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IRF740PBF IRF740PBF
Produktcode: 24032
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IR 91054.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 400
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.55
JHGF: THT
verfügbar: 6 Stück
1+0.5 EUR
10+0.48 EUR
100+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF
Produktcode: 162988
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Siliconix 91054.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: THT
auf Bestellung 984 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20 Stück:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740SPBF IRF740SPBF
Produktcode: 154285
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Siliconix sihf740s.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 A
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: SMD
auf Bestellung 35 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740 HXY MOSFET IRF740.pdf 91054.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740 Vishay IRF740.pdf 91054.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF740; IRF740; IRF740 TIRF740
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF740 HXY MOSFET IRF740.pdf 91054.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRF740-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 420mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740-ML MOSLEADER TIRF740 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRF7401TR UMW 1dbfd6ace86d691a08366accd121d081.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR UMW TIRF7401 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF7403TRPBF IRF7403TRPBF Infineon Technologies irf7403pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa23541b9c Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7404TR International Rectifier 0e66e43bc47f14990dd2507c81ccac6c.pdf P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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IRF7406-HXY HXY MOSFET Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406 HXY MOSFET TIRF7406 HXY
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406TR Infineon ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE; Replacement: IRF7406; IRF7406TR; IRF9335; IRF7406-GURT; IR IRF7406TR TIRF7406
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+11.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406TR UMW ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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IRF7406TR JGSEMI ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR JGSEMI TIRF7406 JGS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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IRF7406TR UMW ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALPBF IRF740ALPBF VISHAY tf-irf740alpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+1.99 EUR
40+1.79 EUR
50+1.57 EUR
250+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALPBF IRF740ALPBF VISHAY tf-irf740alpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+1.99 EUR
40+1.79 EUR
50+1.57 EUR
250+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALPBF IRF740ALPBF Vishay Siliconix tf-irf740alpbf.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
auf Bestellung 1028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.74 EUR
50+2.9 EUR
100+2.63 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALPBF IRF740ALPBF Vishay Semiconductors tf-irf740alpbf.pdf MOSFETs TO262 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.52 EUR
10+2.45 EUR
100+2.31 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740AP Siliconix N-MOSFET 10A 400V 125W IRF740A TIRF740 a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBF IRF740APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E08F27066469&compId=IRF740APBF.pdf?ci_sign=3f905ef59ac97d29c6f1f1ed41c51b63c76c4120 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.52 EUR
38+1.89 EUR
52+1.4 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBF IRF740APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E08F27066469&compId=IRF740APBF.pdf?ci_sign=3f905ef59ac97d29c6f1f1ed41c51b63c76c4120 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.52 EUR
38+1.89 EUR
52+1.4 EUR
100+1.27 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBF IRF740APBF Vishay 91051.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+5.03 EUR
60+2.35 EUR
100+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBF-BE3 IRF740APBF-BE3 Vishay Siliconix 91051.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.3 EUR
50+2.67 EUR
100+2.41 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC42470F81F6143&compId=IRF740A.pdf?ci_sign=99193811f6275b805f3a88c6b7285dcf9ef19348 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+2.99 EUR
38+1.93 EUR
52+1.39 EUR
100+1.23 EUR
500+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC42470F81F6143&compId=IRF740A.pdf?ci_sign=99193811f6275b805f3a88c6b7285dcf9ef19348 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 686 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.99 EUR
38+1.93 EUR
52+1.39 EUR
100+1.23 EUR
500+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBF IRF740ASPBF Vishay Siliconix sihf740a.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.74 EUR
50+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY VISH-S-A0013329351-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF740ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF VISHAY sihf740a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.92 EUR
29+2.52 EUR
35+2.04 EUR
100+1.53 EUR
250+1.39 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF VISHAY sihf740a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.92 EUR
29+2.52 EUR
35+2.04 EUR
100+1.53 EUR
250+1.39 EUR
500+1.29 EUR
800+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740BPBF IRF740BPBF VISHAY VISH-S-A0002290649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF740BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LC Siliconix 91053.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C~150°C; Substitute: IRF740LC IRF740LC TIRF740 lc
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF IRF740LCPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F096BFD816143&compId=IRF740LC.pdf?ci_sign=8c49199790b6aa766f068866e0d345028a22ec21 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.14 EUR
39+1.84 EUR
46+1.56 EUR
55+1.3 EUR
100+1.1 EUR
500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF IRF740LCPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F096BFD816143&compId=IRF740LC.pdf?ci_sign=8c49199790b6aa766f068866e0d345028a22ec21 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.14 EUR
39+1.84 EUR
46+1.56 EUR
55+1.3 EUR
100+1.1 EUR
500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF IRF740LCPBF Vishay Siliconix 91053.pdf description Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
auf Bestellung 2447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.19 EUR
50+2.64 EUR
100+2.4 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF IRF740LCPBF Vishay Semiconductors 91053.pdf description MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.16 EUR
10+2.64 EUR
100+2.39 EUR
500+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF IRF740LCPBF Vishay 91053.pdf description Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+1.17 EUR
146+0.96 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 124
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF IRF740LCPBF VISHAY VISH-S-A0019267788-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRF740LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF IRF740LCPBF Vishay 91053.pdf description Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+0.99 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 146
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF-BE3 IRF740LCPBF-BE3 Vishay / Siliconix 91053.pdf MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1044 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.47 EUR
10+2.87 EUR
100+2.73 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.16 EUR
2000+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF-BE3 IRF740LCPBF-BE3 Vishay Siliconix 91053.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.09 EUR
50+3.11 EUR
100+2.82 EUR
500+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF IRF740PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E5CB7DF8A469&compId=IRF740PBF.pdf?ci_sign=30c177f7d7a30c00e8d9c60fb93770396b85d75a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 2092 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+1.52 EUR
54+1.33 EUR
60+1.2 EUR
61+1.19 EUR
100+1.1 EUR
150+1.07 EUR
200+1.04 EUR
250+1.02 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF IRF740PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E5CB7DF8A469&compId=IRF740PBF.pdf?ci_sign=30c177f7d7a30c00e8d9c60fb93770396b85d75a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2092 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.52 EUR
54+1.33 EUR
60+1.2 EUR
61+1.19 EUR
100+1.1 EUR
150+1.07 EUR
200+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF IRF740PBF Vishay Semiconductors 91054.pdf MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.56 EUR
1000+1.54 EUR
10000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF IRF740PBF Vishay Siliconix 91054.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3837 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.3 EUR
50+2.67 EUR
100+2.41 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.82 EUR
2000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF IRF740PBF Vishay 91054.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 133
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF IRF740PBF VISHAY VISH-S-A0019268315-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF740PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3028 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF IRF740PBF Vishay 91054.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1832 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 147
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF IRF740PBF Vishay 91054.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.19 EUR
131+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF IRF740PBF Vishay 91054.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 7042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.26 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF IRF740PBF Vishay 91054.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1832 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 147
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF IRF740PBF Vishay 91054.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 7049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.53 EUR
115+1.22 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3 IRF740PBF-BE3 VISHAY 91054.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.36 EUR
57+1.26 EUR
60+1.2 EUR
63+1.14 EUR
100+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3 IRF740PBF-BE3 VISHAY 91054.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
57+1.26 EUR
60+1.2 EUR
63+1.14 EUR
100+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3 IRF740PBF-BE3 Vishay / Siliconix 91054.pdf MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.97 EUR
100+1.95 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.51 EUR
5000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3 IRF740PBF-BE3 Vishay Siliconix 91054.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.3 EUR
50+2.67 EUR
100+2.41 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.82 EUR
2000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3 IRF740PBF-BE3 Vishay 91054.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3 IRF740PBF-BE3 Vishay 91054.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3 IRF740PBF-BE3 VISHAY VISH-S-A0001305149-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF740PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 400V, 10A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3 IRF740PBF-BE3 Vishay 91054.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+2.47 EUR
100+2.27 EUR
250+2.1 EUR
500+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF
Produktcode: 24032
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91054.pdf
IRF740PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 400
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.55
JHGF: THT
verfügbar: 6 Stück
Anzahl Preis
1+0.5 EUR
10+0.48 EUR
100+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF
Produktcode: 162988
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91054.pdf
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: THT
auf Bestellung 984 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20 Stück:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740SPBF
Produktcode: 154285
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sihf740s.pdf
IRF740SPBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 A
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: SMD
auf Bestellung 35 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740 IRF740.pdf 91054.pdf
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740 IRF740.pdf 91054.pdf
Hersteller: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF740; IRF740; IRF740 TIRF740
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740 IRF740.pdf 91054.pdf
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 420mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740-ML MOSLEADER TIRF740 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7401TR 1dbfd6ace86d691a08366accd121d081.pdf
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR UMW TIRF7401 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7403TRPBF irf7403pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa23541b9c
IRF7403TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7404TR 0e66e43bc47f14990dd2507c81ccac6c.pdf
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406-HXY
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406 HXY MOSFET TIRF7406 HXY
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406TR ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf
Hersteller: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE; Replacement: IRF7406; IRF7406TR; IRF9335; IRF7406-GURT; IR IRF7406TR TIRF7406
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+11.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406TR ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406TR ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf
Hersteller: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR JGSEMI TIRF7406 JGS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7406TR ab2f5d8a01478871a9eac39a03db67d0.pdf
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALPBF tf-irf740alpbf.pdf
IRF740ALPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
36+1.99 EUR
40+1.79 EUR
50+1.57 EUR
250+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALPBF tf-irf740alpbf.pdf
IRF740ALPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+1.99 EUR
40+1.79 EUR
50+1.57 EUR
250+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALPBF tf-irf740alpbf.pdf
IRF740ALPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
auf Bestellung 1028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.74 EUR
50+2.9 EUR
100+2.63 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ALPBF tf-irf740alpbf.pdf
IRF740ALPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO262 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.52 EUR
10+2.45 EUR
100+2.31 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740AP
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 10A 400V 125W IRF740A TIRF740 a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E08F27066469&compId=IRF740APBF.pdf?ci_sign=3f905ef59ac97d29c6f1f1ed41c51b63c76c4120
IRF740APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.52 EUR
38+1.89 EUR
52+1.4 EUR
100+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E08F27066469&compId=IRF740APBF.pdf?ci_sign=3f905ef59ac97d29c6f1f1ed41c51b63c76c4120
IRF740APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.52 EUR
38+1.89 EUR
52+1.4 EUR
100+1.27 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBF 91051.pdf
IRF740APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
41+5.03 EUR
60+2.35 EUR
100+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740APBF-BE3 91051.pdf
IRF740APBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.3 EUR
50+2.67 EUR
100+2.41 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC42470F81F6143&compId=IRF740A.pdf?ci_sign=99193811f6275b805f3a88c6b7285dcf9ef19348
IRF740ASPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.99 EUR
38+1.93 EUR
52+1.39 EUR
100+1.23 EUR
500+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC42470F81F6143&compId=IRF740A.pdf?ci_sign=99193811f6275b805f3a88c6b7285dcf9ef19348
IRF740ASPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 686 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.99 EUR
38+1.93 EUR
52+1.39 EUR
100+1.23 EUR
500+1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBF sihf740a.pdf
IRF740ASPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.74 EUR
50+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASPBF VISH-S-A0013329351-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF740ASPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.92 EUR
29+2.52 EUR
35+2.04 EUR
100+1.53 EUR
250+1.39 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.92 EUR
29+2.52 EUR
35+2.04 EUR
100+1.53 EUR
250+1.39 EUR
500+1.29 EUR
800+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740BPBF VISH-S-A0002290649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF740BPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LC 91053.pdf
Hersteller: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C~150°C; Substitute: IRF740LC IRF740LC TIRF740 lc
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F096BFD816143&compId=IRF740LC.pdf?ci_sign=8c49199790b6aa766f068866e0d345028a22ec21
IRF740LCPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.14 EUR
39+1.84 EUR
46+1.56 EUR
55+1.3 EUR
100+1.1 EUR
500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD8F096BFD816143&compId=IRF740LC.pdf?ci_sign=8c49199790b6aa766f068866e0d345028a22ec21
IRF740LCPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.14 EUR
39+1.84 EUR
46+1.56 EUR
55+1.3 EUR
100+1.1 EUR
500+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF description 91053.pdf
IRF740LCPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
auf Bestellung 2447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.19 EUR
50+2.64 EUR
100+2.4 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF description 91053.pdf
IRF740LCPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.16 EUR
10+2.64 EUR
100+2.39 EUR
500+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF description 91053.pdf
IRF740LCPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
124+1.17 EUR
146+0.96 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 124
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF description VISH-S-A0019267788-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF740LCPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF description 91053.pdf
IRF740LCPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
146+0.99 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 146
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF-BE3 91053.pdf
IRF740LCPBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1044 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.47 EUR
10+2.87 EUR
100+2.73 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.16 EUR
2000+2.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740LCPBF-BE3 91053.pdf
IRF740LCPBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.09 EUR
50+3.11 EUR
100+2.82 EUR
500+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E5CB7DF8A469&compId=IRF740PBF.pdf?ci_sign=30c177f7d7a30c00e8d9c60fb93770396b85d75a
IRF740PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 2092 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
54+1.33 EUR
60+1.2 EUR
61+1.19 EUR
100+1.1 EUR
150+1.07 EUR
200+1.04 EUR
250+1.02 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D89E5CB7DF8A469&compId=IRF740PBF.pdf?ci_sign=30c177f7d7a30c00e8d9c60fb93770396b85d75a
IRF740PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2092 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
54+1.33 EUR
60+1.2 EUR
61+1.19 EUR
100+1.1 EUR
150+1.07 EUR
200+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF 91054.pdf
IRF740PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.09 EUR
10+1.56 EUR
1000+1.54 EUR
10000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF 91054.pdf
IRF740PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3837 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.3 EUR
50+2.67 EUR
100+2.41 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.82 EUR
2000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF 91054.pdf
IRF740PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
133+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 133
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF VISH-S-A0019268315-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF740PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3028 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF 91054.pdf
IRF740PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1832 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
147+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 147
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF 91054.pdf
IRF740PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
122+1.19 EUR
131+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF 91054.pdf
IRF740PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 7042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
115+1.26 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF 91054.pdf
IRF740PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1832 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
147+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 147
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF 91054.pdf
IRF740PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 7049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
95+1.53 EUR
115+1.22 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3 91054.pdf
IRF740PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
57+1.26 EUR
60+1.2 EUR
63+1.14 EUR
100+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3 91054.pdf
IRF740PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
57+1.26 EUR
60+1.2 EUR
63+1.14 EUR
100+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3 91054.pdf
IRF740PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.18 EUR
10+1.97 EUR
100+1.95 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.51 EUR
5000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3 91054.pdf
IRF740PBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 3334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.3 EUR
50+2.67 EUR
100+2.41 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.82 EUR
2000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3 91054.pdf
IRF740PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF740PBF-BE3 91054.pdf
IRF740PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF740PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 400V, 10A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
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auf Bestellung 874 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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