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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF9520NL Produktcode: 50677
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IR |
![]() Gehäuse: TO-262 Uds,V: 100 Id,A: 6.8 Rds(on),Om: 480 Ciss, pF/Qg, nC: /27 /: THT |
auf Bestellung 6 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF9520NPBF Produktcode: 149959
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 100 V Id,A: 6,8 A Rds(on),Om: 0,48 Ohm |
auf Bestellung 37 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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IRF9520PBF Produktcode: 123233
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Vishay / Siliconix |
![]() Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 100 V Id,A: 6,8 A Rds(on),Om: 0,06 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 390/18 /: THT |
auf Bestellung 71 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
IRF9520 | Siliconix |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9520 | Siliconix |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9520 | Harris Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6668 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9520 | HARRIS |
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auf Bestellung 5300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9520 | HARRIS |
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auf Bestellung 1825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9520 | HARRIS |
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auf Bestellung 585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9520 | HARRIS |
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auf Bestellung 508 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9520N | International Rectifier |
P-MOSFET 100V 6.8A 48W IRF9520N TIRF9520n Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9520NPBF | IR |
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auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9520NS | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9520PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; 60W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -4.8A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 18nC Kind of package: tube |
auf Bestellung 857 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9520PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; 60W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -4.8A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 18nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 857 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9520PBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 3491 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9520PBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3547 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9520PBF | Vishay |
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auf Bestellung 884 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9520PBF | Vishay |
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auf Bestellung 5574 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9520PBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF9520PBF | Vishay |
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auf Bestellung 884 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9520PBF | International Rectifier/Infineon |
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auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9520PBF | Vishay |
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auf Bestellung 5574 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9520PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 1282 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9520PBF-BE3 | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V |
auf Bestellung 699 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9520SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; 60W; D2PAK,TO263 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -4.8A Power dissipation: 60W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 18nC Kind of package: tube |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9520SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; 60W; D2PAK,TO263 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -4.8A Power dissipation: 60W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 18nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9520SPBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 1505 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9520SPBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1220 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9520SPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1357 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF9520SPBF | Vishay |
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auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF9520SPBF | Vishay |
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auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9520SPBF | Vishay |
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auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF9520SPBF | Vishay |
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auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9520STRLPBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1790 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9520STRLPBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9520STRLPBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 1194 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTE2371 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 150W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9520 Produktcode: 57604
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Fairchild |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 Id,A: 6 Rds(on),Om: 0.600 Ciss, pF/Qg, nC: 300/16 /: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF9520N Produktcode: 30166
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 100 Id,A: 6.8 Rds(on),Om: 0.48 Ciss, pF/Qg, nC: 350/27 /: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF9520PBF Produktcode: 154193
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 100 V Id,A: 6,8 A Rds(on),Om: 0,06 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 390/18 |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF9520PBF Produktcode: 32841
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Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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IRF9520 | Vishay / Siliconix |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF9520 | onsemi / Fairchild |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF9520 | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF9520L | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF9520NL | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF9520NLPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF9520NPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF9520NS | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF9520NSPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRF9520NSTRL | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
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IRF9520NSTRR | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
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IRF9520PBF-BE3 | Vishay |
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IRF9520S | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V |
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IRF9520STRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -4.8A Pulsed drain current: -27A Power dissipation: 60W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape |
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IRF9520STRLPBF | Vishay |
![]() |
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IRF9520STRRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.8A; Idm: -27A; 60W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -6.8A Pulsed drain current: -27A Power dissipation: 60W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape |
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IRF9520STRRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.8A; Idm: -27A; 60W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -6.8A Pulsed drain current: -27A Power dissipation: 60W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF9520STRRPBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V |
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IRF9520NL Produktcode: 50677
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-262
Uds,V: 100
Id,A: 6.8
Rds(on),Om: 480
Ciss, pF/Qg, nC: /27
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-262
Uds,V: 100
Id,A: 6.8
Rds(on),Om: 480
Ciss, pF/Qg, nC: /27
/: THT
auf Bestellung 6 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.70 EUR |
10+ | 0.67 EUR |
IRF9520NPBF Produktcode: 149959
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Id,A: 6,8 A
Rds(on),Om: 0,48 Ohm
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Id,A: 6,8 A
Rds(on),Om: 0,48 Ohm
auf Bestellung 37 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9520PBF Produktcode: 123233
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Id,A: 6,8 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 390/18
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Id,A: 6,8 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 390/18
/: THT
auf Bestellung 71 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9520 |
![]() ![]() |
Hersteller: Siliconix
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 6,8A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9520; IRF9520; IRF9520 TIRF9520
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 6,8A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9520; IRF9520; IRF9520 TIRF9520
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 1.30 EUR |
IRF9520 |
![]() ![]() |
Hersteller: Siliconix
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 6,8A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9520; IRF9520; IRF9520 TIRF9520
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 6,8A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9520; IRF9520; IRF9520 TIRF9520
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 1.30 EUR |
IRF9520 |
![]() |
Hersteller: Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 100V 6A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 6A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 6668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
314+ | 1.62 EUR |
IRF9520 |
![]() ![]() |
Hersteller: HARRIS
IRF9520
IRF9520
auf Bestellung 5300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
347+ | 1.75 EUR |
500+ | 1.61 EUR |
1000+ | 1.47 EUR |
IRF9520 |
![]() ![]() |
Hersteller: HARRIS
IRF9520
IRF9520
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
347+ | 1.75 EUR |
500+ | 1.61 EUR |
1000+ | 1.47 EUR |
IRF9520 |
![]() ![]() |
Hersteller: HARRIS
IRF9520
IRF9520
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
347+ | 1.75 EUR |
500+ | 1.61 EUR |
IRF9520 |
![]() ![]() |
Hersteller: HARRIS
IRF9520
IRF9520
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
347+ | 1.75 EUR |
500+ | 1.61 EUR |
IRF9520N |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 100V 6.8A 48W IRF9520N TIRF9520n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
P-MOSFET 100V 6.8A 48W IRF9520N TIRF9520n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.21 EUR |
IRF9520NPBF |
![]() |
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-6,8A;Rds=0,48 Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-6,8A;Rds=0,48 Ohm
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.33 EUR |
10+ | 2.95 EUR |
100+ | 2.68 EUR |
IRF9520NS |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 100V 6.8A IRF9520NS TIRF9520ns
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
P-MOSFET 100V 6.8A IRF9520NS TIRF9520ns
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 6.14 EUR |
IRF9520PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
49+ | 1.47 EUR |
63+ | 1.15 EUR |
124+ | 0.58 EUR |
131+ | 0.55 EUR |
IRF9520PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
49+ | 1.47 EUR |
63+ | 1.15 EUR |
124+ | 0.58 EUR |
131+ | 0.55 EUR |
IRF9520PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 6.8A P-CH MOSFET
MOSFETs TO220 100V 6.8A P-CH MOSFET
auf Bestellung 3491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.06 EUR |
10+ | 1.53 EUR |
100+ | 1.29 EUR |
5000+ | 1.22 EUR |
IRF9520PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 3547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 2.43 EUR |
50+ | 1.44 EUR |
100+ | 1.37 EUR |
500+ | 1.30 EUR |
IRF9520PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
119+ | 1.36 EUR |
120+ | 1.25 EUR |
500+ | 0.67 EUR |
IRF9520PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 5574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
119+ | 1.36 EUR |
120+ | 1.25 EUR |
500+ | 0.67 EUR |
1000+ | 0.64 EUR |
2000+ | 0.56 EUR |
5000+ | 0.53 EUR |
IRF9520PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9520PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IRF9520PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9520PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
119+ | 1.36 EUR |
120+ | 1.25 EUR |
500+ | 0.67 EUR |
IRF9520PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 6,8 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 390 @ 25; Qg, нКл = 18; Rds = 600 мОм @ 4,1 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 60 Вт; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = вивідний; TO-220AB
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 6,8 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 390 @ 25; Qg, нКл = 18; Rds = 600 мОм @ 4,1 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 60 Вт; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = вивідний; TO-220AB
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 0.86 EUR |
10+ | 0.74 EUR |
100+ | 0.65 EUR |
IRF9520PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 5574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
119+ | 1.36 EUR |
120+ | 1.25 EUR |
500+ | 0.67 EUR |
1000+ | 0.64 EUR |
2000+ | 0.56 EUR |
5000+ | 0.53 EUR |
IRF9520PBF-BE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 100V 6.8A P-CH MOSFET
MOSFETs TO220 100V 6.8A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.94 EUR |
10+ | 1.46 EUR |
100+ | 1.31 EUR |
500+ | 1.22 EUR |
IRF9520PBF-BE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 3.12 EUR |
50+ | 1.47 EUR |
100+ | 1.38 EUR |
500+ | 1.30 EUR |
IRF9520SPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; 60W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; 60W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
32+ | 2.25 EUR |
43+ | 1.67 EUR |
91+ | 0.79 EUR |
97+ | 0.74 EUR |
IRF9520SPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; 60W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; 60W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
32+ | 2.25 EUR |
43+ | 1.67 EUR |
91+ | 0.79 EUR |
97+ | 0.74 EUR |
IRF9520SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 6.8A P-CH MOSFET
MOSFETs TO263 100V 6.8A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.78 EUR |
10+ | 1.97 EUR |
100+ | 1.78 EUR |
500+ | 1.52 EUR |
IRF9520SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 3.75 EUR |
50+ | 2.02 EUR |
100+ | 1.91 EUR |
500+ | 1.61 EUR |
1000+ | 1.55 EUR |
IRF9520SPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9520SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IRF9520SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9520SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9520SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
85+ | 1.91 EUR |
100+ | 1.66 EUR |
500+ | 1.32 EUR |
1000+ | 1.26 EUR |
IRF9520SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9520SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
51+ | 3.22 EUR |
85+ | 1.83 EUR |
100+ | 1.59 EUR |
500+ | 1.27 EUR |
1000+ | 1.20 EUR |
IRF9520STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 4.14 EUR |
10+ | 2.97 EUR |
100+ | 2.18 EUR |
IRF9520STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 1.56 EUR |
IRF9520STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 6.8A P-CH MOSFET
MOSFETs TO263 100V 6.8A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.91 EUR |
10+ | 2.82 EUR |
100+ | 2.13 EUR |
250+ | 1.85 EUR |
500+ | 1.66 EUR |
800+ | 1.52 EUR |
NTE2371 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 11.75 EUR |
9+ | 8.15 EUR |
IRF9520 Produktcode: 57604
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 6
Rds(on),Om: 0.600
Ciss, pF/Qg, nC: 300/16
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 6
Rds(on),Om: 0.600
Ciss, pF/Qg, nC: 300/16
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.84 EUR |
10+ | 0.70 EUR |
IRF9520N Produktcode: 30166
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 6.8
Rds(on),Om: 0.48
Ciss, pF/Qg, nC: 350/27
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 6.8
Rds(on),Om: 0.48
Ciss, pF/Qg, nC: 350/27
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9520PBF Produktcode: 154193
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Id,A: 6,8 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 390/18
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Id,A: 6,8 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 390/18
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9520PBF Produktcode: 32841
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9520 |
![]() ![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9520 |
![]() ![]() |
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs
MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9520 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9520L |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IRF9520NL |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IRF9520NLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
IRF9520NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9520NS |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9520NSPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9520NSTRL |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9520NSTRR |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9520PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9520S |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9520STRLPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9520STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9520STRRPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9520STRRPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9520STRRPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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