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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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IRF4905PBF Produktcode: 22366
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IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 55 Id,A: 74 Rds(on),Om: 0.02 Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180 /: THT |
auf Bestellung 490 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF4905 | Infineon |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 292 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF4905 | Infineon |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF4905 | JSMicro Semiconductor |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF4905 | Infineon |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF4905 | UMW |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF4905 | UMW |
![]() ![]() Packaging: Tube |
auf Bestellung 791 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF4905L | International Rectifier |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 IRF4905L TIRF4905L Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF4905LPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.12µC |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905LPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.12µC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 1776 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1643 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 327 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905LPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
auf Bestellung 7960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905LPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 327 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC |
auf Bestellung 1189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1189 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF4905PBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 26058 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF4905PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 24503 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 80270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
IRF4905PBF | International Rectifier/Infineon |
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auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 911 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 911 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
IRF4905PBF | Infineon |
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auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905S | International Rectifier/Infineon | P-канальный ПТ (Vds=55V, Id=70A@T=25C, Id=44A@T=100C, Rds<0.02 Ohm@Vgs=10V, P=170W, -55 to 150C). D2-PAK |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905STRL | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF4905STRL | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 2115 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF4905STRL | JSMicro Semiconductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF4905STRL | UMW |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF4905STRLP | UMW |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF4905STRLP | UMW |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V |
auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF4905STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel |
auf Bestellung 2185 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2185 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 5916 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 6026 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF4905STRLPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 11983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
IRF4905STRLPBF | Infineon |
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auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905STRLPBF | INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 11983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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IRF4905STRRPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 63 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF4905STRRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4905STRRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
IRF4905+F | IR | 07+ 220 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
IRF4905PBF |
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auf Bestellung 930 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
IRF4905PBF | International Rectifier Corporation |
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auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
IRF4905PBF; -74A; -55V; 200W; 0.07R; P-канальний; TO-220AB; INFINEON (IRF) |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||||
IRF4905S | IR | 09+ |
auf Bestellung 1718 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
IRF4905S | IR |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
IRF4905S | IR | TO-263 |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
IRF4905S | IR | 08+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
IRF4905S | IR | 07+ TO-263 |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
IRF4905SPBF |
![]() |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
IRF4905STRL |
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auf Bestellung 710 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IRF4905PBF Produktcode: 22366
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
auf Bestellung 490 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 1.16 EUR |
10+ | 1.13 EUR |
IRF4905 | ![]() |
![]() |
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 2.71 EUR |
IRF4905 | ![]() |
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auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 2.71 EUR |
IRF4905 | ![]() |
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Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 80A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF4905; SP001571330; IRF4905 JSMICRO TIRF4905 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 80A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF4905; SP001571330; IRF4905 JSMICRO TIRF4905 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 1.81 EUR |
IRF4905 | ![]() |
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auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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50+ | 2.71 EUR |
IRF4905 | ![]() |
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Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905; SP001571330; IRF4905 UMW TIRF4905 UMW
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905; SP001571330; IRF4905 UMW TIRF4905 UMW
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 1.61 EUR |
IRF4905 | ![]() |
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auf Bestellung 791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 3.33 EUR |
10+ | 2.11 EUR |
100+ | 1.42 EUR |
500+ | 1.13 EUR |
IRF4905L |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 IRF4905L TIRF4905L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 IRF4905L TIRF4905L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 6.66 EUR |
IRF4905LPBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
26+ | 2.85 EUR |
35+ | 2.10 EUR |
42+ | 1.72 EUR |
43+ | 1.67 EUR |
46+ | 1.57 EUR |
IRF4905LPBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
26+ | 2.85 EUR |
35+ | 2.10 EUR |
42+ | 1.72 EUR |
43+ | 1.67 EUR |
46+ | 1.57 EUR |
100+ | 1.52 EUR |
IRF4905LPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 55V 42A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 1776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 3.89 EUR |
50+ | 2.41 EUR |
100+ | 2.35 EUR |
500+ | 2.10 EUR |
1000+ | 1.94 EUR |
IRF4905LPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 1640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
86+ | 1.88 EUR |
87+ | 1.79 EUR |
100+ | 1.69 EUR |
500+ | 1.52 EUR |
1000+ | 1.37 EUR |
IRF4905LPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF4905LPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 3130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
90+ | 1.81 EUR |
100+ | 1.71 EUR |
2000+ | 1.57 EUR |
IRF4905LPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 1643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
86+ | 1.81 EUR |
100+ | 1.71 EUR |
500+ | 1.53 EUR |
1000+ | 1.38 EUR |
IRF4905LPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
52+ | 3.16 EUR |
IRF4905LPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
100+ | 1.62 EUR |
101+ | 1.55 EUR |
102+ | 1.48 EUR |
IRF4905LPBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
Description: INFINEON - IRF4905LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 7960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF4905LPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
268+ | 2.26 EUR |
500+ | 2.08 EUR |
1000+ | 1.89 EUR |
IRF4905LPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
100+ | 1.62 EUR |
101+ | 1.55 EUR |
102+ | 1.48 EUR |
IRF4905PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
auf Bestellung 1189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
33+ | 2.20 EUR |
39+ | 1.86 EUR |
68+ | 1.06 EUR |
72+ | 1.00 EUR |
IRF4905PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1189 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
33+ | 2.20 EUR |
39+ | 1.86 EUR |
68+ | 1.06 EUR |
72+ | 1.00 EUR |
IRF4905PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 26058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 4.19 EUR |
50+ | 2.28 EUR |
100+ | 2.17 EUR |
500+ | 1.76 EUR |
1000+ | 1.57 EUR |
2000+ | 1.51 EUR |
5000+ | 1.47 EUR |
IRF4905PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 24503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
84+ | 1.94 EUR |
88+ | 1.77 EUR |
100+ | 1.63 EUR |
200+ | 1.50 EUR |
500+ | 1.22 EUR |
1000+ | 0.83 EUR |
2000+ | 0.77 EUR |
4000+ | 0.76 EUR |
8000+ | 0.75 EUR |
IRF4905PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
61+ | 2.65 EUR |
100+ | 2.45 EUR |
IRF4905PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF4905PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 80270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF4905PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 74 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 3400 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 20 мОм @ 38 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 74 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 3400 @ 25; Qg, нКл = 180 @ 10 В; Rds = 20 мОм @ 38 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 2.42 EUR |
10+ | 2.08 EUR |
100+ | 1.83 EUR |
IRF4905PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
911+ | 1.41 EUR |
IRF4905PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF4905PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=150W; Rds=0,02 Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET TO220AB Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=150W; Rds=0,02 Ohm
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.68 EUR |
10+ | 7.49 EUR |
100+ | 7.10 EUR |
IRF4905S |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальный ПТ (Vds=55V, Id=70A@T=25C, Id=44A@T=100C, Rds<0.02 Ohm@Vgs=10V, P=170W, -55 to 150C). D2-PAK
P-канальный ПТ (Vds=55V, Id=70A@T=25C, Id=44A@T=100C, Rds<0.02 Ohm@Vgs=10V, P=170W, -55 to 150C). D2-PAK
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 5.27 EUR |
10+ | 4.54 EUR |
100+ | 4.00 EUR |
IRF4905STRL |
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; IRF4905STRL TIRF4905s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; IRF4905STRL TIRF4905s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 4.11 EUR |
IRF4905STRL |
![]() |
Hersteller: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; IRF4905STRL TIRF4905s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; IRF4905STRL TIRF4905s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 4.11 EUR |
IRF4905STRL |
![]() |
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 65A; 280W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL JSMICRO TIRF4905s JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 65A; 280W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL JSMICRO TIRF4905s JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.31 EUR |
IRF4905STRL |
![]() |
Hersteller: UMW
Description: MOSFET P-CH 55V 42A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 55V 42A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 3.94 EUR |
10+ | 2.53 EUR |
100+ | 1.72 EUR |
500+ | 1.38 EUR |
1000+ | 1.27 EUR |
IRF4905STRLP |
![]() |
Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL UMW TIRF4905s UMW
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL UMW TIRF4905s UMW
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 1.82 EUR |
IRF4905STRLP |
![]() |
Hersteller: UMW
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 3.33 EUR |
10+ | 2.11 EUR |
100+ | 1.42 EUR |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
auf Bestellung 2185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.59 EUR |
28+ | 2.59 EUR |
45+ | 1.60 EUR |
48+ | 1.52 EUR |
800+ | 1.49 EUR |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 3.59 EUR |
28+ | 2.59 EUR |
45+ | 1.60 EUR |
48+ | 1.52 EUR |
800+ | 1.49 EUR |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 5916 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 2.05 EUR |
1600+ | 1.91 EUR |
2400+ | 1.87 EUR |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 6026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4+ | 5.83 EUR |
10+ | 3.81 EUR |
100+ | 2.65 EUR |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 11983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=3,8W; Rds=0,02 Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-74A; Pdmax=3,8W; Rds=0,02 Ohm
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.17 EUR |
10+ | 7.23 EUR |
100+ | 6.57 EUR |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
53+ | 3.10 EUR |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W.
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 1.82 EUR |
IRF4905STRLPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 11983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF4905STRRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 4.35 EUR |
IRF4905STRRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
295+ | 2.06 EUR |
500+ | 1.89 EUR |
1000+ | 1.72 EUR |
IRF4905STRRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF4905+F |
Hersteller: IR
07+ 220
07+ 220
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF4905PBF |
![]() |
IRF4905PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF4905PBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier Corporation
TO-220AB, Vdss=-55V, Id=-74A, Rds(on)=20mOm, -55...+175
TO-220AB, Vdss=-55V, Id=-74A, Rds(on)=20mOm, -55...+175
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF4905PBF; -74A; -55V; 200W; 0.07R; P-канальний; TO-220AB; INFINEON (IRF) |
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF4905S |
Hersteller: IR
09+
09+
auf Bestellung 1718 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF4905S |
Hersteller: IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF4905S |
Hersteller: IR
TO-263
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF4905S |
Hersteller: IR
08+
08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF4905S |
Hersteller: IR
07+ TO-263
07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF4905SPBF |
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IRF4905SPBF Транзисторы MOS FET Power
auf Bestellung 10 Stücke:
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IRF4905STRL |
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