Suchergebnisse für "IRLML6401" : 59
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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IRLML6401TRPBF Produktcode: 34344
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: -12 V Drain-Strom Id, A: -4,3 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 830/10 Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung Montage: SMD |
auf Bestellung 13803 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| IRLML6401 | TECH PUBLIC |
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 TECAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 2201 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6401 | HUASHUO |
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUAAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 1805 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6401 | HUASHUO |
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUAAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6401 | MLCCBASE |
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 110mOhm; 3,5A; 0,35W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 MLCCBASE TIRLML6401 MLCAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6401 | HXY MOSFET |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 HXY MOSFET TIRLML6401 HXYAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLML6401 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
auf Bestellung 3640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRLML6401 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
auf Bestellung 3640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRLML6401-3 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 2V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
auf Bestellung 8555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRLML6401-3 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 2V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
auf Bestellung 8555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRLML6401GTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 20500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6401TR | JGSEMI |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 3,3A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401TR JGSEMI TIRLML6401 JGSAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6401TR | KEXIN |
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 KEXAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6401TR | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 UMW TIRLML6401 UMWAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6401TR | Infineon |
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 1780 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6401TR | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 UMW TIRLML6401 UMWAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6401TR | Infineon |
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6401TR | VBsemi |
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBSAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6401TR-VB | VBsemi |
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBS Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLML6401TRPBF | TYS |
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори |
auf Bestellung 293 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 17415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3744 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML6401TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
auf Bestellung 22659 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRLML6401TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
auf Bestellung 22659 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3744 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 42063 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6401TRPBF | Infineon |
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 42063 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6401TRPBF-VB | VBSEMI | IRLML6401TRPBF-VB IRLML6401TRPBF MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори |
auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6401 TR | IR |
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLML6401-T1 |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRLML6401GTRPBF | IR |
09+ QFP100 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLML6401TR/1F1A | IR | 09+ |
auf Bestellung 3018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLML6401TR/FBTR3 |
auf Bestellung 1760 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRLML6401TR/TRPBF |
auf Bestellung 102050 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 4,3 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 830 пФ @ 10 В, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 50 мОм @ 4,3 A, 4,5 В, Ugs(th) = 950 мВ @ 250 мкА, Р, Вт = 1,3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 1763 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF |
IRLML6401TRPBF Транзисторы HEXFET |
auf Bestellung 992 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBFSOT23-F7PB-FREE | IR |
auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLML6401TR\1F1A | IRF | SOT-23 |
auf Bestellung 3260 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
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AMIRLML6401 | Analog Power Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT-23Packaging: Bulk FET Type: P-Channel Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| KIRLML6401TR 1F. | kuu semiconductor |
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; KIRLML6401TR; KIRLML6401 TIRLML6401 KUU Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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UMWIRLML6401 | UMW |
Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V |
auf Bestellung 2804 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UMWIRLML6401 | UMW |
Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FS2300 | FUXINSEMI |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; FS2300 SOT23(T/R) FUXINSEMI TIRLML6401 FUX Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 2974 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLMR6401TR A12T.. | SLKOR |
P-MOSFET 4.3A 12V 1.3W 0.05Ω IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 SLK Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SKML6401 | SHIKUES |
Transistor P-Channel MOSFET; 16V; 8V; 140mOhm; 3A; 25°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; SKML6401 SHIKUES TSKML6401 Anzahl je Verpackung: 250 Stücke |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| YFW2311B | YFW |
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; +/-8V; 50mOhm; 4,3A; 1,3W; -50°C~150°C; Odpowiednik: IRLML6401; SKML6401; BML6401; FS2300; YFW2311B; LGE2300; LGE2300-LGE; IRLML6401 China TIRLML6401 c Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLML6401TR Produktcode: 53008
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Lieblingsprodukt
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 |
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IRLML6401GTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLML6401GTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLML6401TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -4.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl |
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6401TRPBF-1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-901 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V |
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| IRLML6401 | Infineon |
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори |
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| IRLML6401TR | International Rectifier/Infineon |
P-канальный ПТ (Vds=12V, Id=4.3A@T=25C, Id=3.4A@T=70C, Rds=0.05 R, P=1.3W, -55 to +150C)... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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| IRLML6401TRPBF |
MOSFET 12V 4.3A (34A pulse), P Channel SOT-23-3 |
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IRLML6401TRPBF | International Rectifier |
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори |
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| IRLML6401TRPBF Produktcode: 34344
9
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: -12 V
Drain-Strom Id, A: -4,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 830/10
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: -12 V
Drain-Strom Id, A: -4,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 830/10
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung 13803 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.29 EUR |
| 10+ | 0.19 EUR |
| 100+ | 0.12 EUR |
| IRLML6401 |
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Hersteller: TECH PUBLIC
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 TEC
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 TEC
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 2201 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.2 EUR |
| IRLML6401 |
![]() |
Hersteller: HUASHUO
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1805 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 0.19 EUR |
| IRLML6401 |
![]() |
Hersteller: HUASHUO
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 0.19 EUR |
| IRLML6401 |
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Hersteller: MLCCBASE
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 110mOhm; 3,5A; 0,35W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 MLCCBASE TIRLML6401 MLC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 110mOhm; 3,5A; 0,35W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 MLCCBASE TIRLML6401 MLC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 300+ | 0.17 EUR |
| IRLML6401 |
![]() |
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 HXY MOSFET TIRLML6401 HXY
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 HXY MOSFET TIRLML6401 HXY
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 0.2 EUR |
| IRLML6401 |
![]() |
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 3640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLML6401 |
![]() |
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 3640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLML6401-3 |
![]() |
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 8555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLML6401-3 |
![]() |
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 8555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLML6401GTRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6834+ | 0.096 EUR |
| 10000+ | 0.084 EUR |
| IRLML6401TR |
![]() |
Hersteller: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 3,3A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401TR JGSEMI TIRLML6401 JGS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 3,3A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401TR JGSEMI TIRLML6401 JGS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 0.18 EUR |
| IRLML6401TR |
![]() |
Hersteller: KEXIN
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 KEX
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 KEX
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 0.27 EUR |
| IRLML6401TR |
![]() |
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 UMW TIRLML6401 UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 UMW TIRLML6401 UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 0.2 EUR |
| IRLML6401TR |
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1780 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 0.35 EUR |
| IRLML6401TR |
![]() |
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 UMW TIRLML6401 UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 UMW TIRLML6401 UMW
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 200+ | 0.2 EUR |
| IRLML6401TR |
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 0.35 EUR |
| IRLML6401TR |
![]() |
Hersteller: VBsemi
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBS
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBS
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.2 EUR |
| IRLML6401TR-VB |
Hersteller: VBsemi
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBS
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBS
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.2 EUR |
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Hersteller: TYS
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 54+ | 0.11 EUR |
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4406+ | 0.15 EUR |
| 10000+ | 0.13 EUR |
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 545+ | 0.32 EUR |
| 565+ | 0.31 EUR |
| 708+ | 0.24 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |
| 3000+ | 0.12 EUR |
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 22659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
Description: INFINEON - IRLML6401TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 22659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 230+ | 0.76 EUR |
| 378+ | 0.45 EUR |
| 401+ | 0.4 EUR |
| 545+ | 0.29 EUR |
| 565+ | 0.26 EUR |
| 708+ | 0.2 EUR |
| 1000+ | 0.18 EUR |
| 3000+ | 0.1 EUR |
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42063 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 390+ | 0.45 EUR |
| 394+ | 0.43 EUR |
| 400+ | 0.4 EUR |
| 551+ | 0.29 EUR |
| 573+ | 0.26 EUR |
| 724+ | 0.2 EUR |
| 1435+ | 0.096 EUR |
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 0.25 EUR |
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42063 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 390+ | 0.45 EUR |
| 394+ | 0.44 EUR |
| 400+ | 0.43 EUR |
| 551+ | 0.3 EUR |
| 573+ | 0.29 EUR |
| 724+ | 0.23 EUR |
| 1435+ | 0.11 EUR |
| IRLML6401TRPBF-VB |
Hersteller: VBSEMI
IRLML6401TRPBF-VB IRLML6401TRPBF MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
IRLML6401TRPBF-VB IRLML6401TRPBF MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 0.32 EUR |
| IRLML6401 TR |
Hersteller: IR
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRLML6401-T1 |
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRLML6401GTRPBF |
![]() |
Hersteller: IR
09+ QFP100
09+ QFP100
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRLML6401TR/1F1A |
Hersteller: IR
09+
09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRLML6401TR/FBTR3 |
auf Bestellung 1760 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRLML6401TR/TRPBF |
auf Bestellung 102050 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 4,3 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 830 пФ @ 10 В, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 50 мОм @ 4,3 A, 4,5 В, Ugs(th) = 950 мВ @ 250 мкА, Р, Вт = 1,3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
P-канальний ПТ, Udss, В = 12, Id = 4,3 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 830 пФ @ 10 В, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 50 мОм @ 4,3 A, 4,5 В, Ugs(th) = 950 мВ @ 250 мкА, Р, Вт = 1,3 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1763 Stücke:
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
IRLML6401TRPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
| IRLML6401TRPBFSOT23-F7PB-FREE |
Hersteller: IR
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRLML6401TR\1F1A |
Hersteller: IRF
SOT-23
SOT-23
auf Bestellung 3260 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| AMIRLML6401 |
![]() |
Hersteller: Analog Power Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT-23
Packaging: Bulk
FET Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT-23
Packaging: Bulk
FET Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 1.15 EUR |
| 33+ | 0.64 EUR |
| 100+ | 0.42 EUR |
| 500+ | 0.35 EUR |
| 1000+ | 0.31 EUR |
| 3000+ | 0.26 EUR |
| KIRLML6401TR 1F. |
Hersteller: kuu semiconductor
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; KIRLML6401TR; KIRLML6401 TIRLML6401 KUU
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; KIRLML6401TR; KIRLML6401 TIRLML6401 KUU
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 150+ | 0.26 EUR |
| UMWIRLML6401 |
![]() |
Hersteller: UMW
Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
auf Bestellung 2804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 1.19 EUR |
| 29+ | 0.74 EUR |
| 100+ | 0.48 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
| UMWIRLML6401 |
![]() |
Hersteller: UMW
Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.27 EUR |
| FS2300 |
Hersteller: FUXINSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; FS2300 SOT23(T/R) FUXINSEMI TIRLML6401 FUX
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; FS2300 SOT23(T/R) FUXINSEMI TIRLML6401 FUX
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 2974 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.11 EUR |
| IRLMR6401TR A12T.. |
Hersteller: SLKOR
P-MOSFET 4.3A 12V 1.3W 0.05Ω IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 SLK
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
P-MOSFET 4.3A 12V 1.3W 0.05Ω IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 SLK
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 150+ | 0.27 EUR |
| SKML6401 |
Hersteller: SHIKUES
Transistor P-Channel MOSFET; 16V; 8V; 140mOhm; 3A; 25°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; SKML6401 SHIKUES TSKML6401
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 16V; 8V; 140mOhm; 3A; 25°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; SKML6401 SHIKUES TSKML6401
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 250+ | 0.14 EUR |
| YFW2311B |
Hersteller: YFW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; +/-8V; 50mOhm; 4,3A; 1,3W; -50°C~150°C; Odpowiednik: IRLML6401; SKML6401; BML6401; FS2300; YFW2311B; LGE2300; LGE2300-LGE; IRLML6401 China TIRLML6401 c
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; +/-8V; 50mOhm; 4,3A; 1,3W; -50°C~150°C; Odpowiednik: IRLML6401; SKML6401; BML6401; FS2300; YFW2311B; LGE2300; LGE2300-LGE; IRLML6401 China TIRLML6401 c
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.13 EUR |
| IRLML6401TR Produktcode: 53008
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRLML6401GTRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| IRLML6401GTRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
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Stück im Wert von UAH
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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Stück im Wert von UAH
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl
MOSFETs MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRLML6401TRPBF-1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-901
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-901
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRLML6401 |
![]() |
Hersteller: Infineon
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRLML6401TR |
![]() |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальный ПТ (Vds=12V, Id=4.3A@T=25C, Id=3.4A@T=70C, Rds=0.05 R, P=1.3W, -55 to +150C)... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
P-канальный ПТ (Vds=12V, Id=4.3A@T=25C, Id=3.4A@T=70C, Rds=0.05 R, P=1.3W, -55 to +150C)... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
MOSFET 12V 4.3A (34A pulse), P Channel SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRLML6401TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH













