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ES1D-M3/61T ES1D-M3/61T Vishay es1.pdf Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 12600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12600+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 12600
ES1D-TP ES1D-TP Micro Commercial Co ES1A-ES1M_RevC_6-5-18.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (HSMA)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 2094000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
333334+5.3E-5 EUR
500000+ 3.5E-5 EUR
1000000+ 1.8E-5 EUR
Mindestbestellmenge: 333334
ES1DAF ES1DAF onsemi es1jaf-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AD, SMAF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AD (SMAF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 29680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.21 EUR
17+ 1.06 EUR
100+ 0.73 EUR
500+ 0.61 EUR
1000+ 0.52 EUR
2000+ 0.46 EUR
5000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 15
ES1DAF ES1DAF onsemi / Fairchild ES1JAF_D-2311493.pdf Rectifiers 200V SMA Super Fast Rectifier
auf Bestellung 2654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.18 EUR
10+ 1.01 EUR
100+ 0.71 EUR
500+ 0.6 EUR
1000+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3
ES1DAF ES1DAF Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002364433-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AD, SMAF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AD (SMAF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 59900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1063+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1063
ES1DAF ES1DAF onsemi es1jaf-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AD, SMAF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AD (SMAF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
ES1DAF ES1DAF ON Semiconductor es1jaf-d.pdf Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMAF T/R
auf Bestellung 9810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+0.76 EUR
226+ 0.67 EUR
227+ 0.64 EUR
284+ 0.49 EUR
287+ 0.47 EUR
500+ 0.4 EUR
1000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 206
ES1DAF ES1DAF ON Semiconductor es1jaf-d.pdf Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMAF T/R
auf Bestellung 9810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
226+0.69 EUR
227+ 0.66 EUR
284+ 0.51 EUR
287+ 0.49 EUR
500+ 0.42 EUR
1000+ 0.32 EUR
3000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 226
ES1DAF ES1DAF ONSEMI 2729171.pdf Description: ONSEMI - ES1DAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 34 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 34ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ES1DAF ES1DAF ONSEMI 2729171.pdf Description: ONSEMI - ES1DAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 34 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 34ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ES1DAF ONSEMI FAIR-S-A0002364433-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - ES1DAF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ES1DAL ES1DAL Taiwan Semiconductor Corporation ES1BAL SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3500+0.17 EUR
7000+ 0.16 EUR
10500+ 0.15 EUR
24500+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3500
ES1DAL ES1DAL Taiwan Semiconductor Corporation ES1BAL SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
auf Bestellung 29450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.76 EUR
33+ 0.54 EUR
100+ 0.27 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 24
ES1DALH ES1DALH Taiwan Semiconductor Corporation ES1BALH SERIES_B2103.pdf Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 14000
ES1DALH ES1DALH Taiwan Semiconductor Corporation ES1BALH SERIES_B2103.pdf Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.76 EUR
33+ 0.54 EUR
100+ 0.27 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.19 EUR
2000+ 0.17 EUR
5000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 24
ES1DB World Products Inc. ES1DB
auf Bestellung 2360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
275+0.57 EUR
300+ 0.51 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 275
ES1DF Microdiode Electronics Surface Mount Super Fast Rectifier
auf Bestellung 237000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7813+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7813
ES1DF-T ES1DF-T Taiwan Semiconductor Corporation ES1DF-T SERIES_B2103.pdf Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.6 EUR
44+ 0.4 EUR
100+ 0.2 EUR
500+ 0.16 EUR
1000+ 0.11 EUR
2000+ 0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 30
ES1DF-T ES1DF-T Taiwan Semiconductor Corporation ES1DF-T SERIES_B2103.pdf Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7500+0.091 EUR
Mindestbestellmenge: 7500
ES1DFL ES1DFL Taiwan Semiconductor Corporation ES1DFL SERIES_D2103.pdf Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 8965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.55 EUR
48+ 0.37 EUR
100+ 0.18 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.1 EUR
2000+ 0.09 EUR
5000+ 0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 33
ES1DFL ES1DFL Taiwan Semiconductor es1dfl20series_d2103.pdf Diode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.066 EUR
20000+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
ES1DFL ES1DFL Taiwan Semiconductor es1dfl20series_d2103.pdf Diode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
ES1DFS ES1DFS Taiwan Semiconductor Corporation ES1BFS SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
auf Bestellung 24500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3500+0.17 EUR
7000+ 0.16 EUR
10500+ 0.15 EUR
24500+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3500
ES1DFS ES1DFS Taiwan Semiconductor Corporation ES1BFS SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
auf Bestellung 27995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.76 EUR
33+ 0.54 EUR
100+ 0.27 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 24
ES1DFSH ES1DFSH Taiwan Semiconductor Corporation ES1BFSH SERIES_B2103.pdf Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.76 EUR
33+ 0.54 EUR
100+ 0.27 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.19 EUR
2000+ 0.17 EUR
5000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 24
ES1DFSH ES1DFSH Taiwan Semiconductor Corporation ES1BFSH SERIES_B2103.pdf Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 14000
ES1DH ES1DH Taiwan Semiconductor Corporation ES1AH SERIES_B2112.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.77 EUR
33+ 0.55 EUR
100+ 0.28 EUR
500+ 0.22 EUR
1000+ 0.17 EUR
2000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 23
ES1DH ES1DH Taiwan Semiconductor Corporation ES1AH SERIES_B2112.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7500
ES1DHE3_A/H ES1DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.63 EUR
37+ 0.49 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 28
ES1DHE3_A/H ES1DHE3_A/H Vishay General Semiconductor es1.pdf Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.62 EUR
10+ 0.48 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.16 EUR
1800+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
ES1DHE3_A/H ES1DHE3_A/H Vishay es1.pdf Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1800+0.13 EUR
9000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
ES1DHE3_A/H ES1DHE3_A/H Vishay es1.pdf Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 1800
ES1DHE3_A/H ES1DHE3_A/H VISHAY 2614032.pdf Description: VISHAY - ES1DHE3_A/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 25 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ES1DHE3_A/H ES1DHE3_A/H Vishay es1.pdf Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 4095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
274+0.57 EUR
356+ 0.42 EUR
360+ 0.4 EUR
597+ 0.23 EUR
603+ 0.22 EUR
661+ 0.19 EUR
1000+ 0.15 EUR
3000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 274
ES1DHE3_A/H ES1DHE3_A/H Vishay es1.pdf Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 4095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+0.43 EUR
597+ 0.25 EUR
603+ 0.24 EUR
661+ 0.21 EUR
1000+ 0.16 EUR
3000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 360
ES1DHE3_A/H ES1DHE3_A/H VISHAY 2614032.pdf Description: VISHAY - ES1DHE3_A/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 25 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ES1DHE3_A/I ES1DHE3_A/I Vishay General Semiconductor es1.pdf Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM
auf Bestellung 6062 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.61 EUR
10+ 0.47 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.17 EUR
2500+ 0.16 EUR
7500+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
ES1DHE3_A/I ES1DHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 22111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.63 EUR
37+ 0.49 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.18 EUR
2000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28
ES1DHE3_A/I ES1DHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7500+0.16 EUR
15000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7500
ES1DHE3_A/I ES1DHE3_A/I Vishay es1.pdf Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 2144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
321+0.49 EUR
401+ 0.38 EUR
404+ 0.36 EUR
627+ 0.22 EUR
633+ 0.21 EUR
685+ 0.19 EUR
1146+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 321
ES1DHE3_A/I ES1DHE3_A/I Vishay es1.pdf Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
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7500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7500
ES1DHE3_A/I ES1DHE3_A/I Vishay es1.pdf Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7500
ES1DHE3_A/I ES1DHE3_A/I Vishay es1.pdf Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 2144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
404+0.39 EUR
627+ 0.24 EUR
633+ 0.23 EUR
685+ 0.2 EUR
1146+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 404
ES1DL ES1DL Taiwan Semiconductor ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier
auf Bestellung 3735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.77 EUR
10+ 0.55 EUR
100+ 0.28 EUR
1000+ 0.19 EUR
2500+ 0.17 EUR
10000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
ES1DL ES1DL Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 21528 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.77 EUR
32+ 0.56 EUR
100+ 0.28 EUR
500+ 0.25 EUR
1000+ 0.19 EUR
2000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 23
ES1DL ES1DL Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
ES1DL ES1DL MULTICOMP PRO 3775282.pdf Description: MULTICOMP PRO - ES1DL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 25 A
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ES1DL ES1DL MULTICOMP PRO 3775282.pdf Description: MULTICOMP PRO - ES1DL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 25 A
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ES1DL R2G ES1DL R2G TAIWAN SEMICONDUCTOR ES1DL-R2G.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; subSMA; Ufmax: 0.95V
Mounting: SMD
Case: subSMA
Capacitance: 10pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 0.95V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
447+0.16 EUR
506+ 0.14 EUR
575+ 0.12 EUR
653+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 447
ES1DL R2G ES1DL R2G TAIWAN SEMICONDUCTOR ES1DL-R2G.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; subSMA; Ufmax: 0.95V
Mounting: SMD
Case: subSMA
Capacitance: 10pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 0.95V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
447+0.16 EUR
506+ 0.14 EUR
575+ 0.12 EUR
653+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 447
ES1DL R3G ES1DL R3G TAIWAN SEMICONDUCTOR 2357975.pdf Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1DL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Sub-SMA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1D
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ES1DLH ES1DLH Taiwan Semiconductor es1alhseries_a2103.pdf Diode Switching 200V 1A Automotive 2-Pin Sub SMA T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ES1DLH ES1DLH Taiwan Semiconductor es1alhseries_a2103.pdf Diode Switching 200V 1A Automotive 2-Pin Sub SMA T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
ES1DLH ES1DLH Taiwan Semiconductor es1alhseries_a2103.pdf Diode Switching 200V 1A Automotive 2-Pin Sub SMA T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
ES1DLW ES1DLW Taiwan Semiconductor ES1DLW SERIES_C2103.pdf Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier
auf Bestellung 8619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+ 0.5 EUR
100+ 0.24 EUR
1000+ 0.17 EUR
2500+ 0.15 EUR
10000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
ES1DLW ES1DLW Taiwan Semiconductor Corporation ES1DLW SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.14 EUR
30000+ 0.13 EUR
50000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
ES1DLW ES1DLW Taiwan Semiconductor Corporation ES1DLW SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 112708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.7 EUR
35+ 0.51 EUR
100+ 0.25 EUR
500+ 0.23 EUR
1000+ 0.18 EUR
2000+ 0.16 EUR
5000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 25
ES1DLW RVG ES1DLW RVG Taiwan Semiconductor es1dlw20series_c2103.pdf Diode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-123W T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ES1DLWH ES1DLWH Taiwan Semiconductor Corporation ES1DLWH SERIES_B2110.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
ES1DLWH ES1DLWH Taiwan Semiconductor Corporation ES1DLWH SERIES_B2110.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 28544 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.7 EUR
36+ 0.5 EUR
100+ 0.25 EUR
500+ 0.22 EUR
1000+ 0.17 EUR
2000+ 0.16 EUR
5000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 25
ES1D-M3/61T es1.pdf
ES1D-M3/61T
Hersteller: Vishay
Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 12600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12600+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 12600
ES1D-TP ES1A-ES1M_RevC_6-5-18.pdf
ES1D-TP
Hersteller: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (HSMA)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 2094000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
333334+5.3E-5 EUR
500000+ 3.5E-5 EUR
1000000+ 1.8E-5 EUR
Mindestbestellmenge: 333334
ES1DAF es1jaf-d.pdf
ES1DAF
Hersteller: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AD, SMAF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AD (SMAF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 29680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
15+1.21 EUR
17+ 1.06 EUR
100+ 0.73 EUR
500+ 0.61 EUR
1000+ 0.52 EUR
2000+ 0.46 EUR
5000+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 15
ES1DAF ES1JAF_D-2311493.pdf
ES1DAF
Hersteller: onsemi / Fairchild
Rectifiers 200V SMA Super Fast Rectifier
auf Bestellung 2654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.18 EUR
10+ 1.01 EUR
100+ 0.71 EUR
500+ 0.6 EUR
1000+ 0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3
ES1DAF FAIR-S-A0002364433-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ES1DAF
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AD, SMAF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AD (SMAF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 59900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1063+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1063
ES1DAF es1jaf-d.pdf
ES1DAF
Hersteller: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AD, SMAF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AD (SMAF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
ES1DAF es1jaf-d.pdf
ES1DAF
Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMAF T/R
auf Bestellung 9810 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
206+0.76 EUR
226+ 0.67 EUR
227+ 0.64 EUR
284+ 0.49 EUR
287+ 0.47 EUR
500+ 0.4 EUR
1000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 206
ES1DAF es1jaf-d.pdf
ES1DAF
Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMAF T/R
auf Bestellung 9810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
226+0.69 EUR
227+ 0.66 EUR
284+ 0.51 EUR
287+ 0.49 EUR
500+ 0.42 EUR
1000+ 0.32 EUR
3000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 226
ES1DAF 2729171.pdf
ES1DAF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1DAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 34 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 34ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ES1DAF 2729171.pdf
ES1DAF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1DAF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 34 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AD
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 34ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ES1DAF FAIR-S-A0002364433-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES1DAF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ES1DAL ES1BAL SERIES_C2103.pdf
ES1DAL
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3500+0.17 EUR
7000+ 0.16 EUR
10500+ 0.15 EUR
24500+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3500
ES1DAL ES1BAL SERIES_C2103.pdf
ES1DAL
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
auf Bestellung 29450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
24+0.76 EUR
33+ 0.54 EUR
100+ 0.27 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 24
ES1DALH ES1BALH SERIES_B2103.pdf
ES1DALH
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 14000
ES1DALH ES1BALH SERIES_B2103.pdf
ES1DALH
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
24+0.76 EUR
33+ 0.54 EUR
100+ 0.27 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.19 EUR
2000+ 0.17 EUR
5000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 24
ES1DB
Hersteller: World Products Inc.
ES1DB
auf Bestellung 2360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
275+0.57 EUR
300+ 0.51 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 275
ES1DF
Hersteller: Microdiode Electronics
Surface Mount Super Fast Rectifier
auf Bestellung 237000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7813+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7813
ES1DF-T ES1DF-T SERIES_B2103.pdf
ES1DF-T
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+0.6 EUR
44+ 0.4 EUR
100+ 0.2 EUR
500+ 0.16 EUR
1000+ 0.11 EUR
2000+ 0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 30
ES1DF-T ES1DF-T SERIES_B2103.pdf
ES1DF-T
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7500+0.091 EUR
Mindestbestellmenge: 7500
ES1DFL ES1DFL SERIES_D2103.pdf
ES1DFL
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 8965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
33+0.55 EUR
48+ 0.37 EUR
100+ 0.18 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.1 EUR
2000+ 0.09 EUR
5000+ 0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 33
ES1DFL es1dfl20series_d2103.pdf
ES1DFL
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10000+0.066 EUR
20000+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
ES1DFL es1dfl20series_d2103.pdf
ES1DFL
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10000+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
ES1DFS ES1BFS SERIES_C2103.pdf
ES1DFS
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
auf Bestellung 24500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3500+0.17 EUR
7000+ 0.16 EUR
10500+ 0.15 EUR
24500+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3500
ES1DFS ES1BFS SERIES_C2103.pdf
ES1DFS
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
auf Bestellung 27995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
24+0.76 EUR
33+ 0.54 EUR
100+ 0.27 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 24
ES1DFSH ES1BFSH SERIES_B2103.pdf
ES1DFSH
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
24+0.76 EUR
33+ 0.54 EUR
100+ 0.27 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.19 EUR
2000+ 0.17 EUR
5000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 24
ES1DFSH ES1BFSH SERIES_B2103.pdf
ES1DFSH
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 35NS, 1A, 200V, SUPER FAST RECOV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 14000
ES1DH ES1AH SERIES_B2112.pdf
ES1DH
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
23+0.77 EUR
33+ 0.55 EUR
100+ 0.28 EUR
500+ 0.22 EUR
1000+ 0.17 EUR
2000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 23
ES1DH ES1AH SERIES_B2112.pdf
ES1DH
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7500
ES1DHE3_A/H es1.pdf
ES1DHE3_A/H
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+0.63 EUR
37+ 0.49 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 28
ES1DHE3_A/H es1.pdf
ES1DHE3_A/H
Hersteller: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.62 EUR
10+ 0.48 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.16 EUR
1800+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
ES1DHE3_A/H es1.pdf
ES1DHE3_A/H
Hersteller: Vishay
Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1800+0.13 EUR
9000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
ES1DHE3_A/H es1.pdf
ES1DHE3_A/H
Hersteller: Vishay
Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1800+0.13 EUR
9000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
ES1DHE3_A/H 2614032.pdf
ES1DHE3_A/H
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - ES1DHE3_A/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 25 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ES1DHE3_A/H es1.pdf
ES1DHE3_A/H
Hersteller: Vishay
Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 4095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
274+0.57 EUR
356+ 0.42 EUR
360+ 0.4 EUR
597+ 0.23 EUR
603+ 0.22 EUR
661+ 0.19 EUR
1000+ 0.15 EUR
3000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 274
ES1DHE3_A/H es1.pdf
ES1DHE3_A/H
Hersteller: Vishay
Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 4095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
360+0.43 EUR
597+ 0.25 EUR
603+ 0.24 EUR
661+ 0.21 EUR
1000+ 0.16 EUR
3000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 360
ES1DHE3_A/H 2614032.pdf
ES1DHE3_A/H
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - ES1DHE3_A/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 25 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ES1DHE3_A/I es1.pdf
ES1DHE3_A/I
Hersteller: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM
auf Bestellung 6062 Stücke:
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5+0.61 EUR
10+ 0.47 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.17 EUR
2500+ 0.16 EUR
7500+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
ES1DHE3_A/I es1.pdf
ES1DHE3_A/I
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 22111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+0.63 EUR
37+ 0.49 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.18 EUR
2000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28
ES1DHE3_A/I es1.pdf
ES1DHE3_A/I
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7500+0.16 EUR
15000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7500
ES1DHE3_A/I es1.pdf
ES1DHE3_A/I
Hersteller: Vishay
Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 2144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
321+0.49 EUR
401+ 0.38 EUR
404+ 0.36 EUR
627+ 0.22 EUR
633+ 0.21 EUR
685+ 0.19 EUR
1146+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 321
ES1DHE3_A/I es1.pdf
ES1DHE3_A/I
Hersteller: Vishay
Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7500
ES1DHE3_A/I es1.pdf
ES1DHE3_A/I
Hersteller: Vishay
Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 7500
ES1DHE3_A/I es1.pdf
ES1DHE3_A/I
Hersteller: Vishay
Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R
auf Bestellung 2144 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
404+0.39 EUR
627+ 0.24 EUR
633+ 0.23 EUR
685+ 0.2 EUR
1146+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 404
ES1DL ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1DL
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier
auf Bestellung 3735 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
4+0.77 EUR
10+ 0.55 EUR
100+ 0.28 EUR
1000+ 0.19 EUR
2500+ 0.17 EUR
10000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
ES1DL ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1DL
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 21528 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
23+0.77 EUR
32+ 0.56 EUR
100+ 0.28 EUR
500+ 0.25 EUR
1000+ 0.19 EUR
2000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 23
ES1DL ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1DL
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
ES1DL 3775282.pdf
ES1DL
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - ES1DL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 25 A
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ES1DL 3775282.pdf
ES1DL
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - ES1DL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 25 A
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 25A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ES1DL R2G ES1DL-R2G.pdf
ES1DL R2G
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; subSMA; Ufmax: 0.95V
Mounting: SMD
Case: subSMA
Capacitance: 10pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 0.95V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
447+0.16 EUR
506+ 0.14 EUR
575+ 0.12 EUR
653+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 447
ES1DL R2G ES1DL-R2G.pdf
ES1DL R2G
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; subSMA; Ufmax: 0.95V
Mounting: SMD
Case: subSMA
Capacitance: 10pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 0.95V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
447+0.16 EUR
506+ 0.14 EUR
575+ 0.12 EUR
653+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 447
ES1DL R3G 2357975.pdf
ES1DL R3G
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1DL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Sub-SMA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1D
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ES1DLH es1alhseries_a2103.pdf
ES1DLH
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 200V 1A Automotive 2-Pin Sub SMA T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ES1DLH es1alhseries_a2103.pdf
ES1DLH
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 200V 1A Automotive 2-Pin Sub SMA T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
ES1DLH es1alhseries_a2103.pdf
ES1DLH
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 200V 1A Automotive 2-Pin Sub SMA T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
ES1DLW ES1DLW SERIES_C2103.pdf
ES1DLW
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier
auf Bestellung 8619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.69 EUR
10+ 0.5 EUR
100+ 0.24 EUR
1000+ 0.17 EUR
2500+ 0.15 EUR
10000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
ES1DLW ES1DLW SERIES_C2103.pdf
ES1DLW
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10000+0.14 EUR
30000+ 0.13 EUR
50000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
ES1DLW ES1DLW SERIES_C2103.pdf
ES1DLW
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 112708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+0.7 EUR
35+ 0.51 EUR
100+ 0.25 EUR
500+ 0.23 EUR
1000+ 0.18 EUR
2000+ 0.16 EUR
5000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 25
ES1DLW RVG es1dlw20series_c2103.pdf
ES1DLW RVG
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-123W T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ES1DLWH ES1DLWH SERIES_B2110.pdf
ES1DLWH
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
ES1DLWH ES1DLWH SERIES_B2110.pdf
ES1DLWH
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
auf Bestellung 28544 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
25+0.7 EUR
36+ 0.5 EUR
100+ 0.25 EUR
500+ 0.22 EUR
1000+ 0.17 EUR
2000+ 0.16 EUR
5000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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