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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ Produktcode: 25094 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 55 Idd,A: 75 Rds(on), Ohm: 0.0065 Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76 JHGF: THT |
auf Bestellung 13213 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF3205SPBF Produktcode: 36593 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 55 V Idd,A: 110 A Rds(on), Ohm: 8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146 JHGF: SMD |
auf Bestellung 15 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF3205ZPBF Produktcode: 34997 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 55 Idd,A: 75 Rds(on), Ohm: 0.0065 Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110 JHGF: THT |
auf Bestellung 534 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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F3205S | IOR |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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F3205S | IOR | 08+ . |
auf Bestellung 625 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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D4F-320-5D | Omron Automation and Safety | Limit Switches D4F-320-5D |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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D4F-320-5R | Omron Automation and Safety | Limit Switches D4F-320-5R |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3205 | Infineon |
N-MOSFET 110A 55V 200W 0.008Ω IRF3205 TIRF3205 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 411 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3205PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A On-state resistance: 8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 146nC Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 5674 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A On-state resistance: 8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 146nC Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5674 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3205PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC |
auf Bestellung 53827 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3205PBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm |
auf Bestellung 911 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 40715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205S | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3205S | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205SPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm |
auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205SPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205STRL | Infineon |
N-MOSFET 110A 55V 200W IRF3205S TIRF3205s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3205STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 679 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 679 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC |
auf Bestellung 8133 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 53600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205STRLPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm |
auf Bestellung 707 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205Z | International Rectifier |
N-MOSFET 75A 55V 170W IRF3205Z IRF3205Z TIRF3205z Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3205Z | International Rectifier |
N-MOSFET 75A 55V 170W IRF3205Z IRF3205Z TIRF3205z Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3205ZLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 78A Power dissipation: 170W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205ZLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 78A Power dissipation: 170W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3205ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 78A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 78A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3205ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg |
auf Bestellung 1303 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3205ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 30287 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205ZS | Infineon |
N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 304 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3205ZSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 78A Pulsed drain current: 440A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 382 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205ZSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 78A Pulsed drain current: 440A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 382 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg |
auf Bestellung 2422 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3205ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRF3205ZSTRL | Infineon |
auf Bestellung 456000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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HRF3205 | FSC |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IF3205 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF3205 IR |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF3205NSTRLPBF | IR | 09+ |
auf Bestellung 10018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF3205PB |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF3205PBF | IRF3205PBF Транзисторы |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRF3205PBF | International Rectifier Corporation | MOSFET N-CH 55V, 110A, TO-220 |
auf Bestellung 2174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205PBF/IR | IR | 08+; |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON |
auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205STRLPBF/IR | IR | 08+; |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF3205STRPBF | IR | 09+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF3205ZS | IR | TO-263 |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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KNF32050-W3 |
auf Bestellung 1868 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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UF3205GTO-220 |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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UF3205LTO-220 |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Транзистор польовий IRF3205PBF 110A 55V N-ch TO-220 |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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D3205 | WXDH |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 7mOhm; 120A; 204W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; D3205 DONGHAI TIRF3205 DH Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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HYG065N07NS1P | HUAYI |
Transistor N-Channel MOSFET; 70V; 20V; 100A; 6,5Ohm; 125W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF3205; HYG065N07NS1P HUAYI THYG065n07ns1p Anzahl je Verpackung: 20 Stücke |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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HRF3205 Produktcode: 92873 |
Verschiedene Bauteile > Other components 3 |
Produkt ist nicht verfügbar
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HRF3205 Produktcode: 92872 |
Verschiedene Bauteile > Other components 3 |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF3205 Produktcode: 188594 |
IC > IC andere |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF3205ZS Produktcode: 53829 |
IC > IC andere 8542 39 90 00 |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ Produktcode: 25094 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 13213 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.5 EUR |
10+ | 1.45 EUR |
100+ | 1 EUR |
IRF3205SPBF Produktcode: 36593 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
JHGF: SMD
auf Bestellung 15 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRF3205ZPBF Produktcode: 34997 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
JHGF: THT
auf Bestellung 534 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.72 EUR |
10+ | 0.68 EUR |
D4F-320-5D |
Hersteller: Omron Automation and Safety
Limit Switches D4F-320-5D
Limit Switches D4F-320-5D
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 391.56 EUR |
10+ | 386.39 EUR |
25+ | 365.16 EUR |
50+ | 344.71 EUR |
D4F-320-5R |
Hersteller: Omron Automation and Safety
Limit Switches D4F-320-5R
Limit Switches D4F-320-5R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 318.56 EUR |
10+ | 314.76 EUR |
50+ | 293.64 EUR |
100+ | 287.27 EUR |
IRF3205 |
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 110A 55V 200W 0.008Ω IRF3205 TIRF3205
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 110A 55V 200W 0.008Ω IRF3205 TIRF3205
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 411 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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20+ | 2.25 EUR |
IRF3205PBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 146nC
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 146nC
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 5674 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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44+ | 1.63 EUR |
52+ | 1.4 EUR |
56+ | 1.29 EUR |
76+ | 0.94 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
1000+ | 0.8 EUR |
IRF3205PBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 146nC
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 146nC
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5674 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
44+ | 1.63 EUR |
52+ | 1.4 EUR |
56+ | 1.29 EUR |
76+ | 0.94 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
1000+ | 0.8 EUR |
IRF3205PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
auf Bestellung 53827 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 2.39 EUR |
10+ | 1.97 EUR |
100+ | 1.58 EUR |
500+ | 1.34 EUR |
1000+ | 1.11 EUR |
2000+ | 1.04 EUR |
5000+ | 1.02 EUR |
IRF3205PBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
auf Bestellung 911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 9.3 EUR |
10+ | 5.8 EUR |
IRF3205PBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 40715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRF3205S |
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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20+ | 1.71 EUR |
IRF3205S |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 7.58 EUR |
10+ | 6.53 EUR |
100+ | 5.74 EUR |
IRF3205SPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 4.09 EUR |
10+ | 3.57 EUR |
IRF3205SPBF |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 3.49 EUR |
10+ | 3.01 EUR |
100+ | 2.65 EUR |
IRF3205STRL |
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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20+ | 2.43 EUR |
IRF3205STRLPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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54+ | 1.34 EUR |
59+ | 1.22 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
82+ | 0.87 EUR |
IRF3205STRLPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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54+ | 1.34 EUR |
59+ | 1.22 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
82+ | 0.87 EUR |
IRF3205STRLPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
auf Bestellung 8133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 2.46 EUR |
10+ | 2.09 EUR |
100+ | 1.65 EUR |
800+ | 1.3 EUR |
4800+ | 1.25 EUR |
9600+ | 1.24 EUR |
IRF3205STRLPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 53600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRF3205STRLPBF |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
auf Bestellung 707 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 8.85 EUR |
10+ | 8.18 EUR |
IRF3205Z |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 75A 55V 170W IRF3205Z IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
N-MOSFET 75A 55V 170W IRF3205Z IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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50+ | 2.76 EUR |
IRF3205Z |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 75A 55V 170W IRF3205Z IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
N-MOSFET 75A 55V 170W IRF3205Z IRF3205Z TIRF3205z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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50+ | 2.76 EUR |
IRF3205ZLPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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35+ | 2.04 EUR |
IRF3205ZLPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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35+ | 2.04 EUR |
IRF3205ZPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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37+ | 1.97 EUR |
41+ | 1.76 EUR |
47+ | 1.53 EUR |
68+ | 1.06 EUR |
72+ | 1 EUR |
IRF3205ZPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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37+ | 1.97 EUR |
41+ | 1.76 EUR |
47+ | 1.53 EUR |
68+ | 1.06 EUR |
72+ | 1 EUR |
IRF3205ZPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
auf Bestellung 1303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 2.57 EUR |
10+ | 2.01 EUR |
100+ | 1.72 EUR |
250+ | 1.65 EUR |
500+ | 1.44 EUR |
1000+ | 1.27 EUR |
2000+ | 1.22 EUR |
IRF3205ZPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 30287 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRF3205ZS |
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
20+ | 2.58 EUR |
IRF3205ZSTRLPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
50+ | 1.44 EUR |
56+ | 1.29 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
IRF3205ZSTRLPBF |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
50+ | 1.44 EUR |
56+ | 1.29 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
IRF3205ZSTRLPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
auf Bestellung 2422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 2.89 EUR |
10+ | 2.43 EUR |
100+ | 1.99 EUR |
500+ | 1.57 EUR |
800+ | 1.48 EUR |
2400+ | 1.4 EUR |
4800+ | 1.33 EUR |
IRF3205ZSTRLPBF |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRF3205PBF |
Hersteller: International Rectifier Corporation
MOSFET N-CH 55V, 110A, TO-220
MOSFET N-CH 55V, 110A, TO-220
auf Bestellung 2174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON |
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON |
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Транзистор польовий IRF3205PBF 110A 55V N-ch TO-220 |
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)D3205 |
Hersteller: WXDH
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 7mOhm; 120A; 204W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; D3205 DONGHAI TIRF3205 DH
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 7mOhm; 120A; 204W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; D3205 DONGHAI TIRF3205 DH
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
25+ | 1.48 EUR |
HYG065N07NS1P |
Hersteller: HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 70V; 20V; 100A; 6,5Ohm; 125W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF3205; HYG065N07NS1P HUAYI THYG065n07ns1p
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 70V; 20V; 100A; 6,5Ohm; 125W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF3205; HYG065N07NS1P HUAYI THYG065n07ns1p
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
40+ | 1.33 EUR |
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