Suchergebnisse für "IRLL024N" : 31

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IRLL024NPBF IRLL024NPBF
Produktcode: 114736
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IR irll024npbf-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 55 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/10,4
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 44 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 400 Stück:
400 Stück - erwartet 06.12.2025
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTR Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 100mOhm; 4,4A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL024N smd TIRLL024
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825B6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irll024n.pdf?ci_sign=a7f9a48b2cd1b39663d6bdd21504bf6984076499 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Gate charge: 10.4nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±16V
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 1151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+0.69 EUR
126+0.57 EUR
139+0.52 EUR
158+0.45 EUR
175+0.41 EUR
193+0.37 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825B6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irll024n.pdf?ci_sign=a7f9a48b2cd1b39663d6bdd21504bf6984076499 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Gate charge: 10.4nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±16V
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1151 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
126+0.57 EUR
139+0.52 EUR
158+0.45 EUR
175+0.41 EUR
193+0.37 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3 description Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.37 EUR
5000+0.34 EUR
7500+0.33 EUR
12500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3 description Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 82149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.51 EUR
19+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLL024N_DS_v01_02_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl
auf Bestellung 7678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.27 EUR
10+0.8 EUR
100+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
2500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 302500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.31 EUR
5000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0007570100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 18740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 88180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1323+0.41 EUR
10000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1323
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.31 EUR
5000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.46 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1323+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1323
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.45 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0007570100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 18740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 302500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRLL024NTR AUIRLL024NTR Infineon Technologies AUIRLL024N.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6003 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
330+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 330
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRLL024NTR-IR AUIRLL024NTR-IR International Rectifier INFN-S-A0002298883-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
330+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 330
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRLL024NTRPBF Infineon Транз. Пол. ММ MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl SOT-223-4
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+5.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRLL024N 3.1A 55V N-ch SOT-223
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06L STN3NF06L STMicroelectronics en.CD00002430.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 4 AMP
auf Bestellung 50454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.9 EUR
10+1.32 EUR
100+1 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.7 EUR
4000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024N IRLL024N
Produktcode: 48944
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IR irll024n.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF
Produktcode: 92254
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irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3 description Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NPBF IRLL024NPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3 description Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRLL024N AUIRLL024N Infineon Technologies AUIRLL024N.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRLL024NTR AUIRLL024NTR Infineon Technologies AUIRLL024N.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08GTA Diodes Incorporated ZXMN6A08G.pdf MOSFETs 60V 3.8A N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NPBF
Produktcode: 114736
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

description irll024npbf-datasheet.pdf
IRLL024NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 55 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/10,4
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 44 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 400 Stück:
400 Stück - erwartet 06.12.2025
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTR
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 100mOhm; 4,4A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL024N smd TIRLL024
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825B6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irll024n.pdf?ci_sign=a7f9a48b2cd1b39663d6bdd21504bf6984076499
IRLL024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Gate charge: 10.4nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±16V
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 1151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
126+0.57 EUR
139+0.52 EUR
158+0.45 EUR
175+0.41 EUR
193+0.37 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825B6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irll024n.pdf?ci_sign=a7f9a48b2cd1b39663d6bdd21504bf6984076499
IRLL024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Gate charge: 10.4nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±16V
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1151 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
126+0.57 EUR
139+0.52 EUR
158+0.45 EUR
175+0.41 EUR
193+0.37 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3
IRLL024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.37 EUR
5000+0.34 EUR
7500+0.33 EUR
12500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3
IRLL024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 82149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.51 EUR
19+0.95 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description Infineon_IRLL024N_DS_v01_02_EN.pdf
IRLL024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl
auf Bestellung 7678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.27 EUR
10+0.8 EUR
100+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
2500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 302500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.31 EUR
5000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description INFN-S-A0007570100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLL024NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 18740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 88180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1323+0.41 EUR
10000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1323
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.31 EUR
5000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.46 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1323+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1323
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.45 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description INFN-S-A0007570100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLL024NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 18740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF description irll024npbf.pdf
IRLL024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 302500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRLL024NTR AUIRLL024N.pdf
AUIRLL024NTR
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6003 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
330+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 330
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRLL024NTR-IR INFN-S-A0002298883-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRLL024NTR-IR
Hersteller: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
330+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 330
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRLL024NTRPBF
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl SOT-223-4
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор польовий IRLL024N 3.1A 55V N-ch SOT-223
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3NF06L en.CD00002430.pdf
STN3NF06L
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 4 AMP
auf Bestellung 50454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.9 EUR
10+1.32 EUR
100+1 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.7 EUR
4000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024N
Produktcode: 48944
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irll024n.pdf
IRLL024N
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NTRPBF
Produktcode: 92254
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description irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3
IRLL024NTRPBF
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024NPBF description irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3
IRLL024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRLL024N AUIRLL024N.pdf
AUIRLL024N
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRLL024NTR AUIRLL024N.pdf
AUIRLL024NTR
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ZXMN6A08GTA ZXMN6A08G.pdf
ZXMN6A08GTA
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V 3.8A N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH