Suchergebnisse für "IRF9Z24" : 56
Art der Ansicht :
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 174
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 335
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 192
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 182
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 183
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 180
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 110
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 110
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF9Z24NPBF Produktcode: 40284
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 55 Id,A: 12 Rds(on),Om: 0.175 Ciss, pF/Qg, nC: 350/19 /: THT |
verfügbar: 209 Stück
16 Stück - stock Köln
193 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
|
||||||||||||||
IRF9Z24 | Siliconix |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRF9Z24N | International Rectifier |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRF9Z24N-ML | MOSLEADER |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 85mOhm; 20A; 90W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z24; IRF9Z24-BE3; IRF9Z24N; SP001555934; IRF9Z24N-ML MOSLEADER TIRF9Z24n MOS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -12A Power dissipation: 45W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 12.7nC Kind of package: tube |
auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -12A Power dissipation: 45W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 12.7nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 3321 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 6174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 2430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
IRF9Z24NPBF | IR |
![]() |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24NPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5791 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 6160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
IRF9Z24NS | International Rectifier |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.7A Pulsed drain current: -44A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 19nC Kind of package: tube |
auf Bestellung 973 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.7A Pulsed drain current: -44A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 19nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 973 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24PBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
auf Bestellung 1931 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24PBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 815 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24PBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 748 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24PBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 126 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24PBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24PBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 126 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
auf Bestellung 1444 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.7A Pulsed drain current: -44A Power dissipation: 60W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 19nC Kind of package: tube |
auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.7A Pulsed drain current: -44A Power dissipation: 60W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 19nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24SPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
auf Bestellung 1501 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24SPBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24SPBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 232 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24SPBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24SPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1151 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24SPBF | Vishay |
![]() |
auf Bestellung 232 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
IRF9Z24N | IR |
![]() ![]() |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF9Z24N | IR |
![]() ![]() |
auf Bestellung 154 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF9Z24PBF |
![]() |
auf Bestellung 1046 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IRF9Z24VSTRLPBF | IR | 09+ |
auf Bestellung 10018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
Транзистор польовий IRF9Z24NPBF -12A -55V P-ch TO-220 |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
![]() |
NTE2371 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 150W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24 Produktcode: 1329
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 55 Id,A: 12 Rds(on),Om: 0.175 /: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
|
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24 | Vishay / Siliconix |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRF9Z24NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -8.5A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 45W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24PBF | Vishay |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24SPBF | Vishay |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRF9Z24STRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.7A Pulsed drain current: -44A Power dissipation: 60W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF9Z24STRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.7A Pulsed drain current: -44A Power dissipation: 60W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24STRLPBF | Vishay |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24STRRPBF | Vishay |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
![]() |
IRF9Z24STRRPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRF9Z24NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -8.5A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 45W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IRF9Z24NPBF Produktcode: 40284
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: THT
verfügbar: 209 Stück
16 Stück - stock Köln
193 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
193 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.36 EUR |
10+ | 0.32 EUR |
IRF9Z24 |
![]() |
Hersteller: Siliconix
P-MOSFET 11A 60V IRF9Z24 IRF9Z24 IRF9Z24 TIRF9Z24
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
P-MOSFET 11A 60V IRF9Z24 IRF9Z24 IRF9Z24 TIRF9Z24
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 1.28 EUR |
IRF9Z24N | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 17A 55V 56W 0.175Ω IRF9Z24N TIRF9Z24n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 17A 55V 56W 0.175Ω IRF9Z24N TIRF9Z24n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 0.98 EUR |
IRF9Z24N-ML |
Hersteller: MOSLEADER
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 85mOhm; 20A; 90W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z24; IRF9Z24-BE3; IRF9Z24N; SP001555934; IRF9Z24N-ML MOSLEADER TIRF9Z24n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 85mOhm; 20A; 90W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z24; IRF9Z24-BE3; IRF9Z24N; SP001555934; IRF9Z24N-ML MOSLEADER TIRF9Z24n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 0.92 EUR |
IRF9Z24NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
107+ | 0.67 EUR |
176+ | 0.41 EUR |
186+ | 0.38 EUR |
IRF9Z24NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
107+ | 0.67 EUR |
176+ | 0.41 EUR |
186+ | 0.38 EUR |
10000+ | 0.37 EUR |
IRF9Z24NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC
auf Bestellung 3321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 0.97 EUR |
10+ | 0.91 EUR |
100+ | 0.71 EUR |
500+ | 0.58 EUR |
1000+ | 0.51 EUR |
2000+ | 0.48 EUR |
5000+ | 0.43 EUR |
IRF9Z24NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
174+ | 0.82 EUR |
186+ | 0.74 EUR |
194+ | 0.69 EUR |
253+ | 0.5 EUR |
500+ | 0.41 EUR |
1000+ | 0.28 EUR |
IRF9Z24NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
335+ | 0.43 EUR |
IRF9Z24NPBF |
![]() |
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-12A; Pdmax=45W; Rds=0,175 Ohm (аналог IRF9Z24N только Pb free)
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-12A; Pdmax=45W; Rds=0,175 Ohm (аналог IRF9Z24N только Pb free)
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.06 EUR |
IRF9Z24NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9Z24NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z24NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF9Z24NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9Z24NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9Z24NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9Z24NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9Z24NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
192+ | 0.74 EUR |
252+ | 0.55 EUR |
500+ | 0.44 EUR |
1000+ | 0.31 EUR |
IRF9Z24NS |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 12A 55V 3.8W 0.175Ω IRF9Z24NS TIRF9Z24ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
P-MOSFET 12A 55V 3.8W 0.175Ω IRF9Z24NS TIRF9Z24ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.54 EUR |
IRF9Z24PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
76+ | 0.94 EUR |
130+ | 0.55 EUR |
137+ | 0.52 EUR |
IRF9Z24PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 973 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
76+ | 0.94 EUR |
130+ | 0.55 EUR |
137+ | 0.52 EUR |
IRF9Z24PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 P CHAN 60V
MOSFETs TO220 P CHAN 60V
auf Bestellung 1931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.55 EUR |
10+ | 1.26 EUR |
100+ | 1.25 EUR |
500+ | 1.22 EUR |
2000+ | 1.19 EUR |
5000+ | 1.14 EUR |
IRF9Z24PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9Z24PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF9Z24PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9Z24PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
182+ | 0.79 EUR |
184+ | 0.75 EUR |
193+ | 0.69 EUR |
IRF9Z24PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9Z24PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
183+ | 0.78 EUR |
185+ | 0.75 EUR |
194+ | 0.68 EUR |
IRF9Z24PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9Z24PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 P CHAN 60V
MOSFETs TO220 P CHAN 60V
auf Bestellung 1444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.4 EUR |
10+ | 1.31 EUR |
500+ | 1.26 EUR |
1000+ | 1.15 EUR |
5000+ | 1.14 EUR |
10000+ | 1.11 EUR |
IRF9Z24SPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
33+ | 2.22 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
120+ | 0.6 EUR |
IRF9Z24SPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
33+ | 2.22 EUR |
69+ | 1.04 EUR |
114+ | 0.63 EUR |
120+ | 0.6 EUR |
IRF9Z24SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 P CHAN 60V
MOSFETs TO263 P CHAN 60V
auf Bestellung 1501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.87 EUR |
10+ | 1.52 EUR |
100+ | 1.51 EUR |
500+ | 1.47 EUR |
1000+ | 1.46 EUR |
IRF9Z24SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
180+ | 0.8 EUR |
IRF9Z24SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
110+ | 1.3 EUR |
IRF9Z24SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
64+ | 2.27 EUR |
66+ | 2.11 EUR |
110+ | 1.21 EUR |
IRF9Z24SPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF9Z24SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF9Z24SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9Z24SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
110+ | 1.3 EUR |
211+ | 0.65 EUR |
IRF9Z24N | ![]() |
![]() |
Hersteller: IR
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9Z24N | ![]() |
![]() |
Hersteller: IR
06+ TQFP
06+ TQFP
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9Z24PBF |
![]() |
IRF9Z24PBF Транзисторы MOS FET
auf Bestellung 1046 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF9Z24VSTRLPBF |
Hersteller: IR
09+
09+
auf Bestellung 10018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор польовий IRF9Z24NPBF -12A -55V P-ch TO-220 |
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTE2371 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
7+ | 10.44 EUR |
9+ | 7.99 EUR |
IRF9Z24 Produktcode: 1329
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.175
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.175
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9Z24 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9Z24NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9Z24PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9Z24PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9Z24SPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9Z24STRLPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9Z24STRLPBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9Z24STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9Z24STRRPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9Z24STRRPBF |
![]() |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 60V 11 Amp
MOSFETs P-Chan 60V 11 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF9Z24NSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH