Suchergebnisse für "IRF9Z24" : 19
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF9Z24NPBF Produktcode: 40284
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: TO-220 Uds,V: 55 Id,A: 12 Rds(on),Om: 0.175 Ciss, pF/Qg, nC: 350/19 /: THT |
verfügbar: 99 Stück
16 Stück - stock Köln
83 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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| IRF9Z24 | Siliconix |
P-MOSFET 11A 60V IRF9Z24 IRF9Z24 IRF9Z24 TIRF9Z24Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9Z24N | International Rectifier |
P-MOSFET 17A 55V 56W 0.175Ω IRF9Z24N TIRF9Z24nAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 185 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9Z24N-ML | MOSLEADER |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 85mOhm; 20A; 90W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z24; IRF9Z24-BE3; IRF9Z24N; SP001555934; IRF9Z24N-ML MOSLEADER TIRF9Z24n MOS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9Z24NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -12A Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 12.7nC Power dissipation: 45W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 846 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9Z24NS | International Rectifier |
P-MOSFET 12A 55V 3.8W 0.175Ω IRF9Z24NS TIRF9Z24nsAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9Z24PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.7A Pulsed drain current: -44A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 19nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 532 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9Z24SPBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.7A Pulsed drain current: -44A Power dissipation: 60W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 19nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF9Z24N | IR |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF9Z24N | IR |
06+ TQFP |
auf Bestellung 154 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRF9Z24PBF |
IRF9Z24PBF Транзисторы MOS FET |
auf Bestellung 1046 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9Z24VSTRLPBF | IR | 09+ |
auf Bestellung 10018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| Транзистор IRF9Z24NPBF | IR | Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-12A; Pdmax=45W; Rds=0,175 Ohm (аналог IRF9Z24N только Pb free) |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| Транзистор польовий IRF9Z24NPBF -12A -55V P-ch TO-220 |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
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IRF9Z24 Produktcode: 1329
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: TO-220 Uds,V: 55 Id,A: 12 Rds(on),Om: 0.175 /: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
|
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF9Z24NPBF Produktcode: 40284
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: THT
verfügbar: 99 Stück
16 Stück - stock Köln
83 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
83 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.36 EUR |
| 10+ | 0.32 EUR |
| IRF9Z24 |
![]() |
Hersteller: Siliconix
P-MOSFET 11A 60V IRF9Z24 IRF9Z24 IRF9Z24 TIRF9Z24
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
P-MOSFET 11A 60V IRF9Z24 IRF9Z24 IRF9Z24 TIRF9Z24
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 30+ | 1.28 EUR |
| IRF9Z24N | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 17A 55V 56W 0.175Ω IRF9Z24N TIRF9Z24n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 17A 55V 56W 0.175Ω IRF9Z24N TIRF9Z24n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.98 EUR |
| IRF9Z24N-ML |
Hersteller: MOSLEADER
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 85mOhm; 20A; 90W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z24; IRF9Z24-BE3; IRF9Z24N; SP001555934; IRF9Z24N-ML MOSLEADER TIRF9Z24n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 85mOhm; 20A; 90W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z24; IRF9Z24-BE3; IRF9Z24N; SP001555934; IRF9Z24N-ML MOSLEADER TIRF9Z24n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.92 EUR |
| IRF9Z24NPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 12.7nC
Power dissipation: 45W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 12.7nC
Power dissipation: 45W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 120+ | 0.6 EUR |
| 139+ | 0.52 EUR |
| 150+ | 0.48 EUR |
| 250+ | 0.43 EUR |
| 500+ | 0.39 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |
| IRF9Z24NS |
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Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 12A 55V 3.8W 0.175Ω IRF9Z24NS TIRF9Z24ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
P-MOSFET 12A 55V 3.8W 0.175Ω IRF9Z24NS TIRF9Z24ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 2.54 EUR |
| IRF9Z24PBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 55+ | 1.32 EUR |
| 65+ | 1.1 EUR |
| 100+ | 1.03 EUR |
| 250+ | 0.91 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| 750+ | 0.76 EUR |
| 1000+ | 0.72 EUR |
| IRF9Z24SPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 46+ | 1.57 EUR |
| 62+ | 1.16 EUR |
| 67+ | 1.07 EUR |
| 75+ | 0.96 EUR |
| 500+ | 0.89 EUR |
| IRF9Z24N | ![]() |
![]() |
Hersteller: IR
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF9Z24N | ![]() |
![]() |
Hersteller: IR
06+ TQFP
06+ TQFP
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF9Z24PBF |
![]() |
IRF9Z24PBF Транзисторы MOS FET
auf Bestellung 1046 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF9Z24VSTRLPBF |
Hersteller: IR
09+
09+
auf Bestellung 10018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| Транзистор IRF9Z24NPBF |
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-12A; Pdmax=45W; Rds=0,175 Ohm (аналог IRF9Z24N только Pb free)
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-12A; Pdmax=45W; Rds=0,175 Ohm (аналог IRF9Z24N только Pb free)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2.04 EUR |
| 10+ | 1.84 EUR |
| 100+ | 1.67 EUR |
| Транзистор польовий IRF9Z24NPBF -12A -55V P-ch TO-220 |
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRF9Z24 Produktcode: 1329
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.175
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.175
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH




