Suchergebnisse für "IRF640N" : 58

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IRF640N IRF640N
Produktcode: 30510
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IR description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.15
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
JHGF: THT
verfügbar: 12 St.
    1+0.4 EUR
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    IRF640NPBF IRF640NPBF
    Produktcode: 42934
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    		IR irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Uds,V: 200
    Idd,A: 18
    Rds(on), Ohm: 0.15
    Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
    Bem.: P=150W, -55...170 C
    JHGF: THT
    verfügbar: 705 St.
    • 10 St. - stock Köln
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      IRF640N IRF640N International Rectifier TIRF640n_JSM_0001.pdf description N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
      Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
      auf Bestellung 200 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      50+1.27 EUR
      Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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      IRF640N IRF640N International Rectifier TIRF640n_JSM_0001.pdf description N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
      Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
      auf Bestellung 160 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      50+1.27 EUR
      Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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      IRF640N IRF640N HXY MOSFET TIRF640n_JSM_0001.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
      Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
      auf Bestellung 73 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      25+1.14 EUR
      Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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      IRF640N IRF640N JSMicro Semiconductor TIRF640n_JSM_0001.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
      Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
      auf Bestellung 70 Stücke:
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      20+1.43 EUR
      Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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      IRF640N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
      Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
      auf Bestellung 100 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      25+1.22 EUR
      Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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      IRF640NL IRF640NL International Rectifier info-tirf640nl.pdf N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
      Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
      auf Bestellung 75 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      25+1.89 EUR
      Mindestbestellmenge: 25 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640n.pdf Category: THT N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
      Type of transistor: N-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 200V
      Drain current: 18A
      Power dissipation: 150W
      Case: TO220AB
      Gate-source voltage: ±20V
      On-state resistance: 0.15Ω
      Mounting: THT
      Kind of channel: enhancement
      Technology: HEXFET®
      Gate charge: 44.7nC
      Kind of package: tube
      auf Bestellung 3813 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      37+1.94 EUR
      77+0.94 EUR
      114+0.63 EUR
      130+0.55 EUR
      250+0.49 EUR
      500+0.45 EUR
      750+0.44 EUR
      1000+0.43 EUR
      2000+0.41 EUR
      Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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      IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
      auf Bestellung 32280 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      1+3.33 EUR
      10+2.09 EUR
      100+1.38 EUR
      500+1.09 EUR
      1000+0.97 EUR
      2000+0.89 EUR
      5000+0.85 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
      auf Bestellung 155400 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      140+1.04 EUR
      142+1.01 EUR
      500+0.88 EUR
      1000+0.71 EUR
      4000+0.62 EUR
      10000+0.61 EUR
      Mindestbestellmenge: 140 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
      auf Bestellung 35000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      1000+0.68 EUR
      4000+0.64 EUR
      10000+0.62 EUR
      Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
      auf Bestellung 155400 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      56+2.61 EUR
      141+1 EUR
      143+0.95 EUR
      500+0.82 EUR
      1000+0.64 EUR
      4000+0.55 EUR
      10000+0.52 EUR
      Mindestbestellmenge: 56 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
      auf Bestellung 12727 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      71+2.08 EUR
      150+0.96 EUR
      152+0.93 EUR
      500+0.82 EUR
      1000+0.67 EUR
      4000+0.6 EUR
      10000+0.58 EUR
      Mindestbestellmenge: 71 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Durchsteckmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 200V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 18A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      MSL: -
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
      Verlustleistung: 150W
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: TO-220AB
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: No
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
      auf Bestellung 50199 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
      auf Bestellung 2000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      2000+2.48 EUR
      Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
      auf Bestellung 35602 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      1000+0.68 EUR
      4000+0.63 EUR
      10000+0.6 EUR
      Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NS IRF640NS International Rectifier info-tirf640ns.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
      Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
      auf Bestellung 38 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      10+3.1 EUR
      Mindestbestellmenge: 10 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
      Type of transistor: N-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 200V
      Drain current: 18A
      Power dissipation: 150W
      Case: D2PAK
      Gate-source voltage: ±20V
      Mounting: SMD
      Kind of channel: enhancement
      Technology: HEXFET®
      Kind of package: reel
      auf Bestellung 1439 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      36+2.03 EUR
      60+1.2 EUR
      76+0.94 EUR
      100+0.86 EUR
      250+0.77 EUR
      500+0.71 EUR
      800+0.67 EUR
      Mindestbestellmenge: 36 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
      auf Bestellung 901 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      1+3.66 EUR
      10+2.34 EUR
      100+1.59 EUR
      500+1.18 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
      auf Bestellung 93 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 200V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 18A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
      Verlustleistung: 150W
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: TO-263AB
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: No
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
      auf Bestellung 2513 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
      auf Bestellung 24000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      800+0.76 EUR
      1600+0.72 EUR
      2400+0.7 EUR
      4000+0.62 EUR
      5600+0.59 EUR
      8000+0.56 EUR
      Mindestbestellmenge: 800 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
      auf Bestellung 2400 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      800+1.76 EUR
      Mindestbestellmenge: 800 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 200V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 18A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: N
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
      Verlustleistung: 150W
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: TO-263AB
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: No
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
      auf Bestellung 2513 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      		 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
      auf Bestellung 93 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      		 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
      auf Bestellung 24000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      800+0.76 EUR
      1600+0.74 EUR
      2400+0.72 EUR
      4000+0.66 EUR
      5600+0.64 EUR
      8000+0.62 EUR
      Mindestbestellmenge: 800 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
      auf Bestellung 2316 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      64+2.31 EUR
      99+1.46 EUR
      155+0.91 EUR
      800+0.79 EUR
      1600+0.77 EUR
      Mindestbestellmenge: 64 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
      auf Bestellung 17600 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      800+0.85 EUR
      1600+0.83 EUR
      2400+0.81 EUR
      4000+0.71 EUR
      5600+0.7 EUR
      8000+0.68 EUR
      Mindestbestellmenge: 800 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
      auf Bestellung 17600 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      800+0.85 EUR
      1600+0.81 EUR
      2400+0.78 EUR
      4000+0.68 EUR
      5600+0.64 EUR
      8000+0.61 EUR
      Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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      IRF640NSTRRPBF IRF640NSTRRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 150mOhms 44.7nC
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      IRF640NSTRRPBF IRF640NSTRRPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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      IRF640NSTRRPBF IRF640NSTRRPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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      IRF640N description IRF640N Транзисторы
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      IRF640N-005(94-2065)
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      IRF640NPBF/IR IR 08+;
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      IRF640NS IR description 08+
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      IRF640NSPBF International Rectifier/Infineon irf640npbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 150, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
      Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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      IRF640NSTRL IR 01+
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      IRF640NSTRLPBF/IR IR 08+;
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      IRF640NSTRR
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      IRF640NSTRRPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
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      Транзистор польовий IRF640NPBF 18A 200V N-ch TO-220
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      DH640 DH640 WXDH TIRF640_DH_WXDH_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; DH640 DONGHAI TIRF640 DH
      Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
      auf Bestellung 35 Stücke:
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      25+1.15 EUR
      Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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      NTE2374 NTE2374 NTE Electronics nte2374.pdf Category: THT N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
      Type of transistor: N-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 200V
      Drain current: 11A
      Pulsed drain current: 72A
      Power dissipation: 125W
      Case: TO220
      Gate-source voltage: ±20V
      On-state resistance: 0.18Ω
      Mounting: THT
      Kind of channel: enhancement
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      4+17.88 EUR
      Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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      IRF640NL
      Produktcode: 143762
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      		IRF640.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSPBF IRF640NSPBF
      Produktcode: 116935
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      		IR irf640npbf-935925-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: D2PAK (TO-263)
      Uds,V: 200 V
      Idd,A: 18 A
      Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
      Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
      JHGF: SMD
      Produkt ist nicht verfügbar
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      IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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      IRF640N International Rectifier/Infineon IRF640N_IR.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 150, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
      Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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      IRF640NPBF International Rectifier/Infineon irf640npbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 150 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
      Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
      Produkt ist nicht verfügbar
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      IRF640NPBF International Rectifier irf640n.pdf TO-220AB Транзистори
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      IRF640NPBF IRF640NPBF Infineon irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB Транзистори
      Produkt ist nicht verfügbar
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      IRF640NSPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee Силовой MOSFET 200V, 18A, 0.18Ом, -55...+155, D2PAK (SMD) Транзистори
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      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRF640NSTRLPBF International Rectifier irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee MOSFET 200V, 18A, D2PAK (SMD) Транзистори
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      Транзистор польовий IRF640NPBF IR Транзистор польовий IRF640NPBF IR IR Транз. Пол. ВП N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца)   Транзистори польові
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      IRF640N
      Produktcode: 30510
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      		description
      IRF640N
      Hersteller: IR
      Transistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: TO-220
      Uds,V: 200
      Idd,A: 18
      Rds(on), Ohm: 0.15
      Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
      JHGF: THT
      verfügbar: 12 St.
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        1+0.4 EUR
        10+0.37 EUR
        Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
        IRF640NPBF
        Produktcode: 42934
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        		irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
        IRF640NPBF
        Hersteller: IR
        Transistoren > MOSFET N-CH
        Gehäuse: TO-220
        Uds,V: 200
        Idd,A: 18
        Rds(on), Ohm: 0.15
        Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
        Bem.: P=150W, -55...170 C
        JHGF: THT
        verfügbar: 705 St.
        • 10 St. - stock Köln
        • 695 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
        erwartet: 50 St.
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          10+0.36 EUR
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF640N description TIRF640n_JSM_0001.pdf
          IRF640N
          Hersteller: International Rectifier
          N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
          Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
          auf Bestellung 200 Stücke:
          Lieferzeit 7-14 Tag (e)
          AnzahlPreis
          50+1.27 EUR
          Mindestbestellmenge: 50 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF640N description TIRF640n_JSM_0001.pdf
          IRF640N
          Hersteller: International Rectifier
          N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
          Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
          auf Bestellung 160 Stücke:
          Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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          50+1.27 EUR
          Mindestbestellmenge: 50 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF640N description TIRF640n_JSM_0001.pdf
          IRF640N
          Hersteller: HXY MOSFET
          Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
          Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
          auf Bestellung 73 Stücke:
          Lieferzeit 7-14 Tag (e)
          AnzahlPreis
          25+1.14 EUR
          Mindestbestellmenge: 25 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF640N description TIRF640n_JSM_0001.pdf
          IRF640N
          Hersteller: JSMicro Semiconductor
          Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
          Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
          auf Bestellung 70 Stücke:
          Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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          20+1.43 EUR
          Mindestbestellmenge: 20 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF640N-ML
          Hersteller: MOSLEADER
          Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
          Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
          auf Bestellung 100 Stücke:
          Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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          25+1.22 EUR
          Mindestbestellmenge: 25 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF640NL info-tirf640nl.pdf
          IRF640NL
          Hersteller: International Rectifier
          N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
          Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
          auf Bestellung 75 Stücke:
          Lieferzeit 7-14 Tag (e)
          AnzahlPreis
          25+1.89 EUR
          Mindestbestellmenge: 25 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF640NPBF irf640n.pdf
          IRF640NPBF
          Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
          Category: THT N channel transistors
          Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
          Type of transistor: N-MOSFET
          Polarisation: unipolar
          Drain-source voltage: 200V
          Drain current: 18A
          Power dissipation: 150W
          Case: TO220AB
          Gate-source voltage: ±20V
          On-state resistance: 0.15Ω
          Mounting: THT
          Kind of channel: enhancement
          Technology: HEXFET®
          Gate charge: 44.7nC
          Kind of package: tube
          auf Bestellung 3813 Stücke:
          Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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          37+1.94 EUR
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          114+0.63 EUR
          130+0.55 EUR
          250+0.49 EUR
          500+0.45 EUR
          750+0.44 EUR
          1000+0.43 EUR
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          Mindestbestellmenge: 37 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF640NPBF Infineon_IRF640N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
          IRF640NPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
          auf Bestellung 32280 Stücke:
          Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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          1+3.33 EUR
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          100+1.38 EUR
          500+1.09 EUR
          1000+0.97 EUR
          2000+0.89 EUR
          5000+0.85 EUR
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          IRF640NPBF irf640npbf.pdf
          IRF640NPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
          auf Bestellung 155400 Stücke:
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          140+1.04 EUR
          142+1.01 EUR
          500+0.88 EUR
          1000+0.71 EUR
          4000+0.62 EUR
          10000+0.61 EUR
          Mindestbestellmenge: 140 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF640NPBF irf640npbf.pdf
          IRF640NPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
          auf Bestellung 35000 Stücke:
          Lieferzeit 14-21 Tag (e)
          AnzahlPreis
          1000+0.68 EUR
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          Hersteller: Infineon Technologies
          Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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          Hersteller: Infineon Technologies
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          Hersteller: INFINEON
          Description: INFINEON - IRF640NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
          tariffCode: 85412900
          Transistormontage: Durchsteckmontage
          euEccn: NLR
          Drain-Source-Spannung Vds: 200V
          rohsCompliant: YES
          Dauer-Drainstrom Id: 18A
          hazardous: false
          rohsPhthalatesCompliant: YES
          Qualifikation: -
          isCanonical: Y
          MSL: -
          Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
          Verlustleistung: 150W
          SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
          Bauform - Transistor: TO-220AB
          Anzahl der Pins: 3Pin(s)
          Produktpalette: -
          productTraceability: No
          usEccn: EAR99
          Kanaltyp: n-Kanal
          Betriebstemperatur, max.: 175°C
          Rds(on)-Prüfspannung: 10V
          Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
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          Hersteller: Infineon Technologies
          Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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          IRF640NS
          Hersteller: International Rectifier
          Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
          Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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          IRF640NSTRLPBF
          Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
          Category: SMD N channel transistors
          Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
          Type of transistor: N-MOSFET
          Polarisation: unipolar
          Drain-source voltage: 200V
          Drain current: 18A
          Power dissipation: 150W
          Case: D2PAK
          Gate-source voltage: ±20V
          Mounting: SMD
          Kind of channel: enhancement
          Technology: HEXFET®
          Kind of package: reel
          auf Bestellung 1439 Stücke:
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          36+2.03 EUR
          60+1.2 EUR
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          100+0.86 EUR
          250+0.77 EUR
          500+0.71 EUR
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          Hersteller: Infineon Technologies
          MOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
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          100+1.59 EUR
          500+1.18 EUR
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          Hersteller: Infineon Technologies
          Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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          Hersteller: INFINEON
          Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
          tariffCode: 85412900
          Transistormontage: Oberflächenmontage
          euEccn: NLR
          Drain-Source-Spannung Vds: 200V
          rohsCompliant: YES
          Dauer-Drainstrom Id: 18A
          hazardous: false
          rohsPhthalatesCompliant: YES
          Qualifikation: -
          isCanonical: Y
          MSL: MSL 1 - unbegrenzt
          Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
          Verlustleistung: 150W
          SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
          Bauform - Transistor: TO-263AB
          Anzahl der Pins: 3Pin(s)
          Produktpalette: -
          productTraceability: No
          usEccn: EAR99
          Kanaltyp: n-Kanal
          Betriebstemperatur, max.: 175°C
          Rds(on)-Prüfspannung: 10V
          Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
          auf Bestellung 2513 Stücke:
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          IRF640NSTRLPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
          auf Bestellung 24000 Stücke:
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          800+0.76 EUR
          1600+0.72 EUR
          2400+0.7 EUR
          4000+0.62 EUR
          5600+0.59 EUR
          8000+0.56 EUR
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          Hersteller: Infineon Technologies
          Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
          auf Bestellung 2400 Stücke:
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          800+1.76 EUR
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          Hersteller: INFINEON
          Description: INFINEON - IRF640NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
          tariffCode: 85412900
          Transistormontage: Oberflächenmontage
          euEccn: NLR
          Drain-Source-Spannung Vds: 200V
          rohsCompliant: YES
          Dauer-Drainstrom Id: 18A
          hazardous: false
          rohsPhthalatesCompliant: YES
          Qualifikation: -
          isCanonical: N
          MSL: MSL 1 - unbegrenzt
          Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
          Verlustleistung: 150W
          SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
          Bauform - Transistor: TO-263AB
          Anzahl der Pins: 3Pin(s)
          Produktpalette: -
          productTraceability: No
          usEccn: EAR99
          Kanaltyp: n-Kanal
          Betriebstemperatur, max.: 175°C
          Rds(on)-Prüfspannung: 10V
          Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
          auf Bestellung 2513 Stücke:
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          Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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          Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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          1600+0.74 EUR
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          4000+0.66 EUR
          5600+0.64 EUR
          8000+0.62 EUR
          Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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          155+0.91 EUR
          800+0.79 EUR
          1600+0.77 EUR
          Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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          Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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          4000+0.71 EUR
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          8000+0.68 EUR
          Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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          Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
          auf Bestellung 17600 Stücke:
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          800+0.85 EUR
          1600+0.81 EUR
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          5600+0.64 EUR
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          MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 150mOhms 44.7nC
