Suchergebnisse für "IRFR024N" : 56

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IRFR024N -IR IRFR024N -IR
Produktcode: 34110
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IR irfr024n-ir.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 16
Rds(on), Ohm: 0.075
Ciss, pF/Qg, nC: 370/20
JHGF: SMD
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.57 EUR
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IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF
Produktcode: 42276
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IR irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 16
Rds(on), Ohm: 0.075
JHGF: SMD
verfügbar: 117 Stück
20 Stück - stock Köln
97 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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10+0.32 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024N JSMicro Semiconductor description Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 20A; 31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR024N; IRFR024NTRL; IRFR024NTR; IRFR024NTRR; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980; IRFR024N JSMICRO TIRFR024 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024N HXY MOSFET description Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 105mOhm; 20A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR024N; IRFR024NTRL; IRFR024NTR; IRFR024NTRR; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980; IRFR024N HXY MOSFET TIRFR024 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRFR024NPBF International Rectifier/Infineon irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c description N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 17 А; Ptot, Вт = 45; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 370 пФ @ 25 В; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 75 мОм @ 10 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; DPAK
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+6.57 EUR
10+0.61 EUR
100+0.49 EUR
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IRFR024NTR Infineon 89ada3205195aaf6b400ed466ac1f7cf.pdf N-MOSFET 14A 60V 42W 1.2Ω IRFR024NTR IRFR024N-GURT IRFR024NTRL IRFR024NTRR IRFR024N smd TIRFR024
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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IRFR024NTR UMW 89ada3205195aaf6b400ed466ac1f7cf.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR024N; IRFR024NTRL; IRFR024NTR; IRFR024NTRR; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980; IRFR024NTR UMW TIRFR024 UMW
Anzahl je Verpackung: 40 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
80+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 80
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IRFR024NTR JGSEMI 89ada3205195aaf6b400ed466ac1f7cf.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 35mOhm; 30A; 40W; -50°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR024N; IRFR024NTRL; IRFR024NTR; IRFR024NTRR; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980; IRFR024NTR JGSEMI TIRFR024 JGS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRFR024NTR IRFR024NTR UMW 89ada3205195aaf6b400ed466ac1f7cf.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.73 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.73 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
931+0.65 EUR
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 931
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
931+0.65 EUR
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 931
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 10204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+1.17 EUR
89+0.81 EUR
98+0.74 EUR
122+0.59 EUR
129+0.55 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.17 EUR
89+0.81 EUR
98+0.74 EUR
122+0.59 EUR
129+0.55 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c description Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
auf Bestellung 144000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c description Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
auf Bestellung 145239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.37 EUR
18+1.01 EUR
100+0.75 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 108893 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF Infineon irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c description Транз. Пол. БМ N-HEXFET D-PAK Udss=55V; Id=17A; Pdmax=45W; Rds=0,075 Ohm
auf Bestellung 1765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3.84 EUR
10+3.26 EUR
100+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+0.79 EUR
255+0.61 EUR
258+0.58 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 206
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 108893 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF International Rectifier/Infineon irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c description N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 17 А; Ptot, Вт = 45; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 370 @ 25; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 75 мОм @ 10 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK
auf Bestellung 2576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+0.70 EUR
11+0.61 EUR
100+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 36498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+0.53 EUR
305+0.51 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.34 EUR
8000+0.32 EUR
32000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 304
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.23 EUR
189+0.82 EUR
206+0.73 EUR
255+0.56 EUR
258+0.54 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024 NTK IR 0310
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024N IR description
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024N IR description 07+ TO-252
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024N IR description 09+
auf Bestellung 19158 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024N IR description TO-252
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024N-TR
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF International Rectifier Corporation irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c description MOSFET N-CH 55V 17A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NPBF IRFR024NPBF
Produktcode: 34111
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IR irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 16
Rds(on), Ohm: 0.075
Ciss, pF/Qg, nC: 370/20
JHGF: SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NPBF IRFR024NPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c description Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTR IRFR024NTR UMW 89ada3205195aaf6b400ed466ac1f7cf.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr024npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF Infineon Technologies infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRR IRFR024NTRR Infineon Technologies IRFR%2CU024N.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRRPBF IRFR024NTRRPBF Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr024npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR024N AUIRFR024N INFINEON TECHNOLOGIES auirfr024n.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR024N AUIRFR024N INFINEON TECHNOLOGIES auirfr024n.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR024N AUIRFR024N Infineon Technologies AUIRF%28R%2CU%29024N.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR024NTRL AUIRFR024NTRL Infineon Technologies AUIRF%28R%2CU%29024N.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR024NTRL AUIRFR024NTRL Infineon Technologies AUIRF%28R%2CU%29024N.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024 IRFR024 Vishay Siliconix description Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024N -IR
Produktcode: 34110
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irfr024n-ir.pdf
IRFR024N -IR
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 16
Rds(on), Ohm: 0.075
Ciss, pF/Qg, nC: 370/20
JHGF: SMD
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.57 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF
Produktcode: 42276
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description irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
IRFR024NTRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 16
Rds(on), Ohm: 0.075
JHGF: SMD
verfügbar: 117 Stück
20 Stück - stock Köln
97 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.34 EUR
10+0.32 EUR
100+0.30 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024N description
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 20A; 31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR024N; IRFR024NTRL; IRFR024NTR; IRFR024NTRR; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980; IRFR024N JSMICRO TIRFR024 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024N description
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 105mOhm; 20A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR024N; IRFR024NTRL; IRFR024NTR; IRFR024NTRR; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980; IRFR024N HXY MOSFET TIRFR024 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NPBF description irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 17 А; Ptot, Вт = 45; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 370 пФ @ 25 В; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 75 мОм @ 10 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; DPAK
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.57 EUR
10+0.61 EUR
100+0.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTR 89ada3205195aaf6b400ed466ac1f7cf.pdf
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 14A 60V 42W 1.2Ω IRFR024NTR IRFR024N-GURT IRFR024NTRL IRFR024NTRR IRFR024N smd TIRFR024
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTR 89ada3205195aaf6b400ed466ac1f7cf.pdf
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR024N; IRFR024NTRL; IRFR024NTR; IRFR024NTRR; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980; IRFR024NTR UMW TIRFR024 UMW
Anzahl je Verpackung: 40 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
80+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTR 89ada3205195aaf6b400ed466ac1f7cf.pdf
Hersteller: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 35mOhm; 30A; 40W; -50°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR024N; IRFR024NTRL; IRFR024NTR; IRFR024NTRR; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980; IRFR024NTR JGSEMI TIRFR024 JGS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTR 89ada3205195aaf6b400ed466ac1f7cf.pdf
IRFR024NTR
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBF infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR024NTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.73 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBF infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR024NTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.73 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBF infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR024NTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
931+0.65 EUR
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 931
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBF infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR024NTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBF INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR024NTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBF infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR024NTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
931+0.65 EUR
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 931
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBF infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR024NTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBF INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR024NTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR024NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 10204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.17 EUR
89+0.81 EUR
98+0.74 EUR
122+0.59 EUR
129+0.55 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.17 EUR
89+0.81 EUR
98+0.74 EUR
122+0.59 EUR
129+0.55 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
auf Bestellung 144000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
auf Bestellung 145239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+1.37 EUR
18+1.01 EUR
100+0.75 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 108893 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D-PAK Udss=55V; Id=17A; Pdmax=45W; Rds=0,075 Ohm
auf Bestellung 1765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.84 EUR
10+3.26 EUR
100+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
206+0.79 EUR
255+0.61 EUR
258+0.58 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 206
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR024NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 108893 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 17 А; Ptot, Вт = 45; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 370 @ 25; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 75 мОм @ 10 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK
auf Bestellung 2576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.70 EUR
11+0.61 EUR
100+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 36498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
304+0.53 EUR
305+0.51 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.34 EUR
8000+0.32 EUR
32000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 304
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
132+1.23 EUR
189+0.82 EUR
206+0.73 EUR
255+0.56 EUR
258+0.54 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024 NTK
Hersteller: IR
0310
auf Bestellung 1999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024N description
Hersteller: IR
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024N description
Hersteller: IR
07+ TO-252
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024N description
Hersteller: IR
09+
auf Bestellung 19158 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024N description
Hersteller: IR
TO-252
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024N-TR
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
Hersteller: International Rectifier Corporation
MOSFET N-CH 55V 17A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NPBF
Produktcode: 34111
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description irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
IRFR024NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 16
Rds(on), Ohm: 0.075
Ciss, pF/Qg, nC: 370/20
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.35 EUR
10+0.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NPBF description irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
IRFR024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTR 89ada3205195aaf6b400ed466ac1f7cf.pdf
IRFR024NTR
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBF irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBF irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
IRFR024NTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBF irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
IRFR024NTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRPBF description infineon-irfr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFR024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRR IRFR%2CU024N.pdf
IRFR024NTRR
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRRPBF irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
IRFR024NTRRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024NTRLPBF irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR024N auirfr024n.pdf
AUIRFR024N
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR024N auirfr024n.pdf
AUIRFR024N
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR024N AUIRF%28R%2CU%29024N.pdf
AUIRFR024N
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR024NTRL AUIRF%28R%2CU%29024N.pdf
AUIRFR024NTRL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR024NTRL AUIRF%28R%2CU%29024N.pdf
AUIRFR024NTRL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR024 description
IRFR024
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH