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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRLR2905TRPBF Produktcode: 181683
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Lieblingsprodukt
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Китай |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: D-Pak (TO-252) Uds,V: 60 V Idd,A: 35 A Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm JHGF: SMD |
auf Bestellung 2121 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLR2905TRPBF Produktcode: 86018
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: DPAK-3 Uds,V: 55 Idd,A: 42 Rds(on), Ohm: 0.027 Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: SMD |
auf Bestellung 1945 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLR2905Z Produktcode: 4031
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Infineon |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: D-Pak (TO-252) Uds,V: 55 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: SMD |
auf Bestellung 89 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLR2905Z Китай Produktcode: 211511
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Lieblingsprodukt
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Китай |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Uds,V: 55 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23 JHGF: SMD |
auf Bestellung 490 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR2905 | HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420; IRLR2905 HXY MOSFET TIRLR2905 HXYAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR2905TR | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 17mOhm; 50A; 89W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905TR JSMICRO TIRLR2905 JSMAnzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR2905TR | Infineon |
N-MOSFET 42A 55V 110W 0.027Ω IRLR2905 smd TIRLR2905Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 626 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR2905TR | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 55W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905 UMW TIRLR2905 UMWAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR2905TR | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 55W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905 UMW TIRLR2905 UMWAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR2905TR-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905TR-ML MOSLEADER TIRLR2905 MOS Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLR2905TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 13000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 512 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLR2905TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 12947 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 512 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLR2905TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLR2905TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 30A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Pulsed drain current: 160A On-state resistance: 27mΩ Gate charge: 48nC Gate-source voltage: ±16V |
auf Bestellung 1593 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 30A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Pulsed drain current: 160A On-state resistance: 27mΩ Gate charge: 48nC Gate-source voltage: ±16V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1593 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC |
auf Bestellung 1085 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 20266 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 13921 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 705 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 13921 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905Z | HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905Z; IRLR2905ZTRL; IRLR2905ZTR; SP001577010; SP001568548; SP001574018; IRLR2905Z HXY MOSFET TIRLR2905z HXYAnzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR2905Z | HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905Z; IRLR2905ZTRL; IRLR2905ZTR; SP001577010; SP001568548; SP001574018; IRLR2905Z HXY MOSFET TIRLR2905z HXYAnzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTR | Infineon |
N-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTR | Infineon |
N-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLR2905ZTRLPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAKPackaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1225 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR2905ZTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905ZTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 333800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTRLPBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 43A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Pulsed drain current: 240A On-state resistance: 13.5mΩ Gate charge: 35nC Gate-source voltage: ±16V |
auf Bestellung 782 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 43A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Pulsed drain current: 240A On-state resistance: 13.5mΩ Gate charge: 35nC Gate-source voltage: ±16V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 782 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V |
auf Bestellung 9974 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC |
auf Bestellung 12762 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR2905ZTRPBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3376 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2905ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3376 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRLR2905ZTRPBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR2905 | IR |
07+ TO-252 |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRLR2905 | IR |
09+ |
auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRLR2905 | IR |
TO-252 |
auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRLR2905 | IR |
QFN |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRLR2905TRPBF | International Rectifier Corporation |
MOSFET N-CH 55V 42A TO-252AA (DPAK) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 55V 43A DPAK |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| AUIRLR2905ZTRL | International Rectifier |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 22,5mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: AUIRLR2905ZTR; AUIRLR2905ZTRL; TUBE AUIRLR2905Z; TAPE&REEL AUIRLR2905ZTRL; AUIRLR2905Z International Rectifier TAUIRLR2905ZAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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UMWIRLR2905TR | UMW |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2284 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| Транзистор польовий IRLR2905ZTRPBF; 60A; 55V; 0,0135R; 110W; N-MOSFET; logic level; Корпус: DPAK; INFINEON (шт) |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRLR2905TRPBF Produktcode: 181683
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Lieblingsprodukt
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![]() |
![]() |
Hersteller: Китай
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
JHGF: SMD
auf Bestellung 2121 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLR2905TRPBF Produktcode: 86018
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Lieblingsprodukt
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![]() |
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: DPAK-3
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: DPAK-3
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 1945 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.5 EUR |
| 10+ | 0.45 EUR |
| IRLR2905Z Produktcode: 4031
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 89 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLR2905Z Китай Produktcode: 211511
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Китай
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
JHGF: SMD
auf Bestellung 490 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLR2905 | ![]() |
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420; IRLR2905 HXY MOSFET TIRLR2905 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420; IRLR2905 HXY MOSFET TIRLR2905 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.6 EUR |
| IRLR2905TR |
![]() |
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 17mOhm; 50A; 89W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905TR JSMICRO TIRLR2905 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 17mOhm; 50A; 89W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905TR JSMICRO TIRLR2905 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.76 EUR |
| IRLR2905TR |
![]() |
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 42A 55V 110W 0.027Ω IRLR2905 smd TIRLR2905
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 42A 55V 110W 0.027Ω IRLR2905 smd TIRLR2905
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 626 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 1.63 EUR |
| IRLR2905TR |
![]() |
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 55W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905 UMW TIRLR2905 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 55W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905 UMW TIRLR2905 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.72 EUR |
| IRLR2905TR |
![]() |
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 55W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905 UMW TIRLR2905 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 55W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905 UMW TIRLR2905 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.65 EUR |
| IRLR2905TR-ML |
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905TR-ML MOSLEADER TIRLR2905 MOS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905TR-ML MOSLEADER TIRLR2905 MOS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.6 EUR |
| IRLR2905TRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 423+ | 1.3 EUR |
| 500+ | 1.13 EUR |
| 1000+ | 1 EUR |
| 10000+ | 0.86 EUR |
| IRLR2905TRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLR2905TRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 423+ | 1.3 EUR |
| 500+ | 1.13 EUR |
| 1000+ | 1 EUR |
| IRLR2905TRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 423+ | 1.3 EUR |
| 500+ | 1.13 EUR |
| 1000+ | 1 EUR |
| 10000+ | 0.86 EUR |
| IRLR2905TRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLR2905TRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLR2905TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 160A
On-state resistance: 27mΩ
Gate charge: 48nC
Gate-source voltage: ±16V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 160A
On-state resistance: 27mΩ
Gate charge: 48nC
Gate-source voltage: ±16V
auf Bestellung 1593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 40+ | 1.83 EUR |
| 58+ | 1.25 EUR |
| 66+ | 1.08 EUR |
| 80+ | 0.9 EUR |
| 100+ | 0.79 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.55 EUR |
| IRLR2905TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 160A
On-state resistance: 27mΩ
Gate charge: 48nC
Gate-source voltage: ±16V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 160A
On-state resistance: 27mΩ
Gate charge: 48nC
Gate-source voltage: ±16V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1593 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 40+ | 1.83 EUR |
| 58+ | 1.25 EUR |
| 66+ | 1.08 EUR |
| 80+ | 0.9 EUR |
| 100+ | 0.79 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.55 EUR |
| IRLR2905TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
auf Bestellung 1085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.69 EUR |
| 10+ | 1.43 EUR |
| 100+ | 1.02 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 1000+ | 0.79 EUR |
| 2000+ | 0.7 EUR |
| IRLR2905TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 20266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.69 EUR |
| 11+ | 1.7 EUR |
| 100+ | 1.14 EUR |
| 500+ | 0.9 EUR |
| 1000+ | 0.83 EUR |
| IRLR2905TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.74 EUR |
| 4000+ | 0.69 EUR |
| 6000+ | 0.67 EUR |
| IRLR2905TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.68 EUR |
| 4000+ | 0.63 EUR |
| 6000+ | 0.6 EUR |
| IRLR2905TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 13921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 241+ | 0.61 EUR |
| IRLR2905TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 500+ | 0.71 EUR |
| IRLR2905TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 294+ | 0.5 EUR |
| IRLR2905TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.68 EUR |
| 4000+ | 0.63 EUR |
| 6000+ | 0.6 EUR |
| IRLR2905TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 496+ | 1.11 EUR |
| 551+ | 0.96 EUR |
| 1000+ | 0.85 EUR |
| IRLR2905TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 13921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 241+ | 0.61 EUR |
| IRLR2905TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 500+ | 0.71 EUR |
| IRLR2905Z |
![]() |
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905Z; IRLR2905ZTRL; IRLR2905ZTR; SP001577010; SP001568548; SP001574018; IRLR2905Z HXY MOSFET TIRLR2905z HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905Z; IRLR2905ZTRL; IRLR2905ZTR; SP001577010; SP001568548; SP001574018; IRLR2905Z HXY MOSFET TIRLR2905z HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.05 EUR |
| IRLR2905Z |
![]() |
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905Z; IRLR2905ZTRL; IRLR2905ZTR; SP001577010; SP001568548; SP001574018; IRLR2905Z HXY MOSFET TIRLR2905z HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905Z; IRLR2905ZTRL; IRLR2905ZTR; SP001577010; SP001568548; SP001574018; IRLR2905Z HXY MOSFET TIRLR2905z HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 1.05 EUR |
| IRLR2905ZTR |
Hersteller: Infineon
N-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 2.12 EUR |
| IRLR2905ZTR |
Hersteller: Infineon
N-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 2.12 EUR |
| IRLR2905ZTRLPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 510+ | 0.89 EUR |
| IRLR2905ZTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 709+ | 0.77 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| IRLR2905ZTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 333800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 709+ | 0.77 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| 10000+ | 0.59 EUR |
| 100000+ | 0.48 EUR |
| IRLR2905ZTRLPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 709+ | 0.77 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| IRLR2905ZTRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 240A
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate charge: 35nC
Gate-source voltage: ±16V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 240A
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate charge: 35nC
Gate-source voltage: ±16V
auf Bestellung 782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 65+ | 1.12 EUR |
| 83+ | 0.87 EUR |
| 92+ | 0.78 EUR |
| 106+ | 0.67 EUR |
| 118+ | 0.61 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| IRLR2905ZTRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 240A
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate charge: 35nC
Gate-source voltage: ±16V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 240A
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate charge: 35nC
Gate-source voltage: ±16V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 782 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 65+ | 1.12 EUR |
| 83+ | 0.87 EUR |
| 92+ | 0.78 EUR |
| 106+ | 0.67 EUR |
| 118+ | 0.61 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.45 EUR |
| IRLR2905ZTRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
auf Bestellung 9974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 11+ | 1.67 EUR |
| 16+ | 1.17 EUR |
| 100+ | 0.85 EUR |
| 500+ | 0.77 EUR |
| 1000+ | 0.7 EUR |
| IRLR2905ZTRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.6 EUR |
| 4000+ | 0.57 EUR |
| 6000+ | 0.56 EUR |
| IRLR2905ZTRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
auf Bestellung 12762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.68 EUR |
| 10+ | 1.17 EUR |
| 100+ | 0.86 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| 1000+ | 0.7 EUR |
| 2000+ | 0.6 EUR |
| 4000+ | 0.58 EUR |
| IRLR2905ZTRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 668+ | 0.82 EUR |
| IRLR2905ZTRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLR2905ZTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.56 EUR |
| IRLR2905ZTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLR2905ZTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 171+ | 0.86 EUR |
| 199+ | 0.71 EUR |
| 201+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 1000+ | 0.51 EUR |
| IRLR2905ZTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLR2905ZTRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.55 EUR |
| IRLR2905ZTRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLR2905ZTRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 668+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| IRLR2905 | ![]() |
Hersteller: IR
07+ TO-252
07+ TO-252
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLR2905 | ![]() |
Hersteller: IR
09+
09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLR2905 | ![]() |
Hersteller: IR
TO-252
TO-252
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLR2905 | ![]() |
Hersteller: IR
QFN
QFN
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLR2905TRPBF | ![]() |
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Hersteller: International Rectifier Corporation
MOSFET N-CH 55V 42A TO-252AA (DPAK)
MOSFET N-CH 55V 42A TO-252AA (DPAK)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLR2905ZTRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 43A DPAK
MOSFET N-CH 55V 43A DPAK
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| AUIRLR2905ZTRL |
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Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 22,5mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: AUIRLR2905ZTR; AUIRLR2905ZTRL; TUBE AUIRLR2905Z; TAPE&REEL AUIRLR2905ZTRL; AUIRLR2905Z International Rectifier TAUIRLR2905Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 22,5mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: AUIRLR2905ZTR; AUIRLR2905ZTRL; TUBE AUIRLR2905Z; TAPE&REEL AUIRLR2905ZTRL; AUIRLR2905Z International Rectifier TAUIRLR2905Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 4.91 EUR |
| UMWIRLR2905TR |
![]() |
auf Bestellung 2284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 1.88 EUR |
| 15+ | 1.19 EUR |
| 100+ | 0.78 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.55 EUR |
| Транзистор польовий IRLR2905ZTRPBF; 60A; 55V; 0,0135R; 110W; N-MOSFET; logic level; Корпус: DPAK; INFINEON (шт) |
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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