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          Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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          Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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          Hersteller: Infineon Technologies
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          500+1.44 EUR
          1000+1.3 EUR
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          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF640N description
          IRF640N Транзисторы
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          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF640N-005(94-2065)
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          IRF640NPBF/IR
          Hersteller: IR
          08+;
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          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF640NS description
          Hersteller: IR
          08+
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          IRF640NSPBF irf640npbf.pdf
          Hersteller: International Rectifier/Infineon
          N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 150, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
          Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
          verfügbar 120 Stücke:
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          IRF640NSTRL
          Hersteller: IR
          01+
          auf Bestellung 2400 Stücke:
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          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF640NSTRLPBF/IR
          Hersteller: IR
          08+;
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          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF640NSTRR
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          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF640NSTRRPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
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          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          Транзистор польовий IRF640NPBF 18A 200V N-ch TO-220
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          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          DH640 TIRF640_DH_WXDH_0001.pdf
          DH640
          Hersteller: WXDH
          Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; DH640 DONGHAI TIRF640 DH
          Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
          auf Bestellung 35 Stücke:
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          AnzahlPreis
          25+1.15 EUR
          Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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          NTE2374 nte2374.pdf
          NTE2374
          Hersteller: NTE Electronics
          Category: THT N channel transistors
          Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
          Type of transistor: N-MOSFET
          Polarisation: unipolar
          Drain-source voltage: 200V
          Drain current: 11A
          Pulsed drain current: 72A
          Power dissipation: 125W
          Case: TO220
          Gate-source voltage: ±20V
          On-state resistance: 0.18Ω
          Mounting: THT
          Kind of channel: enhancement
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          Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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          IRF640NL
          Produktcode: 143762
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          Transistoren > MOSFET N-CH
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          IRF640NSPBF
          Produktcode: 116935
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          		irf640npbf-935925-datasheet.pdf
          IRF640NSPBF
          Hersteller: IR
          Transistoren > MOSFET N-CH
          Gehäuse: D2PAK (TO-263)
          Uds,V: 200 V
          Idd,A: 18 A
          Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
          Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
          JHGF: SMD
          Produkt ist nicht verfügbar
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          IRF640NPBF irf640npbf.pdf
          IRF640NPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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          Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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          IRF640NPBF irf640npbf.pdf
          IRF640NPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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          Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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          IRF640N description IRF640N_IR.pdf
          Hersteller: International Rectifier/Infineon
          N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 150, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
          Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF640NPBF irf640npbf.pdf
          Hersteller: International Rectifier/Infineon
          N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 150 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
          Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
          Produkt ist nicht verfügbar
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF640NPBF irf640n.pdf
          Hersteller: International Rectifier
          TO-220AB Транзистори
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          IRF640NPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
          IRF640NPBF
          Hersteller: Infineon
          MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB Транзистори
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          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF640NSPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
          Силовой MOSFET 200V, 18A, 0.18Ом, -55...+155, D2PAK (SMD) Транзистори
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          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
          Hersteller: International Rectifier
          MOSFET 200V, 18A, D2PAK (SMD) Транзистори
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          Транзистор польовий IRF640NPBF IR
          Транзистор польовий IRF640NPBF IR
          Hersteller: IR
          Транз. Пол. ВП N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=18A; Pdmax=125W; Rds=0,18 Ohm (аналог IRF640 только без свинца)   Транзистори польові
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          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH