Suchergebnisse für "IRFP250" : 56

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IRFP250 (IRFP250PBF) IRFP250 (IRFP250PBF)
Produktcode: 7938
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ST IRFP250.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 33
Rds(on), Ohm: 0.075
Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117
JHGF: THT
auf Bestellung 67 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF IRFP250NPBF
Produktcode: 40169
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IR irfp250npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356288b8b1fde description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 0.075
Ciss, pF/Qg, nC: 2159/123
JHGF: THT
auf Bestellung 137 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.16 EUR
100+1.11 EUR
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IRFP250 Siliconix DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250 Siliconix DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250M Infineon N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.5 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250MPBF IRFP250MPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAAEBDC8FAB880E0C7&compId=irfp250mpbf.pdf?ci_sign=ce2f9fec1af75e4313268991e3189becda06ef59 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3 EUR
36+2 EUR
44+1.64 EUR
50+1.44 EUR
100+1.3 EUR
125+1.26 EUR
250+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250MPBF IRFP250MPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAAEBDC8FAB880E0C7&compId=irfp250mpbf.pdf?ci_sign=ce2f9fec1af75e4313268991e3189becda06ef59 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3 EUR
36+2 EUR
44+1.64 EUR
50+1.44 EUR
100+1.3 EUR
125+1.26 EUR
250+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies Infineon_IRFP250M_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
auf Bestellung 4314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.52 EUR
10+2.53 EUR
100+2.04 EUR
400+1.53 EUR
1200+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies infineonirfp250mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.19 EUR
65+2.17 EUR
101+1.35 EUR
500+1.21 EUR
1600+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies infineonirfp250mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
auf Bestellung 2025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.27 EUR
101+1.41 EUR
500+1.27 EUR
1600+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250MPBF IRFP250MPBF INFINEON INFN-S-A0010753947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250N International Rectifier description N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250N TIRFP250n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF IRFP250NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAB8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp250n.pdf?ci_sign=efbdd605b5da163688cfe68402cea5bf7e3f98b6 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.29 EUR
34+2.16 EUR
36+1.99 EUR
50+1.87 EUR
100+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF IRFP250NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAB8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp250n.pdf?ci_sign=efbdd605b5da163688cfe68402cea5bf7e3f98b6 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.29 EUR
34+2.16 EUR
36+1.99 EUR
50+1.87 EUR
100+1.76 EUR
400+1.54 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies Infineon_IRFP250N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
auf Bestellung 3246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.56 EUR
10+2.76 EUR
100+2.66 EUR
400+2.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies irfp250npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356288b8b1fde description Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
auf Bestellung 1158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.7 EUR
25+3.22 EUR
100+2.63 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies irg4bc30fpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 37770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+2.67 EUR
100+1.86 EUR
800+1.74 EUR
1200+1.66 EUR
2800+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies irg4bc30fpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies irg4bc30fpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF IRFP250NPBF INFINEON INFN-S-A0012838136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFP250NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies irg4bc30fpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 37772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.28 EUR
56+2.56 EUR
100+1.78 EUR
800+1.67 EUR
1200+1.58 EUR
2800+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies irg4bc30fpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies irg4bc30fpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+1.91 EUR
83+1.71 EUR
100+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Infineon Technologies irg4bc30fpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250PBF IRFP250PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B2A12B12F0469&compId=IRFP250PBF.pdf?ci_sign=e6aedf22443bad83185168735d7e428c36e0d1e6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.96 EUR
27+2.75 EUR
28+2.62 EUR
30+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250PBF IRFP250PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B2A12B12F0469&compId=IRFP250PBF.pdf?ci_sign=e6aedf22443bad83185168735d7e428c36e0d1e6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.96 EUR
27+2.75 EUR
28+2.62 EUR
30+2.46 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250PBF IRFP250PBF Vishay Semiconductors irfp250.pdf MOSFETs TO247 200V 30A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.9 EUR
10+3.52 EUR
100+3.41 EUR
500+3.2 EUR
1000+3.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250PBF IRFP250PBF Vishay Siliconix irfp250.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
auf Bestellung 1309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.59 EUR
25+5.6 EUR
100+4.65 EUR
500+3.89 EUR
1000+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250PBF IRFP250PBF VISHAY VISH-S-A0014425709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFP250PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250PBF IRFP250PBF Vishay irfp250.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+2.63 EUR
61+2.35 EUR
100+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250PBF IRFP250PBF Vishay irfp250.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 2224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.11 EUR
46+3.11 EUR
100+2.95 EUR
500+2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250PBF IRFP250PBF Vishay irfp250.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+2.63 EUR
61+2.35 EUR
100+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250PBF IRFP250PBF Vishay irfp250.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 2224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.14 EUR
46+3.13 EUR
100+2.97 EUR
500+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250S2453 IRFP250S2453 Harris Corporation Description: 33A, 200V, 0.085 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
164+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 164
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250S2453 HARRIS IRFP250S2453
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP250 DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf
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IRFP250N IR
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IRFP250NPBF Infineon Technologies irfp250npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356288b8b1fde description
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IRFP250P
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Транзистор польовий IRFP250NPBF 30A 200V N-ch TO-247
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NTE2376 NTE2376 NTE Electronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9A8F8ADB1303D80C1&compId=nte2376.pdf?ci_sign=4c36f580485af8806695fb82752388a85e7a5d74 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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IRFP250
Produktcode: 171437
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Siliconix DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117
JHGF: THT
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IRFP250A
Produktcode: 46979
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFP250 IRFP250 onsemi / Fairchild DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf MOSFETs
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IRFP250 IRFP250 STMicroelectronics DS_497_IRFP250.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250 IRFP250 IXYS DS_238_IRFP250.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250 IRFP250 IXYS ixys_92602.pdf MOSFETs 30 Amps 200V 0.085 Rds
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IRFP250 IRFP250 Vishay / Siliconix DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
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IRFP250 IRFP250 STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00002160.pdf MOSFETs N-Ch 200 Volt 33 Amp
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IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies IRLES00077-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
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IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies infineonirfp250mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Infineon Technologies infineonirfp250mdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
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IRFP250PBF IRFP250PBF Vishay irfp250.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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IRFP250 (IRFP250PBF)
Produktcode: 7938
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IRFP250.pdf
IRFP250 (IRFP250PBF)
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 33
Rds(on), Ohm: 0.075
Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117
JHGF: THT
auf Bestellung 67 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.06 EUR
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IRFP250NPBF
Produktcode: 40169
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description irfp250npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356288b8b1fde
IRFP250NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 0.075
Ciss, pF/Qg, nC: 2159/123
JHGF: THT
auf Bestellung 137 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.16 EUR
100+1.11 EUR
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IRFP250 DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250 DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRFP250M
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250M TIRFP250m
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+5.5 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250MPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAAEBDC8FAB880E0C7&compId=irfp250mpbf.pdf?ci_sign=ce2f9fec1af75e4313268991e3189becda06ef59
IRFP250MPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3 EUR
36+2 EUR
44+1.64 EUR
50+1.44 EUR
100+1.3 EUR
125+1.26 EUR
250+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250MPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAAEBDC8FAB880E0C7&compId=irfp250mpbf.pdf?ci_sign=ce2f9fec1af75e4313268991e3189becda06ef59
IRFP250MPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3 EUR
36+2 EUR
44+1.64 EUR
50+1.44 EUR
100+1.3 EUR
125+1.26 EUR
250+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250MPBF Infineon_IRFP250M_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFP250MPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
auf Bestellung 4314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.52 EUR
10+2.53 EUR
100+2.04 EUR
400+1.53 EUR
1200+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250MPBF infineonirfp250mdatasheetv0101en.pdf
IRFP250MPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
35+4.19 EUR
65+2.17 EUR
101+1.35 EUR
500+1.21 EUR
1600+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250MPBF infineonirfp250mdatasheetv0101en.pdf
IRFP250MPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
auf Bestellung 2025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
65+2.27 EUR
101+1.41 EUR
500+1.27 EUR
1600+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250MPBF INFN-S-A0010753947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP250MPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250N description
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 30A 200V 214W 0.075Ω IRFP250N TIRFP250n
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAB8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp250n.pdf?ci_sign=efbdd605b5da163688cfe68402cea5bf7e3f98b6
IRFP250NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.29 EUR
34+2.16 EUR
36+1.99 EUR
50+1.87 EUR
100+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAB8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp250n.pdf?ci_sign=efbdd605b5da163688cfe68402cea5bf7e3f98b6
IRFP250NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.29 EUR
34+2.16 EUR
36+1.99 EUR
50+1.87 EUR
100+1.76 EUR
400+1.54 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF description Infineon_IRFP250N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFP250NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
auf Bestellung 3246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.56 EUR
10+2.76 EUR
100+2.66 EUR
400+2.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF description irfp250npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356288b8b1fde
IRFP250NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
auf Bestellung 1158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.7 EUR
25+3.22 EUR
100+2.63 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF description irg4bc30fpbf.pdf
IRFP250NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 37770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
55+2.67 EUR
100+1.86 EUR
800+1.74 EUR
1200+1.66 EUR
2800+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF description irg4bc30fpbf.pdf
IRFP250NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF description irg4bc30fpbf.pdf
IRFP250NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
400+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF description INFN-S-A0012838136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP250NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP250NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF description irg4bc30fpbf.pdf
IRFP250NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 37772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
35+4.28 EUR
56+2.56 EUR
100+1.78 EUR
800+1.67 EUR
1200+1.58 EUR
2800+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF description irg4bc30fpbf.pdf
IRFP250NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFP250NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 770 Stücke:
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Anzahl Preis
77+1.91 EUR
83+1.71 EUR
100+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250NPBF description irg4bc30fpbf.pdf
IRFP250NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
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400+1.91 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B2A12B12F0469&compId=IRFP250PBF.pdf?ci_sign=e6aedf22443bad83185168735d7e428c36e0d1e6
IRFP250PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.96 EUR
27+2.75 EUR
28+2.62 EUR
30+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B2A12B12F0469&compId=IRFP250PBF.pdf?ci_sign=e6aedf22443bad83185168735d7e428c36e0d1e6
IRFP250PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.96 EUR
27+2.75 EUR
28+2.62 EUR
30+2.46 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFP250PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 200V 30A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.9 EUR
10+3.52 EUR
100+3.41 EUR
500+3.2 EUR
1000+3.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250PBF irfp250.pdf
IRFP250PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
auf Bestellung 1309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+9.59 EUR
25+5.6 EUR
100+4.65 EUR
500+3.89 EUR
1000+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250PBF VISH-S-A0014425709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP250PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP250PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 796 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250PBF irfp250.pdf
IRFP250PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
56+2.63 EUR
61+2.35 EUR
100+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250PBF irfp250.pdf
IRFP250PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 2224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
36+4.11 EUR
46+3.11 EUR
100+2.95 EUR
500+2.6 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250PBF irfp250.pdf
IRFP250PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 430 Stücke:
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Anzahl Preis
56+2.63 EUR
61+2.35 EUR
100+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 56
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IRFP250PBF irfp250.pdf
IRFP250PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 2224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
36+4.14 EUR
46+3.13 EUR
100+2.97 EUR
500+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250S2453
IRFP250S2453
Hersteller: Harris Corporation
Description: 33A, 200V, 0.085 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
164+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 164
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250S2453
Hersteller: HARRIS
IRFP250S2453
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
216+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 216
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250 DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf
auf Bestellung 1642 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250N IR
auf Bestellung 8000 Stücke:
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IRFP250NPBF description irfp250npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356288b8b1fde
Hersteller: Infineon Technologies
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250P
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRFP250NPBF 30A 200V N-ch TO-247
auf Bestellung 9 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTE2376 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9A8F8ADB1303D80C1&compId=nte2376.pdf?ci_sign=4c36f580485af8806695fb82752388a85e7a5d74
NTE2376
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3 Stücke:
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Anzahl Preis
3+23.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250
Produktcode: 171437
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DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250A
Produktcode: 46979
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250 DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf
IRFP250
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs
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IRFP250 DS_497_IRFP250.pdf
IRFP250
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP250 DS_238_IRFP250.pdf
IRFP250
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250 ixys_92602.pdf
IRFP250
Hersteller: IXYS
MOSFETs 30 Amps 200V 0.085 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250 DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf
IRFP250
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
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IRFP250 stmicroelectronics_cd00002160.pdf
IRFP250
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 200 Volt 33 Amp
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250MPBF IRLES00077-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFP250MPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP250MPBF infineonirfp250mdatasheetv0101en.pdf
IRFP250MPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
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IRFP250MPBF infineonirfp250mdatasheetv0101en.pdf
IRFP250MPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
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IRFP250PBF irfp250.pdf
IRFP250PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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