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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF644 IRF644 Harris Corporation HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: 14A, 250V, 0.28 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 24445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
133+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644 HARRIS HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91039.pdf description IRF644
auf Bestellung 23619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+3.78 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.26 EUR
10000+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644 HARRIS HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91039.pdf description IRF644
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+3.78 EUR
500+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644B-FP001 IRF644B-FP001 Fairchild Semiconductor IRF644B-D.PDF Description: IRF644B - DISCRETE MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
133+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644B_FP001 IRF644B_FP001 ON Semiconductor irf644b-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+3.78 EUR
500+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF IRF644PBF VISHAY IRF644PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+3 EUR
47+1.82 EUR
56+1.54 EUR
100+1.43 EUR
250+1.27 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF IRF644PBF Vishay Siliconix 91039.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.62 EUR
50+4.99 EUR
100+4.55 EUR
500+3.76 EUR
1000+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF IRF644PBF Vishay Semiconductors 91039.pdf MOSFETs TO220 250V 14A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.41 EUR
10+3 EUR
100+2.31 EUR
500+2 EUR
1000+1.77 EUR
2000+1.3 EUR
5000+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.57 EUR
127+1.37 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.5 EUR
100+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
199+0.88 EUR
202+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 199 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.2 EUR
71+2.4 EUR
100+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+1.82 EUR
113+1.51 EUR
127+1.3 EUR
500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.92 EUR
198+0.86 EUR
201+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF IRF644PBF VISHAY VISH-S-A0019267824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF644PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.38 EUR
80+2.93 EUR
108+1.99 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.61 EUR
5000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF IRF644PBF Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+3.01 EUR
70+2.5 EUR
100+2.28 EUR
250+2 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF-BE3 IRF644PBF-BE3 Vishay / Siliconix 91039.pdf MOSFETs TO220 250V 14A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1007 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.5 EUR
10+3.27 EUR
100+2.51 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.31 EUR
2000+1.93 EUR
5000+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF-BE3 IRF644PBF-BE3 Vishay Siliconix 91039.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.71 EUR
50+4.49 EUR
100+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF-BE3 IRF644PBF-BE3 VISHAY 3204809.pdf Description: VISHAY - IRF644PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 250V, 14A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.25 EUR
46+5.11 EUR
47+4.58 EUR
50+4.47 EUR
100+4.37 EUR
500+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644S IRF644S Siliconix TIRF644s_0001.pdf N-MOSFET 14A 250V 125W 0.28Ω IRF644S TIRF644s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+7.07 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF IRF644SPBF VISHAY IRF644S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.5 EUR
26+3.28 EUR
50+2.76 EUR
100+2.58 EUR
250+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay Semiconductors sihf644s.pdf MOSFETs N-Chan 250V 14 Amp
auf Bestellung 1624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.71 EUR
10+4.27 EUR
100+3.61 EUR
500+3.28 EUR
1000+3.12 EUR
2000+3.06 EUR
5000+3.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay Siliconix sihf644s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.23 EUR
50+4.77 EUR
100+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF IRF644SPBF VISHAY VISH-S-A0011126101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF644SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 1316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.65 EUR
49+4.78 EUR
100+3.11 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.36 EUR
88+1.94 EUR
100+1.71 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.44 EUR
50+4.49 EUR
100+4.13 EUR
250+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+2 EUR
100+1.81 EUR
500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRLPBF IRF644STRLPBF Vishay Semiconductors sihf644s.pdf MOSFETs N-Chan 250V 14 Amp
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.73 EUR
10+5.74 EUR
100+4.19 EUR
500+3.37 EUR
800+3.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRLPBF IRF644STRLPBF Vishay Siliconix sihf644s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.23 EUR
10+6.12 EUR
100+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRLPBF IRF644STRLPBF VISHAY sihf644s.pdf Description: VISHAY - IRF644STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.52 EUR
45+5.22 EUR
100+3.02 EUR
500+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRRPBF IRF644STRRPBF Vishay Semiconductors sihf644s.pdf MOSFETs N-Chan 250V 14 Amp
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.46 EUR
10+5.55 EUR
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IRF644STRRPBF IRF644STRRPBF Vishay Siliconix sihf644s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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IRF644B
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IRF644NS IR IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf TO-263
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Транзистор IRF644
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IRF644B
Produktcode: 192729
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF644PBF IRF644PBF
Produktcode: 22636
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Vishay IRF644.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 V
Drain-Strom Idd, A: 14 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Montage: THT
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1+1.52 EUR
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IRF644PBF IRF644PBF
Produktcode: 123223
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SILI sihf644-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 8,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,28 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/68
Montage: THT
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IRF644PBF IRF644PBF
Produktcode: 181182
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IR IRF644.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 14 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,24 Ом
Montage: THT
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1+1.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644 IRF644 STMicroelectronics HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91039.pdf description MOSFETs N-Ch 250 Volt 14 Amp
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644 IRF644 Vishay Siliconix 91039.pdf description Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644 IRF644 Vishay / Siliconix HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91039.pdf description MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
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IRF644B-FP001 IRF644B-FP001 onsemi IRF644B.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220-3
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IRF644L Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 250V 14A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644N IRF644N Vishay Siliconix IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644NLPBF IRF644NLPBF Vishay Siliconix IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
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IRF644NPBF IRF644NPBF Vishay Siliconix IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644NS IRF644NS Vishay Siliconix IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644NSPBF IRF644NSPBF Vishay Siliconix IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644NSTRL IRF644NSTRL Vishay Siliconix IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644NSTRLPBF IRF644NSTRLPBF Vishay Siliconix IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644NSTRR IRF644NSTRR Vishay Siliconix IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF-BE3 IRF644PBF-BE3 Vishay 91039.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644S Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRL Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF644STRLPBF IRF644STRLPBF VISHAY sihf644s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRLPBF IRF644STRLPBF Vishay Siliconix sihf644s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644 description HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF644
Hersteller: Harris Corporation
Description: 14A, 250V, 0.28 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 24445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
133+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644 description HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91039.pdf
Hersteller: HARRIS
IRF644
auf Bestellung 23619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
175+3.78 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.26 EUR
10000+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644 description HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91039.pdf
Hersteller: HARRIS
IRF644
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
175+3.78 EUR
500+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644B-FP001 IRF644B-D.PDF
IRF644B-FP001
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: IRF644B - DISCRETE MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
133+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
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IRF644B_FP001 irf644b-d.pdf
IRF644B_FP001
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
175+3.78 EUR
500+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
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IRF644PBF IRF644PBF.pdf
IRF644PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+3 EUR
47+1.82 EUR
56+1.54 EUR
100+1.43 EUR
250+1.27 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF 91039.pdf
IRF644PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 1354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.62 EUR
50+4.99 EUR
100+4.55 EUR
500+3.76 EUR
1000+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF 91039.pdf
IRF644PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 250V 14A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.41 EUR
10+3 EUR
100+2.31 EUR
500+2 EUR
1000+1.77 EUR
2000+1.3 EUR
5000+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF 91039.pdf
IRF644PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
113+1.57 EUR
127+1.37 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF 91039.pdf
IRF644PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
71+2.5 EUR
100+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF 91039.pdf
IRF644PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
199+0.88 EUR
202+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 199 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF 91039.pdf
IRF644PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+4.2 EUR
71+2.4 EUR
100+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF 91039.pdf
IRF644PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
97+1.82 EUR
113+1.51 EUR
127+1.3 EUR
500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF 91039.pdf
IRF644PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
193+0.92 EUR
198+0.86 EUR
201+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF VISH-S-A0019267824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF644PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF644PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
47+5.38 EUR
80+2.93 EUR
108+1.99 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.61 EUR
5000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF 91039.pdf
IRF644PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+3.01 EUR
70+2.5 EUR
100+2.28 EUR
250+2 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF-BE3 91039.pdf
IRF644PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 250V 14A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1007 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.5 EUR
10+3.27 EUR
100+2.51 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.31 EUR
2000+1.93 EUR
5000+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF-BE3 91039.pdf
IRF644PBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.71 EUR
50+4.49 EUR
100+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF-BE3 3204809.pdf
IRF644PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF644PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 250V, 14A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.25 EUR
46+5.11 EUR
47+4.58 EUR
50+4.47 EUR
100+4.37 EUR
500+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644S TIRF644s_0001.pdf
IRF644S
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 14A 250V 125W 0.28Ω IRF644S TIRF644s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+7.07 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF IRF644S.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+5.5 EUR
26+3.28 EUR
50+2.76 EUR
100+2.58 EUR
250+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 250V 14 Amp
auf Bestellung 1624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.71 EUR
10+4.27 EUR
100+3.61 EUR
500+3.28 EUR
1000+3.12 EUR
2000+3.06 EUR
5000+3.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.23 EUR
50+4.77 EUR
100+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF VISH-S-A0011126101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF644SPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF644SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 1316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+9.65 EUR
49+4.78 EUR
100+3.11 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
75+2.36 EUR
88+1.94 EUR
100+1.71 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+5.44 EUR
50+4.49 EUR
100+4.13 EUR
250+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
89+2 EUR
100+1.81 EUR
500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRLPBF sihf644s.pdf
IRF644STRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 250V 14 Amp
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.73 EUR
10+5.74 EUR
100+4.19 EUR
500+3.37 EUR
800+3.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRLPBF sihf644s.pdf
IRF644STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.23 EUR
10+6.12 EUR
100+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRLPBF sihf644s.pdf
IRF644STRLPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF644STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+9.52 EUR
45+5.22 EUR
100+3.02 EUR
500+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRRPBF sihf644s.pdf
IRF644STRRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 250V 14 Amp
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.46 EUR
10+5.55 EUR
100+4.14 EUR
500+3.37 EUR
800+3.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRRPBF sihf644s.pdf
IRF644STRRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.23 EUR
10+6.12 EUR
100+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644B
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644NS IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRF644
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644B
Produktcode: 192729
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF
Produktcode: 22636
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRF644.pdf
IRF644PBF
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 V
Drain-Strom Idd, A: 14 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+1.52 EUR
10+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF
Produktcode: 123223
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sihf644-datasheet.pdf
IRF644PBF
Hersteller: SILI
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 8,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,28 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/68
Montage: THT
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AnzahlPrivatkunde
1+0.92 EUR
10+0.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF
Produktcode: 181182
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IRF644.pdf
IRF644PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 14 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,24 Ом
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+1.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644 description HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91039.pdf
IRF644
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 250 Volt 14 Amp
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644 description 91039.pdf
IRF644
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644 description HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91039.pdf
IRF644
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644B-FP001 IRF644B.pdf
IRF644B-FP001
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644L
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644N IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf
IRF644N
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644NLPBF IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf
IRF644NLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644NPBF IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf
IRF644NPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644NS IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf
IRF644NS
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644NSPBF IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf
IRF644NSPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644NSTRL IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf
IRF644NSTRL
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644NSTRLPBF IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf
IRF644NSTRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644NSTRR IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf
IRF644NSTRR
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644PBF-BE3 91039.pdf
IRF644PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644S
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRL
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRLPBF sihf644s.pdf
IRF644STRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF644STRLPBF sihf644s.pdf
IRF644STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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