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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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IRF740PBF Produktcode: 24032
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 400 Idd,A: 10 Rds(on), Ohm: 0.55 JHGF: THT |
verfügbar: 6 Stück
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IRF740PBF Produktcode: 162988
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Lieblingsprodukt
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Siliconix |
![]() Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 400 V Idd,A: 10 А Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63 JHGF: THT |
auf Bestellung 1011 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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IRF740SPBF Produktcode: 154285
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Lieblingsprodukt
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Siliconix |
![]() Gehäuse: D2PAK (TO-263) Uds,V: 400 V Idd,A: 10 A Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63 JHGF: SMD |
auf Bestellung 35 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
IRF740 | HXY MOSFET |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF740 | HXY MOSFET |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF740 | Vishay |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 875 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF740-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 420mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740-ML MOSLEADER TIRF740 MOS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7401TR | UMW |
![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7404TR | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 20 Stücke |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7406-HXY | HXY MOSFET |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406 HXY MOSFET TIRF7406 HXY Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7406TR | UMW |
![]() Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7406TR | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7406TR | UMW |
![]() Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7406TR | JGSEMI |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF740ALPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Kind of package: tube |
auf Bestellung 974 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740ALPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 974 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF740ALPBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 1208 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF740AP | Siliconix |
N-MOSFET 10A 400V 125W IRF740A TIRF740 a Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF740APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Kind of package: tube |
auf Bestellung 152 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 152 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF740APBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF740ASPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Kind of package: tube |
auf Bestellung 894 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740ASPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 894 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF740ASPBF | Vishay |
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auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740ASPBF | Vishay |
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auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740ASPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF740ASTRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape |
auf Bestellung 792 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740ASTRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 792 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF740BPBF | VISHAY |
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auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF740BPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 147W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
IRF740LC | Siliconix |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF740LCPBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 39nC Kind of package: tube |
auf Bestellung 567 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740LCPBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 39nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 567 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF740LCPBF | Vishay Semiconductors |
![]() ![]() |
auf Bestellung 1385 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF740LCPBF | Vishay |
![]() ![]() |
auf Bestellung 1391 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740LCPBF | Vishay |
![]() ![]() |
auf Bestellung 1397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740LCPBF | VISHAY |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 842 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF740LCPBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
auf Bestellung 1044 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF740PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 63nC Kind of package: tube |
auf Bestellung 1414 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 63nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1414 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF740PBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 5128 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF740PBF | Vishay |
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auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF740PBF | Vishay |
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auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF | Vishay |
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auf Bestellung 2190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF | Vishay |
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auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF740PBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF | Vishay |
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auf Bestellung 2190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF740PBF-BE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 63nC Kind of package: tube |
auf Bestellung 778 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 2545 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF740PBF-BE3 | Vishay |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF-BE3 | VISHAY |
![]() tariffCode: 85364900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF740PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740S | Siliconix |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF740S2515 | HARRIS | IRF740S2515 |
auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 63nC Kind of package: tube |
auf Bestellung 593 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 63nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 593 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF740SPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
auf Bestellung 1187 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF740SPBF | Vishay |
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auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IRF740PBF Produktcode: 24032
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 400
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.55
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 400
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.55
JHGF: THT
verfügbar: 6 Stück
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.5 EUR |
10+ | 0.48 EUR |
100+ | 0.45 EUR |
IRF740PBF Produktcode: 162988
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: THT
auf Bestellung 1011 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF740SPBF Produktcode: 154285
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 A
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 A
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: SMD
auf Bestellung 35 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF740 |
![]() ![]() |
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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25+ | 1.33 EUR |
IRF740 |
![]() ![]() |
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 1.33 EUR |
IRF740 |
![]() ![]() |
Hersteller: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF740; IRF740; IRF740 TIRF740
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF740; IRF740; IRF740 TIRF740
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 2.19 EUR |
IRF740-ML |
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 420mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740-ML MOSLEADER TIRF740 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 420mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740-ML MOSLEADER TIRF740 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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25+ | 1.17 EUR |
IRF7401TR |
![]() |
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR UMW TIRF7401 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR UMW TIRF7401 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 0.7 EUR |
IRF7404TR |
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Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 0.98 EUR |
IRF7406-HXY |
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406 HXY MOSFET TIRF7406 HXY
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406 HXY MOSFET TIRF7406 HXY
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
100+ | 0.31 EUR |
IRF7406TR |
![]() |
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
100+ | 0.36 EUR |
IRF7406TR |
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE; Replacement: IRF7406; IRF7406TR; IRF9335; IRF7406-GURT; IR IRF7406TR TIRF7406
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE; Replacement: IRF7406; IRF7406TR; IRF9335; IRF7406-GURT; IR IRF7406TR TIRF7406
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 11.08 EUR |
IRF7406TR |
![]() |
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
100+ | 0.36 EUR |
IRF7406TR |
![]() |
Hersteller: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR JGSEMI TIRF7406 JGS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR JGSEMI TIRF7406 JGS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
100+ | 0.48 EUR |
IRF740ALPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
34+ | 2.14 EUR |
38+ | 1.93 EUR |
46+ | 1.59 EUR |
48+ | 1.5 EUR |
250+ | 1.49 EUR |
IRF740ALPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 974 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
34+ | 2.14 EUR |
38+ | 1.93 EUR |
46+ | 1.59 EUR |
48+ | 1.5 EUR |
250+ | 1.49 EUR |
1000+ | 1.43 EUR |
IRF740ALPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO262 400V 10A N-CH MOSFET
MOSFETs TO262 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.92 EUR |
10+ | 2.25 EUR |
100+ | 2.18 EUR |
500+ | 2.11 EUR |
1000+ | 1.97 EUR |
IRF740AP |
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.48 EUR |
IRF740APBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
27+ | 2.72 EUR |
35+ | 2.04 EUR |
59+ | 1.22 EUR |
63+ | 1.14 EUR |
IRF740APBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
27+ | 2.72 EUR |
35+ | 2.04 EUR |
59+ | 1.22 EUR |
63+ | 1.14 EUR |
IRF740APBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF740APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF740ASPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
23+ | 3.23 EUR |
35+ | 2.07 EUR |
56+ | 1.29 EUR |
59+ | 1.22 EUR |
IRF740ASPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
23+ | 3.23 EUR |
35+ | 2.07 EUR |
56+ | 1.29 EUR |
59+ | 1.22 EUR |
IRF740ASPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
86+ | 1.68 EUR |
IRF740ASPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
55+ | 2.67 EUR |
86+ | 1.62 EUR |
IRF740ASPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF740ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF740ASTRLPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
23+ | 3.15 EUR |
27+ | 2.72 EUR |
59+ | 1.22 EUR |
63+ | 1.14 EUR |
IRF740ASTRLPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
23+ | 3.15 EUR |
27+ | 2.72 EUR |
59+ | 1.22 EUR |
63+ | 1.14 EUR |
IRF740BPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
IRF740BPBF THT N channel transistors
IRF740BPBF THT N channel transistors
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
49+ | 1.49 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
IRF740BPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRF740BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF740LC |
![]() |
Hersteller: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C~150°C; Substitute: IRF740LC IRF740LC TIRF740 lc
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C~150°C; Substitute: IRF740LC IRF740LC TIRF740 lc
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 2.28 EUR |
IRF740LCPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
31+ | 2.32 EUR |
36+ | 1.99 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
82+ | 0.87 EUR |
IRF740LCPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
31+ | 2.32 EUR |
36+ | 1.99 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
82+ | 0.87 EUR |
IRF740LCPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.16 EUR |
10+ | 2.24 EUR |
100+ | 2.22 EUR |
500+ | 2.15 EUR |
IRF740LCPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
140+ | 1.03 EUR |
141+ | 0.99 EUR |
144+ | 0.93 EUR |
145+ | 0.89 EUR |
500+ | 0.84 EUR |
1000+ | 0.81 EUR |
IRF740LCPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
123+ | 1.18 EUR |
140+ | 1 EUR |
141+ | 0.96 EUR |
144+ | 0.86 EUR |
500+ | 0.81 EUR |
1000+ | 0.77 EUR |
IRF740LCPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF740LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF740LCPBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1044 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.46 EUR |
10+ | 3.01 EUR |
100+ | 2.82 EUR |
500+ | 2.31 EUR |
1000+ | 2.27 EUR |
2000+ | 2.15 EUR |
IRF740PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 1414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
44+ | 1.64 EUR |
50+ | 1.44 EUR |
95+ | 0.76 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
IRF740PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1414 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
44+ | 1.64 EUR |
50+ | 1.44 EUR |
95+ | 0.76 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
IRF740PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.31 EUR |
10+ | 1.71 EUR |
1000+ | 1.64 EUR |
IRF740PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF740PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
123+ | 1.18 EUR |
133+ | 1.05 EUR |
IRF740PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
139+ | 1.04 EUR |
1000+ | 0.98 EUR |
IRF740PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF740PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
133+ | 1.09 EUR |
IRF740PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 2190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
128+ | 1.14 EUR |
139+ | 1.01 EUR |
1000+ | 0.95 EUR |
IRF740PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF740PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF740PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
49+ | 1.47 EUR |
53+ | 1.36 EUR |
59+ | 1.23 EUR |
62+ | 1.16 EUR |
250+ | 1.12 EUR |
IRF740PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 400V 10A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.04 EUR |
10+ | 1.71 EUR |
100+ | 1.69 EUR |
500+ | 1.62 EUR |
1000+ | 1.37 EUR |
5000+ | 1.32 EUR |
IRF740PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1000+ | 0.86 EUR |
IRF740PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF740PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 400V, 10A, TO-220AB
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Qualifikation: -
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Description: VISHAY - IRF740PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 400V, 10A, TO-220AB
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Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
auf Bestellung 909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF740PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
80+ | 1.81 EUR |
100+ | 1.65 EUR |
IRF740PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1000+ | 0.86 EUR |
IRF740S | ![]() |
![]() |
Hersteller: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF740STR IRF740STRL IRF740STRR IRF740S IRF740S VISHAY TIRF740s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF740STR IRF740STRL IRF740STRR IRF740S IRF740S VISHAY TIRF740s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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20+ | 2.31 EUR |
IRF740S2515 |
Hersteller: HARRIS
IRF740S2515
IRF740S2515
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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325+ | 1.67 EUR |
500+ | 1.45 EUR |
1000+ | 1.29 EUR |
IRF740SPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
33+ | 2.19 EUR |
40+ | 1.82 EUR |
52+ | 1.39 EUR |
55+ | 1.32 EUR |
IRF740SPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Case: D2PAK; TO263
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On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
33+ | 2.19 EUR |
40+ | 1.82 EUR |
52+ | 1.39 EUR |
55+ | 1.32 EUR |
IRF740SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
MOSFETs N-Chan 400V 10 Amp
auf Bestellung 1187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.87 EUR |
10+ | 2.22 EUR |
100+ | 2.15 EUR |
1000+ | 2.02 EUR |
2000+ | 1.88 EUR |
IRF740SPBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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