Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67 JHGF: SMD |
auf Bestellung 30 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IRF640N | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 503 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF640N | HXY MOSFET |
![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF640N | JSMicro Semiconductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF640N-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF640NL | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF640NLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1977 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 44.7nC Kind of package: tube |
auf Bestellung 521 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 44.7nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 521 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF640NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 13412 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF640NPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 22923 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF640NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 110637 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 12879 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NPBF | IR |
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auf Bestellung 382 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 110643 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NS | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF640NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel |
auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 26500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 11200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF640NSTRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 243 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 11200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NSTRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 243 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1566 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NSTRRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NSTRRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IRF640N |
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auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
IRF640N-005(94-2065) |
auf Bestellung 5900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
IRF640NPBF/IR | IR | 08+; |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IRF640NS | IR |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IRF640NS | IR |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IRF640NS | IR |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IRF640NSPBF | International Rectifier/Infineon |
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auf Bestellung 262 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IRF640NSTRL | IR | 01+ |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IRF640NSTRLPBF/IR | IR | 08+; |
auf Bestellung 18550 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
IRF640NSTRR |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
IRF640NSTRRPBF |
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auf Bestellung 1080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
Транзистор польовий IRF640NPBF 18A 200V N-ch TO-220 |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
DH640 | WXDH |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; DH640 DONGHAI TIRF640 DH Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF640 | SLKOR |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE2374 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640NL Produktcode: 143762
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Lieblingsprodukt
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Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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IRF640NPBF | Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF640NPBF | Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF640NPBF | Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF640NPBF | Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF640NPBF | Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IRF640N Produktcode: 30510
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
JHGF: THT
verfügbar: 24 Stück
12 Stück - stock Köln
12 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
12 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
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1+ | 0.4 EUR |
10+ | 0.37 EUR |
IRF640NPBF Produktcode: 42934
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Bem.: P=150W, -55...170 C
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Bem.: P=150W, -55...170 C
JHGF: THT
verfügbar: 337 Stück
10 Stück - stock Köln
327 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
327 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
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1+ | 0.42 EUR |
10+ | 0.36 EUR |
IRF640NSPBF Produktcode: 116935
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
JHGF: SMD
auf Bestellung 30 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF640N | ![]() |
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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50+ | 1.4 EUR |
IRF640N | ![]() |
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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25+ | 1.18 EUR |
IRF640N | ![]() |
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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20+ | 1.49 EUR |
IRF640N-ML |
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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25+ | 1.15 EUR |
IRF640NL |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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25+ | 1.78 EUR |
IRF640NLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 1977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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298+ | 1.8 EUR |
500+ | 1.56 EUR |
1000+ | 1.39 EUR |
IRF640NPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
53+ | 1.36 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
88+ | 0.82 EUR |
161+ | 0.44 EUR |
171+ | 0.42 EUR |
IRF640NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
53+ | 1.36 EUR |
70+ | 1.03 EUR |
88+ | 0.82 EUR |
161+ | 0.44 EUR |
171+ | 0.42 EUR |
IRF640NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
auf Bestellung 13412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.36 EUR |
10+ | 2.31 EUR |
25+ | 1.11 EUR |
100+ | 1.06 EUR |
500+ | 0.89 EUR |
1000+ | 0.8 EUR |
2000+ | 0.75 EUR |
IRF640NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 22923 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF640NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 110637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
143+ | 1 EUR |
159+ | 0.87 EUR |
500+ | 0.69 EUR |
1000+ | 0.57 EUR |
4000+ | 0.49 EUR |
10000+ | 0.47 EUR |
IRF640NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
92+ | 1.96 EUR |
100+ | 1.69 EUR |
200+ | 0.89 EUR |
500+ | 0.81 EUR |
1000+ | 0.73 EUR |
2000+ | 0.62 EUR |
4000+ | 0.54 EUR |
8000+ | 0.5 EUR |
IRF640NPBF |
![]() |
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца)
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца)
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.74 EUR |
IRF640NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 110643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
73+ | 1.96 EUR |
144+ | 0.96 EUR |
160+ | 0.83 EUR |
500+ | 0.66 EUR |
1000+ | 0.55 EUR |
4000+ | 0.47 EUR |
10000+ | 0.45 EUR |
IRF640NS | ![]() |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 3.21 EUR |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
35+ | 2.07 EUR |
49+ | 1.46 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
121+ | 0.59 EUR |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
35+ | 2.07 EUR |
49+ | 1.46 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
121+ | 0.59 EUR |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
auf Bestellung 26500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.78 EUR |
10+ | 1.76 EUR |
100+ | 1.31 EUR |
500+ | 0.96 EUR |
800+ | 0.84 EUR |
2400+ | 0.83 EUR |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 0.69 EUR |
1600+ | 0.63 EUR |
2400+ | 0.61 EUR |
4000+ | 0.56 EUR |
5600+ | 0.54 EUR |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
183+ | 0.78 EUR |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 0.69 EUR |
1600+ | 0.63 EUR |
2400+ | 0.6 EUR |
4000+ | 0.56 EUR |
5600+ | 0.53 EUR |
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF640NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
132+ | 1.09 EUR |
155+ | 0.89 EUR |
200+ | 0.78 EUR |
IRF640NSTRRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
178+ | 0.8 EUR |
IRF640NSTRRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF640N | ![]() |
IRF640N Транзисторы
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF640N-005(94-2065) |
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF640NPBF/IR |
Hersteller: IR
08+;
08+;
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF640NS | ![]() |
Hersteller: IR
08+
08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF640NS | ![]() |
Hersteller: IR
0739
0739
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF640NS | ![]() |
Hersteller: IR
TO-263
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF640NSPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 18 А; Ptot, Вт = 150; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25; Qg, нКл = 67 @ 10 В; Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 18 А; Ptot, Вт = 150; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25; Qg, нКл = 67 @ 10 В; Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF640NSTRL |
Hersteller: IR
01+
01+
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF640NSTRLPBF/IR |
Hersteller: IR
08+;
08+;
auf Bestellung 18550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF640NSTRR |
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF640NSTRRPBF |
![]() |
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор польовий IRF640NPBF 18A 200V N-ch TO-220 |
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DH640 |
Hersteller: WXDH
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; DH640 DONGHAI TIRF640 DH
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; DH640 DONGHAI TIRF640 DH
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 1.2 EUR |
IRF640 | ![]() |
![]() |
Hersteller: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 1.2 EUR |
NTE2374 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 7.95 EUR |
IRF640NL Produktcode: 143762
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF640NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF640NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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