Suchergebnisse für "IRFP250" : 57
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRFP250 (IRFP250PBF) Produktcode: 7938
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ST |
![]() Gehäuse: TO-247 Uds,V: 200 Idd,A: 33 Rds(on), Ohm: 0.075 Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117 JHGF: THT |
auf Bestellung 97 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP250NPBF Produktcode: 40169
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() ![]() Gehäuse: TO-247 Uds,V: 200 Idd,A: 30 Rds(on), Ohm: 0.075 Ciss, pF/Qg, nC: 2159/123 JHGF: THT |
auf Bestellung 73 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP250 | Siliconix |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP250M | Infineon |
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP250MPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Power dissipation: 214W Case: TO247AD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 123nC Kind of package: tube |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250MPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Power dissipation: 214W Case: TO247AD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 123nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2237 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3728 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Power dissipation: 214W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 123nC Kind of package: tube |
auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Power dissipation: 214W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 123nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5358 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 313 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4649 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1897 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 803 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 602 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube |
auf Bestellung 565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 565 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP250PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 200V 30A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 2642 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP250PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP250PBF | Vishay |
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auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250PBF | Vishay |
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auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250PBF | Vishay |
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auf Bestellung 570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250PBF | Vishay |
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auf Bestellung 770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250PBF | Vishay |
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auf Bestellung 570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250PBF | Vishay |
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auf Bestellung 773 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250S2453 | Harris Corporation |
Description: 33A, 200V, 0.085 OHM, N-CHANNEL Packaging: Bulk Part Status: Active |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP250S2453 | HARRIS | IRFP250S2453 |
auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250 |
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auf Bestellung 1642 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRFP250N IR |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRFP250NPBF | International Rectifier Corporation |
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auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
IRFP250P |
auf Bestellung 1080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
Транзистор польовий IRFP250NPBF 30A 200V N-ch TO-247 |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
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NTE2376 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250 Produktcode: 171437
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Lieblingsprodukt
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Siliconix |
![]() ![]() Gehäuse: TO-247 Uds,V: 200 V Idd,A: 33 A Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
IRFP250A Produktcode: 46979
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFP250 | IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFP250 | IXYS |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFP250 | Vishay / Siliconix |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFP250 | STMicroelectronics |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFP250 | onsemi / Fairchild |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFP250 | STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IRFP250 (IRFP250PBF) Produktcode: 7938
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 33
Rds(on), Ohm: 0.075
Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 33
Rds(on), Ohm: 0.075
Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117
JHGF: THT
auf Bestellung 97 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 1.06 EUR |
IRFP250NPBF Produktcode: 40169
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 0.075
Ciss, pF/Qg, nC: 2159/123
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 0.075
Ciss, pF/Qg, nC: 2159/123
JHGF: THT
auf Bestellung 73 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 1.16 EUR |
100+ | 1.11 EUR |
IRFP250 |
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Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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25+ | 4.14 EUR |
IRFP250M |
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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10+ | 5.75 EUR |
IRFP250MPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.87 EUR |
34+ | 2.13 EUR |
52+ | 1.39 EUR |
55+ | 1.32 EUR |
IRFP250MPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
25+ | 2.87 EUR |
34+ | 2.13 EUR |
52+ | 1.39 EUR |
55+ | 1.32 EUR |
400+ | 1.26 EUR |
IRFP250MPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
auf Bestellung 2237 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 5.03 EUR |
25+ | 2.80 EUR |
100+ | 2.26 EUR |
500+ | 1.83 EUR |
1000+ | 1.69 EUR |
2000+ | 1.60 EUR |
IRFP250MPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
auf Bestellung 3728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.58 EUR |
10+ | 2.78 EUR |
100+ | 2.24 EUR |
250+ | 2.16 EUR |
400+ | 1.67 EUR |
1200+ | 1.61 EUR |
IRFP250MPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
auf Bestellung 2120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
63+ | 2.56 EUR |
64+ | 2.45 EUR |
100+ | 1.52 EUR |
500+ | 1.42 EUR |
1000+ | 1.28 EUR |
IRFP250MPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
auf Bestellung 2124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
64+ | 2.44 EUR |
100+ | 1.51 EUR |
500+ | 1.41 EUR |
1000+ | 1.27 EUR |
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
23+ | 3.23 EUR |
35+ | 2.10 EUR |
64+ | 1.13 EUR |
68+ | 1.06 EUR |
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
23+ | 3.23 EUR |
35+ | 2.10 EUR |
64+ | 1.13 EUR |
68+ | 1.06 EUR |
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 5.49 EUR |
10+ | 4.82 EUR |
25+ | 3.54 EUR |
100+ | 2.85 EUR |
400+ | 2.25 EUR |
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
auf Bestellung 5358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 6.02 EUR |
25+ | 3.44 EUR |
100+ | 2.80 EUR |
500+ | 2.30 EUR |
1000+ | 2.21 EUR |
2000+ | 2.18 EUR |
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
92+ | 1.77 EUR |
93+ | 1.69 EUR |
100+ | 1.61 EUR |
400+ | 1.53 EUR |
1200+ | 1.46 EUR |
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
223+ | 2.72 EUR |
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
92+ | 1.76 EUR |
100+ | 1.68 EUR |
400+ | 1.60 EUR |
1200+ | 1.52 EUR |
2800+ | 1.41 EUR |
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 4649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
223+ | 2.72 EUR |
500+ | 2.53 EUR |
1000+ | 2.28 EUR |
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
400+ | 1.84 EUR |
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
92+ | 1.77 EUR |
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
223+ | 2.72 EUR |
500+ | 2.53 EUR |
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
92+ | 1.77 EUR |
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
400+ | 1.84 EUR |
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
125+ | 1.25 EUR |
126+ | 1.20 EUR |
IRFP250PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.50 EUR |
35+ | 2.06 EUR |
45+ | 1.60 EUR |
48+ | 1.52 EUR |
100+ | 1.50 EUR |
IRFP250PBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.50 EUR |
35+ | 2.06 EUR |
45+ | 1.60 EUR |
48+ | 1.52 EUR |
100+ | 1.50 EUR |
IRFP250PBF |
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 200V 30A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 200V 30A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.72 EUR |
10+ | 5.49 EUR |
25+ | 4.19 EUR |
500+ | 4.07 EUR |
5000+ | 4.05 EUR |
IRFP250PBF |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 10.63 EUR |
25+ | 6.21 EUR |
100+ | 5.16 EUR |
IRFP250PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
36+ | 4.60 EUR |
41+ | 3.81 EUR |
100+ | 3.44 EUR |
IRFP250PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
36+ | 4.60 EUR |
41+ | 3.81 EUR |
100+ | 3.44 EUR |
IRFP250PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
41+ | 4.00 EUR |
46+ | 3.44 EUR |
100+ | 3.15 EUR |
500+ | 3.00 EUR |
IRFP250PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
36+ | 4.60 EUR |
42+ | 3.74 EUR |
100+ | 2.74 EUR |
500+ | 2.61 EUR |
IRFP250PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
41+ | 4.00 EUR |
46+ | 3.44 EUR |
100+ | 3.15 EUR |
500+ | 3.00 EUR |
IRFP250PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
36+ | 4.58 EUR |
42+ | 3.72 EUR |
100+ | 2.73 EUR |
500+ | 2.60 EUR |
IRFP250S2453 |
Hersteller: Harris Corporation
Description: 33A, 200V, 0.085 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: 33A, 200V, 0.085 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
188+ | 2.70 EUR |
IRFP250S2453 |
Hersteller: HARRIS
IRFP250S2453
IRFP250S2453
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
207+ | 2.92 EUR |
IRFP250N IR |
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFP250NPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier Corporation
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор польовий IRFP250NPBF 30A 200V N-ch TO-247 |
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
NTE2376 |
![]() |
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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3+ | 23.84 EUR |
IRFP250 Produktcode: 171437
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117
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IRFP250A Produktcode: 46979
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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Hersteller: IXYS
MOSFETs 30 Amps 200V 0.085 Rds
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 200 Volt 33 Amp
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs
MOSFETs
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
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IRFP250MPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
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