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IRLR2905 IRLR2905
Produktcode: 30677
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IR description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
JHGF: SMD
auf Bestellung 1380 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.48 EUR
10+0.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF
Produktcode: 86018
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IR irlr2905pbf-datashet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: DPAK-3
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 3120 Stück
6 Stück - stock Köln
3114 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.50 EUR
10+0.45 EUR
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IRLR2905 HXY MOSFET description Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420; IRLR2905 HXY MOSFET TIRLR2905 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905PBF IR irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 Транзистор TO-252-3 MOSFET N-канал, 55В, 36A
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2.11 EUR
10+1.80 EUR
100+1.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TR UMW 89005cf6dc9522becee2e3e3e8030b70.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 55W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905 UMW TIRLR2905 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TR Infineon 89005cf6dc9522becee2e3e3e8030b70.pdf N-MOSFET 42A 55V 110W 0.027Ω IRLR2905 smd TIRLR2905
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IRLR2905TR IRLR2905TR UMW 89005cf6dc9522becee2e3e3e8030b70.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.11 EUR
14+1.33 EUR
100+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRLPBF IRLR2905TRLPBF INFINEON 140822.pdf Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR2905TRLPBF IRLR2905TRLPBF Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR2905TRLPBF IRLR2905TRLPBF Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
572+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 572
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRLPBF IRLR2905TRLPBF Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
363+0.44 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 363
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IRLR2905TRLPBF IRLR2905TRLPBF Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
572+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 572
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IRLR2905TRLPBF IRLR2905TRLPBF INFINEON 140822.pdf Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2905pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+1.89 EUR
72+1.00 EUR
149+0.48 EUR
158+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2905pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.89 EUR
72+1.00 EUR
149+0.48 EUR
158+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 description Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.00 EUR
4000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 description Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 9723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.52 EUR
11+1.69 EUR
100+1.39 EUR
500+1.20 EUR
1000+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
241+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 241
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.94 EUR
4000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
241+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 241
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.96 EUR
4000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.91 EUR
4000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.91 EUR
4000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
528+1.15 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 528
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.14 EUR
168+0.93 EUR
200+0.86 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 142
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905Z HXY MOSFET irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905Z; IRLR2905ZTRL; IRLR2905ZTR; SP001577010; SP001568548; SP001574018; IRLR2905Z HXY MOSFET TIRLR2905z HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTR Infineon N-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTR Infineon N-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRLPBF IRLR2905ZTRLPBF International Rectifier IRSDS11318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
748+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 748
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRLPBF IRLR2905ZTRLPBF Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 333800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
864+0.70 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 864
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRLPBF IRLR2905ZTRLPBF Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
864+0.70 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 864
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR2905ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.22 EUR
80+0.89 EUR
149+0.48 EUR
158+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR2905ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1644 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
80+0.89 EUR
149+0.48 EUR
158+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.67 EUR
4000+0.63 EUR
6000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
auf Bestellung 8865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.88 EUR
13+1.36 EUR
100+1.06 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.77 EUR
1000+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+0.92 EUR
202+0.77 EUR
204+0.74 EUR
226+0.64 EUR
250+0.60 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 176
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IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012905690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.64 EUR
4000+0.58 EUR
6000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+0.80 EUR
204+0.77 EUR
226+0.66 EUR
250+0.63 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 202
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IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3850 Stücke:
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221+0.73 EUR
246+0.63 EUR
256+0.59 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 221
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IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012905690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
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1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.64 EUR
4000+0.58 EUR
6000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR2905 IR description 07+ TO-252
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLR2905 IR description 09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLR2905 IR description TO-252
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLR2905 IR description QFN
auf Bestellung 10000 Stücke:
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IRLR2905ZTR International Rectifier Corporation IRLR2905ZTRPBF MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
auf Bestellung 215 Stücke:
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IRLR2905ZTRPBF; 60A; 55V; 110W; N-MOSFET; logic level; Корпус: DPAK; INFINEON
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR2905PBF IRLR2905PBF
Produktcode: 102405
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IR irlr2905pbf-936696-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
ZCODE: 8541290010
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF
Produktcode: 181683
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Китай irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
JHGF: SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905Z IRLR2905Z
Produktcode: 4031
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Infineon irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905CPBF IRLR2905CPBF Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 55V 36A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905PBF IRLR2905PBF Infineon Technologies irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TR IRLR2905TR UMW 89005cf6dc9522becee2e3e3e8030b70.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRL IRLR2905TRL Infineon Technologies IRLR%2CU2905.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRLPBF IRLR2905TRLPBF Infineon Technologies irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679 Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905
Produktcode: 30677
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description
IRLR2905
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
JHGF: SMD
auf Bestellung 1380 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.48 EUR
10+0.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF
Produktcode: 86018
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description irlr2905pbf-datashet.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: DPAK-3
Uds,V: 55
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 3120 Stück
6 Stück - stock Köln
3114 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.50 EUR
10+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905 description
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420; IRLR2905 HXY MOSFET TIRLR2905 HXY
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905PBF irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679
Hersteller: IR
Транзистор TO-252-3 MOSFET N-канал, 55В, 36A
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.11 EUR
10+1.80 EUR
100+1.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TR 89005cf6dc9522becee2e3e3e8030b70.pdf
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 55W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905; IRLR2905TRL; IRLR2905TR; IRLR2905TRR; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420 IRLR2905 UMW TIRLR2905 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TR 89005cf6dc9522becee2e3e3e8030b70.pdf
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 42A 55V 110W 0.027Ω IRLR2905 smd TIRLR2905
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TR 89005cf6dc9522becee2e3e3e8030b70.pdf
IRLR2905TR
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.11 EUR
14+1.33 EUR
100+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRLPBF 140822.pdf
IRLR2905TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRLPBF infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2905TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRLPBF infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2905TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
572+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 572
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRLPBF infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2905TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
363+0.44 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 363
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRLPBF infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2905TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
572+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 572
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRLPBF 140822.pdf
IRLR2905TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF description irlr2905pbf.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.89 EUR
72+1.00 EUR
149+0.48 EUR
158+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF description irlr2905pbf.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.89 EUR
72+1.00 EUR
149+0.48 EUR
158+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF description irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+1.00 EUR
4000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF description irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 9723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.52 EUR
11+1.69 EUR
100+1.39 EUR
500+1.20 EUR
1000+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF description infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
241+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 241
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF description infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.94 EUR
4000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF description infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 17606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
241+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 241
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF description infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.96 EUR
4000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF description infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.91 EUR
4000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF description infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.91 EUR
4000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF description infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
528+1.15 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 528
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905TRPBF description infineon-irlr2905-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2905TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
142+1.14 EUR
168+0.93 EUR
200+0.86 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 142
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905Z irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 45W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR2905Z; IRLR2905ZTRL; IRLR2905ZTR; SP001577010; SP001568548; SP001574018; IRLR2905Z HXY MOSFET TIRLR2905z HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTR
Hersteller: Infineon
N-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTR
Hersteller: Infineon
N-MOSFET HEXFET 55V 42A 110W 0.0135Ω IRLR2905Z TIRLR2905z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRLPBF IRSDS11318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRLR2905ZTRLPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
748+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 748
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRLPBF infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2905ZTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 333800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
864+0.70 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 864
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRLPBF infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2905ZTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
864+0.70 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 864
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF.pdf
IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
80+0.89 EUR
149+0.48 EUR
158+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF.pdf
IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1644 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
80+0.89 EUR
149+0.48 EUR
158+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRPBF irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c
IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.67 EUR
4000+0.63 EUR
6000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRPBF irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c
IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
auf Bestellung 8865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.88 EUR
13+1.36 EUR
100+1.06 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRPBF infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.77 EUR
1000+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRPBF infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
176+0.92 EUR
202+0.77 EUR
204+0.74 EUR
226+0.64 EUR
250+0.60 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRPBF INFN-S-A0012905690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRPBF infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.64 EUR
4000+0.58 EUR
6000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRPBF infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRPBF infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRPBF infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
202+0.80 EUR
204+0.77 EUR
226+0.66 EUR
250+0.63 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 202
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRPBF infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
221+0.73 EUR
246+0.63 EUR
256+0.59 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 221
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR2905ZTRPBF INFN-S-A0012905690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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IRLR2905ZTRPBF infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLR2905ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.64 EUR
4000+0.58 EUR
6000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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IRLR2905 description
Hersteller: IR
07+ TO-252
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLR2905 description
Hersteller: IR
09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLR2905 description
Hersteller: IR
TO-252
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLR2905 description
Hersteller: IR
QFN
auf Bestellung 10000 Stücke:
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IRLR2905ZTR
Hersteller: International Rectifier Corporation
IRLR2905ZTRPBF MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR2905ZTRPBF; 60A; 55V; 110W; N-MOSFET; logic level; Корпус: DPAK; INFINEON
auf Bestellung 41 Stücke:
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IRLR2905PBF
Produktcode: 102405
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IRLR2905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
ZCODE: 8541290010
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IRLR2905TRPBF
Produktcode: 181683
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IRLR2905TRPBF
Hersteller: Китай
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/48
JHGF: SMD
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IRLR2905Z
Produktcode: 4031
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irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c
IRLR2905Z
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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IRLR2905CPBF fundamentals-of-power-semiconductors
IRLR2905CPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 36A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
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IRLR2905PBF irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679
IRLR2905PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRLR2905TR 89005cf6dc9522becee2e3e3e8030b70.pdf
IRLR2905TR
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IRLR2905TRL IRLR%2CU2905.pdf
IRLR2905TRL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
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IRLR2905TRLPBF irlr2905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cc2bb2679
IRLR2905TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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