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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF
Produktcode: 40284
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IR irf9z24npbf-datasheet.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: THT
verfügbar: 209 Stück
16 Stück - stock Köln
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1+0.36 EUR
10+0.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24 Siliconix 91090.pdf P-MOSFET 11A 60V IRF9Z24 IRF9Z24 IRF9Z24 TIRF9Z24
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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IRF9Z24N International Rectifier c73c634c5e2e09d8a83854bc16774024.pdf description P-MOSFET 17A 55V 56W 0.175Ω IRF9Z24N TIRF9Z24n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF9Z24N-ML MOSLEADER Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 85mOhm; 20A; 90W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z24; IRF9Z24-BE3; IRF9Z24N; SP001555934; IRF9Z24N-ML MOSLEADER TIRF9Z24n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B672F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z24n.pdf?ci_sign=86417c6f7b297148bbf68c7249788f86ad2c878e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+0.67 EUR
176+0.41 EUR
186+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B672F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z24n.pdf?ci_sign=86417c6f7b297148bbf68c7249788f86ad2c878e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
176+0.41 EUR
186+0.38 EUR
10000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9Z24N_DataSheet_v01_01_EN-3363271.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC
auf Bestellung 3321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.97 EUR
10+0.91 EUR
100+0.71 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.48 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies infineon-irf9z24n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
335+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 335
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IRF9Z24NPBF IR irf9z24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561218961ddb Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-12A; Pdmax=45W; Rds=0,175 Ohm (аналог IRF9Z24N только Pb free)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2.06 EUR
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies infineon-irf9z24n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF INFINEON INFN-S-A0012826717-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9Z24NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies infineon-irf9z24n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies infineon-irf9z24n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies infineon-irf9z24n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies infineon-irf9z24n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+0.74 EUR
252+0.55 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 192
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies infineon-irf9z24n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
174+0.82 EUR
186+0.74 EUR
194+0.69 EUR
253+0.5 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 174
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IRF9Z24NS International Rectifier irf9z24ns.pdf P-MOSFET 12A 55V 3.8W 0.175Ω IRF9Z24NS TIRF9Z24ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24PBF IRF9Z24PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795FDEA82B70AC747&compId=IRF9Z24.pdf?ci_sign=80c469d0ff1895f3073ff4aa0669de1140621c7f Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+0.94 EUR
130+0.55 EUR
137+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24PBF IRF9Z24PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795FDEA82B70AC747&compId=IRF9Z24.pdf?ci_sign=80c469d0ff1895f3073ff4aa0669de1140621c7f Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 973 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
130+0.55 EUR
137+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24PBF IRF9Z24PBF Vishay Semiconductors tf-irf9z24pbf.pdf MOSFETs TO220 P CHAN 60V
auf Bestellung 1931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.55 EUR
10+1.26 EUR
100+1.25 EUR
500+1.22 EUR
2000+1.19 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24PBF IRF9Z24PBF Vishay 91090.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+0.79 EUR
184+0.75 EUR
193+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 182
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24PBF IRF9Z24PBF Vishay 91090.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24PBF IRF9Z24PBF Vishay 91090.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
183+0.78 EUR
185+0.75 EUR
194+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 183
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24PBF IRF9Z24PBF Vishay 91090.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24PBF IRF9Z24PBF VISHAY 2364226.pdf Description: VISHAY - IRF9Z24PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24PBF-BE3 IRF9Z24PBF-BE3 Vishay / Siliconix 91090.pdf MOSFETs TO220 P CHAN 60V
auf Bestellung 1444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.4 EUR
10+1.31 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.15 EUR
5000+1.14 EUR
10000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91182BB6ABA143&compId=IRF9Z24S.pdf?ci_sign=ba8a72d45a2f4f2b53acc797c1c47fe2c3091785 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.22 EUR
69+1.04 EUR
114+0.63 EUR
120+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91182BB6ABA143&compId=IRF9Z24S.pdf?ci_sign=ba8a72d45a2f4f2b53acc797c1c47fe2c3091785 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.22 EUR
69+1.04 EUR
114+0.63 EUR
120+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Vishay Semiconductors sihf9z24.pdf MOSFETs TO263 P CHAN 60V
auf Bestellung 1501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.87 EUR
10+1.52 EUR
100+1.51 EUR
500+1.47 EUR
1000+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 180
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.27 EUR
66+2.11 EUR
110+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF VISHAY VISH-S-A0010924822-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9Z24SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.3 EUR
211+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24N IR c73c634c5e2e09d8a83854bc16774024.pdf description
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24N IR c73c634c5e2e09d8a83854bc16774024.pdf description 06+ TQFP
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24PBF tf-irf9z24pbf.pdf IRF9Z24PBF Транзисторы MOS FET
auf Bestellung 1046 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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IRF9Z24VSTRLPBF IR 09+
auf Bestellung 10018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRF9Z24NPBF -12A -55V P-ch TO-220
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2371 NTE2371 NTE Electronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9A8F8ADB13036A0C1&compId=nte2371.pdf?ci_sign=c068fa15efffed4c0d9a5a6def82f66f9ce6c4fb Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+10.44 EUR
9+7.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24 IRF9Z24
Produktcode: 1329
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

IR 91090.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.175
/: THT
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IRF9Z24 IRF9Z24 Vishay / Siliconix 91090.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
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IRF9Z24NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF9Z24NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee376ad063e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRF9Z24PBF IRF9Z24PBF Vishay 91090.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9Z24PBF-BE3 IRF9Z24PBF-BE3 Vishay 91090.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF9Z24STRLPBF VISHAY sihf9z24.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
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IRF9Z24STRLPBF VISHAY sihf9z24.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF9Z24STRLPBF IRF9Z24STRLPBF Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF9Z24STRRPBF IRF9Z24STRRPBF Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF9Z24STRRPBF IRF9Z24STRRPBF Vishay Semiconductors sihf9z24.pdf MOSFETs P-Chan 60V 11 Amp
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IRF9Z24NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF9Z24NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee376ad063e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRF9Z24NPBF
Produktcode: 40284
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irf9z24npbf-datasheet.pdf
IRF9Z24NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: THT
verfügbar: 209 Stück
16 Stück - stock Köln
193 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.36 EUR
10+0.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24 91090.pdf
Hersteller: Siliconix
P-MOSFET 11A 60V IRF9Z24 IRF9Z24 IRF9Z24 TIRF9Z24
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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IRF9Z24N description c73c634c5e2e09d8a83854bc16774024.pdf
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 17A 55V 56W 0.175Ω IRF9Z24N TIRF9Z24n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF9Z24N-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 85mOhm; 20A; 90W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z24; IRF9Z24-BE3; IRF9Z24N; SP001555934; IRF9Z24N-ML MOSLEADER TIRF9Z24n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF9Z24NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B672F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z24n.pdf?ci_sign=86417c6f7b297148bbf68c7249788f86ad2c878e
IRF9Z24NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
176+0.41 EUR
186+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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IRF9Z24NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B672F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z24n.pdf?ci_sign=86417c6f7b297148bbf68c7249788f86ad2c878e
IRF9Z24NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
176+0.41 EUR
186+0.38 EUR
10000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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IRF9Z24NPBF Infineon_IRF9Z24N_DataSheet_v01_01_EN-3363271.pdf
IRF9Z24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC
auf Bestellung 3321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+0.97 EUR
10+0.91 EUR
100+0.71 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.48 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IRF9Z24NPBF infineon-irf9z24n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9Z24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
335+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 335
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IRF9Z24NPBF irf9z24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561218961ddb
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-12A; Pdmax=45W; Rds=0,175 Ohm (аналог IRF9Z24N только Pb free)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.06 EUR
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IRF9Z24NPBF infineon-irf9z24n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9Z24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF9Z24NPBF INFN-S-A0012826717-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9Z24NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z24NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF9Z24NPBF infineon-irf9z24n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9Z24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24NPBF infineon-irf9z24n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9Z24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF9Z24NPBF infineon-irf9z24n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9Z24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF9Z24NPBF infineon-irf9z24n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9Z24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
192+0.74 EUR
252+0.55 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 192
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24NPBF infineon-irf9z24n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9Z24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
174+0.82 EUR
186+0.74 EUR
194+0.69 EUR
253+0.5 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 174
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24NS irf9z24ns.pdf
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 12A 55V 3.8W 0.175Ω IRF9Z24NS TIRF9Z24ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795FDEA82B70AC747&compId=IRF9Z24.pdf?ci_sign=80c469d0ff1895f3073ff4aa0669de1140621c7f
IRF9Z24PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
130+0.55 EUR
137+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 76
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IRF9Z24PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795FDEA82B70AC747&compId=IRF9Z24.pdf?ci_sign=80c469d0ff1895f3073ff4aa0669de1140621c7f
IRF9Z24PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 973 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
130+0.55 EUR
137+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24PBF tf-irf9z24pbf.pdf
IRF9Z24PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 P CHAN 60V
auf Bestellung 1931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.55 EUR
10+1.26 EUR
100+1.25 EUR
500+1.22 EUR
2000+1.19 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24PBF 91090.pdf
IRF9Z24PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
182+0.79 EUR
184+0.75 EUR
193+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 182
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24PBF 91090.pdf
IRF9Z24PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24PBF 91090.pdf
IRF9Z24PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
183+0.78 EUR
185+0.75 EUR
194+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 183
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24PBF 91090.pdf
IRF9Z24PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24PBF 2364226.pdf
IRF9Z24PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9Z24PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF9Z24PBF-BE3 91090.pdf
IRF9Z24PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 P CHAN 60V
auf Bestellung 1444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.4 EUR
10+1.31 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.15 EUR
5000+1.14 EUR
10000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91182BB6ABA143&compId=IRF9Z24S.pdf?ci_sign=ba8a72d45a2f4f2b53acc797c1c47fe2c3091785
IRF9Z24SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.22 EUR
69+1.04 EUR
114+0.63 EUR
120+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD91182BB6ABA143&compId=IRF9Z24S.pdf?ci_sign=ba8a72d45a2f4f2b53acc797c1c47fe2c3091785
IRF9Z24SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.22 EUR
69+1.04 EUR
114+0.63 EUR
120+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24SPBF sihf9z24.pdf
IRF9Z24SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 P CHAN 60V
auf Bestellung 1501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.87 EUR
10+1.52 EUR
100+1.51 EUR
500+1.47 EUR
1000+1.46 EUR
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IRF9Z24SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 432 Stücke:
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Anzahl Preis
180+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 180
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IRF9Z24SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 232 Stücke:
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Anzahl Preis
110+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 110
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IRF9Z24SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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64+2.27 EUR
66+2.11 EUR
110+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 64
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IRF9Z24SPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9Z24SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRF9Z24SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Anzahl Preis
110+1.3 EUR
211+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 110
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IRF9Z24N description c73c634c5e2e09d8a83854bc16774024.pdf
Hersteller: IR
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Hersteller: IR
06+ TQFP
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IRF9Z24PBF Транзисторы MOS FET
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IRF9Z24VSTRLPBF
Hersteller: IR
09+
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Транзистор польовий IRF9Z24NPBF -12A -55V P-ch TO-220
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NTE2371 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9A8F8ADB13036A0C1&compId=nte2371.pdf?ci_sign=c068fa15efffed4c0d9a5a6def82f66f9ce6c4fb
NTE2371
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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7+10.44 EUR
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Mindestbestellmenge: 7
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IRF9Z24
Produktcode: 1329
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91090.pdf
IRF9Z24
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.175
/: THT
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IRF9Z24 91090.pdf
IRF9Z24
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
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IRF9Z24NSTRLPBF Infineon-IRF9Z24NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee376ad063e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRF9Z24PBF 91090.pdf
IRF9Z24PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9Z24PBF-BE3 91090.pdf
IRF9Z24PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF9Z24SPBF sihf9z24.pdf
IRF9Z24SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF9Z24STRLPBF sihf9z24.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
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IRF9Z24STRLPBF sihf9z24.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF9Z24STRLPBF sihf9z24.pdf
IRF9Z24STRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF9Z24STRRPBF sihf9z24.pdf
IRF9Z24STRRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF9Z24STRRPBF sihf9z24.pdf
IRF9Z24STRRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 60V 11 Amp
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IRF9Z24NSTRLPBF Infineon-IRF9Z24NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee376ad063e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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