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IRF9520NL IRF9520NL
Produktcode: 50677
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IR irf9520ns.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-262
Uds,V: 100
Id,A: 6.8
Rds(on),Om: 480
Ciss, pF/Qg, nC: /27
/: THT
auf Bestellung 6 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.70 EUR
10+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NPBF
Produktcode: 149959
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IR irf9520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611ac381dbd Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Id,A: 6,8 A
Rds(on),Om: 0,48 Ohm
auf Bestellung 37 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF IRF9520PBF
Produktcode: 123233
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Vishay / Siliconix 91074-datasheet.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Id,A: 6,8 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 390/18
/: THT
auf Bestellung 71 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520 Siliconix HRISD017-5-65.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91074.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 6,8A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9520; IRF9520; IRF9520 TIRF9520
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520 Siliconix HRISD017-5-65.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91074.pdf Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 6,8A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9520; IRF9520; IRF9520 TIRF9520
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520 IRF9520 Harris Corporation HRISD017-5-65.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 100V 6A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 6668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
314+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 314
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520 HARRIS HRISD017-5-65.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91074.pdf IRF9520
auf Bestellung 5300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
347+1.75 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 347
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520 HARRIS HRISD017-5-65.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91074.pdf IRF9520
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
347+1.75 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 347
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520 HARRIS HRISD017-5-65.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91074.pdf IRF9520
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
347+1.75 EUR
500+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 347
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520 HARRIS HRISD017-5-65.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91074.pdf IRF9520
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
347+1.75 EUR
500+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 347
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520N International Rectifier P-MOSFET 100V 6.8A 48W IRF9520N TIRF9520n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NPBF IR irf9520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611ac381dbd Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-6,8A;Rds=0,48 Ohm
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3.33 EUR
10+2.95 EUR
100+2.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NS International Rectifier irf9520ns.pdf P-MOSFET 100V 6.8A IRF9520NS TIRF9520ns
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+6.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF IRF9520PBF VISHAY IRF9520PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.47 EUR
63+1.15 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF IRF9520PBF VISHAY IRF9520PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.47 EUR
63+1.15 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF IRF9520PBF Vishay Semiconductors 91074.pdf MOSFETs TO220 100V 6.8A P-CH MOSFET
auf Bestellung 3491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.06 EUR
10+1.53 EUR
100+1.29 EUR
5000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF IRF9520PBF Vishay Siliconix 91074.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 3547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.43 EUR
50+1.44 EUR
100+1.37 EUR
500+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF IRF9520PBF Vishay 91074.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.36 EUR
120+1.25 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 119
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF IRF9520PBF Vishay 91074.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 5574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.36 EUR
120+1.25 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.56 EUR
5000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 119
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF IRF9520PBF VISHAY VISH-S-A0013276590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9520PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF IRF9520PBF Vishay 91074.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.36 EUR
120+1.25 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 119
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF International Rectifier/Infineon 91074.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 6,8 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 390 @ 25; Qg, нКл = 18; Rds = 600 мОм @ 4,1 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 60 Вт; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = вивідний; TO-220AB
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+0.86 EUR
10+0.74 EUR
100+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF IRF9520PBF Vishay 91074.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 5574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.36 EUR
120+1.25 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.56 EUR
5000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 119
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF-BE3 IRF9520PBF-BE3 Vishay / Siliconix 91074.pdf MOSFETs TO220 100V 6.8A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.94 EUR
10+1.46 EUR
100+1.31 EUR
500+1.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF-BE3 IRF9520PBF-BE3 Vishay Siliconix 91074.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.12 EUR
50+1.47 EUR
100+1.38 EUR
500+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBF IRF9520SPBF VISHAY IRF9520S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; 60W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.25 EUR
43+1.67 EUR
91+0.79 EUR
97+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBF IRF9520SPBF VISHAY IRF9520S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; 60W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.25 EUR
43+1.67 EUR
91+0.79 EUR
97+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBF IRF9520SPBF Vishay Semiconductors sihf9520.pdf MOSFETs TO263 100V 6.8A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.78 EUR
10+1.97 EUR
100+1.78 EUR
500+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBF IRF9520SPBF Vishay Siliconix sihf9520.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.75 EUR
50+2.02 EUR
100+1.91 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBF IRF9520SPBF VISHAY VISH-S-A0013329287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9520SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBF IRF9520SPBF Vishay sihf9520.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBF IRF9520SPBF Vishay sihf9520.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+1.91 EUR
100+1.66 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBF IRF9520SPBF Vishay sihf9520.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBF IRF9520SPBF Vishay sihf9520.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.22 EUR
85+1.83 EUR
100+1.59 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520STRLPBF IRF9520STRLPBF Vishay Siliconix sihf9520.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.14 EUR
10+2.97 EUR
100+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520STRLPBF IRF9520STRLPBF Vishay Siliconix sihf9520.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520STRLPBF IRF9520STRLPBF Vishay Semiconductors sihf9520.pdf MOSFETs TO263 100V 6.8A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.91 EUR
10+2.82 EUR
100+2.13 EUR
250+1.85 EUR
500+1.66 EUR
800+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2371 NTE2371 NTE Electronics nte2371.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+11.75 EUR
9+8.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520 IRF9520
Produktcode: 57604
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Fairchild irf9520-datasheet.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 6
Rds(on),Om: 0.600
Ciss, pF/Qg, nC: 300/16
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.84 EUR
10+0.70 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520N IRF9520N
Produktcode: 30166
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IR irf9520n.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 6.8
Rds(on),Om: 0.48
Ciss, pF/Qg, nC: 350/27
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF IRF9520PBF
Produktcode: 154193
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IR 91074-datasheet.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Id,A: 6,8 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 390/18
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF IRF9520PBF
Produktcode: 32841
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91074.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520 IRF9520 Vishay / Siliconix HRISD017-5-65.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91074.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520 IRF9520 onsemi / Fairchild HRISD017-5-65.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91074.pdf MOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520 IRF9520 Vishay Siliconix 91074.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520L IRF9520L Vishay Siliconix 91074.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NL IRF9520NL Infineon Technologies irf9520ns.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NLPBF IRF9520NLPBF Infineon Technologies irf9520nspbf.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NPBF IRF9520NPBF Infineon Technologies irf9520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611ac381dbd Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NS IRF9520NS Infineon Technologies irf9520ns.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NSPBF IRF9520NSPBF Infineon Technologies irf9520nspbf.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NSTRL IRF9520NSTRL Infineon Technologies irf9520ns.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NSTRR IRF9520NSTRR Infineon Technologies irf9520ns.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF-BE3 IRF9520PBF-BE3 Vishay 91074.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520S IRF9520S Vishay Siliconix sihf9520.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520STRLPBF IRF9520STRLPBF VISHAY IRF9520S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520STRLPBF IRF9520STRLPBF Vishay sihf9520.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520STRRPBF VISHAY sihf9520.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520STRRPBF VISHAY sihf9520.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520STRRPBF IRF9520STRRPBF Vishay Siliconix sihf9520.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NL
Produktcode: 50677
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irf9520ns.pdf
IRF9520NL
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-262
Uds,V: 100
Id,A: 6.8
Rds(on),Om: 480
Ciss, pF/Qg, nC: /27
/: THT
auf Bestellung 6 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.70 EUR
10+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NPBF
Produktcode: 149959
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irf9520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611ac381dbd
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Id,A: 6,8 A
Rds(on),Om: 0,48 Ohm
auf Bestellung 37 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF
Produktcode: 123233
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91074-datasheet.pdf
IRF9520PBF
Hersteller: Vishay / Siliconix
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Id,A: 6,8 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 390/18
/: THT
auf Bestellung 71 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520 HRISD017-5-65.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91074.pdf
Hersteller: Siliconix
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 6,8A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9520; IRF9520; IRF9520 TIRF9520
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520 HRISD017-5-65.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91074.pdf
Hersteller: Siliconix
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 6,8A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9520; IRF9520; IRF9520 TIRF9520
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520 HRISD017-5-65.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF9520
Hersteller: Harris Corporation
Description: MOSFET P-CH 100V 6A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
auf Bestellung 6668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
314+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 314
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520 HRISD017-5-65.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91074.pdf
Hersteller: HARRIS
IRF9520
auf Bestellung 5300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
347+1.75 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 347
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520 HRISD017-5-65.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91074.pdf
Hersteller: HARRIS
IRF9520
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
347+1.75 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 347
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520 HRISD017-5-65.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91074.pdf
Hersteller: HARRIS
IRF9520
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
347+1.75 EUR
500+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 347
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520 HRISD017-5-65.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91074.pdf
Hersteller: HARRIS
IRF9520
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
347+1.75 EUR
500+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 347
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520N
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 100V 6.8A 48W IRF9520N TIRF9520n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NPBF irf9520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611ac381dbd
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-100V; Id=-6,8A;Rds=0,48 Ohm
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.33 EUR
10+2.95 EUR
100+2.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NS irf9520ns.pdf
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 100V 6.8A IRF9520NS TIRF9520ns
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+6.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF IRF9520PBF.pdf
IRF9520PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
63+1.15 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF IRF9520PBF.pdf
IRF9520PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 857 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
63+1.15 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF 91074.pdf
IRF9520PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 6.8A P-CH MOSFET
auf Bestellung 3491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.06 EUR
10+1.53 EUR
100+1.29 EUR
5000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF 91074.pdf
IRF9520PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 3547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.43 EUR
50+1.44 EUR
100+1.37 EUR
500+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF 91074.pdf
IRF9520PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
119+1.36 EUR
120+1.25 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 119
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF 91074.pdf
IRF9520PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 5574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
119+1.36 EUR
120+1.25 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.56 EUR
5000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 119
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF VISH-S-A0013276590-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9520PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9520PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF 91074.pdf
IRF9520PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
119+1.36 EUR
120+1.25 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 119
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF 91074.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 6,8 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 390 @ 25; Qg, нКл = 18; Rds = 600 мОм @ 4,1 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 60 Вт; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = вивідний; TO-220AB
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+0.86 EUR
10+0.74 EUR
100+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF 91074.pdf
IRF9520PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 5574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
119+1.36 EUR
120+1.25 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.56 EUR
5000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 119
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF-BE3 91074.pdf
IRF9520PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 100V 6.8A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.94 EUR
10+1.46 EUR
100+1.31 EUR
500+1.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF-BE3 91074.pdf
IRF9520PBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.12 EUR
50+1.47 EUR
100+1.38 EUR
500+1.30 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBF IRF9520S.pdf
IRF9520SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; 60W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.25 EUR
43+1.67 EUR
91+0.79 EUR
97+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBF IRF9520S.pdf
IRF9520SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; 60W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.25 EUR
43+1.67 EUR
91+0.79 EUR
97+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBF sihf9520.pdf
IRF9520SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 6.8A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.78 EUR
10+1.97 EUR
100+1.78 EUR
500+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBF sihf9520.pdf
IRF9520SPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.75 EUR
50+2.02 EUR
100+1.91 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBF VISH-S-A0013329287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9520SPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9520SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBF sihf9520.pdf
IRF9520SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBF sihf9520.pdf
IRF9520SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
85+1.91 EUR
100+1.66 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBF sihf9520.pdf
IRF9520SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520SPBF sihf9520.pdf
IRF9520SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
51+3.22 EUR
85+1.83 EUR
100+1.59 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520STRLPBF sihf9520.pdf
IRF9520STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.14 EUR
10+2.97 EUR
100+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520STRLPBF sihf9520.pdf
IRF9520STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520STRLPBF sihf9520.pdf
IRF9520STRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 6.8A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.91 EUR
10+2.82 EUR
100+2.13 EUR
250+1.85 EUR
500+1.66 EUR
800+1.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2371 nte2371.pdf
NTE2371
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.75 EUR
9+8.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520
Produktcode: 57604
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irf9520-datasheet.pdf
IRF9520
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 6
Rds(on),Om: 0.600
Ciss, pF/Qg, nC: 300/16
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.84 EUR
10+0.70 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520N
Produktcode: 30166
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

irf9520n.pdf
IRF9520N
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 6.8
Rds(on),Om: 0.48
Ciss, pF/Qg, nC: 350/27
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF
Produktcode: 154193
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

91074-datasheet.pdf
IRF9520PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Id,A: 6,8 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 390/18
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF
Produktcode: 32841
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91074.pdf
IRF9520PBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520 HRISD017-5-65.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91074.pdf
IRF9520
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520 HRISD017-5-65.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91074.pdf
IRF9520
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520 91074.pdf
IRF9520
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520L 91074.pdf
IRF9520L
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NL irf9520ns.pdf
IRF9520NL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NLPBF irf9520nspbf.pdf
IRF9520NLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NPBF irf9520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611ac381dbd
IRF9520NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NS irf9520ns.pdf
IRF9520NS
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NSPBF irf9520nspbf.pdf
IRF9520NSPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NSTRL irf9520ns.pdf
IRF9520NSTRL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520NSTRR irf9520ns.pdf
IRF9520NSTRR
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520PBF-BE3 91074.pdf
IRF9520PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520S sihf9520.pdf
IRF9520S
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520STRLPBF IRF9520S.pdf
IRF9520STRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520STRLPBF sihf9520.pdf
IRF9520STRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520STRRPBF sihf9520.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520STRRPBF sihf9520.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.8A; Idm: -27A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9520STRRPBF sihf9520.pdf
IRF9520STRRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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