Suchergebnisse für "IRF9Z34N" : 53

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IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF
Produktcode: 31477
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IR irf9z34npbf-datasheet.pdf description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 19
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
/: THT
auf Bestellung 240 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSPBF IRF9Z34NSPBF
Produktcode: 33403
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IR irf9z34nspbf-datasheet.pdf description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 19
Rds(on),Om: 0.10
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
/: SMD
verfügbar: 168 Stück
5 Stück - stock Köln
163 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34N JSMicro Semiconductor 090adecbf035d33ed6cf7c082a66f781.pdf description Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 20W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N JSMICRO TIRF9Z34n JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34N International Rectifier 090adecbf035d33ed6cf7c082a66f781.pdf description P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34N UMW 090adecbf035d33ed6cf7c082a66f781.pdf description Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 102mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N UMW TIRF9Z34n UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34N International Rectifier 090adecbf035d33ed6cf7c082a66f781.pdf description P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34N International Rectifier 090adecbf035d33ed6cf7c082a66f781.pdf description P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NLPBF IRF9Z34NLPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 description Description: PLANAR 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
239+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NLPBF IRF9Z34NLPBF Infineon Technologies infineon-irf9z34ns-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 248
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IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B680F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z34n.pdf?ci_sign=d4acb9fe5df062d3e293b8568a174e680d014d81 description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.34 EUR
67+1.08 EUR
91+0.79 EUR
159+0.45 EUR
174+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B680F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z34n.pdf?ci_sign=d4acb9fe5df062d3e293b8568a174e680d014d81 description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.34 EUR
67+1.08 EUR
91+0.79 EUR
159+0.45 EUR
174+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd description Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 51306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.74 EUR
50+0.68 EUR
100+0.64 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.47 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9Z34N_DataSheet_v01_01_EN-3363049.pdf description MOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
auf Bestellung 7050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+0.71 EUR
100+0.67 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.53 EUR
2000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON INFN-S-A0012826292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineon-irf9z34n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 16652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.57 EUR
232+0.59 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.41 EUR
4000+0.38 EUR
8000+0.33 EUR
16000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineon-irf9z34n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.57 EUR
255+0.54 EUR
277+0.48 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
2000+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 253
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF IR irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd description Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-17A; Pdmax=56W; Rds=0,10 Ohm (аналог IRF9Z34N только Pb free)
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineon-irf9z34n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.56 EUR
256+0.54 EUR
278+0.48 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
2000+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 254
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineon-irf9z34n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.48 EUR
2000+0.43 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineon-irf9z34n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.19 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSPBF IR irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 description Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2Pack Udss=-55V; Id=-19A; Pdmax=68W; Rds=0,10 Ohm (Pb free)
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTR Infineon P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34NS IRF9Z34NS IRF9Z34NSTRR IRF9Z34NSTRL IRF9Z34NS smd TIRF9Z34ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9Z34NS_DataSheet_v01_01_EN-3363292.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V 19A 100mOhm 23.3nC
auf Bestellung 3866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.08 EUR
10+1.57 EUR
100+1.25 EUR
500+0.81 EUR
2400+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 1739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+1.99 EUR
12+1.5 EUR
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NSTRRPBF Infineon Technologies infineon-irf9z34ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 119000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+1.18 EUR
506+1.02 EUR
1000+0.91 EUR
10000+0.78 EUR
100000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NLPBF IR irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 description 08+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd description IRF9Z34NPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 4643 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NS : IRF9Z34NSTRLPBF International Rectifier Corporation IRF9Z34NSPBF MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSPBF irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 description IRF9Z34NSPBF Транзисторы HEXFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSPBF International Rectifier/Infineon irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 description P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 19 А; Ptot, Вт = 3,8; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25; Qg, нКл = 35 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF9Z34N International Rectifier AUIRF9Z34N.pdf IRSDS11744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET P-CH 55V 19A Automotive AUIRF9Z34N International Rectifier TAUIRF9Z34n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF9Z34N AUIRF9Z34N International Rectifier IRSDS11744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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318+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 318
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF9Z34N-INF AUIRF9Z34N-INF Infineon Technologies IRSDS11744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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318+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 318
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRF9Z34N UMWIRF9Z34N UMW 090adecbf035d33ed6cf7c082a66f781.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
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11+1.71 EUR
17+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
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IRF9Z34N IRF9Z34N
Produktcode: 1336
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IR irf9z34n.pdf description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55
Id,A: 19
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NS IRF9Z34NS
Produktcode: 19219
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IR irf9z34ns.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 55
Id,A: 19
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 1100/34
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.64 EUR
10+0.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NL IRF9Z34NL Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NLPBF IRF9Z34NLPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 description Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSPBF IRF9Z34NSPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 description Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34ns.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRR IRF9Z34NSTRR Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NSTRRPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NSTRRPBF Infineon Technologies irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0 Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF9Z34N AUIRF9Z34N Infineon Technologies AUIRF9Z34N.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34 IRF9Z34 Vishay Siliconix IRF9Z34_SiHF9Z34_RevC_5-2-16.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF
Produktcode: 31477
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description irf9z34npbf-datasheet.pdf
IRF9Z34NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 19
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
/: THT
auf Bestellung 240 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.44 EUR
10+0.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSPBF
Produktcode: 33403
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description irf9z34nspbf-datasheet.pdf
IRF9Z34NSPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 19
Rds(on),Om: 0.10
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
/: SMD
verfügbar: 168 Stück
5 Stück - stock Köln
163 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34N description 090adecbf035d33ed6cf7c082a66f781.pdf
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 20W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N JSMICRO TIRF9Z34n JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34N description 090adecbf035d33ed6cf7c082a66f781.pdf
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34N description 090adecbf035d33ed6cf7c082a66f781.pdf
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 102mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF9Z34; IRF9Z34N; IRF9Z34N UMW TIRF9Z34n UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34N description 090adecbf035d33ed6cf7c082a66f781.pdf
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34N description 090adecbf035d33ed6cf7c082a66f781.pdf
Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NLPBF description irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: PLANAR 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
239+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NLPBF description infineon-irf9z34ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9Z34NLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
248+2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 248
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B680F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z34n.pdf?ci_sign=d4acb9fe5df062d3e293b8568a174e680d014d81
IRF9Z34NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.34 EUR
67+1.08 EUR
91+0.79 EUR
159+0.45 EUR
174+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B680F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z34n.pdf?ci_sign=d4acb9fe5df062d3e293b8568a174e680d014d81
IRF9Z34NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.34 EUR
67+1.08 EUR
91+0.79 EUR
159+0.45 EUR
174+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 54
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IRF9Z34NPBF description irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd
IRF9Z34NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 51306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.74 EUR
50+0.68 EUR
100+0.64 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.47 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF description Infineon_IRF9Z34N_DataSheet_v01_01_EN-3363049.pdf
IRF9Z34NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
auf Bestellung 7050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.83 EUR
10+0.71 EUR
100+0.67 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.53 EUR
2000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF description INFN-S-A0012826292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9Z34NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF description infineon-irf9z34n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9Z34NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 16652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
107+1.57 EUR
232+0.59 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.41 EUR
4000+0.38 EUR
8000+0.33 EUR
16000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF description infineon-irf9z34n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9Z34NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
253+0.57 EUR
255+0.54 EUR
277+0.48 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
2000+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 253
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF description irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-17A; Pdmax=56W; Rds=0,10 Ohm (аналог IRF9Z34N только Pb free)
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF description infineon-irf9z34n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9Z34NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
254+0.56 EUR
256+0.54 EUR
278+0.48 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
2000+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 254
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF description infineon-irf9z34n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9Z34NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.48 EUR
2000+0.43 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF description infineon-irf9z34n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9Z34NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.19 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSPBF description irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2Pack Udss=-55V; Id=-19A; Pdmax=68W; Rds=0,10 Ohm (Pb free)
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTR
Hersteller: Infineon
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34NS IRF9Z34NS IRF9Z34NSTRR IRF9Z34NSTRL IRF9Z34NS smd TIRF9Z34ns
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRLPBF Infineon_IRF9Z34NS_DataSheet_v01_01_EN-3363292.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V 19A 100mOhm 23.3nC
auf Bestellung 3866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.08 EUR
10+1.57 EUR
100+1.25 EUR
500+0.81 EUR
2400+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
auf Bestellung 1739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+1.99 EUR
12+1.5 EUR
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRLPBF INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9Z34NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRLPBF INFN-S-A0012838205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9Z34NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRRPBF infineon-irf9z34ns-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF9Z34NSTRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 119000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
455+1.18 EUR
506+1.02 EUR
1000+0.91 EUR
10000+0.78 EUR
100000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NLPBF description irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
Hersteller: IR
08+
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF description irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd
IRF9Z34NPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 4643 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NS : IRF9Z34NSTRLPBF
Hersteller: International Rectifier Corporation
IRF9Z34NSPBF MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSPBF description irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NSPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSPBF description irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 19 А; Ptot, Вт = 3,8; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25; Qg, нКл = 35 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF9Z34N AUIRF9Z34N.pdf IRSDS11744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: International Rectifier
MOSFET P-CH 55V 19A Automotive AUIRF9Z34N International Rectifier TAUIRF9Z34n
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF9Z34N IRSDS11744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF9Z34N
Hersteller: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
318+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 318
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF9Z34N-INF IRSDS11744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF9Z34N-INF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
318+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 318
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UMWIRF9Z34N 090adecbf035d33ed6cf7c082a66f781.pdf
UMWIRF9Z34N
Hersteller: UMW
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
auf Bestellung 872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.71 EUR
17+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34N
Produktcode: 1336
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description irf9z34n.pdf
IRF9Z34N
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55
Id,A: 19
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NS
Produktcode: 19219
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NS
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 55
Id,A: 19
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 1100/34
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.64 EUR
10+0.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NL irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NLPBF description irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSPBF description irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NSPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
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IRF9Z34NSTRLPBF irf9z34ns.pdf
IRF9Z34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF9Z34NSTRR irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NSTRR
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
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IRF9Z34NSTRRPBF irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NSTRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NSTRRPBF irf9z34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561228de1de0
IRF9Z34NSTRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
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AUIRF9Z34N AUIRF9Z34N.pdf
AUIRF9Z34N
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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IRF9Z34 IRF9Z34_SiHF9Z34_RevC_5-2-16.pdf
IRF9Z34
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH