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IRF7307TRPBF IRF7307TRPBF
Produktcode: 40384
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IR irf7307pbf-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 04.01.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: N/P Kanal
JHGF: SMD
auf Bestellung 57 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.38 EUR
10+0.34 EUR
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IRF7307 IR description Транз. Пол. ММ 1N-1P-HEXFET logik SO8 Udss=+-20V; Id=4,3A; Id=-3.6A Pdmax=1,4W; Rds=0,05 Ohm
auf Bestellung 217 Stücke:
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IRF7307PBF International Rectifier/Infineon irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e description Транзистор польовий N+P; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; td(on)+tr = 9; td(off)+tf = 32; Id2 = 4,
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7307QTRPBF IOR IRF7307QPbF.pdf
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IRF7307TR IR 784b9117225c0472b678b493b336bc2c.pdf 98+
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IRF7307TR IOR 784b9117225c0472b678b493b336bc2c.pdf
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IRF7307TR IOR 784b9117225c0472b678b493b336bc2c.pdf SOP8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TRPBF International Rectifier/Infineon irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e description N-канальный и P-канальный ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 пФ @ 15 В; Qg, нКл = 20 @ 4.5 В; Rds = 50 мОм @ 2.6 A, 4.5 В; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TRPBF International Rectifier Corporation irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e description (HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,1.4W,20V,4A,SO-8)
auf Bestellung 35 Stücke:
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UMWIRF7307TR UMWIRF7307TR UMW 784b9117225c0472b678b493b336bc2c.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 4.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V, 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 2.6A, 4.5V, 100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 22nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 2787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.25 EUR
23+0.78 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRF7307TRPBF 5.7А 20V N+P-ch SO8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC6A09DN8TA ZXMC6A09DN8TA Diodes Incorporated ZXMC6A09DN8.pdf MOSFETs Comp. 60V NP-Chnl
auf Bestellung 678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.14 EUR
10+2.82 EUR
100+1.92 EUR
250+1.9 EUR
500+1.53 EUR
1000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307 IRF7307
Produktcode: 21981
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IR description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307PBF IRF7307PBF
Produktcode: 28597
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IR irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 05.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: N+P (4.7A)
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307PBF IRF7307PBF Infineon Technologies irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e description Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307QTRPBF IRF7307QTRPBF Infineon Technologies IRF7307QPbF.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TRPBF IRF7307TRPBF Infineon Technologies irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e description Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TRPBF IRF7307TRPBF Infineon Technologies irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e description Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRF7307TR UMWIRF7307TR UMW 784b9117225c0472b678b493b336bc2c.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 4.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V, 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 2.6A, 4.5V, 100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 22nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TRPBF
Produktcode: 40384
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

description irf7307pbf-datasheet.pdf
IRF7307TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 04.01.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: N/P Kanal
JHGF: SMD
auf Bestellung 57 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.38 EUR
10+0.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307 description
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 1N-1P-HEXFET logik SO8 Udss=+-20V; Id=4,3A; Id=-3.6A Pdmax=1,4W; Rds=0,05 Ohm
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307PBF description irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e
Hersteller: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 15; Qg, нКл = 20 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,6 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; td(on)+tr = 9; td(off)+tf = 32; Id2 = 4,
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307QTRPBF IRF7307QPbF.pdf
Hersteller: IOR
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TR 784b9117225c0472b678b493b336bc2c.pdf
Hersteller: IR
98+
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TR 784b9117225c0472b678b493b336bc2c.pdf
Hersteller: IOR
auf Bestellung 5870 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TR 784b9117225c0472b678b493b336bc2c.pdf
Hersteller: IOR
SOP8
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TRPBF description irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальный и P-канальный ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 пФ @ 15 В; Qg, нКл = 20 @ 4.5 В; Rds = 50 мОм @ 2.6 A, 4.5 В; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TRPBF description irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e
Hersteller: International Rectifier Corporation
(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,1.4W,20V,4A,SO-8)
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRF7307TR 784b9117225c0472b678b493b336bc2c.pdf
UMWIRF7307TR
Hersteller: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 4.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V, 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 2.6A, 4.5V, 100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 22nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 2787 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+1.25 EUR
23+0.78 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRF7307TRPBF 5.7А 20V N+P-ch SO8
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMC6A09DN8TA ZXMC6A09DN8.pdf
ZXMC6A09DN8TA
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs Comp. 60V NP-Chnl
auf Bestellung 678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.14 EUR
10+2.82 EUR
100+1.92 EUR
250+1.9 EUR
500+1.53 EUR
1000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307
Produktcode: 21981
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description
IRF7307
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307PBF
Produktcode: 28597
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description irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e
IRF7307PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 05.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 660/20
Bem.: N+P (4.7A)
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307PBF description irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e
IRF7307PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307QTRPBF IRF7307QPbF.pdf
IRF7307QTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TRPBF description irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e
IRF7307TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7307TRPBF description irf7307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f20d211b0e
IRF7307TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
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UMWIRF7307TR 784b9117225c0472b678b493b336bc2c.pdf
UMWIRF7307TR
Hersteller: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 4.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V, 610pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 2.6A, 4.5V, 100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 22nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
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