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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF
Produktcode: 181683
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Китай irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
JHGF: SMD
auf Bestellung 2134 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF
Produktcode: 86018
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IR irlr2905pbf-datashet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: DPAK-3
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 1946 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.5 EUR
10+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905Z IRLR2905Z
Produktcode: 4031
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Infineon irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 92 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905Z Китай IRLR2905Z Китай
Produktcode: 211511
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Китай Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
JHGF: SMD
auf Bestellung 490 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905 HXY MOSFET description Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420; IRLR2905 HXY MOSFET TIRLR2905 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TR Infineon 89005cf6dc9522becee2e3e3e8030b70.pdf N-MOSFET 42A 55V 110W 0.027Ω IRLR2905 smd TIRLR2905
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TR UMW 89005cf6dc9522becee2e3e3e8030b70.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 55W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905 UMW TIRLR2905 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TR UMW 89005cf6dc9522becee2e3e3e8030b70.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 55W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905 UMW TIRLR2905 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TR JSMicro Semiconductor 89005cf6dc9522becee2e3e3e8030b70.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 17mOhm; 50A; 89W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905TR JSMICRO TIRLR2905 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TR-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905TR-ML MOSLEADER TIRLR2905 MOS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRLPBF IRLR2905TRLPBF INFINEON 140822.pdf Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRLPBF IRLR2905TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
423+1.28 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.99 EUR
10000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 423
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRLPBF IRLR2905TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
423+1.28 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 423
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRLPBF IRLR2905TRLPBF INFINEON 140822.pdf Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRLPBF IRLR2905TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
423+1.28 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.99 EUR
10000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 423
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRLPBF IRLR2905TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227E7C7A9B11F1A303005056AB0C4F&compId=irlr2905pbf.pdf?ci_sign=2678948371069aa0e6fedfa56080ab82371e6360 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2662 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+1.97 EUR
53+1.35 EUR
62+1.17 EUR
149+0.48 EUR
158+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227E7C7A9B11F1A303005056AB0C4F&compId=irlr2905pbf.pdf?ci_sign=2678948371069aa0e6fedfa56080ab82371e6360 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2662 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.97 EUR
53+1.35 EUR
62+1.17 EUR
149+0.48 EUR
158+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRLR2905-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
auf Bestellung 3068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.69 EUR
10+1.43 EUR
100+1.02 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.79 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 description Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 20318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.69 EUR
11+1.7 EUR
100+1.14 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 description Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.74 EUR
4000+0.69 EUR
6000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.57 EUR
4000+0.55 EUR
6000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.56 EUR
4000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.56 EUR
4000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.57 EUR
4000+0.54 EUR
6000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 13925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
241+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 241
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
290+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 290
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
496+1.09 EUR
551+0.95 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 496
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 13925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
241+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 241
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905Z HXY MOSFET irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905Z; IRLR2905ZTRL; IRLR2905ZTR; SP001577010; SP001568548; SP001574018; IRLR2905Z HXY MOSFET TIRLR2905z HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905Z HXY MOSFET irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905Z; IRLR2905ZTRL; IRLR2905ZTR; SP001577010; SP001568548; SP001574018; IRLR2905Z HXY MOSFET TIRLR2905z HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTR Infineon N-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTR Infineon N-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRLPBF IRLR2905ZTRLPBF International Rectifier IRSDS11318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
auf Bestellung 1225 Stücke:
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510+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 510
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IRLR2905ZTRLPBF IRLR2905ZTRLPBF Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 333800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
709+0.77 EUR
1000+0.68 EUR
10000+0.58 EUR
100000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 709
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IRLR2905ZTRLPBF International Rectifier HiRel Products IRSDS11318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1225 Stücke:
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709+0.77 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 709
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IRLR2905ZTRLPBF IRLR2905ZTRLPBF Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 709
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IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF11ACA61E3B5EA&compId=IRLR2905ZTRPBF.pdf?ci_sign=59e8f0844430a9591a8928366ede90beebafec1a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.22 EUR
77+0.93 EUR
86+0.84 EUR
149+0.48 EUR
158+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF11ACA61E3B5EA&compId=IRLR2905ZTRPBF.pdf?ci_sign=59e8f0844430a9591a8928366ede90beebafec1a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
77+0.93 EUR
86+0.84 EUR
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158+0.45 EUR
4000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.6 EUR
4000+0.57 EUR
6000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies Infineon-IRLR2905Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
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IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
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16+1.17 EUR
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Mindestbestellmenge: 11
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IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012905690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRLR2905ZTRPBF International Rectifier HiRel Products irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2000+0.54 EUR
4000+0.5 EUR
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Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2000+0.54 EUR
4000+0.49 EUR
10000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012905690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3391 Stücke:
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IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 89 Stücke:
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IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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171+0.85 EUR
199+0.7 EUR
201+0.67 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 171
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IRLR2905ZTRPBF International Rectifier HiRel Products irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
668+0.81 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 668
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IRLR2905 IR description 07+ TO-252
auf Bestellung 7500 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905 IR description 09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905 IR description TO-252
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLR2905 IR description QFN
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLR2905TRPBF International Rectifier Corporation irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 description MOSFET N-CH 55V 42A TO-252AA (DPAK)
auf Bestellung 3 Stücke:
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IRLR2905TRPBF
Produktcode: 181683
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description irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Китай
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
JHGF: SMD
auf Bestellung 2134 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF
Produktcode: 86018
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description irlr2905pbf-datashet.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: DPAK-3
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 1946 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.5 EUR
10+0.45 EUR
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IRLR2905Z
Produktcode: 4031
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irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c
IRLR2905Z
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 92 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905Z Китай
Produktcode: 211511
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IRLR2905Z Китай
Hersteller: Китай
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
JHGF: SMD
auf Bestellung 490 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905 description
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420; IRLR2905 HXY MOSFET TIRLR2905 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TR 89005cf6dc9522becee2e3e3e8030b70.pdf
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 42A 55V 110W 0.027Ω IRLR2905 smd TIRLR2905
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 676 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TR 89005cf6dc9522becee2e3e3e8030b70.pdf
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 55W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905 UMW TIRLR2905 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TR 89005cf6dc9522becee2e3e3e8030b70.pdf
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 55W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905 UMW TIRLR2905 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TR 89005cf6dc9522becee2e3e3e8030b70.pdf
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 17mOhm; 50A; 89W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905TR JSMICRO TIRLR2905 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRLR2905TR-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905TR-ML MOSLEADER TIRLR2905 MOS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRLR2905TRLPBF 140822.pdf
IRLR2905TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRLPBF infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 13000 Stücke:
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500+1.11 EUR
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IRLR2905TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2905TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IRLR2905TRLPBF infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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423+1.28 EUR
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IRLR2905TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2905TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2662 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.97 EUR
53+1.35 EUR
62+1.17 EUR
149+0.48 EUR
158+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 37
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IRLR2905TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2662 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.97 EUR
53+1.35 EUR
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IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
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2+2.69 EUR
10+1.43 EUR
100+1.02 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.79 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 20318 Stücke:
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7+2.69 EUR
11+1.7 EUR
100+1.14 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.83 EUR
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IRLR2905TRPBF description irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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2000+0.74 EUR
4000+0.69 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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500+0.71 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.57 EUR
4000+0.55 EUR
6000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.56 EUR
4000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.56 EUR
4000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.57 EUR
4000+0.54 EUR
6000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 13925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
241+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 241
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IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
290+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 290
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
496+1.09 EUR
551+0.95 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 496
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF description infineonirlr2905datasheetv0101en.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 13925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
241+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 241
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905Z irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905Z; IRLR2905ZTRL; IRLR2905ZTR; SP001577010; SP001568548; SP001574018; IRLR2905Z HXY MOSFET TIRLR2905z HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905Z irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905Z; IRLR2905ZTRL; IRLR2905ZTR; SP001577010; SP001568548; SP001574018; IRLR2905Z HXY MOSFET TIRLR2905z HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTR
Hersteller: Infineon
N-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTR
Hersteller: Infineon
N-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRLPBF IRSDS11318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRLR2905ZTRLPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
510+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 510
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRLPBF irlr2905zpbf.pdf
IRLR2905ZTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 333800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
709+0.77 EUR
1000+0.68 EUR
10000+0.58 EUR
100000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 709
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRLPBF IRSDS11318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
709+0.77 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 709
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRLPBF irlr2905zpbf.pdf
IRLR2905ZTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
709+0.77 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 709
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF11ACA61E3B5EA&compId=IRLR2905ZTRPBF.pdf?ci_sign=59e8f0844430a9591a8928366ede90beebafec1a
IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
77+0.93 EUR
86+0.84 EUR
149+0.48 EUR
158+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF11ACA61E3B5EA&compId=IRLR2905ZTRPBF.pdf?ci_sign=59e8f0844430a9591a8928366ede90beebafec1a
IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
77+0.93 EUR
86+0.84 EUR
149+0.48 EUR
158+0.45 EUR
4000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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IRLR2905ZTRPBF irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c
IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.6 EUR
4000+0.57 EUR
6000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRPBF Infineon-IRLR2905Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
auf Bestellung 14552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.68 EUR
10+1.17 EUR
100+0.86 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.7 EUR
2000+0.6 EUR
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IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
auf Bestellung 9974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.67 EUR
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IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3391 Stücke:
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Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2000+0.54 EUR
4000+0.5 EUR
10000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 26000 Stücke:
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2000+0.54 EUR
4000+0.49 EUR
10000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3750 Stücke:
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171+0.85 EUR
199+0.7 EUR
201+0.67 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 171
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IRLR2905ZTRPBF irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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668+0.81 EUR
1000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 668
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IRLR2905 description
Hersteller: IR
07+ TO-252
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLR2905 description
Hersteller: IR
09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905 description
Hersteller: IR
TO-252
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905 description
Hersteller: IR
QFN
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLR2905TRPBF description irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679
Hersteller: International Rectifier Corporation
MOSFET N-CH 55V 42A TO-252AA (DPAK)
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